基板処理装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法
【課題】不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える。
【解決手段】基板処理装置は、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示デバイス、電子デバイス等の製造工程で使用される基板処理装置として、例えば下記特許文献に開示されているような、ロール・ツー・ロール方式の基板処理装置が案出されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公開第２００８／０２１３６２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板処理装置において、例えば基板の不要な部位が処理されたり、基板に異物が付着したりすると、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の基板処理装置を用いて基板を処理することと、処理された基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、巻かれた帯状の基板の少なくとも一部を第１供給部から送り出すことと、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着けることと、裏面にカバー部材が着けられた状態で基板の表面の処理を行うことと、表面の処理が行われた基板からカバー部材を離すことと、カバー部材から離れた基板を第１回収部から回収して巻くことと、を含む基板処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の基板処理方法を用いて基板を処理することと、処理された基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る第１装置の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る表面処理装置の一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る第２装置の一例を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図６】第３実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図７】第４実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図８】第５実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図９】第５実施形態に係る表面処理装置の一例を示す図である。
【図１０】第６実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１１】第７実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１２】第８実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１３】第９実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１４】第１０実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１５】第１１実施形態に係る第１装置の一例を示す図である。
【図１６】第１２実施形態に係る第２装置の一例を示す図である。
【図１７】第１３実施形態に係るデバイス製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図１８】第１３実施形態に係るデバイス製造方法の一例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１の一例を示す図である。本実施形態の基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状の基板Ｐの少なくとも一部を送出して処理した後、その処理された基板Ｐをロール状に巻く、所謂、ロール・ツー・ロール方式の基板処理装置である。
【００１４】
図１において、基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状の基板Ｐが配置される第１供給ユニット１と、第１供給ユニット１から送出された基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２と、表面処理装置２で処理された後の基板Ｐを回収する第１回収ユニット３と、第１供給ユニット１からの帯状の基板Ｐを第１回収ユニット３へ送る第１送り機構４と、基板処理装置ＲＴ１全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。
【００１５】
本実施形態において、基板Ｐは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。また、基板Ｐは、第１の方向と交差する第２の方向に所定の寸法（幅）を有する。第１の方向に関する基板Ｐの寸法は、第２の方向に関する基板Ｐの寸法よりも十分に大きい。基板Ｐは、柔軟で、撓むことができる。なお、基板Ｐは、自重程度の所定の力が作用されても、破断しない程度の強度を有する。基板Ｐは、表面ｐａと、表面ｐａの反対方向を向く裏面ｐｂとを有する。表面処理装置２は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００１６】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。
【００１７】
本実施形態において、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に配置される。第１装置６は、第１供給ユニット１と表面処理装置２との間に配置される。第２装置７は、表面処理装置２と第１回収ユニット３との間に配置される。
【００１８】
第１送り機構４は、第１供給ユニット１からの基板Ｐを第１装置６へ送る。また、第１送り機構４は、第１装置６からの基板Ｐを表面処理装置２へ送る。また、第１送り機構４は、表面処理装置２からの基板Ｐを第２装置７へ送る。また、第１送り機構４は、第２装置７からの基板Ｐを第１回収ユニット３へ送る。すなわち、本実施形態において、制御装置５は、第１供給ユニット１の基板Ｐが、第１供給ユニット１から送出され、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を経て、第１回収ユニット３へ送られるように、第１送り機構４を制御する。
【００１９】
本実施形態において、第１装置６は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける。基板Ｐは、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、表面処理装置２へ送られる。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。表面処理装置２において処理された基板Ｐは、第２装置７へ送られる。第２装置７は、表面処理装置２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。第２装置７は、第１回収ユニット３へ送られる前に基板Ｐの裏面ｐｂからカバー部材Ｃを離す。
【００２０】
第１供給ユニット１は、ロール状の基板Ｐを支持する供給ローラ１Ｒを有する。供給ローラ１Ｒは、軸１Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、供給ローラ１Ｒは、θＹ方向に回転可能である。ロール状の基板Ｐは、供給ローラ１Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第１供給ユニット１は、供給ローラ１Ｒが配置される空間を形成する供給チャンバ１Ｃを有する。供給ローラ１Ｒに支持された基板Ｐの少なくとも一部は、供給チャンバ１Ｃの一部に形成された供給口（開口）１Ｋから送出される。
【００２１】
第１回収ユニット３は、回収された基板Ｐをロール状に巻く回収ローラ３Ｒを有する。回収ローラ３Ｒは、軸３Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、回収ローラ３Ｒは、θＹ方向に回転可能である。第１回収ユニット３は、回収ローラ３Ｒを回転して、第１送り機構４からの基板Ｐを回収ローラ３Ｒで巻き取る。巻き取られたロール状の基板Ｐは、回収ローラ３Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第１回収ユニット３は、回収ローラ３Ｒが配置される空間を形成する回収チャンバ３Ｃを有する。第１送り機構４からの基板Ｐは、回収チャンバ１Ｃの一部に形成された回収口（開口）３Ｋから回収される。
【００２２】
なお、本実施形態においては、第１供給ユニット１が供給チャンバ１Ｃを有するが、供給チャンバ１Ｃは無くてもよい。また、本実施形態においては、第１回収ユニット３が回収チャンバ３Ｃを有するが、回収チャンバ３Ｃは無くてもよい。
【００２３】
なお、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第１供給ユニット１を備えることとするが、第１供給ユニット１が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。また、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第１回収ユニット３を備えることとするが、第１回収ユニット３が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。
【００２４】
第１送り機構４は、第１供給ユニット１と表面処理装置２との間に配置され、軸８Ａを中心に回転可能な搬送ローラ８と、表面処理装置２と第１回収ユニット３との間に配置され、軸９Ａを中心に回転可能な搬送ローラ９とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ８及び搬送ローラ９のそれぞれは、θＹ方向に回転可能である。搬送ローラ８は、第１供給ユニット１からの基板Ｐが接触可能な位置に配置され、基板Ｐの少なくとも一部と接触しながら、第１供給ユニット１からの基板Ｐを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ９は、表面処理装置２からの基板Ｐが接触可能な位置に配置され、基板Ｐの少なくとも一部と接触しながら、表面処理装置２からの基板Ｐを第１回収ユニット３へ送るように回転する。
【００２５】
本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置される。また、搬送ローラ９は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部と接触しながら、その基板Ｐを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ９は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部と接触しながら、その基板Ｐを第１回収ユニット３へ送るように回転する。
【００２６】
本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐを吸着する機能（サクション機能）を有する吸着ローラ（サクションローラ）でもよい。すなわち、搬送ローラ８が、基板Ｐを吸着しながら回転してもよい。なお、搬送ローラ８が、サクション機能を有しなくてもよい。また、本実施形態において、搬送ローラ９は、サクション機能を有してもよいし、有しなくてもよい。
【００２７】
表面処理装置２は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間に配置される。本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ９の軸９Ａとは同じ位置（高さ）に配置される。また、本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ９の直径（寸法）とは等しい。本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において、基板Ｐを＋Ｘ方向に送る。また、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、搬送ローラ８及び搬送ローラ９で基板Ｐを支持しながら、その基板Ｐを＋Ｘ方向に送る。表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）は、ＸＹ平面とほぼ平行である。表面処理装置２は、第１送り機構４によって表面ｐａ（裏面ｐｂ）がＸＹ平面とほぼ平行になるように支持されている基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００２８】
すなわち、本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において基板Ｐが弛まないように、その基板Ｐを支持しながら搬送する。表面処理装置２は、第１送り機構４によって弛まないように支持されている基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００２９】
なお、本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ９の直径（寸法）とが異なってもよい。なお、表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）がＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。なお、表面処理装置２において、基板Ｐが弛んでいてもよい。
【００３０】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。本実施形態において、第２送り機構１０は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。
【００３１】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、帯状の部材である。本実施形態において、カバー部材Ｃは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。また、カバー部材Ｃは、第１の方向と交差する第２の方向に所定の寸法（幅）を有する。第１の方向におけるカバー部材Ｃの寸法は、第２の方向におけるカバー部材Ｃの寸法よりも十分に大きい。カバー部材Ｃは、柔軟で、撓むことができる。なお、カバー部材Ｃは、自重程度の所定の力が作用されても、破断しない程度の強度を有する。カバー部材Ｃは、表面ｃａと、表面ｃａの反対方向を向く裏面ｃｂとを有する。
【００３２】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状のカバー部材Ｃが配置される第２供給ユニット１１と、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを回収する第２回収ユニット１２とを備えている。第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。
【００３３】
本実施形態において、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７は、第２供給ユニット１１と第２回収ユニット１２との間に配置される。第１装置６は、第２供給ユニット１１と表面処理装置２との間に配置される。第２装置７は、表面処理装置２と第２回収ユニット１２との間に配置される。
【００３４】
第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。また、第２送り機構１０は、第１装置６からのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送る。また、第２送り機構１０は、表面処理装置２からのカバー部材Ｃを第２装置７へ送る。また、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。すなわち、本実施形態において、制御装置５は、第２供給ユニット１１のカバー部材Ｃが、第２供給ユニット１１から送出され、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を経て、第２回収ユニット１２へ送られるように、第２送り機構１０を制御する。
【００３５】
本実施形態において、第１装置６は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部に、第２供給ユニット１１から送られたカバー部材Ｃを着ける。第２送り機構１０は、少なくとも第１装置６と第２装置７との間において、第１送り機構４により送られる基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。
【００３６】
すなわち、第１装置６において基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた後、第２送り機構１０は、第１送り機構４と協働して、基板Ｐ及びその基板Ｐの裏面ｐｂに着いているカバー部材Ｃを第１装置６から表面処理装置２へ送る。また、第２送り機構１０は、第１送り機構４と協働して、基板Ｐ及びその基板Ｐの裏面ｐｂに着いているカバー部材Ｃを表面処理装置２から第２装置７へ送る。第２装置７は、表面処理装置２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。
【００３７】
第２供給ユニット１１は、ロール状のカバー部材Ｃを支持する供給ローラ１１Ｒを有する。供給ローラ１１Ｒは、軸１１Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、供給ローラ１１Ｒは、θＹ方向に回転可能である。ロール状のカバー部材Ｃは、供給ローラ１１Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第２供給ユニット１１は、供給ローラ１１Ｒが配置される空間を形成する供給チャンバ１１Ｃを有する。供給ローラ１１Ｒに支持されたカバー部材Ｃの少なくとも一部は、供給チャンバ１１Ｃの一部に形成された供給口（開口）１１Ｋから送出される。
【００３８】
第２回収ユニット１２は、回収されたカバー部材Ｃをロール状に巻く回収ローラ１２Ｒを有する。回収ローラ１２Ｒは、軸１２Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、回収ローラ１２Ｒは、θＹ方向に回転可能である。第２回収ユニット１２は、回収ローラ１２Ｒを回転して、第２送り機構１０からのカバー部材Ｃを回収ローラ１２Ｒで巻き取る。巻き取られたロール状のカバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第２回収ユニット１２は、回収ローラ１２Ｒが配置される空間を形成する回収チャンバ１２Ｃを有する。第２送り機構１０からのカバー部材Ｃは、回収チャンバ１２Ｃの一部に形成された回収口（開口）１２Ｋから回収される。
【００３９】
なお、本実施形態においては、第２供給ユニット１１が供給チャンバ１１Ｃを有するが、供給チャンバ１１Ｃは無くてもよい。また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２が回収チャンバ１２Ｃを有するが、回収チャンバ１２Ｃは無くてもよい。
【００４０】
なお、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第２供給ユニット１１を備えることとするが、第２供給ユニット１１が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。また、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第２回収ユニット１２を備えることとするが、第２回収ユニット１２が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。
【００４１】
第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１と表面処理装置２との間に配置され、軸１３Ａを中心に回転可能な搬送ローラ１３と、表面処理装置２と第２回収ユニット１２との間に配置され、軸１４Ａを中心に回転可能な搬送ローラ１４とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４のそれぞれは、θＹ方向に回転可能である。搬送ローラ１３は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃが接触可能な位置に配置され、カバー部材Ｃの少なくとも一部と接触しながら、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ１４は、表面処理装置２からのカバー部材Ｃが接触可能な位置に配置され、カバー部材Ｃの少なくとも一部と接触しながら、表面処理装置２からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送るように回転する。
【００４２】
本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。また、搬送ローラ１４は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部と接触しながら、そのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ１４は、カバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部と接触しながら、そのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送るように回転する。
【００４３】
本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃを吸着する機能（サクション機能）を有する吸着ローラ（サクションローラ）でもよい。すなわち、搬送ローラ１３が、カバー部材Ｃを吸着しながら回転してもよい。なお、搬送ローラ１３が、サクション機能を有しなくてもよい。また、本実施形態において、搬送ローラ１４は、サクション機能を有してもよいし、有しなくてもよい。
【００４４】
表面処理装置２は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間に配置される。本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、搬送ローラ１３の軸１３Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとは同じ位置（高さ）に配置される。また、本実施形態において、搬送ローラ１３の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは等しい。本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間において、カバー部材Ｃを＋Ｘ方向に送る。また、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間においてカバー部材Ｃの表面ｃａ（裏面ｃｂ）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４でカバー部材Ｃを支持しながら、そのカバー部材Ｃを＋Ｘ方向に送る。表面処理装置２において、カバー部材Ｃの表面ｃａ（裏面ｃｂ）は、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００４５】
すなわち、本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間においてカバー部材Ｃが弛まないように、そのカバー部材Ｃを支持しながら搬送する。
【００４６】
なお、本実施形態において、搬送ローラ１３の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは異なってもよい。
【００４７】
図２は、本実施形態に係る第１装置６の一例を示す図である。本実施形態において、第１装置６は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１送り機構４の搬送ローラ８と、搬送ローラ８との間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟む第２送り機構１０の搬送ローラ１３とを含む。第１装置６は、搬送ローラ８と搬送ローラ１３との間で基板Ｐ及びカバー部材Ｃを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける。すなわち、本実施形態において、搬送ローラ８及び搬送ローラ１３の一方は、他方との間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟むニップローラとして機能する。
【００４８】
本実施形態においては、第１装置６は、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが対向するように、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。換言すれば、第１装置６は、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが接触するように、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが対向された状態で、基板Ｐの表面ｐａが対向する位置に配置された搬送ローラ８とカバー部材Ｃの表面ｃａが対向する位置に配置された搬送ローラ１３とによって、基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが密着する。
【００４９】
本実施形態において、第２送り機構１０の搬送ローラ１３は、第１送り機構４の搬送ローラ８との間で基板Ｐ及びカバー部材Ｃとを挟むことができる位置に配置される。換言すれば、第１送り機構４の搬送ローラ８と、第２送り機構１０の搬送ローラ１３とは、搬送ローラ８と搬送ローラ１３との間に基板Ｐ及びカバー部材Ｃが無い状態で対向するように配置される。
【００５０】
本実施形態において、搬送ローラ８と搬送ローラ１３とは、Ｚ軸方向に配置されている。すなわち、搬送ローラ８と搬送ローラ１３とは、第１装置６と第２装置７との間において基板Ｐ及びカバー部材Ｃが送られる方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｚ軸方向）に配置されている。
【００５１】
本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ１３の直径（寸法）とはほぼ等しい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ１３の軸１３Ａとは同じ位置に配置される。
【００５２】
