【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 剥離及び洗浄工程で基板への損傷を最小に抑え、低コストで低ダメージ、環境に優しいプロセスを実現することができる対象物処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 処理対象面を有する対象物に対して、剥離／洗浄／加工のいずれかを含む処理を行うための対象物処理装置に、大気圧または減圧雰囲気で前記対象物を載置するステージ部と、純水を所定値に加圧した加圧温水をノズル部に供給する加圧温水供給部と、処理対象面に対し、加圧温水または加圧温水と薬液との混合物を噴出するノズル部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１８と、このブラシ１８を回転させるブラシ自転機構とを備えている。ブラシ１８は、ブラシ自転機構により回転させられながらウエハＷの周縁部に当接される。ウエハＷは、回転中のブラシ１８が当接された状態で、その回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、ウエハＷの周縁部に付着している汚染物質に互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。
【解決手段】脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含むストリッパー調合物。および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜が形成された基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する際に、形状性良く、かつエッチング残りが実質的に存在せずに除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜４１が形成されたウエハＷにおけるベベル部４２のポリシリコン膜４１をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、ベベル部４２のポリシリコン膜４１を除去せずに親水化する工程と、エッチング境界４３が平坦になる程度の回転数でウエハを回転させながら、親水化されたベベル部４２のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液をエッチング液として供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。
【解決手段】基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。これにより、厚みＴ1のフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の一方の面と他方の面とで除去する対象物が異なる場合であっても各対象物を確実に除去することができ、また、被処理基板を浸食することなく、被処理基板に付着したポリマーを確実に除去すること。
【解決手段】略鉛直方向に保持された複数の被処理基板Ｗの周縁部を洗浄する。洗浄液ＣＦを収容する収容槽１と、収容槽１内に配置され、被処理基板Ｗの表面Ｗａの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第一洗浄部１１と、裏面Ｗｂの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第二洗浄部２１と、を備えている。第一洗浄部１１または第二洗浄部２１の少なくとも一方は、収容槽１内に複数配置されている。第二洗浄部２１から被処理基板Ｗの裏面Ｗｂに加わる摩擦力は、第一洗浄部１１から被処理基板Ｗの表面Ｗａに加わる摩擦力よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＲＥ法のメリットを延ばし、ＣＡＲＥ法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。
【解決手段】２以上の表面除去工程と２以上の洗浄工程を有し、最終表面除去工程は、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水、及びオゾン水の少なくとも１つを含む処理液中に被加工物を配し、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、ガラス、及び、酸性または塩基性を有する固体触媒の何れかを表面に有する触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させて該被加工面を加工除去する触媒基準エッチングである。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、基板表面へのミストの付着を確実に防止しながら基板を乾燥させる。
【解決手段】リンス後の液膜Ｌが形成された基板Ｗに対して（図ａ）、該基板を回転させながらガス噴射ヘッド２００の下部から窒素ガスを噴射させる（図ｂ）。次いでガス噴射ヘッド２００の外周部に設けた噴射口から斜め下向きに環状に窒素ガスを噴射させながら、ガス噴射ヘッド２００を上昇させてゆく（図ｃ）。基板上の液膜Ｌと乾燥領域ＤＲとの境界に窒素ガスを吹き付けながら乾燥させてゆくことにより（図ｄ〜ｅ）、基板へのミストの付着や基板表面が酸化されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】処理液の液密空間への気体の混入を抑制または防止して、基板の一方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上処理空間４１および下処理空間４２にそれぞれＩＰＡ液が供給される。空間４１，４２に供給される薬液によって、空間４１，４２に元から存在する空気は、空間４１，４２外に押し出される（（ａ）参照）。空間４１，４２がＩＰＡ液により液密状態にされた後（（ｂ）参照）、空間４１，４２に薬液が供給される（（ｃ）参照）。空間４１，４２が液密状態に維持されつつ、空間４１，４２内のＩＰＡ液が薬液に置換されていく。その後、空間４１，４２が薬液により液密状態にされて、ウエハＷの上面および下面が薬液により洗浄される（（ｄ）参照）。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
処理液が貯留される処理槽１と、基板１６のデバイス面１６ａを下に向けて保持して上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を処理槽の処理液に浸漬させる保持機構１７と、処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波発振器１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を、フッ酸系処理液によって処理した後、有機溶媒により乾燥させる方法を用いた場合であっても、当該被処理基板にシミが発生することを防止すること。
【解決手段】液処理装置１は、ケーシング５と、ウエハ（被処理基板）Ｗを保持する基板保持機構２０と、処理液を供給する処理液供給機構３０と、処理液を受ける排液カップ１２と、処理液を外方に排出する排液管１３と、を備えている。処理液供給機構３０は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給機構と、ウエハＷを乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給機構４３とを有している。制御部５０は、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させた後、乾燥液供給機構４３によって有機溶媒を供給させ、かつ、乾燥液供給機構４３によって有機溶媒を供給させる前に、洗浄機構１０によりケーシング５内のアルカリ成分を除去させる。 （もっと読む）