半導体ウェハ処理装置
【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの処理装置に関し、特に、半導体ウェハにウェット処理を行なう半導体ウェハ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体ウェハ処理装置では、半導体ウェハに還元、エッチング、めっき、洗浄などが電界印加によるウェット処理で行なわれている。
【０００３】
たとえば、特開平１１−２８８９０８号公報（特許文献１）には、電界印加によるウェット処理によって半導体ウェハの洗浄を行なう半導体ウェハの洗浄装置が開示されている。この半導体ウェハの洗浄装置では、半導体ウェハと電極部材との間に導電性の薬液が介在し、半導体ウェハと電極部材との間に所定の電圧が印加されている。そして半導体ウェハと薬液とが相対的に移動されて半導体ウェハが洗浄されている。
【０００４】
この半導体ウェハの洗浄装置では、多数枚の半導体ウェハがウェハカセットに収容されている。ウェハカセットの半導体ウェハの端縁を支持する部位の一部には、電気接点部が形成されている。この電気接点部が半導体ウェハに接触している。そして、電気接点部と電極部材とは電圧電源を介して接続されている。また、多数枚の半導体ウェハは、半導体ウェハの表裏面が薬液の流動方向と平行となる向きに配置され、かつ並列に支持されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８８９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の半導体ウェハの洗浄装置では、対向電極（電極部材）と複数の半導体ウェハのそれぞれの処理面とが交差する方向に配置されているので、対向電極（電極部材）との距離は半導体ウェハの処理面内の位置によって異なるため対向電極（電極部材）と半導体ウェハの処理面との距離が一定でない。
【０００７】
また、薬液などの処理液が処理槽に流される際に、処理液の流れによって半導体ウェハがゆれ動くことにより半導体ウェハと通電用接点（電気接点部）との密着性が悪くなる。そのため、電位に強弱が生じて半導体ウェハの処理面内に電界分布が生じ、半導体ウェハの処理面内の均一な処理を行なうことができないという問題がある。
【０００８】
さらに、半導体ウェハを処理槽内の半導体ウェハ支持部材の取り付け位置に強固に挟み込んで固定することにより、処理中における半導体ウェハのゆれを抑制することができるが、半導体ウェハが強固に挟み込まれて固定されると半導体ウェハが割れる可能性が高い。すなわち半導体ウェハが半導体ウェハ支持部材の取り付け位置に強固に挟み込まれるため、半導体ウェハに強い力が加えられるので、半導体ウェハの取り付け、取り外し時にウェハ割れが生じやすくなる。
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体ウェハ処理装置は、半導体ウェハに処理を施すための半導体ウェハ処理装置であって、半導体ウェハを保持するためのウェハカセットと、ウェハカセットに配置された半導体ウェハの処理面に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極と、処理液を導入可能な内部空間を有し、かつ内部空間に半導体ウェハ、ウェハカセットおよび対向電極を配置可能な処理槽と、半導体ウェハの処理面側の処理液の流速が処理面の裏面側の処理液の流速より速くなるように制御するための流速制御部材とを備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体ウェハ処理装置によれば、ウェハカセットに配置された半導体ウェハの処理面と平板状の対向電極の表面とが平行に配置されており、半導体ウェハの処理面側の処理液の流速が裏面側の処理液の流速より速くなるように制御されている。これにより、半導体ウェハの処理面内での電界分布を抑制することができるため、半導体ウェハの処理面内において均一な処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置のウェハカセットの概略斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置のウェハカセットの概略平面図である。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図５】本発明の実施の形態３における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図６】本発明の実施の形態４における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
最初に本発明の実施の形態１の半導体ウェハ処理装置の構成について説明する。
【００１４】
図１を参照して、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００は、ウェハカセット１、対向電極５、処理液供給部材（処理液供給口６、ポンプ１７）および処理槽８を主に有している。なお、図１においては、説明のため半導体ウェハ４および処理液７も図示されている。
【００１５】
ウェハカセット１は、半導体ウェハ４を保持するものである。ウェハカセット１に取り付けられた通電用接点２に半導体ウェハ４の処理面３ａが向き合うように複数の半導体ウェハ４がウェハカセット１に保持されている。
【００１６】
半導体ウェハ４の処理面３ａと対向するように対向電極５が設置されている。複数の半導体ウェハ４の処理面３ａに対して一括して処理を行なうために複数の対向電極５が設置されている。対向電極５の表面が半導体ウェハ４の処理面３ａと平行となるように半導体ウェハ４と対向電極５とが対向して配置されている。
【００１７】
対向電極５は、半導体ウェハ４と重ね合わせられたときに半導体ウェハ４を覆うことができるような形状および大きさに形成されている。つまり対向電極５の表面が半導体ウェハ４の処理面３ａより大きい。対向電極５は、たとえば白金、金などで構成されている。
【００１８】
処理槽８は、処理液７を導入可能な内部空間１８を有している。内部空間１８は、複数の半導体ウェハ４が保持されたウェハカセット１および対向電極５を配置可能である。処理液供給部材は、処理液供給口６とポンプ１７とを有している。処理槽８には処理液供給口６が挿入されるための孔が形成されている。処理液供給口６は、半導体ウェハ４の処理面３ａ側および裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置されている。処理液供給口６は、処理液７を供給するように、半導体ウェハ４の配置位置の手前（図中下側）に配置されている。処理液供給口６に通じる流路にはポンプ１７が配置されている。ポンプ１７は、処理槽８に処理液７を供給するためのものである。
【００１９】
