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Fターム[5F157CF93]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 洗浄装置の構成 (539) | キャリア、洗浄用治具、洗浄容器 (110)

Fターム[5F157CF93]に分類される特許

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【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物(AMC、VOC)および/または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具(1)の処理方法であって、
前記輸送支持具(1)上の処理されるべき表面(1a)から異物を除去するために前記処理されるべき表面(1a)がその間に準大気圧のガス圧(PSA)と赤外線(IR)との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断/回復されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板とともに処理部を移動することにより、流体の使用量を低減することができる槽キャリアを提供する。
【解決手段】筐体3内の支持部材11に複数枚の基板Wを支持させた槽キャリア1を所望の処理部に移動させる。そして、筐体3に処理液を供給されることにより、複数枚の基板Wに対する処理を行うので、処理液の供給量を低減できる。したがって、処理に要する処理液の使用量を低減することができる。また、基板Wの受け渡しの機会を少なくできる。 (もっと読む)


【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇(引き上げ)時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 (もっと読む)


【課題】ウェハ表面に残った水の表面張力によりウェハが貼り付くことを防ぐウェハカセット搬送装置を得ること。
【解決手段】対向する一対の側面の内壁に設けられた複数のリブが形成する複数の保持溝の各々によって、複数のウェハ2を立てた状態で前後に並べて収容するウェハカセットを搬送するウェハカセット搬送装置10であって、ウェハカセット1を把持する把持装置6と、一対の側面と略同じ間隔で二列に配列され、複数の保持溝と同じピッチで配置された複数の歯を有するクシ5と、把持装置6及びクシ5を移動させる移送装置4と、を備え、移送装置4は、把持装置6がウェハカセット1を把持するのに先だって、複数の保持溝の各々において、ウェハ2とリブとの間に歯が挿入されるように把持装置6及びクシ5を移動させる。 (もっと読む)


【課題】ロードポートの個数を見かけ上増加させることにより、装置コストを抑制しつつも収納器の搬送効率を向上させることができる。
【解決手段】仮想ロードポート管理部は、物理ロードポートR−LP1,2に対して2個の仮想ロードポートV−LP1,2を割り当てる。さらに、仮想ロードポート管理部は、基板処理装置5と、キャリア搬送システム7と、ホストコンピュータ9とに対して、2個の仮想ロードポートV−LP1,2を2個の物理ロードポートとして扱わせる。したがって、現実の物理ロードポートの個数以上にロードポートが存在するようにFOUP3の搬送を行うことができ、見かけ上、ロードポートの個数を増加させることができる。その結果、装置コストを抑制しつつも、FOUP3の搬送効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第1の保持部材36aおよび第2の保持部材36bの下部には、ボルト38a用の貫通孔36c、貫通孔36dが複数箇所形成されている。第1の保持部材36aにおける貫通孔36cよりも下側に直線の切欠部36eが形成されるとともに、第2の保持部材36bにおける貫通孔36dよりも下側に直線の切欠部36fが形成されている。このため、貫通孔36c、貫通孔36dに処理液の液滴がたまることがない。したがって、複数枚の基板Wを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因で発生する基板W表面における乾燥ムラを防止できる。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第1の保持部材36aおよび第2の保持部材36bの下部には、ボルト38a用の貫通孔36c、貫通孔36dが複数形成されており、貫通孔36c及び貫通孔36dの形状は、固定具38のボルト38aの外径よりも大きい孔で、楕円形であるので、貫通孔36c、貫通孔36dに処理液の液滴がたまることがない。このため、複数枚の基板Wを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因の基板W表面における乾燥ムラの発生を防止できる。また、第1のワッシャー37aの下部に直線の切欠部37cが形成され、第2のワッシャー37bの下部に直線の切欠部37dが形成されているので、貫通孔36c及び貫通孔36dから切欠部37c及び切欠部37dを通って、スムーズに処理液の液滴を排出することができる。 (もっと読む)


【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が15度以下であるとする。 (もっと読む)


【課題】蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法において、被乾燥物に付着した水分中や溶剤中に不純物が含まれていても、シミが発生しにくくなるようにする。
【解決手段】溶剤蒸気4Aを供給する蒸気源3と、被乾燥物Wを搬入および搬出する開口部2aを有し開口部2aの下方に蒸気源3から供給された溶剤蒸気4Aを充満させて蒸気充満領域Vを形成する乾燥槽2と、被乾燥物Wを乾燥槽2の内外にわたる搬送路Mに沿って搬送する搬送機構7と、搬送機構7によって乾燥槽2に搬入された被乾燥物Wを、溶剤蒸気4Aの温度以上であって溶剤蒸気4Aとは異なる加熱源によって加熱する加熱部8と、を備える蒸気乾燥装置1を用いて乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、基板2が槽11内の液体Lに浸漬した状態で、供給口111から排出口112へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段18を備える。 (もっと読む)


