【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】焼成時に発生する昇華物を低減することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】回転塗布によって表面に反射防止膜が形成された基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、反射防止膜の焼成処理を行う。フラッシュ光照射によって反射防止膜の焼成処理を極めて短時間にて行うことが可能となる。このため、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】凹部に塗布されたレジストの露光不足を解消できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、第１屈折率ｎ１を有する第１絶縁膜１３が、半導体層１１に形成された凹部１２の側面および底面に形成される。第１屈折率ｎ１より大きい第２屈折率ｎ２を有する第２絶縁膜１４が、凹部１２の側面であって第１絶縁膜１３上に形成される。第２屈折率ｎ２より小さい第３屈折率ｎ３を有するレジスト膜１５が、凹部１２を埋め込むように第１絶縁膜１３および第２絶縁膜１４上に形成される。レジスト膜１５に光１６を照射し、凹部１２に埋め込まれたレジスト膜１５を上方から入射する光１６ａおよび第２絶縁膜１４中を導光されて下方から入射する光１６ｂにより露光する。露光されたレジスト膜１５を現像する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、第１供給部からの帯状の基板を第１回収部へ送る第１送り機構と、第１供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第１装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第１装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第１回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第２装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第１の領域に第１の膜を形成してパターニングすることにより第１のパターンを形成する。その後、前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第１の領域とは異なる前記被加工膜上の第２の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第２のパターンを形成する。次いで、前記第１のパターン及び第２のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】パターンの形状ラフネスを増加させることなく、パターンを転写することを可能にする。
【解決手段】基板上にハードマスクを形成する工程と、ハードマスク上にマスク補助材を形成する工程と、マスク補助材上に海島構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、ジブロックコポリマー層に前記海島構造の島部が凸部となる凹凸状構造のパターンを形成する工程と、ジブロックコポリマー層に形成されたパターンをマスクとしてマスク補助材およびハードマスクをエッチングし、ハードマスクにパターンを転写する工程と、を備え、マスク補助材はエッチング速度が、ハードマスクのエッチング速度より大きく、ジブロックコポリマーの海島構造の海の部分のエッチング速度より小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】イオン性重合体を含むレジスト下層膜形成組成物であって、帯電防止機能及び溶剤耐性を有するレジスト下層膜を形成することができる該組成物及び該組成物から形成されるレジスト下層膜を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】下記式（１）：


で表される構造単位[ａ]及び[ｂ]を有するイオン性重合体、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させ、半導体装置の製造コストを抑制するパターン形成方法およびパターン形成装置を提供する。
【解決手段】実施の形態のパターン形成方法は、被処理基板上の第１の領域に第１のパターンを形成する工程を行う。次に、実施の形態のパターン形成方法は、第１の領域とは異なる第２の領域に組成比の異なる複数種類のブロック共重合体を塗布する工程を行う。次に、実施の形態のパターン形成方法は、加熱処理により、塗布された複数種類のブロック共重合体に基づく複数種類の構造体からなる第２のパターンを第２の領域に形成する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト塗布時に基板の貫通孔に入り込んだレジストを容易に除去する。
【解決手段】貫通孔３を有する基板４の表面にレジストを塗布する方法であって、レジスト吸収部材１により貫通孔３を塞いだ状態で、基板４の表面にレジストを塗布することを特徴とするレジスト塗布方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透明基板に加工を行う場合に、搬送や露光等を問題無く行うことができ、適切に加工を行うことができる透明基板の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１０、１５の加工方法であって、
前記透明基板１０、１５の表面上の全面を覆うように、光を反射する反射層２０を形成する反射層形成工程と、
前記反射層２０上に、レジスト層９０を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層９０を露光によりパターニングし、開口部９１を形成するレジストパターニング工程と、
前記開口部９１にある前記反射層２０をエッチングにより除去する反射層部分エッチング工程と、
前記開口部９１にある前記透明基板１０を加工する透明基板加工工程と、
前記レジスト層９０を除去するレジスト除去工程と、