処理槽８の上部には処理液排出口９が設置されている。これにより、処理槽８の一定の高さにまで処理液７が導入されると処理液排出口９から処理液７が排出されるように処理槽８は構成されている。
【００２０】
通電用接点２および対向電極５の各々には、ポテンショスタット１０が電気的に接続されている。ポテンショスタット１０の陰極には対向電極５が接続され、陽極には通電用接点２が接続されている。ポテンショスタット１０には基準電極１１が配置されている。これにより、基準電極１１を参照して、陰極と陽極との間の電位が設定された任意の電位に制御されて半導体ウェハ４の処理が行われる。
【００２１】
図２を参照して、ウェハカセット１にはウェハ支持溝１２が形成されている。ウェハ支持溝１２の幅は、半導体ウェハ４の厚みよりも大きくなるように構成されている。半導体ウェハ４が対向電極５に対してより平行に配置されるように、一枚の半導体ウェハ４に対して３つ以上のウェハ支持溝１２が形成されることが望ましい。
【００２２】
また、ウェハカセット１におけるウェハ支持溝１２と隣接する部分には、対向電極５が配置されるための対向電極挿入口１３が形成されている。
【００２３】
図３を参照して、ウェハ支持溝１２は、ウェハ支持溝１２を形成する壁の根元部において広く、先端部において狭い形状を有している。なお、上記のウェハ支持溝１２の形状は、一例であって、半導体ウェハ４を支持可能な形状であればよい。ウェハ支持溝１２を形成する一方の壁には通電用接点２が配置されている。通電用接点２は、たとえば白金、金などで構成されている。複数の通電用接点２は、通電用接点接続線１４で並列に接続されている。なお、上記の通電用接点２の形状は、一例であって、半導体ウェハ４と通電可能な形状であればよい。
【００２４】
次に、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置の動作について説明する。
図１を参照して、半導体ウェハ４が準備される。ウェハ支持溝１２（図３参照）に半導体ウェハ４が差し込まれることにより半導体ウェハ４がウェハカセット１に支持される。半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５とが対向するように対向電極５が配置される。図中矢印の方向に処理液供給口６から導電性の処理液７が処理槽８内にポンプ１７によって供給される。これにより、半導体ウェハ４と対向電極５とが処理液７に浸漬される。
【００２５】
なお、ウェハカセット１が処理槽８に配置された状態で対向電極５が配置されてもよく、またウェハカセット１に対向電極５が配置された状態でウェハカセット１が処理槽８に配置されてもよい。また、ウェハカセット１が処理槽８内に配置された状態で処理液７が導入されてもよく、また処理液７が処理槽８に導入された状態でウェハカセット１が処理槽８に配置されてもよい。
【００２６】
処理槽８の上部に設置された処理液排出口９から図中矢印Ｘの方向に処理液７が排出される。なお、処理液排出口９から排出した処理液７は、再度処理液供給口６に導入されてもよい。これにより、処理液７が再利用され、有効に利用される。
【００２７】
処理液７としては、たとえば超純水電解液、めっき液、洗浄液およびエッチング液などが用いられる。これらのような各種の処理液７が半導体ウェハ４の処理用途に応じて用いられることにより、処理用途に応じて半導体ウェハ４に処理が施される。
【００２８】
半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。このようにして、半導体ウェハ４の処理面３ａ側の処理液７の流速が裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように、処理液供給口６ａ、６ｂ、ポンプ１７ａ、１７ｂが制御される。
【００２９】
処理液供給口６ｂから供給される処理液７の流速が処理液供給口６ａから供給される処理液７の流速よりも速いので、半導体ウェハ４は流速が速い処理液供給口６ｂ側に引きつけられる。これにより、半導体ウェハ４が通電用接点２側に引きつけられる。
【００３０】
つまり、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の流速が速いため、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の圧力が小さくなる。そのために、半導体ウェハ４が圧力の大きな裏面３ｂ側より圧力の小さな処理面３ａ側に力が作用する。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａが通電用接点２と密着される。
【００３１】
したがって、図３に示すようにウェハカセット１のウェハ支持溝１２と半導体ウェハ４との間には隙間があるが、半導体ウェハ４が通電用接点２側のウェハカセット１に押し付けられるため半導体ウェハ４がウェハカセット１の内側で傾いたり、揺れたりすることが抑制される。
【００３２】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側の処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が半導体ウェハ４の裏面側の処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようポンプ１７ｃおよびポンプ１７ｄが制御される。
【００３３】
この状態で任意の電位が与えられて半導体ウェハ４に還元、エッチング、めっき、洗浄などの処理が施される。
【００３４】
次に、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置の作用効果について説明する。
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３ａと平板上の対向電極５の表面とが平行に配置されている。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５との距離とは処理面３ａ内の位置に関わらず一定となる。これにより、処理面３ａの面内を均一に処理することができる。
【００３５】
また、半導体ウェハ処理面３ａ側の処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）の処理液７の流速より速くなるように制御されている。このように処理液７の流速を半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側よりも速くなるように処理液７を流すことにより、半導体ウェハ４の処理面３ａを通電用接点２と密着させることができ確実に接触させることができる。
【００３６】
