【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に凹凸形状をなすよう、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンを的確かつ効率よく除去することができ、しかもそのエッチングが行われる条件下において長時間活性が維持されるシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アンモニアと、ヒドロキシルアミン化合物、塩基性有機化合物、及び金属含有塩基性化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの特定塩基性化合物とを組み合わせて含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜６に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造１０の形成方法。 （もっと読む）

【課題】適切な形状のテクスチャーを確実に形成することができるエッチング液組成物およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含む。また、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング方法は、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含むエッチング液組成物を用いてエッチングを行う、エッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの潜在化した欠陥の発生を抑制する最適な処理液を選定する方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングが可能な材料からなる転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクを複数枚準備する工程１と、エッチング阻害物質の濃度が異なる複数種の処理液を準備する工程２と、前記処理液を用いて表面処理する工程３と、前記表面処理したマスクブランクの被処理面に対してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行って薄膜パターンを形成してマスクを作製し、該マスク表面の欠陥情報を取得する工程４と、エッチング阻害物質の濃度と前記マスク表面の欠陥情報との対応関係から所望の仕様又は品質を満足する欠陥情報を選択して、対応する処理液のエッチング阻害物質の濃度を特定する工程５、該特定した濃度を有する処理液を選定する工程６から成る。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板上にエッチング液に不溶であるプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナ合金をエッチングするエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板にプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナをエッチングする工程用のエッチング液であって、無機酸（Ａ）、オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｂ）および水を必須成分とするニッケルプラチナ合金用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が形成された被処理物の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、下記（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の少なくとも何れか一方と、下記（Ｃ）成分と、下記（Ｄ）成分とを含み、下記（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の少なくとも何れか一方と、（Ｃ）成分との含有量の合計が、微細加工処理剤の全体量に対し９０重量％以下である。
（Ａ）成分：０．０１重量％〜２０重量％のフッ化水素
（Ｂ）成分：０．１重量％〜２０重量％のフッ化アンモニウム、又は第四級アンモニウムフロライドの少なくとも何れか一方
（Ｃ）１重量％〜８０重量％の塩酸、硝酸、硫酸及びリン酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】液晶用基板上の導電性金属酸化物の除去を効率良く行う。
【解決手段】ガラス基板１３上の導電性金属酸化物膜１７及びその他の層１４〜１６を除去してガラス基板１３を回収すると共に、除去した残渣から加熱及び比重差により導電性金属酸化物１７からの還元金属を回収する技術である。ガラス基板１３との相対移動方向に、導電性金属酸化物膜１７に対向して正電極１１と負電極１２を順に配置する。負電極１２を導電性金属酸化物膜１７の近傍に又は接触するように位置させる。正電極１１及び負電極１２と、導電性金属酸化物膜１７間に電解液２０を介在させ、正電極１１と負電極１２に電圧を印加する。正電極１１は、導電性金属酸化物膜１７に対向する端面を湾曲状に形成したものを使用する。
【効果】導電性金属酸化物の除去効率が向上して希少金属の回収率が良くなる結果、液晶用基板の再生も容易に行える。 （もっと読む）

【課題】導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、塩酸と、界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。
界面活性剤は陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤の少なくとも１種を用いる。
本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】水平に配置した状態で、湿式処理した後の基材の少なくとも１つの表面から液体を効率よく除去する。
【解決手段】基材に供給する液体と相溶性を有しており、該液体と混合した場合に、該液体の表面張力よりも低い表面張力を有する混合物を生じる気体物質を基材の表面に供給することを、回転する基材の表面の少なくとも一部に、液体を供給することと組み合わせて行う。 （もっと読む）

【課題】レジストの硬化やヒビ割れ、開口幅の拡大および下地酸化の少なくとも一つを抑制しつつ、微細パターンのメッキやウエットエッチングを実現する新規な技術を提供する。
【解決手段】下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理する。 （もっと読む）

【課題】表面が親水性の場合には、洗浄液のみでの十分な洗浄を可能とし、疎水性の場合には、表面を簡単に親水性化し、その直後に洗浄液を供給して十分な洗浄を可能とし、更に、疎水性の強い膜表面を洗浄する場合に、洗浄液を広く拡がらせ、十分な洗浄を行なわせるようにすることである。
【解決手段】回転手段と、前記回転手段で回転させられる板体の上方に配置された第１のノズルＡと、前記回転手段で回転させられる板体の上方に配置された第２のノズルＢと、前記回転手段で回転させられる板体の回転上流側に配置された第１のノズルに連結された親水性剤貯留タンクと、前記回転手段で回転させられる板体の回転下流側に配置された第２のノズルに連結された薬剤貯留タンクとを具備してなり、前記第１のノズルＡから板体１の上に供給された親水性剤の上に前記第２のノズルＢからの薬剤が供給されるよう構成されてなる板体処理装置。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを抑制して所望の幅を有する金属パターンが得られる金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属からなる下層２と該下層２上の前記下層２とは異なる金属からなる上層３とで構成される金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記上層３上に所定形状のパターンを有するレジスト膜４を形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜４をマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより当該金属膜をパターニングするパターニング工程とを有し、且つこのパターニング工程が、前記上層３をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程後にノニオン系界面活性剤を含む前処理液に前記レジスト膜４及び前記上層３を浸漬する浸漬工程と、浸漬工程後に前記下層２をエッチングする第２エッチング工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層に結晶欠陥が発生するのを効果的に防止することができる埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウエーハ２に不純物を注入したあと拡散させて拡散層３を形成し、少なくとも該拡散層上の酸化膜５，８を除去した後、シリコンエピタキシャル層４を積層して埋め込み拡散層３´を有するシリコンエピタキシャルウエーハ１を製造する。少なくとも、前記拡散層上の酸化膜５，８の除去を、界面活性剤を添加したフッ酸によりエッチング除去するものとし、その後に前記シリコンエピタキシャル層４を積層する。 （もっと読む）

【課題】ハフニウムを含有した高誘電率材料のウェット処理に適した溶液を提示する。
【解決手段】ＨｆＯ２、ＨｆＯ２／Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２／ＳｉＯ２、ＨｆＳｉＯｘ、または、ＨｆＡｌＯｘなどのハフニウム含有層をウェット処理する溶液であって、フッ化水素酸とイオン強度の低い有機物質であるエチレングリコール、ポリグリコール、およびアセテートグリコールからなる群から選択された少なくとも１つの物質を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンエッチングにおいて、結晶面によるエッチング速度比やエッチング面の平滑度などのエッチング特性を維持しつつ、且つシリコンエッチング速度が高くシリコンエッチングプロセス時間が短縮されるエッチング剤組成物並びにこのエッチング剤組成物を用いるシリコンのエッチング方法を提供すること。
【解決手段】
無機アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン類を含有することを特徴とするシリコン微細加工に用いるエッチング剤組成物、並びにこのエッチング剤組成物を用いるシリコンのエッチング方法。
なし （もっと読む）