【課題】基板の浸漬処理を高いスループットで行う。
【解決手段】処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口から処理槽２０ａ内へ搬入する。油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを上昇させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを上昇させ、基板１の浸漬処理を行う。基板１の浸漬処理が終了すると、油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを下降させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを下降させる。処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口から処理槽２０ａ外へ搬出する。処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の制御を行うソフトウエアが薬液処理中にハングアップしてしまった場合にも、過剰な薬液処理を回避して基板を救済することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液槽１０からの薬液を排出するための排出管路と、薬液槽１０へ純水を供給するための供給管路とを設け、これらの管路上に複数の開閉弁を設ける。そして、これらの開閉弁を、ソフトウエアを介さない電気的または機械的機構のみによって操作する操作部を設ける。薬液処理中にソフトウエアがハングアップした場合には、操作部５０を操作して、薬液槽１０内の薬液を純水に置換する。これにより、過剰な薬液処理を回避して基板を救済する。 （もっと読む）

【課題】設置環境にかかわらずチャンバ内を効率よく所定の圧力に制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置１は、薬液処理を行うときには、スライドドア１５ｂを閉鎖して薬液処理室１２内を密閉する。そして、薬液処理室１２内の圧力を計測し、その計測結果に基づいて薬液処理室１２内の圧力を調節する。このため、基板処理装置１の設置環境にかかわらず、薬液処理室１２内を所定の圧力に制御できる。また、薬液処理室１２は、チャンバ１０内に部分的に形成された領域である。このため、最小限の領域を対象として、効率よく圧力を制御できる。 （もっと読む）

【課題】搬送途中の基板から落下する処理液を受ける液受け部を備えた基板処理装置において、液受け部における処理液の残留を防止できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】この基板処理装置１では、槽間バット（液受け部）５０の上方における基板Ｗの通過直前に槽間バット５０に純水の供給を開始する。また、槽間バット５０の上方における基板の通過直後に純水の供給を停止するとともに槽間バット５０から排液を行う。このため、基板Ｗから落下した処理液は、槽間バット５０に貯留された純水中に落下して速やかに希釈され、純水とともに排液される。したがって、槽間バット５０内に処理液が残留することを防止できる。また、基板Ｗが槽間バット５０の上方を通過する前後においてのみ、槽間バット５０への純水の供給を行う。このため、純水の使用量は最小限に抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦＭ処理における硫酸、ＨＦの濃度変動を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 硫酸、ＨＦ及びＨ_２Ｏの混合液３が供給された処理用内槽２ａ内に、半導体基板１を搬入する工程と、前記処理用内槽２ａを、密閉空間６内に設置する工程と、前記密閉空間６を、ＨＦ難揮発性雰囲気及び／又は乾燥雰囲気とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 ミストの飛散を防止しながら基板表面に付着する液体を安定して除去することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 吸引ヘッド３１の対向面３３が基板表面ＷＳに付着する処理液の液面ＬＬよりも下方側に位置するように基板表面ＷＳと対向しながら基板Ｗが移動方向（＋Ｘ）に搬送される。上流辺部３５より下方側に仕切られ、対向面３３と基板表面ＷＳに挟まれた処理液は対向面３３と基板表面ＷＳとの間隔Ｇに応じて厚みが規定され、ヘッド本体３２と基板Ｗとに挟まれる液体量を一定として吸引口６１，６２により液体が吸引除去される。一方で、上流辺部３５より上方側に仕切られ、側面３４によって掻き取られた処理液は吸引口６３に導かれ吸引口６３より吸引除去されるとともに、その一部が吸引しきれない場合に基板表面ＷＳに再付着することなく限定的に基板外に排出される。 （もっと読む）

【課題】 ミストの飛散を防止しながら基板表面に付着する液体を効率良く除去することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液切りヘッド３１の対向面３３が基板表面ＷＳと対向しながら基板Ｗが移動方向（＋Ｘ）に搬送される。基板表面ＷＳに付着する処理液は対向面３３の上流側（−Ｘ）に開口された開口部３４より吸引除去される一方で、下流側（＋Ｘ）に開口された開口部３５より上流側空間ＳＰに吐出されるガスによって基板表面ＷＳから吹き飛ばされ除去される。このとき予め処理液が吸引除去されることで、ガス吐出によるミストの発生が低減されるほか、ミストが対向部位３３ａに遮蔽され飛散するのが防止される。さらに、開口部３５より吐出されたガスは上流側空間ＳＰを介して開口部３４に向けて案内されるので、開口部３４による処理液の吸引がアシストされる。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