なお、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ１３の直径（寸法）とは異なってもよい。例えば、搬送ローラ８の直径（寸法）が、搬送ローラ１３の直径（寸法）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ１３の軸１３Ａとが異なる位置に配置されてもよい。例えば、搬送ローラ８の軸８Ａが、搬送ローラ１３の軸１３Ａに対して＋Ｘ側に配置されてもよいし、−Ｘ側に配置されてもよい。
【００５３】
本実施形態において、第１装置６は、基板Ｐが送られている状態で、その基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。また、第１装置６は、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐにカバー部材Ｃが着けられる。
【００５４】
本実施形態において、基板Ｐは、ポリエチレンテレフタレートを含む。本実施形態において、基板Ｐは、ポリエチレンテレフタレート製である。なお、基板Ｐが、ポリエチレンテレフタレートと他の材料との両方を含んでもよい。他の材料は、ポリエチレンテレフタレートとは異なる合成樹脂、添加剤、及び分散剤の少なくとも一つを含む。また、本実施形態において、基板Ｐの裏面ｐｂと接触するカバー部材Ｃの裏面ｃｂは、少なくともポリウレタンを含む。これにより、基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟み、基板Ｐにカバー部材Ｃを押し付けることによって、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが密着する。
【００５５】
なお、基板Ｐが、ポリエチレンテレフタレートを含む場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、シリコンゴムを含んでもよい。また、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムの両方を含んでもよい。この場合も、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５６】
なお、基板Ｐが、ポリイミドを含んでもよい。この場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムのいずれか一方又は両方を含むことにより、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５７】
また、基板Ｐが、ポリエチレンナフタレートを含んでもよい。この場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムのいずれか一方又は両方を含むことにより、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５８】
図３は、本実施形態に係る表面処理装置２の一例を示す図である。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが密着されている基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。本実施形態においては、表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂの全部がカバー部材Ｃで覆われる。なお、表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂの一部がカバー部材Ｃで覆われていなくてもよい。
【００５９】
本実施形態において、表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａは、カバー部材Ｃで覆われていない。換言すれば、基板Ｐの表面ｐａは、表面処理装置２による処理が実行される空間（処理空間）に露出している。
【００６０】
本実施形態において、表面処理装置２における基板Ｐの表面ｐａの処理は、基板Ｐの表面ｐａに液体を供給する処理を含む。本実施形態においては、図３に示すように、表面処理装置２は、液体の滴（液滴）ＬＤを供給するインクジェットヘッド２Ｊを有する。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、基板Ｐの表面ｐａにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給する。これにより、基板Ｐの表面ｐａに、インクジェットヘッド２Ｊから供給された液滴ＬＤでパターン（デバイスパターン）が形成される。
【００６１】
本実施形態において、制御装置５は、基板Ｐ及びカバー部材Ｃを移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給する。なお、インクジェットヘッド２Ｊを移動する駆動機構が表面処理装置２に設けられている場合、制御装置５は、インクジェットヘッド２Ｊと基板Ｐとの両方を移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。例えば、制御装置５は、基板Ｐを＋Ｘ方向に送りつつ、インクジェットヘッド２ＪをＹ軸方向に移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。また、Ｙ軸方向に複数のインクジェットヘッド２Ｊが配置されてもよい。
【００６２】
なお、制御装置５は、基板Ｐの移動を停止した状態で、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。
【００６３】
図４は、本実施形態に係る第２装置７の一例を示す図である。本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る。本実施形態においては、第２送り機構１０が、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る。すなわち、本実施形態において、第２装置７は、第２送り機構１０の少なくとも一部を含む。
【００６４】
本実施形態において、第２装置７は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１送り機構４の搬送ローラ９と、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る第２送り機構１０の搬送ローラ１４とを含む。
【００６５】
本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ９において、基板Ｐを＋Ｘ方向へ送りつつ、＋Ｚ方向へ送る。一方、第２送り機構１０は、搬送ローラ１４において、カバー部材Ｃを＋Ｘ方向へ送りつつ、−Ｚ方向へ送る。基板Ｐは、搬送ローラ９にガイドされ、＋Ｘ方向へ移動しつつ＋Ｚ方向へ移動する。一方、カバー部材Ｃは、搬送ローラ１４にガイドされ、＋Ｘ方向へ移動しつつ−Ｚ方向へ移動する。
【００６６】
本実施形態において、第１送り機構４の搬送ローラ９と、第２送り機構１０の搬送ローラ１４とは、搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間に基板Ｐ及びカバー部材Ｃが無い状態で対向するように配置される。本実施形態において、搬送ローラ９と搬送ローラ１４とは、Ｚ軸方向に配置されている。本実施形態において、基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、表面処理装置２から搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間へ移動する。基板Ｐとカバー部材Ｃとは、搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間を通過した後、異なる方向へ送られる。これにより、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる（剥がされる）。
【００６７】
本実施形態において、搬送ローラ９の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とはほぼ等しい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ９の軸９Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとは同じ位置に配置される。
【００６８】
なお、搬送ローラ９の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは異なってもよい。例えば、搬送ローラ９の直径（寸法）は、搬送ローラ１４の直径（寸法）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ９の軸９Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとが異なる位置に配置されてもよい。例えば、搬送ローラ９の軸９Ａが、搬送ローラ１４の軸１４Ａに対して＋Ｘ側に配置されてもよいし、−Ｘ側に配置されてもよい。
【００６９】
本実施形態において、第２装置７は、基板Ｐが送られている状態で、その基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。また、第２装置７は、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる。
【００７０】
次に、上述の構成を有する基板処理装置ＲＴ１の動作の一例について説明する。巻かれた状態で第１供給ユニット１に配置されている基板Ｐの少なくとも一部が、第１供給ユニット１から送り出される。また、巻かれた状態で第２供給ユニット１１に配置されているカバー部材Ｃの少なくとも一部が、第２供給ユニット１１から送り出される。
【００７１】
搬送ローラ８及び搬送ローラ１３を含む第１装置６において、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部に、第２供給ユニット１１から送られたカバー部材Ｃが着けられる。第１送り機構４及び第２送り機構１０は、基板Ｐとカバー部材Ｃとを同期して移動する。
【００７２】
基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、表面処理装置２に送られる。表面処理装置２において、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。上述のように、本実施形態においては、基板Ｐの表面ｐａにインジェットヘッド２Ｊからの液体（液滴ＬＤ）が供給される。本実施形態においては、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が接触しないように、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが密着される。これにより、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。
【００７３】
搬送ローラ９及び搬送ローラ１４を含む第２装置７において、表面ｐａの処理が行われた基板Ｐからカバー部材Ｃが離される。制御装置５は、基板Ｐ及びカバー部材Ｃを送りながら基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。
【００７４】
第２装置７においてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３に回収される。基板Ｐは、第１回収ユニット３において、回収ローラ３Ｒに巻かれる。
【００７５】
第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、第２回収ユニット１２に回収される。カバー部材Ｃは、第２回収ユニット１２において、回収ローラ１２Ｒに巻かれる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを着ける第１装置６を設けたので、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理を行うことができる。したがって、例えば表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。換言すれば、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと（裏面ｐｂに液体が供給されてしまうこと）が抑制される。また、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制される。
【００７７】
例えば、基板Ｐの表面ｐａに液体を供給して、基板Ｐの表面ｐａにパターンを形成して、フラットパネルディスプレイを製造する場合、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着してしまうと、製造されるフラットパネルディスプレイが不良となる可能性がある。本実施形態によれば、表面処理装置２において基板Ｐの不要な部位（本実施形態では裏面ｐｂ）が処理されることが抑制され、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制されるため、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００７８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７９】
図５は、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２の一例を示す図である。第２実施形態は、第１実施形態の変形例である。第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１と異なる部分は、搬送ローラ１３、１４が省略されている点にある。
【００８０】
図５において、第１供給ユニット１から送出された基板Ｐは、供給ローラ１１Ｒに支持されているロール状のカバー部材Ｃに着けられる。すなわち、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第１装置６は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された搬送ローラ８と、ロール状のカバー部材Ｃを支持する供給ローラ１１Ｒとを含み、搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒとの間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟む。これにより、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられる。
【００８１】
また、表面処理装置２からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、表面処理装置２から搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒに支持されているロール状のカバー部材Ｃとの間に移動する。基板Ｐとカバー部材Ｃとは、搬送ローラ９とロール状のカバー部材Ｃ（回収ローラ１２Ｒ）との間を通過した後、異なる方向へ送られる。これにより、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる（剥がされる）。すなわち、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第２装置７は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された搬送ローラ９と、ロール状のカバー部材Ｃを支持する回収ローラ１２Ｒとを含み、搬送ローラ９で基板Ｐをガイドし、回収ローラ１２Ｒでカバー部材Ｃを基板Ｐの送り方向と異なる方向へガイドする。
【００８２】
すなわち、本実施形態においては、第２供給ユニット１１の少なくとも一部が、第１装置６として機能する。また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２の少なくとも一部が、第２装置７として機能する。
【００８３】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００８４】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８５】
図６は、第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３の一例を示す図である。第３実施形態は、第１実施形態の変形例である。第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３において、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１と異なる部分は、第２送り機構１０が、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る点にある。
【００８６】
図６において、基板処理装置ＲＴ３は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。第２送り機構１０は、供給ローラ１１Ｒｂを含む第２供給ユニット１１と回収ローラ１２Ｒｂを含む第２回収ユニット１２との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。カバー部材Ｃは、帯状の部材である。
【００８７】
本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４を有する。本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と、第２送り機構１０の搬送ローラ１３とを含む。また、本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と、第２送り機構１０の搬送ローラ１４とを含む。
【００８８】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃを、第１装置６へ送る。本実施形態において、第２装置７からのカバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒｂ及び供給ローラ１１Ｒｂを経て、第１装置６へ送られる。
【００８９】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、複数のローラが配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１３、搬送ローラ１４、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。カバー部材Ｃは、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１３、搬送ローラ１４、及び回収ローラ１２Ｒｂのそれぞれに同時に支持される。カバー部材Ｃの表面ｃａは、供給ローラ１１Ｒｂの表面、搬送ローラ１３の表面、搬送ローラ１４の表面、及び回収ローラ１２Ｒｂの表面のそれぞれに接触する。
【００９０】
第２送り機構１０は、環状（ループ状、無端状）のカバー部材Ｃが、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を循環するように、そのカバー部材Ｃを移動する。
【００９１】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００９２】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９３】
図７は、第４実施形態に係る基板処理装置ＲＴ４の一例を示す図である。第４実施形態は、第３実施形態の変形例である。第４実施形態に係る基板処理装置ＲＴ４において、第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３と異なる部分は、搬送ローラ１３、１４が省略されている点にある。
【００９４】
図７において、基板処理装置ＲＴ４は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。第２送り機構１０は、供給ローラ１１Ｒｂを含む第２供給ユニット１１と回収ローラ１２Ｒｂを含む第２回収ユニット１２との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。カバー部材Ｃは、帯状の部材である。
【００９５】
本実施形態においては、第２供給ユニット１１の少なくとも一部が、第１装置６として機能する。本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と、供給ローラ１１Ｒｂとを含む。基板Ｐとカバー部材Ｃとが搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとに挟まれることによって、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられる。
【００９６】
また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２の少なくとも一部が、第２装置７として機能する。本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と、回収ローラ１２Ｒｂとを含む。カバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒｂによって基板Ｐの送り方向と異なる方向へ送られることによって、基板Ｐから離れる。第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、第１装置６へ送られる。
【００９７】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。
【００９８】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００９９】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１００】
図８は、第５実施形態に係る基板処理装置ＲＴ５の一例を示す図である。図８において、基板処理装置ＲＴ５は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２０と、表面処理装置２０から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。
【０１０１】
本実施形態において、第１装置６は、搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとを含み、第２装置７は、搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒｂとを含む。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ５は、第１装置６と表面処理装置２０との間に配置され、第１装置６からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃを表面処理装置２０へ送るように回転する搬送ローラ１５と、表面処理装置２０と第２装置７との間に配置され、表面処理装置２０からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃを第２装置７へ送るように回転する搬送ローラ１６とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ１５及び搬送ローラ１６のそれぞれは、カバー部材Ｃが接触可能な位置に配置される。
【０１０２】
本実施形態において、表面処理装置２０は、液体ＬＭを入れる容器２１を有する。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ５は、少なくとも一部が容器２１内に配置され、基板Ｐ及びカバー部材Ｃの少なくとも一方を支持する搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８を有する。搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８は、搬送ローラ１５と搬送ローラ１６との間に配置される。本実施形態において、搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８は、基板Ｐが接触可能な位置に配置される。
【０１０３】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。
【０１０４】
図９は、本実施形態に係る表面処理装置２０の一例を示す図である。図９に示すように、表面処理装置２０は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。表面処理装置２０において、第１装置６から送られた基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、容器２１内の液体ＬＭに浸けられる。すなわち、本実施形態において、表面処理装置２０における基板Ｐの表面ｐａの処理は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、基板Ｐを容器２１内の液体ＬＭに浸ける処理を含む。液体ＬＭは、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理するための液体である。その処理によって、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部に、液体ＬＭの成分（液体ＬＭに含まれる物質）が付着する。
【０１０５】
容器２１は、上端に開口２１Ｋを有する。第１装置６（搬送ローラ８）からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、開口２１Ｋを介して、容器２１内へ送られる。基板Ｐの表面ｐａは、容器２１内の液体ＬＭと接触する。一方、基板Ｐの裏面ｐｂは、カバー部材Ｃで覆われており、容器２１内の液体ＬＭと接触しない。
【０１０６】
容器２１内において、基板Ｐは、容器内２１内に配置されている搬送ローラ１７、１８によって支持される。これにより、基板Ｐの表面ｐａは、容器２１内の液体ＬＭと良好に接触可能である。本実施形態においては、搬送ローラ１７、１８は、基板Ｐの表面ｐａとＸＹ平面とが平行となるように、その基板Ｐを支持する。また、搬送ローラ１７、１８は、基板Ｐが弛まないように、その基板Ｐを支持する。
【０１０７】
容器２１内の液体ＬＭと接触した基板Ｐは、開口２１Ｋを介して、容器２１外へ送られる。容器２１外へ送られた基板Ｐは、第２装置７においてカバー部材Ｃから離れる。
【０１０８】
本実施形態において、表面処理装置２０における基板Ｐの表面ｐａの処理は、めっき処理を含む。本実施形態において、表面処理装置２０は、無電解めっき法に基づいて、基板Ｐの表面ｐａの処理（めっき処理）を行う。本実施形態において、容器２１内の液体ＬＭは、金属イオンを含む溶液（所謂、めっき液）である。図８及び図９に示すように、容器２１内の液体ＬＭに接触した基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部に、液体ＬＭに含まれる物質の膜Ｍが形成される。以下の説明において、液体ＬＭと接触することによって基板Ｐの表面ｐａに形成された液体ＬＭに基づく膜Ｍを適宜、めっき層Ｍ、と称する。なお、膜Ｍは、めっき処理によって形成される膜（めっき層）に限られず、液体ＬＭに含まれる物質に基づく膜であればよい。