【課題】突起部との接触による小さなエッチング異常の発生を防止することが可能なウェーハエッチング用治具を提供する。
【解決手段】ウェーハエッチング用治具10は、円板形状を有する側板11A,11Bと、側板11Aと側板11Bとを連結する複数のシャフト12a〜12eと、側板11Aと側板11Bとの間において個々のウェーハの収容空間を規定する複数のプレート13と、各プレート13の両面に設けられた突起部と、シャフト12b,12c,12dの上方に設けられた撹拌フィン15a,15b,15cとを備えている。撹拌フィン15a,15b,15cは、シャフト12b,12c,12dと平行に延設された板状部材であり、治具と共に回転してエッチング槽内のエッチング液を撹拌する。 (もっと読む)


【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置1は、トレイ20を少なくとも1つ収容できる密閉可能な密閉容器2と、密閉容器2内にエッチングガスを供給できるガス供給口10と、密閉容器2内のガスを排気できるガス排気口11と、密閉容器2に収容されたトレイ20の開口部を貫通可能に配設された軸部材3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長前の表面処理(エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理)において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 (もっと読む)


【課題】従来懸念された洗浄残り(超音波未照射領域)の発生を低減してウェーハ全体の洗浄度を向上させる。
【解決手段】複数の超音波洗浄槽を用いてウェーハの超音波洗浄を行うに際し、各超音波洗浄槽の底に設置したウェーハ受け台におけるウェーハの受け溝の位置を、各超音波洗浄槽間で相互に異ならせ、もってウェーハに対する超音波の未照射領域をなくす。 (もっと読む)


本発明は、ウエハー洗浄装備に使われるカセットに関するものである。本発明は、第1ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたジグ本体と、上記ジグ本体内に装着され、上記第1ウエハーに比べて相対的に直径が小さい第2ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたカセットの挿入をガイドするガイド部材とを含むことを特徴とするウエハー洗浄装備用カセットジグを開示する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハー表面にパーティクルの付着無く、半導体ウエハー及び収納カセットにウォーターマークが発生せず、スピンドライヤーを使用せず乾燥装置内で静止状態で迅速に半導体ウエハーを乾燥する方法及びその乾燥装置を提供する。
【解決手段】カセット内の各収納室に収納された洗浄後の半導体ウエハーを乾燥装置1内に導入し、半導体ウエハーを収納したカセットを乾燥装置1内の乾燥室1cに固定する工程と、乾燥室1c内の上部の噴射ノズルから放射状熱風を強制噴射する工程と、温風噴射停止後、室内の半導体ウエハー及び収納カセットに付着した残余水分を真空乾燥に一定温度条件下で短時間に蒸発乾燥させる工程と、その後、大気圧に戻し再度噴射ノズルにて半導体ウエハー及び収納カセットに熱風を放射状に強制噴射する工程と、再度、温度条件下で真空乾燥する工程を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】被処理体の全域を均一に超音波洗浄することができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による超音波洗浄装置1は、洗浄液を貯留する洗浄槽10と、洗浄槽10内に挿入可能に設けられ、被処理体Wを保持して洗浄液に浸漬させる被処理体保持装置20と、洗浄槽10の底部に設けられた振動子40と、振動子40に超音波振動を生じさせる超音波発振装置42とを備えている。洗浄槽10内には、被処理体Wを保持する側部保持部材50が設けられている。また、被処理体保持装置20は、駆動装置26によって側方に移動するようになっている。制御装置44は、被処理体Wを側部保持部材50に保持させた後、被処理体保持装置20を側方へ移動させるように駆動装置26を制御すると共に、振動子40に超音波振動を生じさせて振動子40からの超音波振動を被処理体Wに伝播させるようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのHMDSが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 (もっと読む)


【課題】隣接する基板同士の付着を防止しつつ、複数の基板を一括して処理する基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する複数の基板Wが所定間隔にて起立姿勢でバスケット5に保持されて気相処理槽10内に収容されている。気相処理槽10の底部を構成する貯留部21にはフッ化水素酸が貯留される。常温のフッ化水素酸からは、処理ガスとしてのフッ酸蒸気が蒸発して生成される。また、ファン23が作動して貯留部21内のフッ化水素酸の液面からバスケット5の内部を通過して循環経路24を流れて再び貯留部21に還流する気流が形成される。このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット5内部の複数の基板Wに供給され、エッチング処理が進行する。気相エッチング処理であれば隣接する基板W間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 (もっと読む)


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