【課題】シート体における傷や変形の発生を防止しつつシート体を支持し得るシート体支持装置を提供する。
【解決手段】連続的に移動している長尺のシート体１００を支持可能に構成され、多孔質の板状体３１と、板状体３１に気体を送り込む圧送機構３２とを備え、板状体３１の表面からの気体の吹き出しによって移動状態のシート体１００を板状体３１から浮上させた状態で支持する。この場合、板状体３１は、多孔質のセラミックスで形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に樹脂層を配し、この樹脂層を硬化させた後に生じる、又は基板の一面に導体層を形成した後に生じる、基板の反りを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える。 （もっと読む）

【目的】ウェハに反りがある場合に短時間の紫外線照射で良好に紫外線剥離テープを剥離できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供することである。
【解決手段】ウェハ１に反りがある場合でも紫外線透過板１４でウェハ１の反りを矯正し、ウェハ１に貼り付けた紫外線剥離テープ８に紫外線１２を均一に照射することで、紫外線光源１３と紫外線剥離テープ８の距離Ｌを短縮できる。また、紫外線透過板１４で紫外線光源１３の熱を遮蔽することで、ウェハ１の温度上昇を抑制することができる。その結果、ウェハ１の温度上昇を抑制しつつ、短時間の紫外線照射で接着剤の残渣がなく紫外線剥離テープ８をウェハ１から良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】特にシール部材の交換等のメンテナンス性を改善できるようにした基板ホルダを提供する。
【解決手段】基板Ｗの外周部を挟持して基板Ｗを着脱自在に保持する固定保持部材５４及び可動保持部材５８と、可動保持部材５８に取付けられ、可動保持部材５８と固定保持部材５４で基板Ｗを保持した時に、可動保持部材５８と基板Ｗの外周部との間、及び可動保持部材５８と固定保持部材５４との間をそれぞれシールする内側シール部材６６及び外側シール部材６８を有し、内側シール部材６６及び外側シール部材６８は、シールホルダ６２と該シールホルダ６２に取付けられる固定リング７０との間に挟持されて可動保持部材６８に取付けられている。 （もっと読む）

【課題】ガスや水蒸気の透過を略１００％ガード可能であり、しかも柔軟性に優れたフレキシブルガラス基板の製造方法及びフレキシブルガラス基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の一の面に製品サイズに切断するための切断溝Ｄを形成し、切断溝Ｄが形成されたガラス基板１の一の面に支持体３を仮着し、ガラス基板１の他の面をエッチング処理してガラス基板１を切断溝Ｄの底に達するまで薄肉化し、このエッチング処理後の他の面にフィルム基材５を貼合し、ガラス基板１の一の面に仮着された支持体３を剥離する。 （もっと読む）

【課題】装置運転を始動してから通常の運転が継続する限りは、最大スループットでの運転制御を行うため、線形計画法スケジュールにより新規基板投入スケジュール制御を行い、処理槽で故障が発生し装置が停止した後の生産再開時、ユニット使用・不使用動的切替、プロセスＮＧ発生時等のイベントに対して、プロセス制約条件を満たしながら基板回収等の基板搬送スケジュールを柔軟に作成できるシミュレーション法スケジューラに切り替えて制御を行うことができる基板処理装置の基板搬送方法、スケジューラ、基板処理装置の運転制御装置を提供すること。
【解決手段】線形計画法スケジューラ４５、シミュレーション法スケジューラ４６、スケジューラ切替プロセス４１を備え、基板搬送のスケジューリングを、線形計画法とシミュレーション法とを切り替えて行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の軽量化を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、主面側に回路が形成された半導体ウエハの裏面にレーザー透過性の裏面保護テープ６７を貼着した状態で、裏面保護テープ６７越しに半導体ウエハの裏面にレーザー６９を照射することによって半導体ウエハの裏面にマーキングをし、そのマーキングの前又は後に、半導体ウエハを複数の半導体チップ１１に個片化し、マーキング及び個片化の後に、複数の半導体チップ１１を裏面保護テープ６７から剥離することとした。 （もっと読む）

【課題】ワークの裏面の擦り傷を防止し、また、静電気の発生を抑制する吸着装置および液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】平坦面１０ａを有しワークを吸着する吸着穴１１が設けられたステージ１０と、ステージ１０の吸着穴１１に接続され負圧を発生させる減圧ポンプ１５と、環状の無終端となる多孔質ベルト２１が駆動ローラー２５と従動ローラー２６とに掛け渡されたベルト駆動装置２０と、を備え、駆動ローラー２５と従動ローラー２６との間にステージ１０が配置され、ワークの搬送方向と同じ方向に多孔質ベルト２１が駆動可能であり、多孔質ベルト２１がステージ１０に吸着され、多孔質ベルト２１を介してワークがステージ１０に吸着される。 （もっと読む）