【０１０９】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに液体（めっき液）が接触しないように、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを密着させた後、そのカバー部材Ｃが密着された基板Ｐを容器２１内の液体に浸けるようにしたので、表面処理装置２０において、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。換言すれば、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと（裏面ｐｂがめっき処理されてしまうこと）が抑制される。また、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制される。
【０１１０】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１１１】
図１０は、第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６の一例を示す図である。第６実施形態は、第５実施形態の変形例である。第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６において、第５実施形態に係る基板処理装置ＲＴ５と異なる部分は、カバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０が設けられている点にある。
【０１１２】
図１０において、基板処理装置ＲＴ６は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２０と、表面処理装置２０から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７と、第２装置７からのカバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０とを備えている。洗浄装置３０は、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃを洗浄する。
【０１１３】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１１４】
本実施形態において、第２送り機構１０は、洗浄装置３０と回収ローラ１２Ｒｂとの間に配置され、第２装置７及び回収ローラ１２Ｒｂからのカバー部材Ｃを洗浄装置３０へ送るように回転する搬送ローラ４０と、洗浄装置３０と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置され、洗浄装置３０からのカバー部材Ｃを供給ローラ１１Ｒｂ及び第１装置６へ送るように回転する搬送ローラ４１とを有する。本実施形態において、搬送ローラ４０及び搬送ローラ４１のそれぞれは、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが接触可能な位置に配置される。
【０１１５】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用の液体ＬＣを用いて、カバー部材Ｃの少なくとも一部を洗浄する。本実施形態において、洗浄装置３０は、液体ＬＣを入れる容器３１を有する。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ６は、少なくとも一部が容器３１内に配置され、カバー部材Ｃを支持する搬送ローラ４２及び搬送ローラ４３を有する。搬送ローラ４２及び搬送ローラ４３は、搬送ローラ４０と搬送ローラ４１との間に配置される。
【０１１６】
本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、回収ローラ１２Ｒｂ、搬送ローラ４２、及び搬送ローラ４３が配置される。
【０１１７】
容器３１は、上端に開口３１Ｋを有する。第２装置７からのカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１内へ送られる。カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂは、容器３１内の液体ＬＣと接触する。これにより、カバー部材Ｃが液体ＬＣによって洗浄される。
【０１１８】
なお、容器３１内に液体ＬＣを供給可能な液体供給機構と、容器３１内の液体ＬＣを回収可能な液体回収機構とを設け、液体供給機構から容器３１内にクリーンな液体ＬＣを供給し続けるとともに、その液体ＬＣの供給と並行して、液体回収機構から容器３１内の液体ＬＣを回収して、容器３１内においてクリーンな液体ＬＣをカバー部材Ｃに供給し続けてもよい。
【０１１９】
本実施形態においては、カバー部材Ｃ（カバー部材Ｃの表面ｃａ）は、表面処理装置２０において液体ＬＭと接触する。表面処理装置２０から搬出されたカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部に液体ＬＭが残留している可能性がある。洗浄装置３０は、そのカバー部材Ｃに残留している液体ＬＭを除去可能である。洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、カバー部材Ｃに残留している液体ＬＭをそのカバー部材Ｃから除去することができる。また、表面処理装置２０から搬出されたカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部に膜Ｍが形成（析出）される可能性がある。洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、カバー部材Ｃに形成（析出）されている膜Ｍをそのカバー部材Ｃから除去することができる。また、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、膜Ｍのみならず、カバー部材Ｃに付着している異物をそのカバー部材Ｃから除去することができる。
【０１２０】
本実施形態において、液体ＬＣは、カバー部材Ｃから膜Ｍを除去可能な液体である。例えば、膜Ｍがニッケル（Ｎｉ）を含む場合、液体ＬＣとして硝酸を含む液体を用いてもよい。また、膜Ｍが金（Ａｕ）を含む場合、液体ＬＣとしてヨウ素を含む液体を用いてもよい。
【０１２１】
また、本実施形態において、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに接触可能な位置に配置された洗浄用ローラ３３を有する。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、容器３１内に配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、搬送ローラ４２と搬送ローラ４３との間に配置される。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３を複数（図１０に示す例では４つ）有する。洗浄用ローラ３３は、第２送り機構１０によるカバー部材Ｃの送り方向に複数配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｃは、洗浄装置３０（容器３１）内においてＸ軸方向に沿って送られる。本実施形態において、複数の洗浄用ローラ３３は、Ｘ軸方向に配置される。
【０１２２】
本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａに接触して、そのカバー部材Ｃの表面ｃａを洗浄する。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃの表面ｃａの擦ることによって、そのカバー部材Ｃの表面ｃａに付着している異物（表面ｃａに残留している液体ＬＭ、及び表面ｃａに形成された膜Ｍを含む）を除去することができる。
【０１２３】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ６は、洗浄装置３０から搬出されたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する除去装置５０を備えている。本実施形態において、除去装置５０の少なくとも一部は、搬送ローラ４１と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置されている。除去装置５０は、洗浄装置３０の容器３１外へ搬出されたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。本実施形態において、除去装置５０は、カバー部材Ｃが第１装置６へ送られる前に（基板Ｐに着けられる前に）、そのカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。本実施形態においては、除去装置５０は、第２装置７から洗浄装置３０（容器３１）を経て供給ローラ１１Ｒｂへ送られる前に（供給ローラ１１Ｒｂと接触する前に）、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。なお、除去装置５０は、供給ローラ１１Ｒｂへ送られた後（供給ローラ１１Ｒｂと接触した後）、基板Ｐに着けられる前に、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行ってもよい。
【０１２４】
本実施形態において、除去装置５０は、気体を供給可能な給気口５１Ｓを有する第１除去機構５１を有する。給気口５１Ｓは、カバー部材Ｃに気体を供給して、そのカバー部材Ｃに付着している液体ＬＣをカバー部材Ｃから除去する。なお、図１０においては、供給口５１は、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが対向可能な位置に配置されているが、表面ｃａが対向可能な位置に配置されてもよいし、表面ｃａ及び裏面ｃｂの両方が対向可能な位置に配置されてもよい。
【０１２５】
次に、本実施形態に係る洗浄装置３０の動作の一例について説明する。表面処理装置２０において液体ＬＭと接触し、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、洗浄装置３０に送られる。
【０１２６】
容器３１内において、カバー部材Ｃは、容器内３１内に配置されている搬送ローラ４２、４３によって支持される。これにより、カバー部材Ｃの表面ｃａは、容器３１内の液体ＬＣと良好に接触可能であり、洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａを円滑に擦ることができる。本実施形態においては、搬送ローラ４２、４３は、カバー部材Ｃの表面ｃａとＸＹ平面とが平行となるように、そのカバー部材Ｃを支持する。また、搬送ローラ４２、４３は、カバー部材Ｃが弛まないように、そのカバー部材Ｃを支持する。
【０１２７】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３とカバー部材Ｃとの間に液体ＬＣを供給しつつ、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部を擦る。これにより、カバー部材Ｃは、洗浄装置３０において洗浄される。
【０１２８】
なお、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給せずに、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃを洗浄してもよい。なお、洗浄装置３０が洗浄用ローラ３３を有していなくてもよい。
【０１２９】
洗浄装置３０（容器３１内）において洗浄されたカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１外へ送られる。制御装置５は、搬送ローラ４１と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置されている除去装置５０の給気口５１Ｓから、容器３１外へ搬出されたカバー部材Ｃに気体を供給する。これにより、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＣが吹き飛ばされ、カバー部材Ｃから除去される。なお、給気口５１Ｓから乾燥した気体、あるいは高温度の気体を供給して、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＣの気化を促進してもよい（乾燥させてもよい）。
【０１３０】
洗浄装置３０によって洗浄されたカバー部材Ｃは、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂに着けられる。その後、カバー部材Ｃは、基板Ｐとともに、表面処理装置２０へ送られる。
【０１３１】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０を設けたので、カバー部材Ｃを洗浄することができる。そのため、裏面ｐｂに洗浄後のカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１３２】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１３３】
図１１は、第７実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７の一例を示す図である。第７実施形態は、第６実施形態の変形例である。第７実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７において、第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６と異なる部分は、カバー部材Ｃから洗浄用の液体ＬＣを除去する除去装置５０が、除去用（リンス用）の液体ＬＱを用いて液体ＬＣを除去する第２除去機構５２を有する点にある。
【０１３４】
図１１において、基板処理装置ＲＴ７は、カバー部材Ｃを洗浄用の液体ＬＣを用いて洗浄する洗浄装置３０と、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行う除去装置５０とを備えている。
【０１３５】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１３６】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用の液体ＬＣを入れる容器３１と、容器３１内に配置された洗浄用ローラ３３とを有する。容器３１内に、搬送ローラ４２、４３が配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、搬送ローラ４０と搬送ローラ４２との間に配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、複数配置される。一部の洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置され、一部の洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３で、カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂを同時に擦ることができる。
【０１３７】
本実施形態において、除去装置５０は、カバー部材Ｃに気体を供給する給気口５１Ｓを有する第１除去機構５１と、液体ＬＱを用いてカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する第２除去機構５２とを有する。
【０１３８】
本実施形態において、液体ＬＱは、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣをカバー部材Ｃから除去可能な除去用（リンス用）の液体である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水を用いる。
【０１３９】
第２除去機構５２は、液体ＬＱを入れる容器５３を有する。第２除去機構５２は、洗浄装置３０から送られたカバー部材Ｃと容器５３内の液体ＬＱとを接触させて、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する。
【０１４０】
容器５３は、上端に開口５３Ｋを有する。洗浄装置３０からのカバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３内へ送られる。カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂは、容器５３内の液体ＬＱと接触する。これにより、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣがカバー部材Ｃから除去される。
【０１４１】
なお、容器５３内に液体ＬＱを供給可能な液体供給機構と、容器５３内の液体ＬＱを回収可能な液体回収機構とを設け、液体供給機構から容器５３内にクリーンな液体ＬＱを供給し続けるとともに、その液体ＬＱの供給と並行して、液体回収機構から容器５３内の液体ＬＱを回収して、容器５３内においてクリーンな液体ＬＱをカバー部材Ｃに供給し続けてもよい。
【０１４２】
本実施形態において、第２送り機構１０は、洗浄装置３０と第２除去機構５２（容器５３）との間に配置され、洗浄装置３０（搬送ローラ４１）からのカバー部材Ｃを第２除去機構５２へ送るように回転する搬送ローラ４４と、第２除去機構５２と第１除去機構５１との間に配置され、第２除去機構５２（容器５３）からのカバー部材Ｃを供給ローラ１１Ｒｂ及び第１装置６へ送るように回転する搬送ローラ４５とを有する。
【０１４３】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ７は、少なくとも一部が容器５３内に配置され、カバー部材Ｃを支持する搬送ローラ４６及び搬送ローラ４７を有する。搬送ローラ４６及び搬送ローラ４７は、搬送ローラ４４と搬送ローラ４５との間に配置される。
【０１４４】
本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、回収ローラ１２Ｒｂ、搬送ローラ４２、搬送ローラ４３、搬送ローラ４６、及び搬送ローラ４７が配置される。
【０１４５】
本実施形態において、第１除去機構５１は、搬送ローラ４５と供給ローラ１１Ｒｂとの間において、給気口５１Ｓからカバー部材Ｃに気体を供給する。本実施形態においては、除去装置５０は、第２除去機構５２によって、洗浄装置３０から送られたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行い、その後、第１除去機構５１によって、第２除去機構５２から送られたカバー部材Ｃから液体ＬＱを除去する処理を行う。また、第１除去機構５１は、第２除去機構５２においてカバー部材Ｃから除去しきれなかった液体ＬＣを除去してもよい。
【０１４６】
次に、本実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７の動作の一例について説明する。表面処理装置２０において液体ＬＭと接触し、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、洗浄装置３０に送られる。カバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１内へ送られ、液体ＬＣと接触する。洗浄装置３０（容器３１内）において洗浄されたカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１外へ送られる。
【０１４７】
洗浄装置３０からのカバー部材Ｃは、第２除去機構５２へ送られる。カバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３内へ送られ、液体ＬＱと接触する。これにより、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣは、液体ＬＱによってカバー部材Ｃから除去される。第２除去機構５２（容器５３内）において液体ＬＣが除去されたカバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３外へ送られる。
【０１４８】
第２除去機構５２からのカバー部材Ｃは、第１除去機構５１へ送られる。第１除去機構５１は、給気口５１から、容器５３外へ搬出されたカバー部材Ｃに気体を供給する。これにより、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＱが吹き飛ばされ、カバー部材Ｃから除去される。なお、給気口５１から乾燥した気体、あるいは高温度の気体を供給して、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＱの気化を促進してもよい（乾燥させてもよい）。
【０１４９】
第１除去機構５１からのカバー部材Ｃは、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂに着けられる。その後、カバー部材Ｃは、基板Ｐとともに、表面処理装置２０へ送られる。
【０１５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する除去装置５０を設けたので、裏面ｐｂに洗浄後のカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１５１】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５２】
図１２は、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８の一例を示す図である。本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に、基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置を複数備える。
【０１５３】
図１２において、基板処理装置８は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う複数の表面処理装置２０１〜２０５と、表面処理装置２０１〜２０５から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。第２装置７においてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３へ送られる。
【０１５４】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、表面処理装置を５つ備える。以下の説明において、５つの表面処理装置のそれぞれを適宜、第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５，と称する。
【０１５５】
第１処理装置２０１は、第１供給ユニット１から送出され、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第２処理装置２０２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１処理装置２０１から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第３処理装置２０３は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第２処理装置２０２から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第４処理装置２０４は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第３処理装置２０３から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第５処理装置２０５は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第４処理装置２０４から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。
【０１５６】
すなわち、本実施形態において、第１送り機構４は、基板Ｐが第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過するように、その基板Ｐを第１供給ユニット１から第１回収ユニット３へ送る。
【０１５７】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。第１〜第５処理装置２０１〜２０５は、供給ローラ１１Ｒｂと回収ローラ１２Ｒｂとの間に配置される。カバー部材Ｃは、第１装置６において基板Ｐに着けられた後、その基板Ｐから離れることなく、第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過し、第５処理装置２０５を通過した後、第２装置７において基板Ｐから離れる。
【０１５８】
すなわち、本実施形態において、第２送り機構１０は、カバー部材Ｃが基板Ｐに密着した状態で第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過するように、そのカバー部材Ｃを第１装置６から第７装置７へ送る。また、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを、第１装置６へ送る。
【０１５９】
本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとを含む。第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒｂとを含む。
【０１６０】
本実施形態において、第１〜第５処理装置２０１〜２０５のそれぞれは、液体ＬＭ１〜ＬＭ５を入れる容器２０１Ｒ〜２０５Ｒを有する。本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、第１〜第５処理装置２０１〜２０５を用いて、基板Ｐのめっき処理（無電解めっき処理）を行う。第１処理装置２０１は、液体ＬＭ１を用いて、第１の前処理を行う。第２処理装置２０２は、液体ＬＭ２を用いて、第１の洗浄処理を行う。第３処理装置２０３は、液体ＬＭ３を用いて、第２の前処理を行う。第４処理装置２０４は、液体ＬＭ４を用いて、第２の洗浄処理を行う。第５処理装置２０５は、液体ＬＭ５を用いて、無電解めっき処理を行う。
【０１６１】
本実施形態において、第１の前処理は、例えば基板Ｐの表面に触媒金属のイオンを吸着させる処理を含む。本実施形態においては、触媒金属は、例えばパラジウムを含み、第１の前処理に用いられる液体ＬＭ１は、パラジウムイオンを含む液体である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０１Ｒ内の液体ＬＭ１に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにパラジウムイオンが吸着される。
【０１６２】
本実施形態において、第１の洗浄処理は、水を用いて基板Ｐを洗浄する処理を含む。すなわち、本実施形態において、第１の洗浄処理に用いられる液体ＬＭ２は、水である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０２Ｒ内の液体ＬＭ
２に浸けられることによって、その基板Ｐが洗浄される。
【０１６３】
本実施形態において、第２の前処理は、酸化還元反応により基板Ｐの表面ｐａにパラジウムを含む金属を生成する処理を含む。本実施形態においては、酸化還元反応において次亜リン酸が用いられ、第２の前処理に用いられる液体ＬＭ３は、次亜リン酸を含む液体である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０３Ｒ内の液体ＬＭ３に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにパラジウムを含む金属が生成される。
【０１６４】
