本発明は、下記一般式（１）


（式中のＹ^１及びＹ^２は低級アルキレン基を示し、ｎは０〜４の整数を示し、Ｒ^１〜Ｒ^４とｎ個のＲ^５の内少なくとも４個はホスホン酸基を有するアルキル基を示すとともに残りはアルキル基を示す。）で示されるキレート剤又はその塩、アルカリ化合物及び純水の各成分を含有し且つｐＨが８〜１３である、金属配線が施されていてもよい半導体基板用洗浄液及びこれを用いた洗浄方法に関するものであり、アルカリ性の研磨剤やアルカリ性エッチング液を用いる工程の後に用いても、基板表面上のパーティクルがゲル化して除去し難くなったり、半導体基板表面に面荒れが発生し易くなる等の問題を生じさせることなく、半導体基板表面上の微細粒子（パーティクル）や各種金属由来の不純物を効率よく除去し得る洗浄液及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
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【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）

集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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【課題】 リンス液によるリンス処理に伴う基板への酸化膜やウォーターマークの発生を防止する。
【解決手段】 純水に窒素を溶解させるとともに、窒素溶解された純水に塩酸を混合させることで純水に比べてｐＨが低下されてなる混合液がリンス液として生成され、生成されたリンス液がノズル６、２５から基板Ｗに供給される。このようなリンス液では、リンス液の溶存酸素濃度が低下するとともに、ノズル６，２５からの吐出後におけるリンス液の溶存酸素濃度が急速に上昇するのが抑制される。また、基板表面からのＳｉの溶出が抑制される。その結果、基板の酸化を防止するとともに、ウォーターマークの発生を防止することができる。 （もっと読む）

シリコン含有犠牲層を、かかる犠牲層を有するマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）や他の半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。エッチング組成物には、超臨界流体（ＳＣＦ）と、エッチング液種と、共溶媒と、場合により界面活性剤とが含まれる。かかるエッチング組成物は、ＳＣＦの洗浄試薬としての固有の欠陥、すなわちＳＣＦの非極性や、それらに関連した、半導体基板から除去されなければならない極性種に対する溶解不能を克服する。これによって得られるエッチングされた基板が被るスティクションの頻度は、従来の湿式エッチング技術を用いてエッチングされた基板と比べてより低い。 （もっと読む）