本発明は、非ニュートン流動挙動を有する、ドープされた酸化スズ層のエッチングのため、ディスプレイおよび／または太陽電池の製造において表面をエッチングするための、新規なディスペンシング可能な媒体、およびこれらの使用に関する。特に本発明は、微細な構造を、隣接する領域を損傷または腐食させることなく選択的にエッチングすることができる、関連する無粒子の組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散する薬液を受けるための受け部材における薬液の滞留を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック１のスピンベース５の側面に、洗浄液を噴射口からスプレー状に噴射する洗浄液ノズル４が設けられている。この洗浄液ノズル４は、ガード１４の円筒側壁１９の内面２０において薬液が付着する領域に洗浄液が供給されるように、その噴射口を水平方向外方に向けた状態で取り付けられている。ウエハＷに対する薬液の供給開始に先立って、洗浄液ノズル４からの洗浄液の吐出が開始される。ウエハＷに対して薬液が供給されている間も、洗浄液ノズル４からの洗浄液の吐出が続けられ、その薬液の供給が停止された後に、洗浄液ノズル４からの洗浄液の吐出が停止される。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内不均一を抑制する。
【解決手段】この方法は、スピンチャックで１枚の基板を保持して回転させる基板回転工程と、この基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する前純水供給工程と、基板回転工程によって回転されている基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程とを含む。薬液供給工程に先だって前純水供給工程が開始され、薬液供給工程開始後にも前純水供給工程が継続される。その後、前純水供給工程を終了し、その後も薬液供給工程を継続した後に当該薬液供給工程を終了する。薬液供給工程の終了前の期間から、基板表面に純水を供給する後純水供給工程が行われる。 （もっと読む）

【課題】 液切りにおいてミストを発生させることなく効率的な液切りを行うことのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 多孔Ｐを有するローラー２の中空部をポンプによって負圧し、基板Ｗ上に残存したエッチング液Ｌを多孔部分Ｐａから吸引することによって液切りを行う。さらに、ローラー２を基板Ｗの搬送方向Ｓ１と逆の方向Ｓ２に回転させることによってエッチング液Ｌと接触するローラー２の表面積を増加させ、より効率的な液切りを行う。 （もっと読む）

【課題】 結晶系シリコン基板７の表面にテクスチャ形状を形成するテクスチャエッチングにおいて、エッチング溶液４の交換頻度を少なくすることができるエッチング装置、並びにエッチング用溶液の交換頻度を少なくすることで製造コストの低減を可能とすることができるテクスチャ基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 エッチング装置に、エッチング溶液４中に溶出したドーパントイオンを収集するための吸着手段、析出手段、電気的収集等の手段を備える。これにより、テクスチャエッチングに悪影響を及ぼしていると考えられる溶出ドーパントイオンをエッチングに影響を与えない様に局所的に保持する、即ちエッチング対象のシリコン基板から遠ざけることができる。その結果、エッチング溶液の交換頻度を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 気体供給管の周囲を保護することにより、処理液の供給に起因するノイズを抑制して制御への悪影響を防止することができる。
【解決手段】 気体供給管２５の検出端３５の側方が検出端用保護部材５１で囲われているので、噴出管から供給された処理液が直接的に検出端３５付近に流れ込むことがなく、その液流による影響が防止できる。したがって、液流による検出端３５付近の圧力変動が防止でき、圧力検出部が検出する圧力変動が抑制でき、処理液の液流に起因するノイズを抑制できる。その結果、濃度制御部による圧力に応じた濃度制御に対する悪影響を防止できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は上下一対のエアーナイフの間隔及び回転方向の角度調整を容易に、しかも正確に行うことができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】ユニット基体８と、ユニット基体の長手方向両端部に設けられ上部エアーナイフ２６の両端部をそれぞれ上下方向及び回転方向の位置決め調整可能に支持した一対の第１の支持手段と、ユニット基体の長手方向両端部に設けられ下部エアーナイフ３９の両端部をそれぞれ上下方向及び回転方向の位置決め調整可能に支持した一対の第２の支持手段と、ユニット基体の長手方向の一端部に設けられ一対の第１の支持手段及び第２の支持手段をそれぞれ作動させて上部エアーナイフと下部エアーナイフとの上下方向及び回転方向の位置決めをする第１、第２の上下用ノブ１５，１６及び第１、第２の角度調整用ノブ３５，４５を具備する。 （もっと読む）

