【課題】加工ヘッドがガラス基板の端を超えた位置まで移動してもエッチャント領域を安定にでき、ガラス基板の周縁部まで高精度な加工を可能とする。
【解決手段】中央開口部に合わせてガラス基板を垂直姿勢に保持するベース板５２の前面側に保持したガラス基板３の表面に加工ヘッド２によりエッチャントを供給し、吸引することにより、加工ヘッド２とガラス基板３との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャントの流路を形成し、加工ヘッド２とガラス基板３とを相対的に走査してガラス基板３の表面を加工する表面加工装置において、ベース板５２に形成した中央の開口部５１の周囲にガラス基板３の裏面側外周部を吸着保持する真空チャック部５４をそれぞれ設け、ダミー部材６０に高さ、傾き調整用のねじ６４、６５を設けた。 （もっと読む）

【課題】処理槽内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽から排出されたシロキサンを含むリン酸水溶液は熱交換器５１によって冷却され、反応槽６０に供給される。また、反応槽６０には、分液槽８０からドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤の混合液が送給される。反応槽６０の内部にてリン酸水溶液、ドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤が混合、攪拌されることによって、リン酸水溶液中のシロキサンがＴＯＰＯ抽出剤によって抽出されてドデカン中に移行する。その後、反応槽６０内の混合液体は液液遠心分離機７０に送り出され、遠心力によって比較的比重の大きなリン酸水溶液と比重の小さなドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤を含む軽液とに分離される。分離されたリン酸水溶は再度処理槽に送給される。 （もっと読む）

【課題】基板自体を回転させることなく基板面で薬液を移動させる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、被処理基板４を載置する試料ステージ１と、試料ステージ１の外周に配置される外輪排気ロータ２とを備え、外輪排気ロータ２によって、被処理基板の上面又は下面に存在する液体又は気体に流れを発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、基板表面へのミストの付着を確実に防止しながら基板を乾燥させる。
【解決手段】リンス後の液膜Ｌが形成された基板Ｗに対して（図ａ）、該基板を回転させながらガス噴射ヘッド２００の下部から窒素ガスを噴射させる（図ｂ）。次いでガス噴射ヘッド２００の外周部に設けた噴射口から斜め下向きに環状に窒素ガスを噴射させながら、ガス噴射ヘッド２００を上昇させてゆく（図ｃ）。基板上の液膜Ｌと乾燥領域ＤＲとの境界に窒素ガスを吹き付けながら乾燥させてゆくことにより（図ｄ〜ｅ）、基板へのミストの付着や基板表面が酸化されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）

【課題】カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１３の上方の上方空間ＵＳとカップ２の内部にスピンベース１３の周囲を取り囲むように形成された内部空間Ｓ１との間に気流制御ドラム６の下端が配置され、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を制御することが可能となっている。基板Ｓを回転させて基板Ｓを乾燥させる際に、内部空間Ｓ１の圧力値（内圧値）とカップ２の外部空間Ｓ２の圧力値（外圧値）をモニタリングしながら気流制御ドラム６を昇降させることによって外圧値から内圧値を引いた差圧値が零または正の値となるように気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔が調整される。これにより、カップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏れ出すのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板を撮像して撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、撮像画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致する場合に基板の保持状態が正常であるという検出結果を生成し、両者が合致するか否かに応じて基板の保持状態が正常であるか否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備えており、保持位置特定手段は、基板像を構成する画素の画素値をあらかじめ定められた基板の円周方向について積算する操作をあらかじめ定められた基板の配列方向に沿って行うことによって生成したピークプロファイルデータに表れるピーク位置に基づいて、基板の保持位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板の撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、撮像画像が基板の保持状態の検出に十分な検出力を有する画像であるか否かを判定する検出力判定手段と、撮像画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致するか否かに応じて基板の保持状態が正常であるか否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備えており、検出力を有すると判定された撮像画像を表現する撮像画像データあるいは同一の基板保持状況のもとで当該撮像画像データとともに連続的に取得された撮像画像データのみを保持位置特定手段による保持位置の特定に用いる。 （もっと読む）

【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板を撮像して撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、基板像を構成する画素の画素値を基板の円周方向について積算する操作を基板の配列方向に沿って行って生成したピークプロファイルデータに表れるピーク位置を特定したうえで保持手段の基板保持枚数の違いに起因して生じるピーク位置のずれを補正し、補正されたピーク位置に基づいて基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致する場合に基板の保持状態が正常であるという検出結果を生成し、両者が合致するか否かに応じて基板の保持状態が正常であるか否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板を相異なる露光条件で複数回撮像することにより複数の撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、複数の撮像画像データを合成して合成画像データを生成する画像合成手段と、合成画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致する否かに応じて基板の保持状態が正常か否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、純水が飛散する際に生じるカップ部の帯電による基板の誘導帯電を抑制し、導電性液体の供給開始時における基板上の放電を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板９の洗浄および乾燥時において基板９上に供給された純水が周壁部４１１へ飛散する期間の途中から純水の飛散が終了するまでの間、カップ部４１の内部空間４１５の純水がエアに置換されてカップ部４１の静電容量が第１容量から第１容量よりも小さい第２容量とされることにより、カップ部４１の電荷量が小さくされる。そして、次の基板９上に薬液の供給が開始される際に、内部空間４１５に純水が充填されてカップ部４１の静電容量が第１容量とされ、カップ部４１の電位が小さくされる。これにより、カップ部４１の帯電による基板９の誘導帯電を抑制して基板９の表面電位を低くすることができ、導電性の薬液の供給開始時における基板９上の放電が防止される。 （もっと読む）

【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】加工速度が速く微細加工の可能な液相エッチング装置を提供する。
【解決手段】真空チェンバー１０と、前記真空チェンバー内に備えられ、真空雰囲気で、被処理物３０に化学反応性液体を吹き付けるノズル５０機構を有する液相エッチング装置であって、少なくとも前記ノズル機構が、耐腐食性処理されており、前記耐腐食性処理が、前記ノズル機構の露出部に前記液体に対する腐食耐性を有する物質の薄膜を形成する処理であって、前記処理が、プラズマを用いた表面処理であることを特徴とする液相エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）