Fターム[5F043EE40]の内容
Fターム[5F043EE40]に分類される特許
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半導体ウェーハのエッチング方法
【課題】 ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェーハの表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ギャザリングウェーハGの各ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシ16を当接し、これらの部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングする。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェーハWの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくなる。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取りエッチングすることができる。
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