前記反射層２０の残りの部分を除去する反射層全面除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を抑制したナノインプリント方式のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】転写面１０ａに凹凸１２を有するテンプレート１０の表面の濡れ性を測定する測定工程（ステップＳ１１０）と、濡れ性の測定結果に基づいて、テンプレートの転写面を、基板２０の主面２０ａ上に設けられた転写材３０に接触させて前記凹凸のパターンを転写材３０に転写するか否かを決定する判断工程（ステップＳ１１５）と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを改善することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（１）被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程と、（２）電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程と、（３）被形状転写層にスタンパを圧接する工程と、（４）スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程と、（５）スタンパを被形状転写層から剥離して、レジストパターンが形成された基板を得る工程と、を含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の疎水化処理を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】疎水化処理９０は、ウェハＷを載置する載置台１２０を有している。載置台１２０の上方には、ウェハＷの表面にＨＭＤＳガスを供給するガス供給口１３０が設けられている。ガス供給口１３０は、ガス供給管１３２を介してＨＭＤＳガスを生成するガス生成装置１３１に接続されている。載置台１２０の斜め上方には、ウェハＷのＨＭＤＳに光を照射して、ウェハＷの表面にＨＭＤＳを密着させる光照射部１６０が設けられている。載置台１２０と光照射部１６０との間には、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長の光のみを透過させる光フィルタ１６１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた無機パターン又は樹脂パターンのパターン倒れを効果的に防止することが可能な表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。また、その他の目的として、本発明は、基板の表面に対して、高度にシリル化処理を行うことのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の表面処理に使用される表面処理剤であって、シリル化剤とシリル化複素環化合物と、を含有する表面処理剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】薬液の気化効率が高く、高濃度の疎水化ガスを基板に供給することができ、さらに薬液の劣化を抑えることができる疎水化処理装置を提供すること。
【解決手段】気化室内にその表面が位置する気化面形成部と、この気化面形成部を加熱するための気化面加熱手段と、前記気化面形成部の表面に疎水化処理用の薬液を供給するための薬液供給ポートと、前記気化面形成部に広げられた薬液を気化するキャリアガスを前記気化室内に導入するためのガス導入ポートと、疎水化ガスを取り出すための取り出しポートと、前記取り出しポートから供給された疎水化ガスを基板に供給する処理容器と、を備えるように疎水化処理装置を構成する。この構成によって基板に高濃度の疎水化ガスを供給することができ、処理を行わないときには貯留された薬液がキャリアガスに接触することがないので、薬液の劣化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１層間絶縁膜６及び低誘電率膜からなる第２層間絶縁膜４を有し、第２層間絶縁膜上に形成した第１レジストパターン１ａを用いてビアホール９を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第２層間絶縁膜上に第２レジストパターン１ｂを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第２レジストパターン下層の第２反射防止膜２ｂを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、ＵＶ処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第２レジストパターン１ｂの解像度の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定のパターンを基板面内で均一に形成する。
【解決手段】検査用ウェハ上のレジストパターンと被処理膜パターンの測定寸法の面内傾向を算出する（ステップＳ５）。下記式（１）を用いてレジストパターンの寸法の目標面内傾向を算出する（ステップＳ６）。下記式（２）を用いてＰＥＢ処理の加熱温度を補正する（ステップＳ７、Ｓ８）。補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ９、Ｓ１０）。
ΔＸｔ＝ΔＸｌ−ΔＸｅ・・・・（１）
ΔＴ＝１／α×Ｆ^−１（ΔＸｔ−ΔＸｌ）・・・・（２）
但し、ΔＸｔ：レジストパターンの目標面内傾向、ΔＸｌ：レジストパターンの面内傾向、ΔＸｅ：被処理膜パターンの面内傾向、ΔＴ：加熱温度の補正値、α：レジスト熱感度、Ｆ：加熱温度の変動量とパターンの寸法の変動量との関数 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面エネルギーの低い薄膜に、ダメージなくパターニングを行う薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、
前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、
フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、
パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供する。
【解決手段】２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２により減圧されたチャンバＣＨ内で基板Ｗに処理が行われる。１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵには異なるタイミングで基板が搬入される。 （もっと読む）