【課題】新たに投入する基板に対して通常処理の基板搬送スケジュールを作成するだけでなく、故障が発生した場合にも容易に、且つ高い生産量を維持できる基板の搬送スケジュールを作成できるスケジューラ、及び該スケジューラを用いた基板処理装置、及び基板処理装置の運転方法を提供すること。
【解決手段】基板の処理を行う複数の基板処理部と、基板を搬送する搬送部と、搬送部での基板の搬送と基板処理部での基板処理を制御する制御部を備えた基板処理装置の制御部に内蔵され、基板搬送スケジュールを計算するスケジューラであって、新たに投入する基板に対する基板搬送スケジュールを順次計算し、更に装置内に故障が発生した際、その状態を初期状態として基板搬送スケジュールを再計算する機能を備えた。 （もっと読む）

【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

一実施形態において、物品を搬送する搬送ローラは、軸と、軸上のコイルを含む。コイルは可撓性中央部と、可撓性中央部の２つの対向する側部において軸に取り付ける第１端部及び第２端部を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド１８４を有し、保持ヘッド１８４は、基板を保持した状態での該保持ヘッド１８４の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構２６０を有する。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ法により形成された各パンプにおいて、丈を所望の高さに維持させること、丈を一定化させること、および、電極パッドとの密着性を向上させることができるメッキ処理装置を実現する。
【解決手段】無電解メッキ装置６０は、半導体ウエハ１の回路形成面２０が、水平方向よりも上方を向くように、ウエハキャリア１１を傾斜させた姿勢で保持する角度可変チャック９と、角度可変チャック９より保持されているウエハキャリア１１の、浮上、沈降、および搬送を行う搬送アーム１０と、を備え、角度可変チャック９による、ウエハキャリア１１の傾斜角度θは、２０°以上かつ４０°以下となる。 （もっと読む）

【課題】処理装置の管理の負担を軽減する半導体ウェーハ用治具を提供する。
【解決手段】プレートに形成され、一方の面側が他方の面側よりも広いウェーハ収納開口部１ａと、一方の面側のうちウェーハ収納開口部１ａとその周辺を含む領域に設けられるテープ貼り付け領域とを有し、ウェーハ収納部１ａには半導体ウェーハ２０を取り付けた後に、テープ貼り付け領域にテープ１０を貼り付けて半導体ウェーハ２０を固定し、仕様に合わない半導体装置ウェーハの処理を可能にする。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で基板を把持することができる基板把持機構を提供する。
【解決手段】基板把持機構は、基台１と、基台１に支持され、該基台１に対して上下方向に相対移動可能な複数の基板支持部材２と、基板支持部材２の上端にそれぞれ設けられた基板把持部２８と、基板支持部材２を上下動させる駆動機構２０と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちのいずれか一方に取り付けられた第１の磁石３１と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちの他方に取り付けられた第２の磁石３２とを備える。第１の磁石３１の磁石は、基板支持部材２の上下動に伴って、第２の磁石３２と近接した位置となるように配置され、第１の磁石３１と第２の磁石３２が近接したときに、第１の磁石３１と第２の磁石３２との間に発生する磁力により基板把持部２８が基板Ｗの端部を押圧する方向に基板支持部材２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】液漏れの発生を防止し、また通電用接点との十分な接触領域を確保しながら、エッジエクスクルージョンの幅を極力狭くして、１枚の半導体ウエハからより多くの半導体チップを製造することができるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷの周縁部に接触して該周縁部を水密的にシールするリング状のシール部を有し、シール部の円周方向に沿った所定位置、例えば半導体ウエハＷに設けられたノッチ部４に対応する位置や半導体ウエハＷの通電用接点９２との接触部に対応する位置に、内方に膨出する膨出部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、成膜原料を供給する成膜原料供給手段２７と、を具備し、前記基板載置台３の、前記被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａに、球面状の窪み３ｂ、又は球面状の膨らみ３ｃを持たせる。 （もっと読む）

【課題】ウエハキャリア駆動装置およびそれを動作させるための方法
【解決手段】駆動レールは、密封内部空洞と、駆動レールの長手方向に沿って伸びる外側駆動表面とを含む。内部空洞内に、外側駆動表面のちょうど反対側で内部空洞の表面に隣接して第１の磁気部材が配置される。内部空洞内に、第１の磁気部材に関連して駆動メカニズムが配置され、該駆動メカニズムは、第１の磁気部材が外側駆動表面のちょうど反対側にあり続けるように、第１の磁気部材を内部空洞内において駆動レールの長手方向に沿って移動させるように構成される。第１の磁気部材は、外側駆動表面に隣接して配置されたウエハキャリアに外側駆動表面を通じて磁気的に結合するように構成される。内部空洞内における駆動レールに沿った第１の磁気部材の移動は、外側駆動表面に沿ったウエハキャリアの対応する移動を生じさせる。 （もっと読む）