【課題】シリコン酸化膜のエッチングレートを安定化するとともに、より安定したデバイス特性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板１１上に過水素化ポリシラザンを塗布し、少なくとも過水素化ポリシラザンを塗布した基板１１上を、超音波が印加された１２０℃以上に加熱された水を含む混合液に浸漬して、過水素化ポリシラザンを酸化シリコンに改質する。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程に続いて残留物を効果的に除去する化学処方物であって、ウエハ上に残ることになる脆い構造を攻撃せずかつ分解するおそれのないものを提供すること。
【解決手段】以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物：フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体１〜21％；有機アミンまたは２種のアミンの混合物20〜55％；水23〜50％；金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物０〜21％。 （もっと読む）

【課題】表面洗浄を含む半導体素子製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトホールを持つ絶縁層を形成し、コンタクトホールに露出された表面の自然酸化物汚染物を、アルコール類有機化合物、例えば、グリコール類有機化合物またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に分散されたふっ素（Ｆ）を含む化学種を含むエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて、好ましくは１．０以下の低選択比（ｌｏｗ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）で洗浄する。その後、コンタクトホールを導電層で埋め込んで連結コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理の時間およびエッチング終了から洗浄開始までの時間を短縮することにより、その間においてエッチングむらが生じにくいようにし、また設置面積を小さくする。
【解決手段】 エッチング液タンク９内のエッチング液２を処理槽１内に供給し、この供給されたエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理が終了し、処理槽１内のエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収したら、直ちに、純水供給管１４から純水３を処理槽１内に供給し、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対して洗浄処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部や可動部を有する半導体装置を、この凹凸部や可動部に固着、損傷を生じることなく製造する方法の提供。
【解決手段】半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された、クロム、ニッケル、或いはクロム及び／又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の一部を被覆するように形成された、金、パラジウム、或いは金及び／又はパラジウムを含む合金よりなる上層膜との積層膜の、前記下地膜を、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムとを含み、硝酸濃度が３５重量％以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングするに当たり、エッチング後の水洗工程におけるクロム等下地膜のエッチング加速を防止して、所望のエッチングをより確実に行う。
【解決手段】エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。この工程により硝酸セリウムアンモニウムを洗浄除去し、その後、基板に付着した硝酸液のみを水洗除去する。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素を用いて、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を基体から除去することができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】スルファミン酸エステルと、水又はメタノールのいずれかを含有する超臨界二酸化炭素流体を、基体の表面に供給して、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を除去することにより、基体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】コストアップを招くことなく、基板の表面に対する処理液の供給の均一性を確保しつつ、処理液の消費量、および基板への処理液の再付着の低減を図ることができる、処理液供給用ノズルおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル３は、筒状の保持部材７と、保持部材７に挿通された処理液吐出管８とを備えている。保持部材７は、先端側ほど中心軸線から離れるように拡開するフレア形状に形成されており、その先端を斜め下方に向けた状態に配置されている。処理液吐出管８は、長方形環状の断面形状を有している。処理液吐出管８の先端部は、保持部材７と非接触に設けられ、吐出口１０の長手方向と直交する方向に遊動可能な遊端部９となっている。そして、ガス流通路１３に窒素ガスを流すことにより、処理液吐出管８の先端部が上下方向に揺動されながら、処理液吐出管８の吐出口１０から処理液がウエハＷに向けて吐出される。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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【課題】同一チャンバ内でフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスによる洗浄等の処理と水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスによるリンス処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に所望の処理により汚染された半導体基板を設置した後、この半導体基板を加熱しながら、その半導体基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスを供給して洗浄する工程と、同一チャンバ内で半導体基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスを供給したリンスする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の処理効率を顕著に向上することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面中央に向けて処理液を吐出する処理液ノズル５０に接続された処理液供給管６３は、ミキシングバルブ（多連弁）８０に接続されている。ミキシングバルブ８０には、複数種の薬液または純水の流量を制御する複数の流量コントロールバルブ８１，８２，８３，８４，８５が接続されている。一方、基板Ｗの裏面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル２７を先端に有する処理液供給管２６は、ミキシングバルブ９０に接続されている。ミキシングバルブ９０には、複数種の薬液または純水の流量を制御する複数の流量コントロールバルブ９１，９２，９３，９４，９５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＦＭ処理において、ウェハ上のディフェクトの発生を抑え、半導体装置の歩留りを向上させることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】硫酸、ＨＦ、Ｈ_２Ｏの混合液１を用いて、ウェハに生成された被除去物を選択的に除去する工程と、希薄ＨＦ溶液２又は高濃度Ｈ_２ＳＯ_４液を用いて、ウェハに残留する混合液１を置換する工程と、ウェハに残留する希薄ＨＦ溶液２又は高濃度Ｈ_２ＳＯ_４液を除去する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体基材から不要な有機及び無機の残渣及び汚染物質を除去するために使用する、水系洗浄組成物に関する。
【解決手段】洗浄組成物は、基材からの有機残渣除去を主に担う成分として、例えばジメチル尿素のような尿素誘導体を含む。本発明の洗浄組成物にはフッ化物イオン源も含まれ、基材からの無機残渣除去を主に担う。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境に許容されうるものである。 （もっと読む）

