基板処理装置
【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置としては、例えば、処理室内に一枚の基板を水平に保持して鉛直方向の軸の周りで回転させるためのスピンチャックを備えるものがある（例えば、特許文献１参照）。スピンチャックは、鉛直方向に沿った回転軸を中心に回転されるスピンベースと、そのスピンベース上に設けられた複数の保持部材とを備える。各保持部材は、基板の外周端部に接触して基板を保持するための保持ピンを有する。
【特許文献１】特開２００４−１１１９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような基板処理装置においては、基板に洗浄、レジスト液の塗布または現像等の処理を行う場合には、基板を高速で回転（例えば、１０００ｒｐｍ）させながら、回転する基板上に洗浄液、レジスト液、現像液等の処理液を供給する。それにより、処理液が遠心力により基板の全域に均一に塗り広げられる。
【０００５】
しかしながら、近年、基板処理装置において処理される基板の大型化が進んでいるため、基板を高速で回転させた場合、基板に大きな遠心力が働く。それにより、基板と保持部材との間に大きな接触圧力が生じ、基板が損傷するおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を略水平に保持する保持部と、保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、保持部により保持された基板に気体を供給する気体供給部と、気体が保持部により保持された基板に旋回流として供給されるように気体供給部を回転させる回転駆動手段とを備えたものである。
【０００８】
この基板処理装置によれば、保持部により基板が略水平に保持され、その基板に処理液供給部から処理液が供給されるとともに、気体供給部から気体が供給される。このとき、回転駆動手段は、気体が旋回流として基板に供給されるように気体供給部を回転させる。
【０００９】
それにより、処理液供給部から基板に供給された処理液が基板の表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、この基板処理装置によれば、基板を回転させることなく、処理液を基板の表面の全域に均一に供給することができる。
【００１０】
このように、この基板処理装置によれば、液処理時に基板を回転させなくてもよい。そのため、チャックピン等の保持部材により基板を保持しなくてもよいので、液処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００１１】
また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板を回転させなくてもよいので、基板と保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００１２】
これらの結果、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。
【００１３】
また、基板を乾燥させる際には、処理液供給部からの処理液の供給を停止した状態で気体供給部から基板に気体を供給することができる。この場合も、気体が旋回流として基板に供給される。それにより、処理液が基板の表面上から外方へ飛散され、基板が乾燥する。したがって、この基板処理装置によれば、基板を回転させることなく、基板を乾燥させることができる。それにより、液処理時と同様に、乾燥処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００１４】
また、この基板処理装置によれば、基板を回転させなくてもよいので、基板保持部の構成を簡略化することができる。また、基板保持部と基板との間に大きな接触応力が発生しないので、基板保持部を安価な材料で構成することができる。これらの結果、基板処理装置の製造コストを十分に低減することができる。
【００１５】
（２）気体供給部は、保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに気体を吐出する気体吐出口を有してもよい。この場合、気体吐出口が基板に垂直な回転軸の周りで回転しつつ気体を吐出するので、基板の表面に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に効率よく供給することができる。
【００１６】
（３）気体吐出口は、回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の気体吐出口を含んでもよい。この場合、基板の表面の全域に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００１７】
（４）気体吐出口は、回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられてもよい。この場合、基板の表面の全域に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００１８】
（５）処理液供給部は、保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに処理液を吐出する処理液吐出口を有してもよい。
【００１９】
この場合、処理液吐出口が基板に垂直な回転軸の周りで回転しつつ処理液を吐出するので、基板の表面に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域に効率よく供給することができる。
【００２０】
（６）処理液吐出口は、回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の処理液吐出口を含んでもよい。
【００２１】
この場合、基板の表面の全域に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域により効率よく供給することができる。
【００２２】
（７）処理液吐出口は、回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられてもよい。
【００２３】
この場合、基板の表面の全域に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域により効率よく供給することができる。
【００２４】
（８）処理液吐出口は気体吐出口の回転方向における前方側に配置されてもよい。
【００２５】
この場合、基板に処理液が供給された直後に、その処理液に気体を供給することができるので、処理液を迅速に押し広げることができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００２６】
（９）気体供給部は、プロペラ部材であってもよい。この場合、気体供給部に気体を供給する配管等の気体供給系が不要となるので、基板処理装置の構成を簡略化することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、基板を回転させることなく、処理液を基板の表面の全域に均一に供給することができる。したがって、チャックピン等の保持部材により基板を保持しなくてもよいので、液処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００２８】
また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板を回転させなくてもよいので、基板と保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００２９】
これらの結果、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００３２】
また、基板に処理を行う処理液はレジスト剥離液およびリンス液を含む。レジスト剥離液とは、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合液（以下、ＳＰＭと略記する）、硫酸とオゾン水との混合液、硫酸とフッ酸（ＨＦ）との混合液、または硫酸等をいう。リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【００３３】
さらに、常温とは、加熱および冷却を行わないときの基板処理装置内の温度をいい、例えば約１５℃〜２５℃である。
【００３４】
（１） 第１の実施の形態