つまり、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の流速が速いため、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の圧力が小さくなる。そのために、半導体ウェハ４が圧力の大きな裏面３ｂ側より圧力の小さな処理面３ａ側に力が作用する。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａを通電用接点２に密着させることができる。よって、半導体ウェハ４を通電用接点２に確実に接触させることができる。
【００３７】
このようにして、半導体ウェハ４が通電用接点２を介してウェハカセット１に押し付けられる。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５とを平行に保った状態で確実に処理することができる。よって、半導体ウェハ４の処理面３ａ内での電界分布を抑制して、処理面３ａ内でばらつきなく均一な処理を行なうことができる。
【００３８】
また、ウェハカセット１に保持された複数の半導体ウェハ４に対して複数の対向電極５が対向して配置されているため、複数の半導体ウェハ４を一括して均一に処理することができる。
【００３９】
また、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、半導体ウェハ４の処理面３ａ側と裏面３ｂ側の処理液７の流速差に基づく圧力差によって半導体ウェハ４がウェハカセット１に通電用接点２を介して密着して保持されている。したがって、半導体ウェハ４が半導体ウェハ４を支持するための部材に強固に挟み込まれて固定されないため、半導体ウェハ４が半導体ウェハ４を支持するための部材に固定される際にウェハ割れが生じることがない。そのため、半導体ウェハ４の半導体ウェハ処理装置１００への取り付け、取り外し時にウェハ割れが生じることを抑制することができる。
【００４０】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、半導体ウェハの処理面と対向電極との配置が主に異なっている。
【００４１】
図４を参照して、１つの対向電極５に対して、対向電極５の両側から２つの半導体ウェハ４の処理面３ａが対向するように２つの半導体ウェハ４が配置されている。
【００４２】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。
【００４３】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４４】
以上により、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、実施の形態１と同様の作用効果を有する。また、１つの対向電極５に対して、対向電極５の両側から２つの半導体ウェハ４の処理面３ａが対向するように２つの半導体ウェハ４が配置されているため、１つの対向電極５で２つの半導体ウェハ４の処理面３ａを処理することができる。したがって、１つの対向電極５で１つの半導体ウェハ４の処理面３ａを処理する場合に比べて、対向電極５の数を半減することができる。これにより、生産コストを含めた生産性を向上させることができる。
【００４５】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、処理液供給部材の構成が主に異なっている。
【００４６】
図５を参照して、処理液供給部材は、処理液供給口６と、バルブ１５と、処理液導入口１６とを有している。処理液供給口６と処理液導入口１６との間にバルブ１５が設けられている。バルブ１５は、処理槽８に処理液７を供給するためのものである。処理液供給口６から導電性の処理液７が処理槽８内にポンプ１７によって供給される。
【００４７】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、バルブ１５によって処理液導入口１６から処理液供給口６に処理液７が導入される。そして処理液供給口６から処理液７が処理槽８内に供給される。バルブ１５により処理液７の流速が変化される。半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｂのコンダクタンスは、裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ａのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００４８】
たとえば、バルブ１５ｂの流量がバルブ１５ａの流量より大きくなるように設定されることにより、バルブ１５ｂのコンダクタンスがバルブａのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００４９】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｄのコンダクタンスは、裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｃのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５０】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５１】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂに設けられたバルブ１５ｂのコンダクタンスが、裏面側に配置された処理液供給口６aに設けられたバルブ１５ａのコンダクタンスより大きくなるように制御されている。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａ側の流速を裏面３ｂ側の流速よりも速くすることができる。そのため、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
【００５２】
また、バルブ１５を設けることにより、処理液導入口１６から処理液７が導入される際にバルブ１５の開閉操作によって処理液７の流速を容易に調整することができる。
【００５３】
また、処理内容により処理液７の流速を変化させたい場合などに、バルブ１５の開閉操作によって処理液７の流速を容易に調整することができるので、操作を簡単に行なうことができる。
【００５４】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、処理液供給部材の構成が主に異なっている。
【００５５】
図６を参照して、処理液供給部材は、処理液供給口６と、処理液導入口１６とを有している。処理液導入口１６から分岐するように複数の処理液供給口６が構成されている。処理液供給口６ａおよび６ｂはそれぞれ異なる処理液噴出の口径を有している。
【００５６】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスよりも十分に大きくなるように制御される。たとえば、処理液導入口１６の径が処理液供給口６の径より十分に大きく設定されることにより、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスより十分に大きくなるように制御される。
