【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】
透明導電膜の微細パターニングを可能とするリフトオフ法によるパターニング方法、及び該パターニング方法を用いて形成された透明導電パターン膜を提供する。
【解決手段】
基材上に有機溶媒可溶性でかつ水不溶性のフォトレジストパターンを形成するパターンレジスト形成工程、前記フォトレジストパターンが形成された基材上の全面に導電性酸化物微粒子と無機バインダーと溶媒とからなる透明導電膜形成用塗布液を塗布、乾燥、硬化して導電性酸化物微粒子と無機バインダーマトリックスを主成分とする透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程、前記フォトレジストパターンを有機溶媒で溶解除去による現像をすることでフォトレジストパターン上に形成された透明導電膜を除去して透明導電パターン膜を得る透明導電膜パターニング工程を具備し、前記透明導電膜形成用塗布液の溶媒は、水又は水−アルコール混合溶液を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を下側にして基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制すること。
【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハＷの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル２０および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル２１を有するノズル部材５が設けられ、処理液吐出ノズル２０は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口２０ａを有し、ガス吐出ノズル２１は、ウエハＷに向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口２１ａと、ノズル部材５の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程は、前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面上の酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下で熱処理し、その後気相成長原料ガスを導入することで行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薬液を用いてハードマスクを除去する際に、薬液を回収して再利用することができる液処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハに形成された被エッチング膜を、所定パターンに形成されたハードマスク層をエッチングマスクとして用いてエッチングした後、ハードマスク層およびエッチングの際に付着したポリマーを薬液で除去する液処理方法は、ウエハを回転させながらウエハに薬液を供給してハードマスク層を除去し、処理後の薬液を廃棄する第１工程と、第１工程によりハードマスク層の残存量が、処理後の薬液を回収して再利用することが可能となる量となった際に、廃棄していた処理後の薬液を回収して当該液処理に供するように切り替える第２工程と、第２工程の後、ウエハを回転させながら、薬液を回収して再利用しつつ、薬液によりハードマスク層の残部およびポリマー、またはポリマーを除去する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】加熱周期の間において流体に対する加熱の度合いが経時的に大きく変化することを抑制することができる加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットにおいて、制御部５０は、要求出力量Ｑに基づいて、（Ａ）要求出力量Ｑが所定の設定値以下である場合には、加熱周期の全期間において常時オンとなる加熱器２４ａを設けることなく、全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行い、（Ｂ）要求出力量Ｑが所定の設定値より大きい場合には、加熱周期の全期間において全てまたは一部の加熱器２４ａを常時オンとし、残りの加熱器２４ａのうち全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行う。この際に、加熱周期における加熱器２４ａがオンとなる最大の数と最小の数との差が１以下になるようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）