本実施形態において、第２の洗浄処理は、水を用いて基板Ｐを洗浄する処理を含む。すなわち、本実施形態において、第２の洗浄処理に用いられる液体ＬＭ４は、水である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０４Ｒ内の液体ＬＭ
４に浸けられることによって、その基板Ｐが洗浄される。
【０１６５】
第２の洗浄処理が行われた後、無電解めっき処理（無電解ニッケルめっき処理）が行われる。本実施形態においては、無電解めっき処理に用いられる液体ＬＭ５は、ニッケルを含む液体（めっき液）である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０５Ｒ内の液体ＬＭ５に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにニッケルを含む膜が生成される。
【０１６６】
なお、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ外に配置される複数の搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊと、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ内に配置される複数の搬送ローラ６１Ａ〜６１Ｊとを含む。基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、それら搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊ、６１Ａ〜６１Ｊに支持されつつ第１装置６から第２装置７へ送られる。
【０１６７】
以上説明したように、本実施形態においても、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと、及び基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することを抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１６８】
また、本実施形態においては、基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、第１〜第５処理装置２０１〜２０５によって連続的に処理される。これにより、高いデバイス生産性が得られる。
【０１６９】
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７０】
図１３は、第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９の一例を示す図である。第９実施形態は、第８実施形態の変形例である。上述の第８実施形態においては、基板処理装置ＲＴ８は、第１装置６及び第２装置７を１つ有し、基板Ｐは、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、第１〜第５処理装置２０１〜２０５に順次搬送され、その後、第２装置７においてカバー部材Ｃから離れる構成であった。第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９において、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８と異なる部分は、基板処理装置ＲＴ９は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に配置された複数の表面処理装置（第１〜第５処理装置）２０１〜２０５に対応して、複数の第１装置６Ａ〜６Ｅ及び複数の第２装置７Ａ〜７Ｅを有する点にある。また、第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９において、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８と異なる部分は、複数の表面処理装置（第１〜第５処理装置）２０１〜２０５に対応して、複数のカバー部材Ｃ１〜Ｃ５が設けられている点にある。
【０１７１】
図１３において、基板処理装置ＲＴ９は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ１を着ける第１装置６Ａと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ１が着けられた状態で第１装置６Ａから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第１処理装置２０１と、第１処理装置２０１から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ１を離す第２装置７Ａと、第２装置７Ａから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ２を着ける第１装置６Ｂと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ２が着けられた状態で第１装置６Ｂから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第２処理装置２０２と、第２処理装置２０２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ２を離す第２装置７Ｂと、第２装置７Ｂから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ３を着ける第１装置６Ｃと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ３が着けられた状態で第１装置６Ｃから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第３処理装置２０３と、第３処理装置２０３から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ３を離す第２装置７Ｃと、第２装置７Ｃから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ４を着ける第１装置６Ｄと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ４が着けられた状態で第１装置６Ｄから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第４処理装置２０４と、第４処理装置２０４から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ４を離す第２装置７Ｄと、第２装置７Ｄから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ５を着ける第１装置６Ｅと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ５が着けられた状態で第１装置６Ｅから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第５処理装置２０５と、第５処理装置２０５から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ５を離す第２装置７Ｅと、を備えている。第２装置７Ｅにおいてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３へ送られる。
【０１７２】
本実施形態において、カバー部材Ｃ１〜Ｃ５のそれぞれは、環状（ループ状、無端状）の部材である。本実施形態において、カバー部材Ｃ１の内側に、供給ローラ１１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２１Ｒｂが配置される。第１処理装置２０１は、供給ローラ１１１Ｒｂと回収ローラ１２１Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ２の内側に、供給ローラ１１２Ｒｂ、及び回収ローラ１２２Ｒｂが配置される。第２処理装置２０２は、供給ローラ１１２Ｒｂと回収ローラ１２２Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ３の内側に、供給ローラ１１３Ｒｂ、及び回収ローラ１２３Ｒｂが配置される。第３処理装置２０３は、供給ローラ１１３Ｒｂと回収ローラ１２３Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ４の内側に、供給ローラ１１４Ｒｂ、及び回収ローラ１２４Ｒｂが配置される。第４処理装置２０４は、供給ローラ１１４Ｒｂと回収ローラ１２４Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ５の内側に、供給ローラ１１５Ｒｂ、及び回収ローラ１２５Ｒｂが配置される。第５処理装置２０５は、供給ローラ１１５Ｒｂと回収ローラ１２５Ｒｂとの間に配置される。
【０１７３】
本実施形態において、第１装置６Ａは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ａと供給ローラ１１１Ｒｂとを含む。第２装置７Ａは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ａと回収ローラ１２１Ｒｂとを含む。第１装置６Ｂは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｂと供給ローラ１１２Ｒｂとを含む。第２装置７Ｂは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｂと回収ローラ１２２Ｒｂとを含む。第１装置６Ｃは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｃと供給ローラ１１３Ｒｂとを含む。第２装置７Ｃは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｃと回収ローラ１２３Ｒｂとを含む。第１装置６Ｄは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｄと供給ローラ１１４Ｒｂとを含む。第２装置７Ｄは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｄと回収ローラ１２４Ｒｂとを含む。第１装置６Ｅは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｅと供給ローラ１１５Ｒｂとを含む。第２装置７Ｅは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｅと回収ローラ１２５Ｒｂとを含む。
【０１７４】
なお、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ９は、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ外に配置される複数の搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊと、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ内に配置される複数の搬送ローラ６１Ａ〜６１Ｊとを含む。基板Ｐ及びカバー部材Ｃ１〜Ｃ５は、それら搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊ、６１Ａ〜６１Ｊに支持されつつ送られる。また、基板処理装置ＲＴ９は、第１〜第５処理装置２０１〜２０５のそれぞれの間に配置された搬送ローラ６２Ａ〜６２Ｄを有する。カバー部材Ｃが着けられていない状態において、基板Ｐは、搬送ローラ６２Ａ〜６２Ｄに支持されつつ送られる。
【０１７５】
以上説明したように、本実施形態においても、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと、及び基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することを抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１７６】
なお、本実施形態において、例えば液体ＬＭ１〜ＬＭ５に応じて、それら液体ＬＭ１〜ＬＭ５に接触するカバー部材Ｃ１〜Ｃ５の種類（材質）を選択してもよい。例えば、液体ＬＭ１に耐性を有する材質でカバー部材Ｃ１が形成されてもよい。
【０１７７】
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７８】
図１４は、第１０実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１０の一例を示す図である。第１０実施形態は、第７実施形態の変形例である。
【０１７９】
図１４において、基板処理装置ＲＴ１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０と、洗浄装置３０からのカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行う除去装置５０とを備えている。
【０１８０】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１８１】
本実施形態において、除去装置５０は、液体ＬＱを用いてカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する第２除去機構５２と、カバー部材Ｃから液体ＬＱを除去するローラ７１、７２を有する第３除去機構５４とを有する。なお、第３除去機構５４は、第２除去機構５２でカバー部材Ｃから除去しきれなかった液体ＬＣを除去可能である。
【０１８２】
第３除去機構５４のローラ７１は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。ローラ７２は、カバー部材Ｃの裏面ｐｂが対向可能な位置に配置される。第３除去機構５４は、ローラ７１とローラ７２とでカバー部材Ｃを挟み、そのカバー部材Ｃの表面ｃａにローラ７１を接触させ、裏面ｃｂにローラ７２を接触させることによって、そのカバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂに付着（残留）している液体ＬＱ（ＬＣ）を除去する。
【０１８３】
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８４】
図１５は、第１１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１１の一例を示す図である。図１５において、基板処理装置ＲＴ１１は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃｓを着ける第１装置６００を備えている。本実施形態において、カバー部材Ｃｓは、例えば四角形（長方形、又は正方形）である。
【０１８５】
上述のように、基板Ｐは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。第１の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法は、基板Ｐの寸法よりも十分に小さい。第１の方向と交差する第２の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法は、基板Ｐの寸法（幅）とほぼ等しい。なお、第２の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法が、基板Ｐの寸法（幅）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
【０１８６】
本実施形態において、第１装置６００は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１部材６０１と、第１部材６０１との間で基板Ｐとカバー部材Ｃｓとを挟む第２部材６０２とを有する。本実施形態において、基板Ｐの表面ｐａが対向する第１部材６０１の表面は、ほぼ平坦である。本実施形態において、カバー部材Ｃｓの表面ｃａが対向する第２部材６０２の表面は、ほぼ平坦である。
【０１８７】
第１装置６００は、第１部材６０１と第２部材６０２とで基板Ｐ及びカバー部材Ｃｓを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃｓを着けることができる。制御装置５は、第１送り機構４によって基板Ｐが送られている状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。また、制御装置５は、基板Ｐとカバー部材Ｃｓとが同期して送られている状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。また、制御装置５は、基板Ｐの移動が停止された状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。
【０１８８】
＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８９】
図１６は、第１２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１２の一例を示す図である。図１６において、基板処理装置ＲＴ１２は、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７００を備えている。カバー部材Ｃは、帯状の部材でもよいし、図１５に示したような、第１の方向に関して基板Ｐの寸法よりも十分に小さい寸法を有するカバー部材Ｃｓでもよい。
【０１９０】
本実施形態において、第２装置７００は、基板Ｐとカバー部材Ｃとの間に挿入可能なプレート部材７０１を有する。第２装置７００は、基板Ｐとカバー部材Ｃ（Ｃｓ）との間にプレート部材７０１を挿入することによって、基板Ｐからカバー部材Ｃ（Ｃｓ）を離すことができる。
【０１９１】
＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９２】
図１７及び図１８は、本実施形態に係るデバイス製造方法の一例を模式的に示す図である。図１７及び図１８に示すように、本実施形態に係るデバイス製造方法は、工程Ａ〜工程Ｅを含む。
【０１９３】
工程Ａは、フォトリソグラフィ工程を含む。工程Ａでは、巻かれた帯状の基板Ｐが送出され（ＳＡ１）、その基板Ｐにレジスト（感光材）を塗布する処理（ＳＡ２）、及び基板Ｐを加熱する処理（ＳＡ３）が行われる。その後、その基板Ｐを露光する処理（ＳＡ４）、加熱する処理（ＳＡ５）、現像する処理（ＳＡ６）、及び洗浄する処理（ＳＡ７）が実行される。その後、エッチング処理（ＳＡ８）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＡ９）、及び露光する処理（ＳＡ１０）が実行される。その後、基板Ｐからレジストを剥離する処理（ＳＡ１１）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＡ１２）、温風を用いて基板Ｐを乾燥する処理（ＳＡ１３）が実行され、工程Ａが終了する。なお、本実施形態において、洗浄する処理（ＳＡ７、ＳＡ９、ＳＡ１２）では、水を用いる洗浄が行われる。なお、水に超音波を与えながらその水で基板Ｐを洗浄してもよい。
【０１９４】
工程Ｂでは、基板ＰにＵＶ硬化樹脂を塗布する処理（ＳＢ１）、その基板Ｐを露光する処理（ＳＢ２）、加熱する処理（ＳＢ３）、及び基板Ｐに対する大気圧プラズマ処理（ＳＢ４）が実行される。
【０１９５】
工程Ｃでは、基板Ｐにめっき処理のための下地膜となる材料を塗布する処理（ＳＣ１）、基板Ｐを露光する処理（ＳＣ２）、加熱する処理（ＳＣ３）、現像する処理（ＳＣ４）、及び加熱する処理（ＳＣ５）が実行される。
【０１９６】
工程Ｄでは、フォトリソグラフィ工程と、上述の実施形態に従って、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐを無電解めっき処理する無電解めっき工程とが実行される。フォトリソグラフィ工程では、基板Ｐにレジストを塗布する処理（ＳＤ１）と、その基板Ｐを加熱する処理（ＳＤ２）と、基板Ｐを露光する処理（ＳＤ３）と、その基板Ｐを加熱する処理（ＳＤ４）と、現像する処理（ＳＤ５）と、洗浄する処理（ＳＤ６）とが実行される。
【０１９７】
無電解めっき工程では、例えば上述の第８、第９実施形態で説明したような、第１の前処理（ＳＤ７）と、第１の洗浄処理（ＳＤ８）と、第２の前処理（ＳＤ９）と、第２の洗浄処理（ＳＤ１０）と、無電解めっき処理（ＳＤ１１）とが実行される。
【０１９８】
また、工程Ｄでは、無電解めっき工程の後、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１２）、露光する処理（ＳＤ１３）、基板Ｐからレジストを剥離する処理（ＳＤ１４）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１５）、Ａｕ置換めっき処理（ＳＤ１６）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１７）、還元処理（ＳＤ１８）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１９）、及び温風を用いて基板Ｐを乾燥する処理（ＳＤ２０）が実行される。
【０１９９】
工程Ｅでは、不活性ガスで満たされた空間において半導体材料を塗布する処理（ＳＥ１）、乾燥する処理（ＳＥ２）、コーティングする処理（ＳＥ３）、及び硬化させる処理（ＳＥ４）が実行される。その後、基板Ｐは、巻き取られる（ＳＥ５）。また、基板Ｐに対して、例えばダイシング処理等、所定の加工が実行される。
【０２００】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２０１】
１…第１供給ユニット、２…表面処理装置、３…第１回収ユニット、４…第１送り機構、５…制御装置、６…第１装置、７…第２装置、８…搬送ローラ、９…搬送ローラ、１０…第２送り機構、１１…第２供給ユニット、１２…第２回収ユニット、１３…搬送ローラ、１４…搬送ローラ、２０…表面処理装置、２１…容器、３０…洗浄装置、Ｃ…カバー部材、ｃａ…表面、ｃｂ…裏面、Ｐ…基板、ｐａ…表面、ｐｂ…裏面、ＲＴ１〜ＲＴ１２…基板処理装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示デバイス、電子デバイス等の製造工程で使用される基板処理装置として、例えば下記特許文献に開示されているような、ロール・ツー・ロール方式の基板処理装置が案出されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公開第２００８／０２１３６２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板処理装置において、例えば基板の不要な部位が処理されたり、基板に異物が付着したりすると、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の基板処理装置を用いて基板を処理することと、処理された基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、巻かれた帯状の基板の少なくとも一部を第１供給部から送り出すことと、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着けることと、裏面にカバー部材が着けられた状態で基板の表面の処理を行うことと、表面の処理が行われた基板からカバー部材を離すことと、カバー部材から離れた基板を第１回収部から回収して巻くことと、を含む基板処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の基板処理方法を用いて基板を処理することと、処理された基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る第１装置の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る表面処理装置の一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る第２装置の一例を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図６】第３実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図７】第４実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図８】第５実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図９】第５実施形態に係る表面処理装置の一例を示す図である。
【図１０】第６実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１１】第７実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１２】第８実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１３】第９実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１４】第１０実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。
【図１５】第１１実施形態に係る第１装置の一例を示す図である。
【図１６】第１２実施形態に係る第２装置の一例を示す図である。
【図１７】第１３実施形態に係るデバイス製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図１８】第１３実施形態に係るデバイス製造方法の一例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１の一例を示す図である。本実施形態の基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状の基板Ｐの少なくとも一部を送出して処理した後、その処理された基板Ｐをロール状に巻く、所謂、ロール・ツー・ロール方式の基板処理装置である。
【００１４】
図１において、基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状の基板Ｐが配置される第１供給ユニット１と、第１供給ユニット１から送出された基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２と、表面処理装置２で処理された後の基板Ｐを回収する第１回収ユニット３と、第１供給ユニット１からの帯状の基板Ｐを第１回収ユニット３へ送る第１送り機構４と、基板処理装置ＲＴ１全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。
【００１５】
本実施形態において、基板Ｐは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。また、基板Ｐは、第１の方向と交差する第２の方向に所定の寸法（幅）を有する。第１の方向に関する基板Ｐの寸法は、第２の方向に関する基板Ｐの寸法よりも十分に大きい。基板Ｐは、柔軟で、撓むことができる。なお、基板Ｐは、自重程度の所定の力が作用されても、破断しない程度の強度を有する。基板Ｐは、表面ｐａと、表面ｐａの反対方向を向く裏面ｐｂとを有する。表面処理装置２は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００１６】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。