【００５７】
また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）のコンダクタンスが裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）のコンダクタンスより大きくなるように制御される。たとえば、処理液供給口６ｂの径が処理液供給口６ａの径より大きく設定されることにより、処理液供給口６ｂのコンダクタンスが処理液供給口６ｂのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５８】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）のコンダクタンスが裏面３ｂ側に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）のコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５９】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスよりも十分に大きくなるように制御されている。また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂのコンダクタンスが裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａのコンダクタンスより大きくなるように制御されている。これらにより、処理液供給口６ｂから供給される処理液７の流速を処理液供給口６ａから供給される処理液７の流速より速くすることができる。そのため、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
【００６１】
また、処理液導入口１６と処理液供給口６とによって処理液７の流速を制御しているため、処理液供給口６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄから供給される処理液７の流速は規定の値に保たれる。これにより、常に同じ条件で処理液７を導入することができる。したがって、半導体ウェハ４を安定して処理することができる。
【００６２】
また、処理液導入口１６と処理液供給口６のほかに処理液７の流速を制御するための部材を設けなくても処理液７の流速を制御することができるため、生産工程や生産コストを含めた生産性を向上することができる。
【００６３】
なお、上記の実施の形態１〜４においては、処理液供給部材において、処理液７を供給する流速を制御することにより半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成について説明したが、半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成は、これに限定されるものではない。半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成は、ファンなどを用いて処理液７の流速を変化させる流速制御部材であってもよい。流速制御部材には、処理液７を供給することにより処理液７の流速を制御する処理液供給部材以外の流速を制御する構成も含まれる。
【００６４】
なお、半導体ウェハ４と対向電極５との構成および処理液供給部材の構成については、実施の形態１〜４の各構成が適時組み合わせられた構成であってもよい。
【００６５】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体ウェハにウェット処理を行なう半導体ウェハ処理装置に特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００６７】
１ ウェハカセット、２ 通電用接点、３ 処理面、４ 半導体ウェハ、５ 対向電極、６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ 処理液供給口、７ 処理液、８ 処理槽、９ 処理液排出口、１０ ポテンショスタット、１１ 基準電極、１２ ウェハ支持溝、１３ 対向電極挿入口、１４ 通電用接点接続線、１５ バルブ、１６ 処理液導入口、１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ ポンプ １８ 内部空間、１００ 半導体ウェハ処理装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの処理装置に関し、特に、半導体ウェハにウェット処理を行なう半導体ウェハ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体ウェハ処理装置では、半導体ウェハに還元、エッチング、めっき、洗浄などが電界印加によるウェット処理で行なわれている。
【０００３】
たとえば、特開平１１−２８８９０８号公報（特許文献１）には、電界印加によるウェット処理によって半導体ウェハの洗浄を行なう半導体ウェハの洗浄装置が開示されている。この半導体ウェハの洗浄装置では、半導体ウェハと電極部材との間に導電性の薬液が介在し、半導体ウェハと電極部材との間に所定の電圧が印加されている。そして半導体ウェハと薬液とが相対的に移動されて半導体ウェハが洗浄されている。
【０００４】
この半導体ウェハの洗浄装置では、多数枚の半導体ウェハがウェハカセットに収容されている。ウェハカセットの半導体ウェハの端縁を支持する部位の一部には、電気接点部が形成されている。この電気接点部が半導体ウェハに接触している。そして、電気接点部と電極部材とは電圧電源を介して接続されている。また、多数枚の半導体ウェハは、半導体ウェハの表裏面が薬液の流動方向と平行となる向きに配置され、かつ並列に支持されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８８９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の半導体ウェハの洗浄装置では、対向電極（電極部材）と複数の半導体ウェハのそれぞれの処理面とが交差する方向に配置されているので、対向電極（電極部材）との距離は半導体ウェハの処理面内の位置によって異なるため対向電極（電極部材）と半導体ウェハの処理面との距離が一定でない。
【０００７】
また、薬液などの処理液が処理槽に流される際に、処理液の流れによって半導体ウェハがゆれ動くことにより半導体ウェハと通電用接点（電気接点部）との密着性が悪くなる。そのため、電位に強弱が生じて半導体ウェハの処理面内に電界分布が生じ、半導体ウェハの処理面内の均一な処理を行なうことができないという問題がある。
【０００８】