【課題】 前工程において基板から除去し難い処理液が付与されていた場合等であっても、基板に対してリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、基板上に残存する前工程での処理液による悪影響を低減する処理を行う。
【解決手段】 水洗処理部の処理チャンバにおいて、搬送中の基板Ｗの表面に対して、基板搬送方向下流側に向けて入口ノズル２０からリンス液を供給して、当該水洗処理部よりも前工程の処理槽へのリンス液の逆流を防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を行う。そして、このリンス液が供給された後の基板Ｗの表面に対して、２流体ノズル２１から、基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って、気体と液体とからなる２流体を供給して、基板表面になお残存する前工程の処理液を除去する。 （もっと読む）

【課題】 基準を設定することにより、絶対的な値としての比重を得ることができるとともに、調整工数を低減できる。
【解決手段】 処理に先立って基準温度の純水を処理槽１に貯留し、この状態で圧力検出部２４が圧力を電圧に変換し、基準電圧して記憶部２６に記憶する。次に、処理槽１に貯留した処理液を処理温度に加熱し、その状態で検出した圧力に応じた電圧を処理電圧とし、この処理電圧と基準電圧とに基づいて濃度算出部２７により処理液の実比重を求める。実比重は、この装置の基準電圧に対する比率を表すので、絶対的な意味をもつことになり、装置間で基準電圧を検出すれば装置間の比較に利用できるとともに、ユーザにとっても理解しやすい絶対的な値にできる。また、各装置で共通の基準を得られ、各装置の調整工数を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより行われる基板処理のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 時刻ｔ１から時刻４までの期間、処理槽、外槽、分岐排出管、および排出管の純水を排液ドレインに排出する。また、純水を排出しつつ、時刻ｔ３において処理槽に硫酸を供給する処理を開始する。次に、時刻ｔ４において硫酸を供給しつつ内−内循環処理を開始する。続いて、外−内循環処理が開始される時刻ｔ６より前の時刻ｔ５において温調処理を開始する。これにより、循環処理を開始するタイミング、および温調処理を開始するタイミングを、従来の液交換処理と比較して早くすることができる。そのため、硫酸を処理槽に供給し、かつ、所定の温度に温調する液交換処理時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、かつエッチング装置及び基板自身を汚染しないで、ステイン膜の付着を抑制し、または窒素酸化物の発生を抑制するエッチング装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板を混酸エッチング槽に浸漬した後、水洗槽へ移送するエッチング装置であって、前記エッチング装置内を基板のステイン膜の付着を抑制し、または窒素酸化物の発生を抑制する雰囲気にする。その第１はエッチング装置内の湿度を９０％以上にすることである。第２は基板に純水を吹き付けることである。第３は基板に不活性ガスを吹き付けることである。 （もっと読む）

【課題】処理室内を洗浄するための洗浄水による基板汚染の問題を回避することができる、基板処理装置および処理室内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】遮断板５を回転させながら、その遮断板５の上面に洗浄ノズルから洗浄液を供給することによって、遮断板５、処理室１の隔壁１１の内面、移動ノズル４、アーム４１およびアーム支持軸４３などに付着している処理液が洗浄液で洗い流される。そして、その処理室１内の洗浄の後、ファンフィルタユニット２が制御されて、処理室１内へのクリーンエアの風量が小風量から予め定める大風量に増加される。これにより、処理室１内の雰囲気置換が促進されることによって、処理室１の隔壁１１の内面や移動ノズル４、アーム４１、アーム支持軸４３および遮断板５などに付着している洗浄液が蒸発し、処理室１内が乾燥していく。 （もっと読む）