【００１７】
本実施形態において、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に配置される。第１装置６は、第１供給ユニット１と表面処理装置２との間に配置される。第２装置７は、表面処理装置２と第１回収ユニット３との間に配置される。
【００１８】
第１送り機構４は、第１供給ユニット１からの基板Ｐを第１装置６へ送る。また、第１送り機構４は、第１装置６からの基板Ｐを表面処理装置２へ送る。また、第１送り機構４は、表面処理装置２からの基板Ｐを第２装置７へ送る。また、第１送り機構４は、第２装置７からの基板Ｐを第１回収ユニット３へ送る。すなわち、本実施形態において、制御装置５は、第１供給ユニット１の基板Ｐが、第１供給ユニット１から送出され、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を経て、第１回収ユニット３へ送られるように、第１送り機構４を制御する。
【００１９】
本実施形態において、第１装置６は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける。基板Ｐは、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、表面処理装置２へ送られる。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。表面処理装置２において処理された基板Ｐは、第２装置７へ送られる。第２装置７は、表面処理装置２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。第２装置７は、第１回収ユニット３へ送られる前に基板Ｐの裏面ｐｂからカバー部材Ｃを離す。
【００２０】
第１供給ユニット１は、ロール状の基板Ｐを支持する供給ローラ１Ｒを有する。供給ローラ１Ｒは、軸１Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、供給ローラ１Ｒは、θＹ方向に回転可能である。ロール状の基板Ｐは、供給ローラ１Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第１供給ユニット１は、供給ローラ１Ｒが配置される空間を形成する供給チャンバ１Ｃを有する。供給ローラ１Ｒに支持された基板Ｐの少なくとも一部は、供給チャンバ１Ｃの一部に形成された供給口（開口）１Ｋから送出される。
【００２１】
第１回収ユニット３は、回収された基板Ｐをロール状に巻く回収ローラ３Ｒを有する。回収ローラ３Ｒは、軸３Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、回収ローラ３Ｒは、θＹ方向に回転可能である。第１回収ユニット３は、回収ローラ３Ｒを回転して、第１送り機構４からの基板Ｐを回収ローラ３Ｒで巻き取る。巻き取られたロール状の基板Ｐは、回収ローラ３Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第１回収ユニット３は、回収ローラ３Ｒが配置される空間を形成する回収チャンバ３Ｃを有する。第１送り機構４からの基板Ｐは、回収チャンバ１Ｃの一部に形成された回収口（開口）３Ｋから回収される。
【００２２】
なお、本実施形態においては、第１供給ユニット１が供給チャンバ１Ｃを有するが、供給チャンバ１Ｃは無くてもよい。また、本実施形態においては、第１回収ユニット３が回収チャンバ３Ｃを有するが、回収チャンバ３Ｃは無くてもよい。
【００２３】
なお、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第１供給ユニット１を備えることとするが、第１供給ユニット１が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。また、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第１回収ユニット３を備えることとするが、第１回収ユニット３が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。
【００２４】
第１送り機構４は、第１供給ユニット１と表面処理装置２との間に配置され、軸８Ａを中心に回転可能な搬送ローラ８と、表面処理装置２と第１回収ユニット３との間に配置され、軸９Ａを中心に回転可能な搬送ローラ９とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ８及び搬送ローラ９のそれぞれは、θＹ方向に回転可能である。搬送ローラ８は、第１供給ユニット１からの基板Ｐが接触可能な位置に配置され、基板Ｐの少なくとも一部と接触しながら、第１供給ユニット１からの基板Ｐを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ９は、表面処理装置２からの基板Ｐが接触可能な位置に配置され、基板Ｐの少なくとも一部と接触しながら、表面処理装置２からの基板Ｐを第１回収ユニット３へ送るように回転する。
【００２５】
本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置される。また、搬送ローラ９は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部と接触しながら、その基板Ｐを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ９は、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部と接触しながら、その基板Ｐを第１回収ユニット３へ送るように回転する。
【００２６】
本実施形態において、搬送ローラ８は、基板Ｐを吸着する機能（サクション機能）を有する吸着ローラ（サクションローラ）でもよい。すなわち、搬送ローラ８が、基板Ｐを吸着しながら回転してもよい。なお、搬送ローラ８が、サクション機能を有しなくてもよい。また、本実施形態において、搬送ローラ９は、サクション機能を有してもよいし、有しなくてもよい。
【００２７】
表面処理装置２は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間に配置される。本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ９の軸９Ａとは同じ位置（高さ）に配置される。また、本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ９の直径（寸法）とは等しい。本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において、基板Ｐを＋Ｘ方向に送る。また、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、搬送ローラ８及び搬送ローラ９で基板Ｐを支持しながら、その基板Ｐを＋Ｘ方向に送る。表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）は、ＸＹ平面とほぼ平行である。表面処理装置２は、第１送り機構４によって表面ｐａ（裏面ｐｂ）がＸＹ平面とほぼ平行になるように支持されている基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００２８】
すなわち、本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ８と搬送ローラ９との間において基板Ｐが弛まないように、その基板Ｐを支持しながら搬送する。表面処理装置２は、第１送り機構４によって弛まないように支持されている基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理する。
【００２９】
なお、本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ９の直径（寸法）とが異なってもよい。なお、表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａ（裏面ｐｂ）がＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。なお、表面処理装置２において、基板Ｐが弛んでいてもよい。
【００３０】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。本実施形態において、第２送り機構１０は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。
【００３１】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、帯状の部材である。本実施形態において、カバー部材Ｃは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。また、カバー部材Ｃは、第１の方向と交差する第２の方向に所定の寸法（幅）を有する。第１の方向におけるカバー部材Ｃの寸法は、第２の方向におけるカバー部材Ｃの寸法よりも十分に大きい。カバー部材Ｃは、柔軟で、撓むことができる。なお、カバー部材Ｃは、自重程度の所定の力が作用されても、破断しない程度の強度を有する。カバー部材Ｃは、表面ｃａと、表面ｃａの反対方向を向く裏面ｃｂとを有する。
【００３２】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ１は、ロール状に巻かれた帯状のカバー部材Ｃが配置される第２供給ユニット１１と、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを回収する第２回収ユニット１２とを備えている。第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。
【００３３】
本実施形態において、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７は、第２供給ユニット１１と第２回収ユニット１２との間に配置される。第１装置６は、第２供給ユニット１１と表面処理装置２との間に配置される。第２装置７は、表面処理装置２と第２回収ユニット１２との間に配置される。
【００３４】
第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。また、第２送り機構１０は、第１装置６からのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送る。また、第２送り機構１０は、表面処理装置２からのカバー部材Ｃを第２装置７へ送る。また、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。すなわち、本実施形態において、制御装置５は、第２供給ユニット１１のカバー部材Ｃが、第２供給ユニット１１から送出され、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を経て、第２回収ユニット１２へ送られるように、第２送り機構１０を制御する。
【００３５】
本実施形態において、第１装置６は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部に、第２供給ユニット１１から送られたカバー部材Ｃを着ける。第２送り機構１０は、少なくとも第１装置６と第２装置７との間において、第１送り機構４により送られる基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。
【００３６】
すなわち、第１装置６において基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた後、第２送り機構１０は、第１送り機構４と協働して、基板Ｐ及びその基板Ｐの裏面ｐｂに着いているカバー部材Ｃを第１装置６から表面処理装置２へ送る。また、第２送り機構１０は、第１送り機構４と協働して、基板Ｐ及びその基板Ｐの裏面ｐｂに着いているカバー部材Ｃを表面処理装置２から第２装置７へ送る。第２装置７は、表面処理装置２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送る。
【００３７】
第２供給ユニット１１は、ロール状のカバー部材Ｃを支持する供給ローラ１１Ｒを有する。供給ローラ１１Ｒは、軸１１Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、供給ローラ１１Ｒは、θＹ方向に回転可能である。ロール状のカバー部材Ｃは、供給ローラ１１Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第２供給ユニット１１は、供給ローラ１１Ｒが配置される空間を形成する供給チャンバ１１Ｃを有する。供給ローラ１１Ｒに支持されたカバー部材Ｃの少なくとも一部は、供給チャンバ１１Ｃの一部に形成された供給口（開口）１１Ｋから送出される。
【００３８】
第２回収ユニット１２は、回収されたカバー部材Ｃをロール状に巻く回収ローラ１２Ｒを有する。回収ローラ１２Ｒは、軸１２Ａを中心に回転可能である。本実施形態において、回収ローラ１２Ｒは、θＹ方向に回転可能である。第２回収ユニット１２は、回収ローラ１２Ｒを回転して、第２送り機構１０からのカバー部材Ｃを回収ローラ１２Ｒで巻き取る。巻き取られたロール状のカバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒの周囲に配置される。本実施形態において、第２回収ユニット１２は、回収ローラ１２Ｒが配置される空間を形成する回収チャンバ１２Ｃを有する。第２送り機構１０からのカバー部材Ｃは、回収チャンバ１２Ｃの一部に形成された回収口（開口）１２Ｋから回収される。
【００３９】
なお、本実施形態においては、第２供給ユニット１１が供給チャンバ１１Ｃを有するが、供給チャンバ１１Ｃは無くてもよい。また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２が回収チャンバ１２Ｃを有するが、回収チャンバ１２Ｃは無くてもよい。
【００４０】
なお、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第２供給ユニット１１を備えることとするが、第２供給ユニット１１が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。また、本実施形態においては、基板処理装置ＲＴ１が第２回収ユニット１２を備えることとするが、第２回収ユニット１２が基板処理装置ＲＴ１に対して外部の装置（基板処理装置ＲＴ１とは異なる装置）でもよい。
【００４１】
第２送り機構１０は、第２供給ユニット１１と表面処理装置２との間に配置され、軸１３Ａを中心に回転可能な搬送ローラ１３と、表面処理装置２と第２回収ユニット１２との間に配置され、軸１４Ａを中心に回転可能な搬送ローラ１４とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４のそれぞれは、θＹ方向に回転可能である。搬送ローラ１３は、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃが接触可能な位置に配置され、カバー部材Ｃの少なくとも一部と接触しながら、第２供給ユニット１１からのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ１４は、表面処理装置２からのカバー部材Ｃが接触可能な位置に配置され、カバー部材Ｃの少なくとも一部と接触しながら、表面処理装置２からのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送るように回転する。
【００４２】
本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。また、搬送ローラ１４は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部と接触しながら、そのカバー部材Ｃを表面処理装置２へ送るように回転する。搬送ローラ１４は、カバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部と接触しながら、そのカバー部材Ｃを第２回収ユニット１２へ送るように回転する。
【００４３】
本実施形態において、搬送ローラ１３は、カバー部材Ｃを吸着する機能（サクション機能）を有する吸着ローラ（サクションローラ）でもよい。すなわち、搬送ローラ１３が、カバー部材Ｃを吸着しながら回転してもよい。なお、搬送ローラ１３が、サクション機能を有しなくてもよい。また、本実施形態において、搬送ローラ１４は、サクション機能を有してもよいし、有しなくてもよい。
【００４４】
表面処理装置２は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間に配置される。本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、搬送ローラ１３の軸１３Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとは同じ位置（高さ）に配置される。また、本実施形態において、搬送ローラ１３の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは等しい。本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間において、カバー部材Ｃを＋Ｘ方向に送る。また、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間においてカバー部材Ｃの表面ｃａ（裏面ｃｂ）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４でカバー部材Ｃを支持しながら、そのカバー部材Ｃを＋Ｘ方向に送る。表面処理装置２において、カバー部材Ｃの表面ｃａ（裏面ｃｂ）は、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００４５】
すなわち、本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３と搬送ローラ１４との間においてカバー部材Ｃが弛まないように、そのカバー部材Ｃを支持しながら搬送する。
【００４６】
なお、本実施形態において、搬送ローラ１３の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは異なってもよい。
【００４７】
図２は、本実施形態に係る第１装置６の一例を示す図である。本実施形態において、第１装置６は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１送り機構４の搬送ローラ８と、搬送ローラ８との間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟む第２送り機構１０の搬送ローラ１３とを含む。第１装置６は、搬送ローラ８と搬送ローラ１３との間で基板Ｐ及びカバー部材Ｃを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける。すなわち、本実施形態において、搬送ローラ８及び搬送ローラ１３の一方は、他方との間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟むニップローラとして機能する。
【００４８】
本実施形態においては、第１装置６は、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが対向するように、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。換言すれば、第１装置６は、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが接触するように、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが対向された状態で、基板Ｐの表面ｐａが対向する位置に配置された搬送ローラ８とカバー部材Ｃの表面ｃａが対向する位置に配置された搬送ローラ１３とによって、基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが密着する。
【００４９】
本実施形態において、第２送り機構１０の搬送ローラ１３は、第１送り機構４の搬送ローラ８との間で基板Ｐ及びカバー部材Ｃとを挟むことができる位置に配置される。換言すれば、第１送り機構４の搬送ローラ８と、第２送り機構１０の搬送ローラ１３とは、搬送ローラ８と搬送ローラ１３との間に基板Ｐ及びカバー部材Ｃが無い状態で対向するように配置される。
【００５０】
本実施形態において、搬送ローラ８と搬送ローラ１３とは、Ｚ軸方向に配置されている。すなわち、搬送ローラ８と搬送ローラ１３とは、第１装置６と第２装置７との間において基板Ｐ及びカバー部材Ｃが送られる方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｚ軸方向）に配置されている。
【００５１】
本実施形態において、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ１３の直径（寸法）とはほぼ等しい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ１３の軸１３Ａとは同じ位置に配置される。
【００５２】
なお、搬送ローラ８の直径（寸法）と搬送ローラ１３の直径（寸法）とは異なってもよい。例えば、搬送ローラ８の直径（寸法）が、搬送ローラ１３の直径（寸法）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ８の軸８Ａと搬送ローラ１３の軸１３Ａとが異なる位置に配置されてもよい。例えば、搬送ローラ８の軸８Ａが、搬送ローラ１３の軸１３Ａに対して＋Ｘ側に配置されてもよいし、−Ｘ側に配置されてもよい。
【００５３】
本実施形態において、第１装置６は、基板Ｐが送られている状態で、その基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。また、第１装置６は、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐにカバー部材Ｃを着ける。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐにカバー部材Ｃが着けられる。
【００５４】
本実施形態において、基板Ｐは、ポリエチレンテレフタレートを含む。本実施形態において、基板Ｐは、ポリエチレンテレフタレート製である。なお、基板Ｐが、ポリエチレンテレフタレートと他の材料との両方を含んでもよい。他の材料は、ポリエチレンテレフタレートとは異なる合成樹脂、添加剤、及び分散剤の少なくとも一つを含む。また、本実施形態において、基板Ｐの裏面ｐｂと接触するカバー部材Ｃの裏面ｃｂは、少なくともポリウレタンを含む。これにより、基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟み、基板Ｐにカバー部材Ｃを押し付けることによって、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとが密着する。
【００５５】
なお、基板Ｐが、ポリエチレンテレフタレートを含む場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、シリコンゴムを含んでもよい。また、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムの両方を含んでもよい。この場合も、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５６】
なお、基板Ｐが、ポリイミドを含んでもよい。この場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムのいずれか一方又は両方を含むことにより、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５７】
また、基板Ｐが、ポリエチレンナフタレートを含んでもよい。この場合、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが、ポリウレタン及びシリコンゴムのいずれか一方又は両方を含むことにより、基板Ｐの裏面ｐｂとカバー部材Ｃの裏面ｃｂとを密着させることができる。
【００５８】
図３は、本実施形態に係る表面処理装置２の一例を示す図である。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが密着されている基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。本実施形態においては、表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂの全部がカバー部材Ｃで覆われる。なお、表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂの一部がカバー部材Ｃで覆われていなくてもよい。
【００５９】
本実施形態において、表面処理装置２において、基板Ｐの表面ｐａは、カバー部材Ｃで覆われていない。換言すれば、基板Ｐの表面ｐａは、表面処理装置２による処理が実行される空間（処理空間）に露出している。
【００６０】
本実施形態において、表面処理装置２における基板Ｐの表面ｐａの処理は、基板Ｐの表面ｐａに液体を供給する処理を含む。本実施形態においては、図３に示すように、表面処理装置２は、液体の滴（液滴）ＬＤを供給するインクジェットヘッド２Ｊを有する。表面処理装置２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、基板Ｐの表面ｐａにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給する。これにより、基板Ｐの表面ｐａに、インクジェットヘッド２Ｊから供給された液滴ＬＤでパターン（デバイスパターン）が形成される。
【００６１】
本実施形態において、制御装置５は、基板Ｐ及びカバー部材Ｃを移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給する。なお、インクジェットヘッド２Ｊを移動する駆動機構が表面処理装置２に設けられている場合、制御装置５は、インクジェットヘッド２Ｊと基板Ｐとの両方を移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。例えば、制御装置５は、基板Ｐを＋Ｘ方向に送りつつ、インクジェットヘッド２ＪをＹ軸方向に移動しながら、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。また、Ｙ軸方向に複数のインクジェットヘッド２Ｊが配置されてもよい。
【００６２】
なお、制御装置５は、基板Ｐの移動を停止した状態で、その基板Ｐにインクジェットヘッド２Ｊからの液滴ＬＤを供給してもよい。
【００６３】
図４は、本実施形態に係る第２装置７の一例を示す図である。本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る。本実施形態においては、第２送り機構１０が、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る。すなわち、本実施形態において、第２装置７は、第２送り機構１０の少なくとも一部を含む。
【００６４】
本実施形態において、第２装置７は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１送り機構４の搬送ローラ９と、第１送り機構４による基板Ｐの送り方向と異なる方向へカバー部材Ｃを送る第２送り機構１０の搬送ローラ１４とを含む。
