【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】処理室３外としてクリーユニットチャンバー２内に設置されたレーザセンサ８（ノッチ検出手段）により、処理室内のウエーハ回転台６上のウエーハ１０を回転させてウエーハのノッチ１０ａとレーザ入射位置に一致させ、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させ、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に極めて薄い処理液の液膜を保持しつつ、基板に処理液による処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】スピンチャック２により保持されたウエハＷの上面に対向棒１４が対向配置される。対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに、鉛直方向への移動が許容された状態で支持されている。対向棒１４が、スピンチャック２により回転されるウエハＷの上面に近接されて、ウエハＷの上面に保持される薬液の液膜に接触すると、薬液の液膜から対向棒１４に与えられる揚力により、対向棒１４に鉛直上向きの離反方向力が作用し、対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに対して鉛直上向きに相対変位する。対向棒１４は、その離反方向力と対向棒１４に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。
【解決手段】２枚以上の半導体ウェーハを互いにウェーハ面を対向させて保持部材で保持し、エッチング槽内でウェーハ面の法線方向を軸として自転させる半導体ウェーハのエッチング方法において、あらかじめ、半導体ウェーハのエッチングレートと半導体ウェーハの回転数とを変数とする半導体ウェーハの平坦度の較正曲線を取得し、半導体ウェーハのエッチングに先立ち、エッチングレートを決定し、較正曲線と決定されたエッチングレートに基づき、回転数を決定し、エッチング槽内で、半導体ウェーハを決定された回転数で自転させてエッチングすることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム表面の自然酸化物を過不足なくエッチングするためのエッチング終点検出装置を提供する。
【解決手段】酸を含むエッチング液４によりアルミニウム電極パッド１の自然酸化膜をエッチングする際のエッチング終点検出装置１０は、エッチング液４中に光を照射する発光素子６と、上記光の透過光を受光する受光素子１１と、アンプ１２と、コンパレータ１３とを備えている。アルミニウム電極パッド１とエッチング液４との反応により水素ガス５が発生すると、上記透過光は低下し、振動する。受光素子１１の出力はアンプ１２によって増幅され、コンパレータ１３によって透過光量低下後の電圧を弁別される。あるいは、コンパレータ１３に代えてスペクトルアナライザによって透過光量振動時の電圧を弁別される。よって、エッチング終点検出装置１０は、自然酸化膜のエッチングの終点を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

廃棄流出物から熱を回収する方法及び装置を本明細書に開示する。一部の実施形態では、装置は、気体又は液体処理のために構成された第１の処理チャンバと、液体処理のために構成された第２の処理チャンバと、コンプレッサ及び第１の熱交換器を有するヒートポンプとを含むことができ、コンプレッサは、第１の処理チャンバから排出された第１の廃棄物を使用するように構成され、第１の熱交換器は、熱をその間で伝達するように構成された第１及び第２の側面を有し、第１の側面は、それを通過して液体反応剤を第２の処理チャンバ内に流すように構成され、第２の側面は、それを通過して第１の処理チャンバからの加圧された第１の廃棄物を流すように構成される。一部の実施形態では、液体反応剤を第２の処理チャンバに入る前に更に加熱するために、加熱器をヒートポンプと第２の処理チャンバの間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームによる処理対象物の表面の劣化を抑制可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】一端に第１の開口１１を有し、他端に第２の開口１２を有し、側面に処理液供給口１３を有する反応管１０と、第１の開口１１の一部を塞ぐように設けられたシールド部材１６ａと、第２の開口１２からシールド部材１６ａに向けて電子ビームを照射する電子ビーム照射手段２０と、処理液供給口１３から第１の開口１１に向けて反応管１０内の電子ビーム路１７に処理液を噴霧する処理液噴霧手段３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。このように乾燥処理の間、基板裏面Ｗｂに高温窒素ガスを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板の周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】 シールリングの劣化による液漏れリスクを低減し、メンテナンスコストの削減を図るとともに、信頼性向上に寄与する。
【解決手段】 外面に形成した熱交換面を冷却又は加熱することにより内部に流通する薬液Ｌに対して熱交換を行う薬液用熱交換器１を構成するに際して、所定の焼成素材Ｍを焼結して全体を一体形成することにより、内部に薬液Ｌを流通させる薬液流通路Ｒを設け、かつ少なくとも外面となる上面２ｕ及び下面２ｄに熱交換面Ｃｕ，Ｃｄを設けるとともに、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方に薬液流通路Ｒに臨む流入口Ｒｉ及び流出口Ｒｅを設けた熱交換ブロック２と、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方２ｕ（２ｄ）に固定し、かつ流入口Ｒｉに連通する流入側接続部Ｊｉ及び流出口Ｒｅに連通する流出側接続部Ｊｅを設けた接続用ヘッダ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。 （もっと読む）

【課題】この発明は立位状態で搬送される基板を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射するエッチング処理部１８とを有し、
エッチング処理部は、基板の板面に処理液を噴射する複数のノズル２１ａ〜２１ｄを有し、これら複数のノズルは基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板の搬送方向後方に位置するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板５表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板５をローラー４で保持しながら回転させ、コの字型のジグ３で基板５を挟み込み、コの字型のジグ３上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）