【課題】 電極を形成する工程が増えることを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、受光面を有し、該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、該基板の前記受光面の上にアルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、該被覆層の一部の上に、アルミニウムと異なる材料を主成分とするマスクを形成する工程と、前記被覆層および前記マスクを酸性溶液に浸すとともに、該酸性溶液内に配置した陰極と前記基板との間に電界を印加して前記マスクから露出している前記被覆層を陽極酸化して、前記基板の前記受光面に到る多数の貫通孔を有する、陽極酸化された該被覆層を形成する工程と、前記被覆層の前記貫通孔を通して前記基板の前記受光面のうち対応する部分をエッチングする工程と、前記マスクを除去して、前記被覆層の前記一部を電極とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が５６〜９０質量％の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部２と、電解装置３と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路１０，２０，３０，３１と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部２２と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部３２とを備える表面処理システム１で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度で処理液を供給する。
【解決手段】処理液供給方法であって、表面６０ａにおいて、所定の位置に対応する箇所に開口部９０が複数形成され、且つ表面６０ａに形成された開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１を備えたテンプレート６０を、テンプレート６０の裏面６０ｂを保持して回転させるスピンチャック６２に載置する。次いで、テンプレート６０の表面６０ａに処理液を供給すると共にスピンチャック６２を回転させて流通路９１に処理液を充填する。処理液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａにウェハＷを密着させ、次いで、テンプレート６０とウェハＷとの密着を維持したまま、テンプレート６０とウェハＷとを上下反転させる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

本発明は、制御された孔径、孔密度及び多孔率を有する、大面積（１ｃｍ²より大きい）にわたってＮＰ 窒化ガリウム（ＧａＮ）を生成する方法に関する。さらに、多孔質ＧａＮに基づいた新規の光電子デバイスを生成する方法も開示される。さらに、基板の再利用を含む新しいデバイス製造のパラダイムを可能にする、自立型結晶ＧａＮ薄層を分離して作成するための層転写スキームが開示される。本発明の他の開示される実施形態は、ＧａＮベースのナノ結晶の製造、並びに、電気分解、水分解、又は光合成プロセスの用途のためのＮＰ ＧａＮ電極の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧（Ｖ_th）のばらつきの発生を抑制した、ゲートリセスの形成方法、ノーマリオフ型のＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法及びＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 （もっと読む）

本願では、１個又は複数個の多孔質半導体（ＰＳ）層例えば多孔質シリコン層を例えばその多孔度を違えつつ効率的に形成する手段を提供する。形成できるのは、半導体ベース分離層、光反射層、抗反射被覆層、パッシベーション層、多接合多バンドキャップ太陽電池の一部となる結晶シリコン薄膜上又は太陽電池ウェハ上の可変バンドギャップ輻射層、ダイアタッチメント用ＭＥＭＳ分離層、ＭＥＭＳデバイス形成用犠牲層、引き続く酸化で膜乃至シャロウトレンチアイソレーション（ＳＴＩ）となる相応多孔度のＰＳ層等である。本発明は、太陽電池に限らずＭＥＭＳ全般、例えばスタンドアロン型のセンサ乃至アクチュエータや微細半導体回路、微細半導体集積回路チップ若しくは光電子回路と集積されるセンサ乃至アクチュエータに適用されうる。
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【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置に関し、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｓｉ炭化物層２を形成する工程と、前記Ｓｉ炭化物層上に、化合物半導体層３を形成する工程と、少なくとも前記Ｓｉ炭化物層に、前記Ｓｉ炭化物のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する光を照射しながら、前記Ｓｉ炭化物層を選択的に溶解除去し、前記基板１と前記化合物半導体層とを分離する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。化合物半導体層の形成に用いた基板を化合物半導体層から分離させて再利用することができるため、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

光電（ＰＶ）ソーラーセル装置アーキテクチュアの大量生産のための高生産性で且つ所有コストが低い製造装置を提供することが、本開示の目的である。気相原料シリコンを使用することによって、現存する技術と比較して、材料処理ステップ及び材料コストを低減することが、本開示のさらなる目的である。本開示は、気相基板成長プロセスに適合する犠牲基板ベース層の製造を教示する。多孔質シリコンが、本開示で犠牲層として使用される。さらに、本開示は、犠牲多孔質シリコンＰＶセル基板ベース層を製造する装置を提供する。
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【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】金属等による汚染の心配がなく、簡便な工程にてＰ型シリコンウェーハ表面に多孔質層が形成でき、ウェーハ全面に形成される孔深さがより均一化されたＰ型シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】電解液で満たされた電解槽内に対向して配置された一対の陽極−陰極を有するバイポーラ型の電解槽を用い、該陽極と該陰極との間にシリコンウェーハを固定設置し、かつ、陽極側より光を照射しながら該陽極−陰極間に電流を流し電解酸化すると固定したシリコンウェーハ表面に多孔質シリコン層が極めて均一な孔深さを有してウェーハ全面に形成され、良好な多孔性シリコンウェーハが得られる。 （もっと読む）

【課題】液晶用基板上の導電性金属酸化物の除去を効率良く行う。
【解決手段】ガラス基板１３上の導電性金属酸化物膜１７及びその他の層１４〜１６を除去してガラス基板１３を回収すると共に、除去した残渣から加熱及び比重差により導電性金属酸化物１７からの還元金属を回収する技術である。ガラス基板１３との相対移動方向に、導電性金属酸化物膜１７に対向して正電極１１と負電極１２を順に配置する。負電極１２を導電性金属酸化物膜１７の近傍に又は接触するように位置させる。正電極１１及び負電極１２と、導電性金属酸化物膜１７間に電解液２０を介在させ、正電極１１と負電極１２に電圧を印加する。正電極１１は、導電性金属酸化物膜１７に対向する端面を湾曲状に形成したものを使用する。
【効果】導電性金属酸化物の除去効率が向上して希少金属の回収率が良くなる結果、液晶用基板の再生も容易に行える。 （もっと読む）