【００６５】
本実施形態において、第１送り機構４は、搬送ローラ９において、基板Ｐを＋Ｘ方向へ送りつつ、＋Ｚ方向へ送る。一方、第２送り機構１０は、搬送ローラ１４において、カバー部材Ｃを＋Ｘ方向へ送りつつ、−Ｚ方向へ送る。基板Ｐは、搬送ローラ９にガイドされ、＋Ｘ方向へ移動しつつ＋Ｚ方向へ移動する。一方、カバー部材Ｃは、搬送ローラ１４にガイドされ、＋Ｘ方向へ移動しつつ−Ｚ方向へ移動する。
【００６６】
本実施形態において、第１送り機構４の搬送ローラ９と、第２送り機構１０の搬送ローラ１４とは、搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間に基板Ｐ及びカバー部材Ｃが無い状態で対向するように配置される。本実施形態において、搬送ローラ９と搬送ローラ１４とは、Ｚ軸方向に配置されている。本実施形態において、基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、表面処理装置２から搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間へ移動する。基板Ｐとカバー部材Ｃとは、搬送ローラ９と搬送ローラ１４との間を通過した後、異なる方向へ送られる。これにより、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる（剥がされる）。
【００６７】
本実施形態において、搬送ローラ９の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とはほぼ等しい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ９の軸９Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとは同じ位置に配置される。
【００６８】
なお、搬送ローラ９の直径（寸法）と搬送ローラ１４の直径（寸法）とは異なってもよい。例えば、搬送ローラ９の直径（寸法）は、搬送ローラ１４の直径（寸法）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、Ｘ軸方向に関して、搬送ローラ９の軸９Ａと搬送ローラ１４の軸１４Ａとが異なる位置に配置されてもよい。例えば、搬送ローラ９の軸９Ａが、搬送ローラ１４の軸１４Ａに対して＋Ｘ側に配置されてもよいし、−Ｘ側に配置されてもよい。
【００６９】
本実施形態において、第２装置７は、基板Ｐが送られている状態で、その基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。また、第２装置７は、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐとカバー部材Ｃとが同期して送られている状態で、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる。
【００７０】
次に、上述の構成を有する基板処理装置ＲＴ１の動作の一例について説明する。巻かれた状態で第１供給ユニット１に配置されている基板Ｐの少なくとも一部が、第１供給ユニット１から送り出される。また、巻かれた状態で第２供給ユニット１１に配置されているカバー部材Ｃの少なくとも一部が、第２供給ユニット１１から送り出される。
【００７１】
搬送ローラ８及び搬送ローラ１３を含む第１装置６において、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部に、第２供給ユニット１１から送られたカバー部材Ｃが着けられる。第１送り機構４及び第２送り機構１０は、基板Ｐとカバー部材Ｃとを同期して移動する。
【００７２】
基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、表面処理装置２に送られる。表面処理装置２において、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。上述のように、本実施形態においては、基板Ｐの表面ｐａにインジェットヘッド２Ｊからの液体（液滴ＬＤ）が供給される。本実施形態においては、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が接触しないように、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが密着される。これにより、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。
【００７３】
搬送ローラ９及び搬送ローラ１４を含む第２装置７において、表面ｐａの処理が行われた基板Ｐからカバー部材Ｃが離される。制御装置５は、基板Ｐ及びカバー部材Ｃを送りながら基板Ｐからカバー部材Ｃを離す。
【００７４】
第２装置７においてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３に回収される。基板Ｐは、第１回収ユニット３において、回収ローラ３Ｒに巻かれる。
【００７５】
第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、第２回収ユニット１２に回収される。カバー部材Ｃは、第２回収ユニット１２において、回収ローラ１２Ｒに巻かれる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを着ける第１装置６を設けたので、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理を行うことができる。したがって、例えば表面処理装置２において、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。換言すれば、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと（裏面ｐｂに液体が供給されてしまうこと）が抑制される。また、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制される。
【００７７】
例えば、基板Ｐの表面ｐａに液体を供給して、基板Ｐの表面ｐａにパターンを形成して、フラットパネルディスプレイを製造する場合、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着してしまうと、製造されるフラットパネルディスプレイが不良となる可能性がある。本実施形態によれば、表面処理装置２において基板Ｐの不要な部位（本実施形態では裏面ｐｂ）が処理されることが抑制され、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制されるため、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００７８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７９】
図５は、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２の一例を示す図である。第２実施形態は、第１実施形態の変形例である。第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１と異なる部分は、搬送ローラ１３、１４が省略されている点にある。
【００８０】
図５において、第１供給ユニット１から送出された基板Ｐは、供給ローラ１１Ｒに支持されているロール状のカバー部材Ｃに着けられる。すなわち、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第１装置６は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された搬送ローラ８と、ロール状のカバー部材Ｃを支持する供給ローラ１１Ｒとを含み、搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒとの間で基板Ｐとカバー部材Ｃとを挟む。これにより、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられる。
【００８１】
また、表面処理装置２からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、表面処理装置２から搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒに支持されているロール状のカバー部材Ｃとの間に移動する。基板Ｐとカバー部材Ｃとは、搬送ローラ９とロール状のカバー部材Ｃ（回収ローラ１２Ｒ）との間を通過した後、異なる方向へ送られる。これにより、基板Ｐからカバー部材Ｃが離れる（剥がされる）。すなわち、第２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ２において、第２装置７は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された搬送ローラ９と、ロール状のカバー部材Ｃを支持する回収ローラ１２Ｒとを含み、搬送ローラ９で基板Ｐをガイドし、回収ローラ１２Ｒでカバー部材Ｃを基板Ｐの送り方向と異なる方向へガイドする。
【００８２】
すなわち、本実施形態においては、第２供給ユニット１１の少なくとも一部が、第１装置６として機能する。また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２の少なくとも一部が、第２装置７として機能する。
【００８３】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００８４】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８５】
図６は、第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３の一例を示す図である。第３実施形態は、第１実施形態の変形例である。第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３において、第１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１と異なる部分は、第２送り機構１０が、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る点にある。
【００８６】
図６において、基板処理装置ＲＴ３は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。第２送り機構１０は、供給ローラ１１Ｒｂを含む第２供給ユニット１１と回収ローラ１２Ｒｂを含む第２回収ユニット１２との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。カバー部材Ｃは、帯状の部材である。
【００８７】
本実施形態において、第２送り機構１０は、搬送ローラ１３及び搬送ローラ１４を有する。本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と、第２送り機構１０の搬送ローラ１３とを含む。また、本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と、第２送り機構１０の搬送ローラ１４とを含む。
【００８８】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃを、第１装置６へ送る。本実施形態において、第２装置７からのカバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒｂ及び供給ローラ１１Ｒｂを経て、第１装置６へ送られる。
【００８９】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、複数のローラが配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１３、搬送ローラ１４、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。カバー部材Ｃは、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１３、搬送ローラ１４、及び回収ローラ１２Ｒｂのそれぞれに同時に支持される。カバー部材Ｃの表面ｃａは、供給ローラ１１Ｒｂの表面、搬送ローラ１３の表面、搬送ローラ１４の表面、及び回収ローラ１２Ｒｂの表面のそれぞれに接触する。
【００９０】
第２送り機構１０は、環状（ループ状、無端状）のカバー部材Ｃが、第１装置６、表面処理装置２、及び第２装置７を循環するように、そのカバー部材Ｃを移動する。
【００９１】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００９２】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９３】
図７は、第４実施形態に係る基板処理装置ＲＴ４の一例を示す図である。第４実施形態は、第３実施形態の変形例である。第４実施形態に係る基板処理装置ＲＴ４において、第３実施形態に係る基板処理装置ＲＴ３と異なる部分は、搬送ローラ１３、１４が省略されている点にある。
【００９４】
図７において、基板処理装置ＲＴ４は、カバー部材Ｃを送る第２送り機構１０を備える。第２送り機構１０は、供給ローラ１１Ｒｂを含む第２供給ユニット１１と回収ローラ１２Ｒｂを含む第２回収ユニット１２との間の少なくとも一部において、基板Ｐと同期してカバー部材Ｃを送る。カバー部材Ｃは、帯状の部材である。
【００９５】
本実施形態においては、第２供給ユニット１１の少なくとも一部が、第１装置６として機能する。本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と、供給ローラ１１Ｒｂとを含む。基板Ｐとカバー部材Ｃとが搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとに挟まれることによって、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられる。
【００９６】
また、本実施形態においては、第２回収ユニット１２の少なくとも一部が、第２装置７として機能する。本実施形態において、第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と、回収ローラ１２Ｒｂとを含む。カバー部材Ｃは、回収ローラ１２Ｒｂによって基板Ｐの送り方向と異なる方向へ送られることによって、基板Ｐから離れる。第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、第１装置６へ送られる。
【００９７】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。
【００９８】
本実施形態においても、不良デバイスの発生が抑制される。
【００９９】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１００】
図８は、第５実施形態に係る基板処理装置ＲＴ５の一例を示す図である。図８において、基板処理装置ＲＴ５は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２０と、表面処理装置２０から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。
【０１０１】
本実施形態において、第１装置６は、搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとを含み、第２装置７は、搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒｂとを含む。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ５は、第１装置６と表面処理装置２０との間に配置され、第１装置６からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃを表面処理装置２０へ送るように回転する搬送ローラ１５と、表面処理装置２０と第２装置７との間に配置され、表面処理装置２０からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃを第２装置７へ送るように回転する搬送ローラ１６とを備えている。本実施形態において、搬送ローラ１５及び搬送ローラ１６のそれぞれは、カバー部材Ｃが接触可能な位置に配置される。
【０１０２】
本実施形態において、表面処理装置２０は、液体ＬＭを入れる容器２１を有する。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ５は、少なくとも一部が容器２１内に配置され、基板Ｐ及びカバー部材Ｃの少なくとも一方を支持する搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８を有する。搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８は、搬送ローラ１５と搬送ローラ１６との間に配置される。本実施形態において、搬送ローラ１７及び搬送ローラ１８は、基板Ｐが接触可能な位置に配置される。
【０１０３】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。
【０１０４】
図９は、本実施形態に係る表面処理装置２０の一例を示す図である。図９に示すように、表面処理装置２０は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。表面処理装置２０において、第１装置６から送られた基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、容器２１内の液体ＬＭに浸けられる。すなわち、本実施形態において、表面処理装置２０における基板Ｐの表面ｐａの処理は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、基板Ｐを容器２１内の液体ＬＭに浸ける処理を含む。液体ＬＭは、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部を処理するための液体である。その処理によって、基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部に、液体ＬＭの成分（液体ＬＭに含まれる物質）が付着する。
【０１０５】
容器２１は、上端に開口２１Ｋを有する。第１装置６（搬送ローラ８）からの基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、開口２１Ｋを介して、容器２１内へ送られる。基板Ｐの表面ｐａは、容器２１内の液体ＬＭと接触する。一方、基板Ｐの裏面ｐｂは、カバー部材Ｃで覆われており、容器２１内の液体ＬＭと接触しない。
【０１０６】
容器２１内において、基板Ｐは、容器内２１内に配置されている搬送ローラ１７、１８によって支持される。これにより、基板Ｐの表面ｐａは、容器２１内の液体ＬＭと良好に接触可能である。本実施形態においては、搬送ローラ１７、１８は、基板Ｐの表面ｐａとＸＹ平面とが平行となるように、その基板Ｐを支持する。また、搬送ローラ１７、１８は、基板Ｐが弛まないように、その基板Ｐを支持する。
【０１０７】
容器２１内の液体ＬＭと接触した基板Ｐは、開口２１Ｋを介して、容器２１外へ送られる。容器２１外へ送られた基板Ｐは、第２装置７においてカバー部材Ｃから離れる。
【０１０８】
本実施形態において、表面処理装置２０における基板Ｐの表面ｐａの処理は、めっき処理を含む。本実施形態において、表面処理装置２０は、無電解めっき法に基づいて、基板Ｐの表面ｐａの処理（めっき処理）を行う。本実施形態において、容器２１内の液体ＬＭは、金属イオンを含む溶液（所謂、めっき液）である。図８及び図９に示すように、容器２１内の液体ＬＭに接触した基板Ｐの表面ｐａの少なくとも一部に、液体ＬＭに含まれる物質の膜Ｍが形成される。以下の説明において、液体ＬＭと接触することによって基板Ｐの表面ｐａに形成された液体ＬＭに基づく膜Ｍを適宜、めっき層Ｍ、と称する。なお、膜Ｍは、めっき処理によって形成される膜（めっき層）に限られず、液体ＬＭに含まれる物質に基づく膜であればよい。
【０１０９】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに液体（めっき液）が接触しないように、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを密着させた後、そのカバー部材Ｃが密着された基板Ｐを容器２１内の液体に浸けるようにしたので、表面処理装置２０において、基板Ｐの裏面ｐｂに液体が付着することが抑制される。換言すれば、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと（裏面ｐｂがめっき処理されてしまうこと）が抑制される。また、本実施形態によれば、基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することが抑制される。
【０１１０】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１１１】
図１０は、第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６の一例を示す図である。第６実施形態は、第５実施形態の変形例である。第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６において、第５実施形態に係る基板処理装置ＲＴ５と異なる部分は、カバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０が設けられている点にある。
【０１１２】
図１０において、基板処理装置ＲＴ６は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置２０と、表面処理装置２０から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７と、第２装置７からのカバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０とを備えている。洗浄装置３０は、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃを洗浄する。
【０１１３】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１１４】
本実施形態において、第２送り機構１０は、洗浄装置３０と回収ローラ１２Ｒｂとの間に配置され、第２装置７及び回収ローラ１２Ｒｂからのカバー部材Ｃを洗浄装置３０へ送るように回転する搬送ローラ４０と、洗浄装置３０と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置され、洗浄装置３０からのカバー部材Ｃを供給ローラ１１Ｒｂ及び第１装置６へ送るように回転する搬送ローラ４１とを有する。本実施形態において、搬送ローラ４０及び搬送ローラ４１のそれぞれは、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが接触可能な位置に配置される。
【０１１５】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用の液体ＬＣを用いて、カバー部材Ｃの少なくとも一部を洗浄する。本実施形態において、洗浄装置３０は、液体ＬＣを入れる容器３１を有する。また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ６は、少なくとも一部が容器３１内に配置され、カバー部材Ｃを支持する搬送ローラ４２及び搬送ローラ４３を有する。搬送ローラ４２及び搬送ローラ４３は、搬送ローラ４０と搬送ローラ４１との間に配置される。
【０１１６】
本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、回収ローラ１２Ｒｂ、搬送ローラ４２、及び搬送ローラ４３が配置される。
【０１１７】
容器３１は、上端に開口３１Ｋを有する。第２装置７からのカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１内へ送られる。カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂは、容器３１内の液体ＬＣと接触する。これにより、カバー部材Ｃが液体ＬＣによって洗浄される。
【０１１８】
なお、容器３１内に液体ＬＣを供給可能な液体供給機構と、容器３１内の液体ＬＣを回収可能な液体回収機構とを設け、液体供給機構から容器３１内にクリーンな液体ＬＣを供給し続けるとともに、その液体ＬＣの供給と並行して、液体回収機構から容器３１内の液体ＬＣを回収して、容器３１内においてクリーンな液体ＬＣをカバー部材Ｃに供給し続けてもよい。
【０１１９】
本実施形態においては、カバー部材Ｃ（カバー部材Ｃの表面ｃａ）は、表面処理装置２０において液体ＬＭと接触する。表面処理装置２０から搬出されたカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部に液体ＬＭが残留している可能性がある。洗浄装置３０は、そのカバー部材Ｃに残留している液体ＬＭを除去可能である。洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、カバー部材Ｃに残留している液体ＬＭをそのカバー部材Ｃから除去することができる。また、表面処理装置２０から搬出されたカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部に膜Ｍが形成（析出）される可能性がある。洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、カバー部材Ｃに形成（析出）されている膜Ｍをそのカバー部材Ｃから除去することができる。また、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給することによって、膜Ｍのみならず、カバー部材Ｃに付着している異物をそのカバー部材Ｃから除去することができる。
【０１２０】
本実施形態において、液体ＬＣは、カバー部材Ｃから膜Ｍを除去可能な液体である。例えば、膜Ｍがニッケル（Ｎｉ）を含む場合、液体ＬＣとして硝酸を含む液体を用いてもよい。また、膜Ｍが金（Ａｕ）を含む場合、液体ＬＣとしてヨウ素を含む液体を用いてもよい。
【０１２１】
また、本実施形態において、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに接触可能な位置に配置された洗浄用ローラ３３を有する。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、容器３１内に配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、搬送ローラ４２と搬送ローラ４３との間に配置される。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３を複数（図１０に示す例では４つ）有する。洗浄用ローラ３３は、第２送り機構１０によるカバー部材Ｃの送り方向に複数配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｃは、洗浄装置３０（容器３１）内においてＸ軸方向に沿って送られる。本実施形態において、複数の洗浄用ローラ３３は、Ｘ軸方向に配置される。
【０１２２】