さらに、半導体ウェハを処理槽内の半導体ウェハ支持部材の取り付け位置に強固に挟み込んで固定することにより、処理中における半導体ウェハのゆれを抑制することができるが、半導体ウェハが強固に挟み込まれて固定されると半導体ウェハが割れる可能性が高い。すなわち半導体ウェハが半導体ウェハ支持部材の取り付け位置に強固に挟み込まれるため、半導体ウェハに強い力が加えられるので、半導体ウェハの取り付け、取り外し時にウェハ割れが生じやすくなる。
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体ウェハ処理装置は、半導体ウェハに処理を施すための半導体ウェハ処理装置であって、半導体ウェハを保持するためのウェハカセットと、ウェハカセットに配置された半導体ウェハの処理面に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極と、処理液を導入可能な内部空間を有し、かつ内部空間に半導体ウェハ、ウェハカセットおよび対向電極を配置可能な処理槽と、半導体ウェハの処理面側の処理液の流速が処理面の裏面側の処理液の流速より速くなるように制御するための流速制御部材とを備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体ウェハ処理装置によれば、ウェハカセットに配置された半導体ウェハの処理面と平板状の対向電極の表面とが平行に配置されており、半導体ウェハの処理面側の処理液の流速が裏面側の処理液の流速より速くなるように制御されている。これにより、半導体ウェハの処理面内での電界分布を抑制することができるため、半導体ウェハの処理面内において均一な処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置のウェハカセットの概略斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体ウェハ処理装置のウェハカセットの概略平面図である。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図５】本発明の実施の形態３における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【図６】本発明の実施の形態４における半導体ウェハ処理装置の概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
最初に本発明の実施の形態１の半導体ウェハ処理装置の構成について説明する。
【００１４】
図１を参照して、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００は、ウェハカセット１、対向電極５、処理液供給部材（処理液供給口６、ポンプ１７）および処理槽８を主に有している。なお、図１においては、説明のため半導体ウェハ４および処理液７も図示されている。
【００１５】
ウェハカセット１は、半導体ウェハ４を保持するものである。ウェハカセット１に取り付けられた通電用接点２に半導体ウェハ４の処理面３ａが向き合うように複数の半導体ウェハ４がウェハカセット１に保持されている。
【００１６】
半導体ウェハ４の処理面３ａと対向するように対向電極５が設置されている。複数の半導体ウェハ４の処理面３ａに対して一括して処理を行なうために複数の対向電極５が設置されている。対向電極５の表面が半導体ウェハ４の処理面３ａと平行となるように半導体ウェハ４と対向電極５とが対向して配置されている。
【００１７】
対向電極５は、半導体ウェハ４と重ね合わせられたときに半導体ウェハ４を覆うことができるような形状および大きさに形成されている。つまり対向電極５の表面が半導体ウェハ４の処理面３ａより大きい。対向電極５は、たとえば白金、金などで構成されている。
【００１８】
処理槽８は、処理液７を導入可能な内部空間１８を有している。内部空間１８は、複数の半導体ウェハ４が保持されたウェハカセット１および対向電極５を配置可能である。処理液供給部材は、処理液供給口６とポンプ１７とを有している。処理槽８には処理液供給口６が挿入されるための孔が形成されている。処理液供給口６は、半導体ウェハ４の処理面３ａ側および裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置されている。処理液供給口６は、処理液７を供給するように、半導体ウェハ４の配置位置の手前（図中下側）に配置されている。処理液供給口６に通じる流路にはポンプ１７が配置されている。ポンプ１７は、処理槽８に処理液７を供給するためのものである。
【００１９】
処理槽８の上部には処理液排出口９が設置されている。これにより、処理槽８の一定の高さにまで処理液７が導入されると処理液排出口９から処理液７が排出されるように処理槽８は構成されている。
【００２０】
通電用接点２および対向電極５の各々には、ポテンショスタット１０が電気的に接続されている。ポテンショスタット１０の陰極には対向電極５が接続され、陽極には通電用接点２が接続されている。ポテンショスタット１０には基準電極１１が配置されている。これにより、基準電極１１を参照して、陰極と陽極との間の電位が設定された任意の電位に制御されて半導体ウェハ４の処理が行われる。
【００２１】
図２を参照して、ウェハカセット１にはウェハ支持溝１２が形成されている。ウェハ支持溝１２の幅は、半導体ウェハ４の厚みよりも大きくなるように構成されている。半導体ウェハ４が対向電極５に対してより平行に配置されるように、一枚の半導体ウェハ４に対して３つ以上のウェハ支持溝１２が形成されることが望ましい。
【００２２】
また、ウェハカセット１におけるウェハ支持溝１２と隣接する部分には、対向電極５が配置されるための対向電極挿入口１３が形成されている。
【００２３】
図３を参照して、ウェハ支持溝１２は、ウェハ支持溝１２を形成する壁の根元部において広く、先端部において狭い形状を有している。なお、上記のウェハ支持溝１２の形状は、一例であって、半導体ウェハ４を支持可能な形状であればよい。ウェハ支持溝１２を形成する一方の壁には通電用接点２が配置されている。通電用接点２は、たとえば白金、金などで構成されている。複数の通電用接点２は、通電用接点接続線１４で並列に接続されている。なお、上記の通電用接点２の形状は、一例であって、半導体ウェハ４と通電可能な形状であればよい。
【００２４】
次に、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置の動作について説明する。
図１を参照して、半導体ウェハ４が準備される。ウェハ支持溝１２（図３参照）に半導体ウェハ４が差し込まれることにより半導体ウェハ４がウェハカセット１に支持される。半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５とが対向するように対向電極５が配置される。図中矢印の方向に処理液供給口６から導電性の処理液７が処理槽８内にポンプ１７によって供給される。これにより、半導体ウェハ４と対向電極５とが処理液７に浸漬される。