【課題】 平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を実現するとともに、精度の高いシリコンウェーハの検査方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングするものである。
また、このエッチング方法を採用し、その表面をＸＰＳなどの手法によって検査することによって、精度のよいエッチング表面の検査を行うことができ、的確なシリコンウェーハの評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 四辺形基板の洗浄仕上がりの質の向上と、洗浄作業効率の向上を達成することのできる四辺形基板洗浄装置を提供することを目的とする
【解決手段】 四辺形の基板を洗浄する四辺形基板洗浄装置において、四辺形の相対する２辺で基板Ｗを支持するエル字形支持部材４０４Ａ〜Ｄであって、基板Ｗの底面Ｗ３を支持する底面支持部４１１と、側面Ｗ２を支持する側面支持部４１２とをそれぞれ有する少なくとも２個のエル字形支持部材と、基板Ｗの表面Ｗ１を洗浄する、エル字形支持部材の鉛直方向上方に配置された回転する表面洗浄ロール４０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第二銅イオン源、酸、ニトリル化合物、及びハライドイオン源を含むマイクロエッチング組成物に関する。
【解決手段】有機溶剤、モリブデンイオン源、アミン、ポリアミン、及びアクリルアミド等の他の添加剤もまた、本発明の組成物に含んでもよい。本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させる銅又は銅合金表面をマイクロエッチングする方法に関し、方法は銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させる工程、その後、高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部を選択的に処理液により処理するとともに、処理領域寸法の精度の高い制御ができ処理効率も高い、処理装置及び処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理体Ｗの周縁部を処理液により処理する処理装置１であって、被処理体Ｗを載置保持可能なテーブル２と、処理液を保持可能かつ被処理体Ｗの周縁部が配置可能な処理液保持空間４ｉを有する処理液ユニット４と、処理液保持空間４ｉに処理液を供給する処理液供給手段９と、処理液ユニット４を回転させる回転手段と、を備えている。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】貼合せ基板の活性層表面における微小突起や、割れパーティクルの発生を抑制し、活性層表面を平坦化し、高品質の貼合せ基板を得る。
【解決手段】活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 （もっと読む）

【課題】副生成物を残留させることなく高圧下で被処理体を良好に洗浄することのできる高圧処理方法を提供する。
【解決手段】超臨界二酸化炭素（ＳＣＦ）にフッ化水素、フッ化アンモニウムおよびイソプロピルアルコールを含む混合液を添加した流体を第１処理流体として用いて基板をエッチング処理することにより基板表面に形成されたＳｉＯ_２膜が効率良く除去される。続いてＳＣＦにメタノールまたはメタノールと水を添加した流体を第２処理流体として用いて基板をリンス処理することにより、エッチング処理に伴い生成され基板表面に残留付着するＳｉ_２Ｆ_６が効果的に除去される。 （もっと読む）