本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａに接触して、そのカバー部材Ｃの表面ｃａを洗浄する。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃの表面ｃａの擦ることによって、そのカバー部材Ｃの表面ｃａに付着している異物（表面ｃａに残留している液体ＬＭ、及び表面ｃａに形成された膜Ｍを含む）を除去することができる。
【０１２３】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ６は、洗浄装置３０から搬出されたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する除去装置５０を備えている。本実施形態において、除去装置５０の少なくとも一部は、搬送ローラ４１と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置されている。除去装置５０は、洗浄装置３０の容器３１外へ搬出されたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。本実施形態において、除去装置５０は、カバー部材Ｃが第１装置６へ送られる前に（基板Ｐに着けられる前に）、そのカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。本実施形態においては、除去装置５０は、第２装置７から洗浄装置３０（容器３１）を経て供給ローラ１１Ｒｂへ送られる前に（供給ローラ１１Ｒｂと接触する前に）、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行う。なお、除去装置５０は、供給ローラ１１Ｒｂへ送られた後（供給ローラ１１Ｒｂと接触した後）、基板Ｐに着けられる前に、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去するための処理を行ってもよい。
【０１２４】
本実施形態において、除去装置５０は、気体を供給可能な給気口５１Ｓを有する第１除去機構５１を有する。給気口５１Ｓは、カバー部材Ｃに気体を供給して、そのカバー部材Ｃに付着している液体ＬＣをカバー部材Ｃから除去する。なお、図１０においては、供給口５１は、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが対向可能な位置に配置されているが、表面ｃａが対向可能な位置に配置されてもよいし、表面ｃａ及び裏面ｃｂの両方が対向可能な位置に配置されてもよい。
【０１２５】
次に、本実施形態に係る洗浄装置３０の動作の一例について説明する。表面処理装置２０において液体ＬＭと接触し、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、洗浄装置３０に送られる。
【０１２６】
容器３１内において、カバー部材Ｃは、容器内３１内に配置されている搬送ローラ４２、４３によって支持される。これにより、カバー部材Ｃの表面ｃａは、容器３１内の液体ＬＣと良好に接触可能であり、洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａを円滑に擦ることができる。本実施形態においては、搬送ローラ４２、４３は、カバー部材Ｃの表面ｃａとＸＹ平面とが平行となるように、そのカバー部材Ｃを支持する。また、搬送ローラ４２、４３は、カバー部材Ｃが弛まないように、そのカバー部材Ｃを支持する。
【０１２７】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３とカバー部材Ｃとの間に液体ＬＣを供給しつつ、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃの表面ｃａの少なくとも一部を擦る。これにより、カバー部材Ｃは、洗浄装置３０において洗浄される。
【０１２８】
なお、洗浄装置３０は、カバー部材Ｃに液体ＬＣを供給せずに、洗浄用ローラ３３でカバー部材Ｃを洗浄してもよい。なお、洗浄装置３０が洗浄用ローラ３３を有していなくてもよい。
【０１２９】
洗浄装置３０（容器３１内）において洗浄されたカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１外へ送られる。制御装置５は、搬送ローラ４１と供給ローラ１１Ｒｂとの間に配置されている除去装置５０の給気口５１Ｓから、容器３１外へ搬出されたカバー部材Ｃに気体を供給する。これにより、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＣが吹き飛ばされ、カバー部材Ｃから除去される。なお、給気口５１Ｓから乾燥した気体、あるいは高温度の気体を供給して、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＣの気化を促進してもよい（乾燥させてもよい）。
【０１３０】
洗浄装置３０によって洗浄されたカバー部材Ｃは、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂに着けられる。その後、カバー部材Ｃは、基板Ｐとともに、表面処理装置２０へ送られる。
【０１３１】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０を設けたので、カバー部材Ｃを洗浄することができる。そのため、裏面ｐｂに洗浄後のカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１３２】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１３３】
図１１は、第７実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７の一例を示す図である。第７実施形態は、第６実施形態の変形例である。第７実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７において、第６実施形態に係る基板処理装置ＲＴ６と異なる部分は、カバー部材Ｃから洗浄用の液体ＬＣを除去する除去装置５０が、除去用（リンス用）の液体ＬＱを用いて液体ＬＣを除去する第２除去機構５２を有する点にある。
【０１３４】
図１１において、基板処理装置ＲＴ７は、カバー部材Ｃを洗浄用の液体ＬＣを用いて洗浄する洗浄装置３０と、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行う除去装置５０とを備えている。
【０１３５】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１３６】
本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用の液体ＬＣを入れる容器３１と、容器３１内に配置された洗浄用ローラ３３とを有する。容器３１内に、搬送ローラ４２、４３が配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、搬送ローラ４０と搬送ローラ４２との間に配置される。本実施形態において、洗浄用ローラ３３は、複数配置される。一部の洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置され、一部の洗浄用ローラ３３は、カバー部材Ｃの裏面ｃｂが対向可能な位置に配置される。本実施形態において、洗浄装置３０は、洗浄用ローラ３３で、カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂを同時に擦ることができる。
【０１３７】
本実施形態において、除去装置５０は、カバー部材Ｃに気体を供給する給気口５１Ｓを有する第１除去機構５１と、液体ＬＱを用いてカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する第２除去機構５２とを有する。
【０１３８】
本実施形態において、液体ＬＱは、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣをカバー部材Ｃから除去可能な除去用（リンス用）の液体である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水を用いる。
【０１３９】
第２除去機構５２は、液体ＬＱを入れる容器５３を有する。第２除去機構５２は、洗浄装置３０から送られたカバー部材Ｃと容器５３内の液体ＬＱとを接触させて、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する。
【０１４０】
容器５３は、上端に開口５３Ｋを有する。洗浄装置３０からのカバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３内へ送られる。カバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂは、容器５３内の液体ＬＱと接触する。これにより、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣがカバー部材Ｃから除去される。
【０１４１】
なお、容器５３内に液体ＬＱを供給可能な液体供給機構と、容器５３内の液体ＬＱを回収可能な液体回収機構とを設け、液体供給機構から容器５３内にクリーンな液体ＬＱを供給し続けるとともに、その液体ＬＱの供給と並行して、液体回収機構から容器５３内の液体ＬＱを回収して、容器５３内においてクリーンな液体ＬＱをカバー部材Ｃに供給し続けてもよい。
【０１４２】
本実施形態において、第２送り機構１０は、洗浄装置３０と第２除去機構５２（容器５３）との間に配置され、洗浄装置３０（搬送ローラ４１）からのカバー部材Ｃを第２除去機構５２へ送るように回転する搬送ローラ４４と、第２除去機構５２と第１除去機構５１との間に配置され、第２除去機構５２（容器５３）からのカバー部材Ｃを供給ローラ１１Ｒｂ及び第１装置６へ送るように回転する搬送ローラ４５とを有する。
【０１４３】
また、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ７は、少なくとも一部が容器５３内に配置され、カバー部材Ｃを支持する搬送ローラ４６及び搬送ローラ４７を有する。搬送ローラ４６及び搬送ローラ４７は、搬送ローラ４４と搬送ローラ４５との間に配置される。
【０１４４】
本実施形態においては、カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、搬送ローラ１５、搬送ローラ１６、回収ローラ１２Ｒｂ、搬送ローラ４２、搬送ローラ４３、搬送ローラ４６、及び搬送ローラ４７が配置される。
【０１４５】
本実施形態において、第１除去機構５１は、搬送ローラ４５と供給ローラ１１Ｒｂとの間において、給気口５１Ｓからカバー部材Ｃに気体を供給する。本実施形態においては、除去装置５０は、第２除去機構５２によって、洗浄装置３０から送られたカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行い、その後、第１除去機構５１によって、第２除去機構５２から送られたカバー部材Ｃから液体ＬＱを除去する処理を行う。また、第１除去機構５１は、第２除去機構５２においてカバー部材Ｃから除去しきれなかった液体ＬＣを除去してもよい。
【０１４６】
次に、本実施形態に係る基板処理装置ＲＴ７の動作の一例について説明する。表面処理装置２０において液体ＬＭと接触し、第２装置７において基板Ｐから離れたカバー部材Ｃは、洗浄装置３０に送られる。カバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１内へ送られ、液体ＬＣと接触する。洗浄装置３０（容器３１内）において洗浄されたカバー部材Ｃは、開口３１Ｋを介して、容器３１外へ送られる。
【０１４７】
洗浄装置３０からのカバー部材Ｃは、第２除去機構５２へ送られる。カバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３内へ送られ、液体ＬＱと接触する。これにより、カバー部材Ｃに付着（残留）している液体ＬＣは、液体ＬＱによってカバー部材Ｃから除去される。第２除去機構５２（容器５３内）において液体ＬＣが除去されたカバー部材Ｃは、開口５３Ｋを介して、容器５３外へ送られる。
【０１４８】
第２除去機構５２からのカバー部材Ｃは、第１除去機構５１へ送られる。第１除去機構５１は、給気口５１から、容器５３外へ搬出されたカバー部材Ｃに気体を供給する。これにより、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＱが吹き飛ばされ、カバー部材Ｃから除去される。なお、給気口５１から乾燥した気体、あるいは高温度の気体を供給して、カバー部材Ｃに付着している液体ＬＱの気化を促進してもよい（乾燥させてもよい）。
【０１４９】
第１除去機構５１からのカバー部材Ｃは、第１装置６によって基板Ｐの裏面ｐｂに着けられる。その後、カバー部材Ｃは、基板Ｐとともに、表面処理装置２０へ送られる。
【０１５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する除去装置５０を設けたので、裏面ｐｂに洗浄後のカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐの表面ｐａの処理が行われる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１５１】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５２】
図１２は、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８の一例を示す図である。本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に、基板Ｐの表面ｐａの処理を行う表面処理装置を複数備える。
【０１５３】
図１２において、基板処理装置８は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃを着ける第１装置６と、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う複数の表面処理装置２０１〜２０５と、表面処理装置２０１〜２０５から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７とを備えている。第２装置７においてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３へ送られる。
【０１５４】
本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、表面処理装置を５つ備える。以下の説明において、５つの表面処理装置のそれぞれを適宜、第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５，と称する。
【０１５５】
第１処理装置２０１は、第１供給ユニット１から送出され、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１装置６から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第２処理装置２０２は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第１処理装置２０１から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第３処理装置２０３は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第２処理装置２０２から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第４処理装置２０４は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第３処理装置２０３から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。第５処理装置２０５は、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で第４処理装置２０４から送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う。
【０１５６】
すなわち、本実施形態において、第１送り機構４は、基板Ｐが第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過するように、その基板Ｐを第１供給ユニット１から第１回収ユニット３へ送る。
【０１５７】
本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。カバー部材Ｃの内側に、供給ローラ１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２Ｒｂが配置される。第１〜第５処理装置２０１〜２０５は、供給ローラ１１Ｒｂと回収ローラ１２Ｒｂとの間に配置される。カバー部材Ｃは、第１装置６において基板Ｐに着けられた後、その基板Ｐから離れることなく、第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過し、第５処理装置２０５を通過した後、第２装置７において基板Ｐから離れる。
【０１５８】
すなわち、本実施形態において、第２送り機構１０は、カバー部材Ｃが基板Ｐに密着した状態で第１処理装置２０１、第２処理装置２０２、第３処理装置２０３、第４処理装置２０４、及び第５処理装置２０５の順に通過するように、そのカバー部材Ｃを第１装置６から第７装置７へ送る。また、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを、第１装置６へ送る。
【０１５９】
本実施形態において、第１装置６は、第１送り機構４の搬送ローラ８と供給ローラ１１Ｒｂとを含む。第２装置７は、第１送り機構４の搬送ローラ９と回収ローラ１２Ｒｂとを含む。
【０１６０】
本実施形態において、第１〜第５処理装置２０１〜２０５のそれぞれは、液体ＬＭ１〜ＬＭ５を入れる容器２０１Ｒ〜２０５Ｒを有する。本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、第１〜第５処理装置２０１〜２０５を用いて、基板Ｐのめっき処理（無電解めっき処理）を行う。第１処理装置２０１は、液体ＬＭ１を用いて、第１の前処理を行う。第２処理装置２０２は、液体ＬＭ２を用いて、第１の洗浄処理を行う。第３処理装置２０３は、液体ＬＭ３を用いて、第２の前処理を行う。第４処理装置２０４は、液体ＬＭ４を用いて、第２の洗浄処理を行う。第５処理装置２０５は、液体ＬＭ５を用いて、無電解めっき処理を行う。
【０１６１】
本実施形態において、第１の前処理は、例えば基板Ｐの表面に触媒金属のイオンを吸着させる処理を含む。本実施形態においては、触媒金属は、例えばパラジウムを含み、第１の前処理に用いられる液体ＬＭ１は、パラジウムイオンを含む液体である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０１Ｒ内の液体ＬＭ１に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにパラジウムイオンが吸着される。
【０１６２】
本実施形態において、第１の洗浄処理は、水を用いて基板Ｐを洗浄する処理を含む。すなわち、本実施形態において、第１の洗浄処理に用いられる液体ＬＭ２は、水である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０２Ｒ内の液体ＬＭ
２に浸けられることによって、その基板Ｐが洗浄される。
【０１６３】
本実施形態において、第２の前処理は、酸化還元反応により基板Ｐの表面ｐａにパラジウムを含む金属を生成する処理を含む。本実施形態においては、酸化還元反応において次亜リン酸が用いられ、第２の前処理に用いられる液体ＬＭ３は、次亜リン酸を含む液体である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０３Ｒ内の液体ＬＭ３に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにパラジウムを含む金属が生成される。
【０１６４】
本実施形態において、第２の洗浄処理は、水を用いて基板Ｐを洗浄する処理を含む。すなわち、本実施形態において、第２の洗浄処理に用いられる液体ＬＭ４は、水である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０４Ｒ内の液体ＬＭ
４に浸けられることによって、その基板Ｐが洗浄される。
【０１６５】
第２の洗浄処理が行われた後、無電解めっき処理（無電解ニッケルめっき処理）が行われる。本実施形態においては、無電解めっき処理に用いられる液体ＬＭ５は、ニッケルを含む液体（めっき液）である。裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐが容器２０５Ｒ内の液体ＬＭ５に浸けられることによって、その基板Ｐの表面ｐａにニッケルを含む膜が生成される。
【０１６６】
なお、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ８は、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ外に配置される複数の搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊと、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ内に配置される複数の搬送ローラ６１Ａ〜６１Ｊとを含む。基板Ｐ及びカバー部材Ｃは、それら搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊ、６１Ａ〜６１Ｊに支持されつつ第１装置６から第２装置７へ送られる。
【０１６７】
以上説明したように、本実施形態においても、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと、及び基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することを抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１６８】
また、本実施形態においては、基板Ｐは、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、第１〜第５処理装置２０１〜２０５によって連続的に処理される。これにより、高いデバイス生産性が得られる。
【０１６９】
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７０】
図１３は、第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９の一例を示す図である。第９実施形態は、第８実施形態の変形例である。上述の第８実施形態においては、基板処理装置ＲＴ８は、第１装置６及び第２装置７を１つ有し、基板Ｐは、第１装置６において裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で、第１〜第５処理装置２０１〜２０５に順次搬送され、その後、第２装置７においてカバー部材Ｃから離れる構成であった。第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９において、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８と異なる部分は、基板処理装置ＲＴ９は、第１供給ユニット１と第１回収ユニット３との間に配置された複数の表面処理装置（第１〜第５処理装置）２０１〜２０５に対応して、複数の第１装置６Ａ〜６Ｅ及び複数の第２装置７Ａ〜７Ｅを有する点にある。また、第９実施形態に係る基板処理装置ＲＴ９において、第８実施形態に係る基板処理装置ＲＴ８と異なる部分は、複数の表面処理装置（第１〜第５処理装置）２０１〜２０５に対応して、複数のカバー部材Ｃ１〜Ｃ５が設けられている点にある。
【０１７１】
図１３において、基板処理装置ＲＴ９は、第１供給ユニット１から送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ１を着ける第１装置６Ａと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ１が着けられた状態で第１装置６Ａから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第１処理装置２０１と、第１処理装置２０１から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ１を離す第２装置７Ａと、第２装置７Ａから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ２を着ける第１装置６Ｂと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ２が着けられた状態で第１装置６Ｂから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第２処理装置２０２と、第２処理装置２０２から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ２を離す第２装置７Ｂと、第２装置７Ｂから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ３を着ける第１装置６Ｃと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ３が着けられた状態で第１装置６Ｃから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第３処理装置２０３と、第３処理装置２０３から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ３を離す第２装置７Ｃと、第２装置７Ｃから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ４を着ける第１装置６Ｄと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ４が着けられた状態で第１装置６Ｄから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第４処理装置２０４と、第４処理装置２０４から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ４を離す第２装置７Ｄと、第２装置７Ｄから送られた基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃ５を着ける第１装置６Ｅと、裏面ｐｂにカバー部材Ｃ５が着けられた状態で第１装置６Ｅから送られた基板Ｐの表面ｐａの処理を行う第５処理装置２０５と、第５処理装置２０５から送られた基板Ｐからカバー部材Ｃ５を離す第２装置７Ｅと、を備えている。第２装置７Ｅにおいてカバー部材Ｃから離れた基板Ｐは、第１回収ユニット３へ送られる。
【０１７２】