【００２５】
なお、ウェハカセット１が処理槽８に配置された状態で対向電極５が配置されてもよく、またウェハカセット１に対向電極５が配置された状態でウェハカセット１が処理槽８に配置されてもよい。また、ウェハカセット１が処理槽８内に配置された状態で処理液７が導入されてもよく、また処理液７が処理槽８に導入された状態でウェハカセット１が処理槽８に配置されてもよい。
【００２６】
処理槽８の上部に設置された処理液排出口９から図中矢印Ｘの方向に処理液７が排出される。なお、処理液排出口９から排出した処理液７は、再度処理液供給口６に導入されてもよい。これにより、処理液７が再利用され、有効に利用される。
【００２７】
処理液７としては、たとえば超純水電解液、めっき液、洗浄液およびエッチング液などが用いられる。これらのような各種の処理液７が半導体ウェハ４の処理用途に応じて用いられることにより、処理用途に応じて半導体ウェハ４に処理が施される。
【００２８】
半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。このようにして、半導体ウェハ４の処理面３ａ側の処理液７の流速が裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように、処理液供給口６ａ、６ｂ、ポンプ１７ａ、１７ｂが制御される。
【００２９】
処理液供給口６ｂから供給される処理液７の流速が処理液供給口６ａから供給される処理液７の流速よりも速いので、半導体ウェハ４は流速が速い処理液供給口６ｂ側に引きつけられる。これにより、半導体ウェハ４が通電用接点２側に引きつけられる。
【００３０】
つまり、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の流速が速いため、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の圧力が小さくなる。そのために、半導体ウェハ４が圧力の大きな裏面３ｂ側より圧力の小さな処理面３ａ側に力が作用する。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａが通電用接点２と密着される。
【００３１】
したがって、図３に示すようにウェハカセット１のウェハ支持溝１２と半導体ウェハ４との間には隙間があるが、半導体ウェハ４が通電用接点２側のウェハカセット１に押し付けられるため半導体ウェハ４がウェハカセット１の内側で傾いたり、揺れたりすることが抑制される。
【００３２】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側の処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が半導体ウェハ４の裏面側の処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようポンプ１７ｃおよびポンプ１７ｄが制御される。
【００３３】
この状態で任意の電位が与えられて半導体ウェハ４に還元、エッチング、めっき、洗浄などの処理が施される。
【００３４】
次に、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置の作用効果について説明する。
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３ａと平板上の対向電極５の表面とが平行に配置されている。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５との距離とは処理面３ａ内の位置に関わらず一定となる。これにより、処理面３ａの面内を均一に処理することができる。
【００３５】
また、半導体ウェハ処理面３ａ側の処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）の処理液７の流速より速くなるように制御されている。このように処理液７の流速を半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側よりも速くなるように処理液７を流すことにより、半導体ウェハ４の処理面３ａを通電用接点２と密着させることができ確実に接触させることができる。
【００３６】
つまり、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の流速が速いため、半導体ウェハ４の処理面３ａ側が裏面３ｂ側より処理液７の圧力が小さくなる。そのために、半導体ウェハ４が圧力の大きな裏面３ｂ側より圧力の小さな処理面３ａ側に力が作用する。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａを通電用接点２に密着させることができる。よって、半導体ウェハ４を通電用接点２に確実に接触させることができる。
【００３７】
このようにして、半導体ウェハ４が通電用接点２を介してウェハカセット１に押し付けられる。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａと対向電極５とを平行に保った状態で確実に処理することができる。よって、半導体ウェハ４の処理面３ａ内での電界分布を抑制して、処理面３ａ内でばらつきなく均一な処理を行なうことができる。
【００３８】
また、ウェハカセット１に保持された複数の半導体ウェハ４に対して複数の対向電極５が対向して配置されているため、複数の半導体ウェハ４を一括して均一に処理することができる。
【００３９】
また、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、半導体ウェハ４の処理面３ａ側と裏面３ｂ側の処理液７の流速差に基づく圧力差によって半導体ウェハ４がウェハカセット１に通電用接点２を介して密着して保持されている。したがって、半導体ウェハ４が半導体ウェハ４を支持するための部材に強固に挟み込まれて固定されないため、半導体ウェハ４が半導体ウェハ４を支持するための部材に固定される際にウェハ割れが生じることがない。そのため、半導体ウェハ４の半導体ウェハ処理装置１００への取り付け、取り外し時にウェハ割れが生じることを抑制することができる。
【００４０】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、半導体ウェハの処理面と対向電極との配置が主に異なっている。
【００４１】
図４を参照して、１つの対向電極５に対して、対向電極５の両側から２つの半導体ウェハ４の処理面３ａが対向するように２つの半導体ウェハ４が配置されている。
