【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的な帯電によるダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、ウェハＷの表面に薬液Ｌ₂よりも比抵抗値の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、ウェハＷの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行うことを特徴とする基板の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 細溝内の異物を完全に除去したシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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【課題】 シリコン基板内の不純物を効果的に除去できる半導体基板の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板の洗浄方法は、内部にイントリジックゲッタリング層が形成されたシリコン基板の表面と洗浄用の液体の薬品との接触領域の温度を、前記薬品の沸点未満において、２００℃以上の高温に保持し、かつ、該高温に保持している時間を制御することにより、前記シリコン基板の表面および内部のＣｕを除去し、前記シリコン基板内のＣｕの残存率を２０％以下にする洗浄を前記薬品により行なうことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Low-k膜残渣ポリマー及びレジストの除去液及び除去方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素と、フッ素系カルボン酸およびスルホン酸化合物からなる群から選択される少なくとも１種の洗浄成分を含む、比誘電率ｋが2．４以下の層間絶縁膜のエッチング後に残るポリマー及び／又はレジスト残渣を洗浄するための、液体、亜臨界または超臨界二酸化炭素系での洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、同一のサンプルホルダに載置して、エッチング液によってその表面に微細構造を形成するエッチング処理から超臨界流体による乾燥までの全処理を短時間で均一に再現性が良く行うことができる微細構造処理方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、サンプルホルダに載置された被処理物をエッチング液によるエッチング処理によって微細構造を形成するエッチング処理後、前記エッチング液を純水によって置換し、次いで前記純水を有機溶剤によって置換後、前記被処理物を前記置換処理部より取り出し超臨界流体によって前記有機溶剤を前記被処理物より除去する超臨界乾燥する微細構造処理方法において、前記エッチング処理から前記超臨界乾燥までの全処理に対して前記被処理物を前記サンプルホルダに載置して行うことを特徴とする微細構造処理方法にある。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】 エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること
【解決手段】 ＬＣＤガラス基板４０をエッチングするシステムを、エッチング槽１１、エッチング反応で生じた不純物３を含むエッチング排液２を取り出すエッチング液排出管１２、一次反応沈澱槽１４、二次反応沈澱槽１６、不純物３が一部除去された上澄み液７と、新しく追加される未使用のエッチング液８とからエッチング液９を調製するための調合槽１８などで構成する。そして、エッチング槽１１、エッチング液排出管１２、一次反応沈澱槽１４、および二次反応沈澱槽１６の全部または一部に噴射手段３２〜３５を設け、不純物除去流体３１をエッチング液１またはエッチング排液２に噴射して、これらから不純物３が沈殿する反応を誘起する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのハンダ屑やフラックスに対して洗浄効果が高く，設置スペースが節約できる洗浄設備のノズル装置を提供する。
【解決手段】噴射ノズルを取付けた可動キャップがキャップ軸に固定され、ロータリージョイントを介してアームに固定された該キャップ軸は、モータから速度調整自在に回転力が伝達されるように取付けられていて、噴射ノズルと可動キャップが共に回転し半導体ウエハを噴射洗浄し、可動キャップを上へ移動させる期間にウエハを搬送できるよう噴射ノズルを具備した可動キャップが垂直移動自在の半導体ウエハ洗浄用ノズル装置。 （もっと読む）

【課題】 剥離液によるレジストリフトオフ後に露出した化合物半導体にダメージを与えることなく、剥離液やレジスト残渣等の有機残留物を効果的に除去できる基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体層を表面に有した半導体基板上にレジストパターンをマスクとしてゲート部を成膜し、前記レジストパターンを剥離液により除去した後に、基板表面を、オゾン濃度が１５ｐｐｍ以下であり、基板表面に露出する化合物半導体層および配線層の金属に応じてｐＨおよびＯＲＰを調整したオゾン水を用いて洗浄する。 （もっと読む）

フッ化水素、有機溶媒及び水を含み、フッ化水素：有機溶媒：水の重量比が０．００１〜１０重量％：７０〜９９．９９８重量％：０．００１〜２０重量％である、導電性金属上に形成された金属変質層を除去するための除去液。
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【課題】 半導体基板表面の清浄度を良好にしかつ、半導体基板表面に粗さのムラが生じることを回避できる半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、半導体基板をＨＦ水溶液で洗浄処理するＨＦ処理工程（処理Ｓ２３）と、ＨＦ処理工程（処理Ｓ２３）の後、半導体基板を純水にオゾンが含有されてなるオゾン水で洗浄処理するオゾン処理工程（処理Ｓ２５）とを備える。そして、ＨＦ処理工程（処理Ｓ２３）とオゾン処理工程（処理Ｓ２５）との間に、半導体基板を純水で洗浄処理する純水処理工程（処理Ｓ２４）を備える。 （もっと読む）

シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 基板処理時における基板の破損を防止し、基板の飛散を防止することができる基板処理装置および基板飛散防止方法を提供する。
【解決手段】 回転処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック１１を備える。スピンチャック１１は、モータＭのシャフト１２により水平に固定されている。基板Ｗは、洗浄処理および乾燥処理を行う場合に、スピンチャック１１により水平に保持された状態で回転される。ケーシングＫの外壁に振動検出センサ１０が取り付けられている。振動検出センサ１０は基板Ｗの回転時に発生するケーシングＫの振動を測定する。振動検出センサ１０は制御部４に接続されており、ケーシングＫの振動に関するデータを制御部４へ出力する。制御部４は、ケーシングＫの振動に関するデータに基づいてモータＭの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーの絶縁膜側壁の残渣物のみならず、ビア底部で非結晶化した反応副生成物及び残渣物やパーティクルを十分に除去でき、処理設備や薬液購入のかかるコストは従来と比較して大幅に低減し処理時間も短くできる対象物処理方法を提供する。
【解決手段】 複数のホール部を有する処理対象面を具備する対象物についての該処理対象面にかかる不要物を除去する対象物処理方法であって、アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液を前記処理対象面に接触させる薬液処理工程と、前記混合溶液を接触させた前記処理対象面に、加圧された蒸気または水の少なくとも一つを適用して前記不要物を除去する除去処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハを混酸溶液でエッチングした後に、次の処理までの間にシリコン基板表面に生成されるステイン膜を、低コストで、かつ装置及びウェハ自身を汚染しないシリコンステイン膜の除去方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。ステイン膜除去液は、低コストで得ることができ、装置及びウェハ自身を汚染しないし、廃液処理が容易であり、環境負荷も低減する。 （もっと読む）

金属及びシリコンを含む化合物、例えばハフニウム金属を含むケイ酸塩（１０１ａ）をウェットエッチングによって確実に除去できるようにするために、ケイ酸塩（１０１ａ）を酸化した後、酸化されたケイ酸塩（１０１ａ）に対してウェットエッチングを行なう。
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【課題】装置の立上げに際して搬送系統の位置決めが必要でなく、装置の設置面積の減少可能な基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】ベース一体型の１つのフレームに、基板を搬送する搬送ロボット２と、基板の処理を行なう基板処理ユニット３、３と、基板収納カセット４、４を載置する基板ロードポート５、５と、基板処理ユニット３、３へ処理液を供給する処理液供給装置６を搭載した。基板処理ユニット３、３を基板収納カセット４、４に対して平行に配置し、乾燥した基板を搬送ロボット２で基板処理ユニット３、３と基板収納カセット４、４の間を搬送するようにした。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板の周縁部近傍における絶縁膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】
シリコン基板２上に第１の絶縁膜８を形成する工程と、第１の絶縁膜８上における周縁部近傍領域１２を除く領域にＳＯＧを形成する工程と、第１の絶縁膜上の凹部にＳＯＧを残すとともに、周縁部近傍領域１２の第１の絶縁膜８を除去して周縁部近傍領域１２のシリコン基板２の表面を露出させるエッチバック工程と、周縁部近傍領域１２を含むシリコン基板２上全体に、第２の絶縁膜１４を形成する工程と、を少なくとも備えた半導体装置の製造方法において、エッチバック処理後で、第２の絶縁膜１４を形成する前に、周縁部近傍領域１４のシリコン基板２表面に付着した不要物質を除去するための不要物除去工程をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 リンス液によるリンス処理に伴うウォーターマークの発生を防止する。
【解決手段】 ミキシングユニット５２ｂ，７２ｂはそれぞれ塩酸供給源５２ａ，７２ａに接続されており、純水供給部２００から供給される純水に対して希塩酸を混合可能となっている。そして、混合させる希塩酸の流量を制御することで混合液のｐＨが５以下に調整される。ミキシングユニット５２ｂ，７２ｂとミキシングユニット５５，７７の間にはそれぞれ窒素溶解ユニット５８，７８が配設されており、混合液を窒素溶解ユニット５８，７８に送り込むことで窒素豊富な流体が生成される。ミキシングユニット５５，７７はそれぞれノズル６，２５に接続されており、ノズル６，２５からｐＨが５以下に低下した窒素豊富な流体がリンス液として基板Ｗに供給される。このため、基板ＷからのＳｉの溶出が低減され、リンス処理に伴うウォーターマークの発生を防止できる。 （もっと読む）