本実施形態において、カバー部材Ｃ１〜Ｃ５のそれぞれは、環状（ループ状、無端状）の部材である。本実施形態において、カバー部材Ｃ１の内側に、供給ローラ１１１Ｒｂ、及び回収ローラ１２１Ｒｂが配置される。第１処理装置２０１は、供給ローラ１１１Ｒｂと回収ローラ１２１Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ２の内側に、供給ローラ１１２Ｒｂ、及び回収ローラ１２２Ｒｂが配置される。第２処理装置２０２は、供給ローラ１１２Ｒｂと回収ローラ１２２Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ３の内側に、供給ローラ１１３Ｒｂ、及び回収ローラ１２３Ｒｂが配置される。第３処理装置２０３は、供給ローラ１１３Ｒｂと回収ローラ１２３Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ４の内側に、供給ローラ１１４Ｒｂ、及び回収ローラ１２４Ｒｂが配置される。第４処理装置２０４は、供給ローラ１１４Ｒｂと回収ローラ１２４Ｒｂとの間に配置される。また、本実施形態において、カバー部材Ｃ５の内側に、供給ローラ１１５Ｒｂ、及び回収ローラ１２５Ｒｂが配置される。第５処理装置２０５は、供給ローラ１１５Ｒｂと回収ローラ１２５Ｒｂとの間に配置される。
【０１７３】
本実施形態において、第１装置６Ａは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ａと供給ローラ１１１Ｒｂとを含む。第２装置７Ａは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ａと回収ローラ１２１Ｒｂとを含む。第１装置６Ｂは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｂと供給ローラ１１２Ｒｂとを含む。第２装置７Ｂは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｂと回収ローラ１２２Ｒｂとを含む。第１装置６Ｃは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｃと供給ローラ１１３Ｒｂとを含む。第２装置７Ｃは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｃと回収ローラ１２３Ｒｂとを含む。第１装置６Ｄは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｄと供給ローラ１１４Ｒｂとを含む。第２装置７Ｄは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｄと回収ローラ１２４Ｒｂとを含む。第１装置６Ｅは、第１送り機構４の搬送ローラ８Ｅと供給ローラ１１５Ｒｂとを含む。第２装置７Ｅは、第１送り機構４の搬送ローラ９Ｅと回収ローラ１２５Ｒｂとを含む。
【０１７４】
なお、本実施形態において、基板処理装置ＲＴ９は、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ外に配置される複数の搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊと、容器２０１Ｒ〜２０５Ｒ内に配置される複数の搬送ローラ６１Ａ〜６１Ｊとを含む。基板Ｐ及びカバー部材Ｃ１〜Ｃ５は、それら搬送ローラ６０Ａ〜６０Ｊ、６１Ａ〜６１Ｊに支持されつつ送られる。また、基板処理装置ＲＴ９は、第１〜第５処理装置２０１〜２０５のそれぞれの間に配置された搬送ローラ６２Ａ〜６２Ｄを有する。カバー部材Ｃが着けられていない状態において、基板Ｐは、搬送ローラ６２Ａ〜６２Ｄに支持されつつ送られる。
【０１７５】
以上説明したように、本実施形態においても、基板Ｐの裏面ｐｂが処理されてしまうこと、及び基板Ｐの裏面ｐｂに異物が付着することを抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１７６】
なお、本実施形態において、例えば液体ＬＭ１〜ＬＭ５に応じて、それら液体ＬＭ１〜ＬＭ５に接触するカバー部材Ｃ１〜Ｃ５の種類（材質）を選択してもよい。例えば、液体ＬＭ１に耐性を有する材質でカバー部材Ｃ１が形成されてもよい。
【０１７７】
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７８】
図１４は、第１０実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１０の一例を示す図である。第１０実施形態は、第７実施形態の変形例である。
【０１７９】
図１４において、基板処理装置ＲＴ１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを洗浄する洗浄装置３０と、洗浄装置３０からのカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する処理を行う除去装置５０とを備えている。
【０１８０】
本実施形態において、第２送り機構１０は、第２装置７からのカバー部材Ｃを第１装置６へ送る。本実施形態において、カバー部材Ｃは、環状（ループ状、無端状）の部材である。
【０１８１】
本実施形態において、除去装置５０は、液体ＬＱを用いてカバー部材Ｃから液体ＬＣを除去する第２除去機構５２と、カバー部材Ｃから液体ＬＱを除去するローラ７１、７２を有する第３除去機構５４とを有する。なお、第３除去機構５４は、第２除去機構５２でカバー部材Ｃから除去しきれなかった液体ＬＣを除去可能である。
【０１８２】
第３除去機構５４のローラ７１は、カバー部材Ｃの表面ｃａが対向可能な位置に配置される。ローラ７２は、カバー部材Ｃの裏面ｐｂが対向可能な位置に配置される。第３除去機構５４は、ローラ７１とローラ７２とでカバー部材Ｃを挟み、そのカバー部材Ｃの表面ｃａにローラ７１を接触させ、裏面ｃｂにローラ７２を接触させることによって、そのカバー部材Ｃの表面ｃａ及び裏面ｃｂに付着（残留）している液体ＬＱ（ＬＣ）を除去する。
【０１８３】
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８４】
図１５は、第１１実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１１の一例を示す図である。図１５において、基板処理装置ＲＴ１１は、基板Ｐの裏面ｐｂの少なくとも一部にカバー部材Ｃｓを着ける第１装置６００を備えている。本実施形態において、カバー部材Ｃｓは、例えば四角形（長方形、又は正方形）である。
【０１８５】
上述のように、基板Ｐは、第１の方向に長い帯状（belt-shaped）の基板である。第１の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法は、基板Ｐの寸法よりも十分に小さい。第１の方向と交差する第２の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法は、基板Ｐの寸法（幅）とほぼ等しい。なお、第２の方向に関して、カバー部材Ｃｓの寸法が、基板Ｐの寸法（幅）よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
【０１８６】
本実施形態において、第１装置６００は、基板Ｐの表面ｐａが対向可能な位置に配置された第１部材６０１と、第１部材６０１との間で基板Ｐとカバー部材Ｃｓとを挟む第２部材６０２とを有する。本実施形態において、基板Ｐの表面ｐａが対向する第１部材６０１の表面は、ほぼ平坦である。本実施形態において、カバー部材Ｃｓの表面ｃａが対向する第２部材６０２の表面は、ほぼ平坦である。
【０１８７】
第１装置６００は、第１部材６０１と第２部材６０２とで基板Ｐ及びカバー部材Ｃｓを挟むことによって、基板Ｐの裏面ｐｂにカバー部材Ｃｓを着けることができる。制御装置５は、第１送り機構４によって基板Ｐが送られている状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。また、制御装置５は、基板Ｐとカバー部材Ｃｓとが同期して送られている状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。また、制御装置５は、基板Ｐの移動が停止された状態で、第１装置６００を用いて基板Ｐにカバー部材Ｃｓを着けてもよい。
【０１８８】
＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８９】
図１６は、第１２実施形態に係る基板処理装置ＲＴ１２の一例を示す図である。図１６において、基板処理装置ＲＴ１２は、基板Ｐからカバー部材Ｃを離す第２装置７００を備えている。カバー部材Ｃは、帯状の部材でもよいし、図１５に示したような、第１の方向に関して基板Ｐの寸法よりも十分に小さい寸法を有するカバー部材Ｃｓでもよい。
【０１９０】
本実施形態において、第２装置７００は、基板Ｐとカバー部材Ｃとの間に挿入可能なプレート部材７０１を有する。第２装置７００は、基板Ｐとカバー部材Ｃ（Ｃｓ）との間にプレート部材７０１を挿入することによって、基板Ｐからカバー部材Ｃ（Ｃｓ）を離すことができる。
【０１９１】
＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９２】
図１７及び図１８は、本実施形態に係るデバイス製造方法の一例を模式的に示す図である。図１７及び図１８に示すように、本実施形態に係るデバイス製造方法は、工程Ａ〜工程Ｅを含む。
【０１９３】
工程Ａは、フォトリソグラフィ工程を含む。工程Ａでは、巻かれた帯状の基板Ｐが送出され（ＳＡ１）、その基板Ｐにレジスト（感光材）を塗布する処理（ＳＡ２）、及び基板Ｐを加熱する処理（ＳＡ３）が行われる。その後、その基板Ｐを露光する処理（ＳＡ４）、加熱する処理（ＳＡ５）、現像する処理（ＳＡ６）、及び洗浄する処理（ＳＡ７）が実行される。その後、エッチング処理（ＳＡ８）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＡ９）、及び露光する処理（ＳＡ１０）が実行される。その後、基板Ｐからレジストを剥離する処理（ＳＡ１１）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＡ１２）、温風を用いて基板Ｐを乾燥する処理（ＳＡ１３）が実行され、工程Ａが終了する。なお、本実施形態において、洗浄する処理（ＳＡ７、ＳＡ９、ＳＡ１２）では、水を用いる洗浄が行われる。なお、水に超音波を与えながらその水で基板Ｐを洗浄してもよい。
【０１９４】
工程Ｂでは、基板ＰにＵＶ硬化樹脂を塗布する処理（ＳＢ１）、その基板Ｐを露光する処理（ＳＢ２）、加熱する処理（ＳＢ３）、及び基板Ｐに対する大気圧プラズマ処理（ＳＢ４）が実行される。
【０１９５】
工程Ｃでは、基板Ｐにめっき処理のための下地膜となる材料を塗布する処理（ＳＣ１）、基板Ｐを露光する処理（ＳＣ２）、加熱する処理（ＳＣ３）、現像する処理（ＳＣ４）、及び加熱する処理（ＳＣ５）が実行される。
【０１９６】
工程Ｄでは、フォトリソグラフィ工程と、上述の実施形態に従って、裏面ｐｂにカバー部材Ｃが着けられた状態で基板Ｐを無電解めっき処理する無電解めっき工程とが実行される。フォトリソグラフィ工程では、基板Ｐにレジストを塗布する処理（ＳＤ１）と、その基板Ｐを加熱する処理（ＳＤ２）と、基板Ｐを露光する処理（ＳＤ３）と、その基板Ｐを加熱する処理（ＳＤ４）と、現像する処理（ＳＤ５）と、洗浄する処理（ＳＤ６）とが実行される。
【０１９７】
無電解めっき工程では、例えば上述の第８、第９実施形態で説明したような、第１の前処理（ＳＤ７）と、第１の洗浄処理（ＳＤ８）と、第２の前処理（ＳＤ９）と、第２の洗浄処理（ＳＤ１０）と、無電解めっき処理（ＳＤ１１）とが実行される。
【０１９８】
また、工程Ｄでは、無電解めっき工程の後、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１２）、露光する処理（ＳＤ１３）、基板Ｐからレジストを剥離する処理（ＳＤ１４）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１５）、Ａｕ置換めっき処理（ＳＤ１６）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１７）、還元処理（ＳＤ１８）、基板Ｐを洗浄する処理（ＳＤ１９）、及び温風を用いて基板Ｐを乾燥する処理（ＳＤ２０）が実行される。
【０１９９】
工程Ｅでは、不活性ガスで満たされた空間において半導体材料を塗布する処理（ＳＥ１）、乾燥する処理（ＳＥ２）、コーティングする処理（ＳＥ３）、及び硬化させる処理（ＳＥ４）が実行される。その後、基板Ｐは、巻き取られる（ＳＥ５）。また、基板Ｐに対して、例えばダイシング処理等、所定の加工が実行される。
【０２００】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２０１】
１…第１供給ユニット、２…表面処理装置、３…第１回収ユニット、４…第１送り機構、５…制御装置、６…第１装置、７…第２装置、８…搬送ローラ、９…搬送ローラ、１０…第２送り機構、１１…第２供給ユニット、１２…第２回収ユニット、１３…搬送ローラ、１４…搬送ローラ、２０…表面処理装置、２１…容器、３０…洗浄装置、Ｃ…カバー部材、ｃａ…表面、ｃｂ…裏面、Ｐ…基板、ｐａ…表面、ｐｂ…裏面、ＲＴ１〜ＲＴ１２…基板処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、
前記第１供給部から送られた前記基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、
前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記第１装置から送られた前記基板の表面の処理を行う表面処理装置と、
前記表面処理装置と前記第１回収部との間に配置され、前記表面処理装置から送られた前記基板から前記カバー部材を離す第２装置と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記第１装置は、前記基板が送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された第１部材との間で前記基板と前記カバー部材とを挟む第２部材を含む請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２装置は、前記基板が送られている状態で前記基板から前記カバー部材を離す請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２装置は、前記第１送り機構による前記基板の送り方向と異なる方向へ前記カバー部材を送る請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１供給部と前記第１回収部との間の少なくとも一部において、前記基板と同期して前記カバー部材を送る第２送り機構を備える請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１装置は、前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された前記第１送り機構の第１ローラと、前記第１ローラとの間で前記基板と前記カバー部材とを挟む前記第２送り機構の第２ローラとを含む請求項６又は７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２装置は、前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板から前記カバー部材を離す請求項６〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された前記第１送り機構の第３ローラと、前記第１送り機構による前記基板の送り方向と異なる方向へ前記カバー部材を送る前記第２送り機構の第４ローラとを含む請求項６〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記カバー部材は、帯状の部材であり、
前記第２送り機構は、第２供給部からの前記カバー部材を前記第１装置へ送り、前記第２装置からの前記カバー部材を第２回収部へ送る請求項６〜１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記カバー部材は、帯状の部材であり、
前記第２送り機構は、前記第２装置からの前記カバー部材を前記第１装置へ送る請求項６〜１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１供給部と前記第１回収部との間に、前記表面処理装置を複数備える請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記表面の処理は、前記基板の表面に液体を供給する処理を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記表面処理装置は、液体を入れる容器を有し、
前記表面の処理は、前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記基板を前記容器内の液体に浸ける処理を含む請求項１〜１４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記第１送り機構は、少なくとも一部が前記容器内に配置され、前記基板及び前記カバー部材の少なくとも一方を支持する搬送ローラを備える請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記第２装置からの前記カバー部材を洗浄する洗浄装置を備える請求項１〜１６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートの少なくとも一つを含み、
前記カバー部材の表面は、ポリウレタン、及びシリコンゴムの少なくとも一方を含む請求項１〜１７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項記載の基板処理装置を用いて基板を処理することと、
処理された前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２０】
巻かれた帯状の基板の少なくとも一部を第１供給部から送り出すことと、
前記第１供給部から送られた前記基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着けることと、
前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記基板の表面の処理を行うことと、
前記表面の処理が行われた前記基板から前記カバー部材を離すことと、
前記カバー部材から離れた前記基板を第１回収部から回収して巻くことと、を含む基板処理方法。
【請求項２１】
前記第１供給部と前記第１回収部との間の少なくとも一部において、前記基板と同期して前記カバー部材を送ることを含む請求項２０記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項２１記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記基板及び前記カバー部材を送りながら前記基板から前記カバー部材を離す請求項２０〜２２のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記表面の処理は、前記基板の表面に液体を供給することを含み、
前記基板の裏面に前記液体が接触しないように、前記基板の裏面に前記カバー部材を密着する請求項２０〜２３のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートの少なくとも一つを含み、
前記カバー部材の表面は、ポリウレタン、及びシリコンゴムの少なくとも一方を含む請求項２０〜２４のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２６】
前記基板から離れた前記カバー部材を洗浄することを含む請求項２０〜２５のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２７】
請求項２０〜２６のいずれか一項記載の基板処理方法を用いて基板を処理することと、
処理された前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１】
第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、
前記第１供給部から送られた前記基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、
前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記第１装置から送られた前記基板の表面の処理を行う表面処理装置と、
前記表面処理装置と前記第１回収部との間に配置され、前記表面処理装置から送られた前記基板から前記カバー部材を離す第２装置と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記第１装置は、前記基板が送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された第１部材との間で前記基板と前記カバー部材とを挟む第２部材を含む請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２装置は、前記基板が送られている状態で前記基板から前記カバー部材を離す請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２装置は、前記第１送り機構による前記基板の送り方向と異なる方向へ前記カバー部材を送る請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１供給部と前記第１回収部との間の少なくとも一部において、前記基板と同期して前記カバー部材を送る第２送り機構を備える請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１装置は、前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された前記第１送り機構の第１ローラと、前記第１ローラとの間で前記基板と前記カバー部材とを挟む前記第２送り機構の第２ローラとを含む請求項６又は７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２装置は、前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板から前記カバー部材を離す請求項６〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２装置は、前記基板の表面が対向可能な位置に配置された前記第１送り機構の第３ローラと、前記第１送り機構による前記基板の送り方向と異なる方向へ前記カバー部材を送る前記第２送り機構の第４ローラとを含む請求項６〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記カバー部材は、帯状の部材であり、
前記第２送り機構は、第２供給部からの前記カバー部材を前記第１装置へ送り、前記第２装置からの前記カバー部材を第２回収部へ送る請求項６〜１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記カバー部材は、帯状の部材であり、
前記第２送り機構は、前記第２装置からの前記カバー部材を前記第１装置へ送る請求項６〜１０のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１供給部と前記第１回収部との間に、前記表面処理装置を複数備える請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記表面の処理は、前記基板の表面に液体を供給する処理を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記表面処理装置は、液体を入れる容器を有し、
前記表面の処理は、前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記基板を前記容器内の液体に浸ける処理を含む請求項１〜１４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記第１送り機構は、少なくとも一部が前記容器内に配置され、前記基板及び前記カバー部材の少なくとも一方を支持する搬送ローラを備える請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記第２装置からの前記カバー部材を洗浄する洗浄装置を備える請求項１〜１６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートの少なくとも一つを含み、
前記カバー部材の表面は、ポリウレタン、及びシリコンゴムの少なくとも一方を含む請求項１〜１７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項記載の基板処理装置を用いて基板を処理することと、
処理された前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２０】
巻かれた帯状の基板の少なくとも一部を第１供給部から送り出すことと、
前記第１供給部から送られた前記基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着けることと、
前記裏面に前記カバー部材が着けられた状態で前記基板の表面の処理を行うことと、
前記表面の処理が行われた前記基板から前記カバー部材を離すことと、
前記カバー部材から離れた前記基板を第１回収部から回収して巻くことと、を含む基板処理方法。
【請求項２１】
前記第１供給部と前記第１回収部との間の少なくとも一部において、前記基板と同期して前記カバー部材を送ることを含む請求項２０記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記基板と前記カバー部材とが同期して送られている状態で前記基板に前記カバー部材を着ける請求項２１記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記基板及び前記カバー部材を送りながら前記基板から前記カバー部材を離す請求項２０〜２２のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記表面の処理は、前記基板の表面に液体を供給することを含み、
前記基板の裏面に前記液体が接触しないように、前記基板の裏面に前記カバー部材を密着する請求項２０〜２３のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレートの少なくとも一つを含み、
前記カバー部材の表面は、ポリウレタン、及びシリコンゴムの少なくとも一方を含む請求項２０〜２４のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２６】
前記基板から離れた前記カバー部材を洗浄することを含む請求項２０〜２５のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２７】
請求項２０〜２６のいずれか一項記載の基板処理方法を用いて基板を処理することと、
処理された前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−１２４４３５（Ｐ２０１２−１２４４３５Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７６１９７（Ｐ２０１０−２７６１９７）
【出願日】平成２２年１２月１０日（２０１０．１２．１０）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１０日（２０１０．１２．１０）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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