【００４２】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）から供給される処理液７の流速が裏面３ｂ側に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）から供給される処理液７の流速よりも速くなるようにポンプ１７ａおよびポンプ１７ｂが制御される。
【００４３】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４４】
以上により、本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、実施の形態１と同様の作用効果を有する。また、１つの対向電極５に対して、対向電極５の両側から２つの半導体ウェハ４の処理面３ａが対向するように２つの半導体ウェハ４が配置されているため、１つの対向電極５で２つの半導体ウェハ４の処理面３ａを処理することができる。したがって、１つの対向電極５で１つの半導体ウェハ４の処理面３ａを処理する場合に比べて、対向電極５の数を半減することができる。これにより、生産コストを含めた生産性を向上させることができる。
【００４５】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、処理液供給部材の構成が主に異なっている。
【００４６】
図５を参照して、処理液供給部材は、処理液供給口６と、バルブ１５と、処理液導入口１６とを有している。処理液供給口６と処理液導入口１６との間にバルブ１５が設けられている。バルブ１５は、処理槽８に処理液７を供給するためのものである。処理液供給口６から導電性の処理液７が処理槽８内にポンプ１７によって供給される。
【００４７】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、バルブ１５によって処理液導入口１６から処理液供給口６に処理液７が導入される。そして処理液供給口６から処理液７が処理槽８内に供給される。バルブ１５により処理液７の流速が変化される。半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｂのコンダクタンスは、裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ａのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００４８】
たとえば、バルブ１５ｂの流量がバルブ１５ａの流量より大きくなるように設定されることにより、バルブ１５ｂのコンダクタンスがバルブａのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００４９】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｄのコンダクタンスは、裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）に設けられたバルブ１５ｃのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５０】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５１】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂに設けられたバルブ１５ｂのコンダクタンスが、裏面側に配置された処理液供給口６aに設けられたバルブ１５ａのコンダクタンスより大きくなるように制御されている。これにより、半導体ウェハ４の処理面３ａ側の流速を裏面３ｂ側の流速よりも速くすることができる。そのため、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
【００５２】
また、バルブ１５を設けることにより、処理液導入口１６から処理液７が導入される際にバルブ１５の開閉操作によって処理液７の流速を容易に調整することができる。
【００５３】
また、処理内容により処理液７の流速を変化させたい場合などに、バルブ１５の開閉操作によって処理液７の流速を容易に調整することができるので、操作を簡単に行なうことができる。
【００５４】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４の半導体ウェハ処理装置は、実施の形態１の半導体ウェハ処理装置と比較して、処理液供給部材の構成が主に異なっている。
【００５５】
図６を参照して、処理液供給部材は、処理液供給口６と、処理液導入口１６とを有している。処理液導入口１６から分岐するように複数の処理液供給口６が構成されている。処理液供給口６ａおよび６ｂはそれぞれ異なる処理液噴出の口径を有している。
【００５６】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００では、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスよりも十分に大きくなるように制御される。たとえば、処理液導入口１６の径が処理液供給口６の径より十分に大きく設定されることにより、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスより十分に大きくなるように制御される。
【００５７】
また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂ（第１の処理液供給部）のコンダクタンスが裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａ（第２の処理液供給部）のコンダクタンスより大きくなるように制御される。たとえば、処理液供給口６ｂの径が処理液供給口６ａの径より大きく設定されることにより、処理液供給口６ｂのコンダクタンスが処理液供給口６ｂのコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５８】
同様に半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｄ（第１の処理液供給部）のコンダクタンスが裏面３ｂ側に配置された処理液供給口６ｃ（第２の処理液供給部）のコンダクタンスより大きくなるように制御される。
【００５９】
なお、本実施の形態のこれ以外の構成および動作は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態の半導体ウェハ処理装置１００によれば、処理液導入口１６のコンダクタンスが処理液供給口６のコンダクタンスよりも十分に大きくなるように制御されている。また、半導体ウェハ４の処理面３ａ側に配置された処理液供給口６ｂのコンダクタンスが裏面３ｂ側（処理面３ａの逆側）に配置された処理液供給口６ａのコンダクタンスより大きくなるように制御されている。これらにより、処理液供給口６ｂから供給される処理液７の流速を処理液供給口６ａから供給される処理液７の流速より速くすることができる。そのため、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
【００６１】
また、処理液導入口１６と処理液供給口６とによって処理液７の流速を制御しているため、処理液供給口６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄから供給される処理液７の流速は規定の値に保たれる。これにより、常に同じ条件で処理液７を導入することができる。したがって、半導体ウェハ４を安定して処理することができる。
【００６２】
また、処理液導入口１６と処理液供給口６のほかに処理液７の流速を制御するための部材を設けなくても処理液７の流速を制御することができるため、生産工程や生産コストを含めた生産性を向上することができる。
【００６３】
なお、上記の実施の形態１〜４においては、処理液供給部材において、処理液７を供給する流速を制御することにより半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成について説明したが、半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成は、これに限定されるものではない。半導体ウェハ４をウェハカセット１に密着させる構成は、ファンなどを用いて処理液７の流速を変化させる流速制御部材であってもよい。流速制御部材には、処理液７を供給することにより処理液７の流速を制御する処理液供給部材以外の流速を制御する構成も含まれる。
【００６４】
なお、半導体ウェハ４と対向電極５との構成および処理液供給部材の構成については、実施の形態１〜４の各構成が適時組み合わせられた構成であってもよい。
【００６５】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体ウェハにウェット処理を行なう半導体ウェハ処理装置に特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００６７】
１ ウェハカセット、２ 通電用接点、３ 処理面、４ 半導体ウェハ、５ 対向電極、６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ 処理液供給口、７ 処理液、８ 処理槽、９ 処理液排出口、１０ ポテンショスタット、１１ 基準電極、１２ ウェハ支持溝、１３ 対向電極挿入口、１４ 通電用接点接続線、１５ バルブ、１６ 処理液導入口、１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ ポンプ １８ 内部空間、１００ 半導体ウェハ処理装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに処理を施すための半導体ウェハ処理装置であって、
前記半導体ウェハを保持するためのウェハカセットと、
前記ウェハカセットに配置された前記半導体ウェハの処理面に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極と、
処理液を導入可能な内部空間を有し、かつ前記内部空間に前記半導体ウェハ、前記ウェハカセットおよび前記対向電極を配置可能な処理槽と、
前記半導体ウェハの前記処理面側の処理液の流速が前記処理面の裏面側の処理液の流速より速くなるように制御するための流速制御部材とを備えた、半導体ウェハ処理装置。
【請求項２】
前記流速制御部材が前記処理槽に処理液を供給するための処理液供給部材である、請求項１に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給部材は、ポンプを有する、請求項２に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給部材は、バルブを有する、請求項２または３に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部材は、前記半導体ウェハの前記処理面側から処理液を供給する第１の処理液供給部と、前記半導体ウェハの前記裏面側から処理液を供給する第２の処理液供給部とを含む、請求項２〜４のいずれかに記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項６】
前記第１および第２の処理液供給部は、それぞれ異なる処理液噴出の口径を有している、請求項５に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項１】
半導体ウェハに処理を施すための半導体ウェハ処理装置であって、
前記半導体ウェハを保持するためのウェハカセットと、
前記ウェハカセットに配置された前記半導体ウェハの処理面に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極と、
処理液を導入可能な内部空間を有し、かつ前記内部空間に前記半導体ウェハ、前記ウェハカセットおよび前記対向電極を配置可能な処理槽と、
前記半導体ウェハの前記処理面側の処理液の流速が前記処理面の裏面側の処理液の流速より速くなるように制御するための流速制御部材とを備えた、半導体ウェハ処理装置。
【請求項２】
前記流速制御部材が前記処理槽に処理液を供給するための処理液供給部材である、請求項１に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給部材は、ポンプを有する、請求項２に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給部材は、バルブを有する、請求項２または３に記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部材は、前記半導体ウェハの前記処理面側から処理液を供給する第１の処理液供給部と、前記半導体ウェハの前記裏面側から処理液を供給する第２の処理液供給部とを含む、請求項２〜４のいずれかに記載の半導体ウェハ処理装置。
【請求項６】
前記第１および第２の処理液供給部は、それぞれ異なる処理液噴出の口径を有している、請求項５に記載の半導体ウェハ処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１８２７９７（Ｐ２０１０−１８２７９７Ａ）
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３７２６（Ｐ２００９−２３７２６）
【出願日】平成２１年２月４日（２００９．２．４）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月４日（２００９．２．４）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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