（１−１） 基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、クリーンルームＣＬ内に設けられる。基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００３５】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへのレジスト剥離液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃液および排気等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器、処理液貯留タンク、吸引装置等の流体関連機器を収納する。
【００３６】
洗浄処理部５ａ，５ｂでは、基板Ｗの表面上に形成されたレジスト膜がレジスト剥離液により剥離され（以下、レジスト剥離処理と呼ぶ）、レジスト剥離処理後の基板Ｗの表面がリンス液により洗浄される（以下、リンス処理と呼ぶ）。
【００３７】
本実施の形態において、レジスト剥離液としては、ＳＰＭが用いられる。また、リンス液としては、純水が用いられる。
【００３８】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄは、それぞれ上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００３９】
以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００４０】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００４１】
（１−２） 基板処理装置の動作
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００４２】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００４３】
本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗにレジスト剥離処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００４４】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００内の各構成部の動作等を制御する。例えば、制御部４は処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４により制御される具体的な構成の詳細は後述する。
【００４５】
（１−３） 洗浄処理部の構成
図２は、図１の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００４６】
図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、上述のようにレジスト膜が形成された基板Ｗにレジスト剥離処理を行った後、リンス処理を行う。
【００４７】
図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持する基板保持台２１を備える。なお、本実施の形態においては、基板保持台２１は、基板Ｗの載置位置を決定するためのガイド機構を有していればよく、チャック機構等を有していない簡単な構成の台座等を用いることができる。
【００４８】
基板保持台２１の外方に、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に処理液ノズル５０が設けられている。
【００４９】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動する。それにより、処理液ノズル５０が基板保持台２１に保持された基板Ｗに近接した位置（図２に示す状態）と基板Ｗから離れた所定位置との間を移動する。
【００５０】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように処理液供給管６３が設けられている。処理液供給管６３は流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９およびリンス液供給部７９に接続されている。レジスト剥離液供給部６９には、レジスト剥離液（例えば、ＳＰＭ）が貯留され、リンス液供給部７９には、リンス液（例えば、純水）が貯留されている。
【００５１】
レジスト剥離液供給部６９と処理液供給管６３との間にはバルブ９１が設けられ、リンス液供給部７９と処理液供給管６３との間にはバルブ９２が設けられている。バルブ９１，９２の動作は図１の制御部４により制御される。これにより、所定のタイミングでレジスト剥離液およびリンス液のいずれか一方を選択的に処理液供給管６３に供給することができる。
【００５２】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理液ノズル５０には、処理液供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９またはリンス液供給部７９からレジスト剥離液またはリンス液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へレジスト剥離液またはリンス液を供給することができる。レジスト剥離液供給部６９から処理液ノズル５０に供給されるレジスト剥離液の温度は、例えば８０℃〜１３０℃に設定されている。また、リンス液供給部７９からリンスノズル７０に供給されるリンス液の温度は、例えば６５℃に設定されている。
【００５３】
基板Ｗの表面へレジスト剥離液またはリンス液を供給するときには、処理液ノズル５０は基板Ｗの外周部の上方に位置し、基板Ｗの表面に向けてレジスト剥離液またはリンス液を吐出する。基板Ｗの表面へレジスト剥離液およびリンス液を供給しないときには、処理液ノズル５０は所定の位置に退避される。
【００５４】
基板保持台２１の上方には、不活性ガス供給板１１０が設けられている。図３は、不活性ガス供給板１１０を示す概略斜視図であり、図４は、不活性ガス供給板１１０の概略下面図である。
【００５５】
図２および図３に示すように、不活性ガス供給板１１０は略円筒形状を有する回転支持軸１１１の下端部に略水平に取り付けられている。不活性ガス供給板１１０は、回転支持軸１１１の径方向に延びるように長尺状に形成されており、流線形でかつ中央部が上方にわずかに湾曲した断面形状を有する。回転支持軸１１１は水平方向に延びるアーム１２０により基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転可能に保持されている。これにより、不活性ガス供給板１１０の下面が基板保持台２１に保持された基板Ｗの上面と対向する。
【００５６】
図４に示すように、不活性ガス供給板１１０の下面には、複数の不活性ガス供給口１１が形成されている。不活性ガス供給口１１は、不活性ガス供給板１１０の下面の中央部において長手方向に並設されている。
【００５７】
図２に示すように、回転支持軸１１１の上端部には不活性ガス供給管８４が取り付けられている。不活性ガス供給管８４は流体ボックス部２ａ〜２ｄの不活性ガス供給部８９に接続されている。不活性ガス供給管８４および回転支持軸１１１の内部空間は互いに連通している。また、回転支持軸１１１の内部空間は、不活性ガス供給口１１（図４）に連通している。
【００５８】
不活性ガス供給板１１０の不活性ガス供給口１１（図４）には、不活性ガス供給管８４および回転支持軸１１１の内部空間を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄの不活性ガス供給部８９から不活性ガスが供給される。それにより、不活性ガス供給板１１０の不活性ガス供給口１１から基板保持台２１に保持された基板Ｗの表面に向かって不活性ガスが吐出される。不活性ガスとしては、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等を用いることができる。
【００５９】
図２に示すように、アーム１２０には、供給板昇降駆動機構１３７および供給板回転駆動機構１３８が接続されている。供給板昇降駆動機構１３７は、不活性ガス供給板１１０を基板保持台２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）と基板保持台２１から離れた所定位置との間で上下動作させる。
【００６０】
供給板回転駆動機構１３８は、回転支持軸１１１を基板保持台２１に保持された基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させる。これにより、不活性ガス供給板１１０が、図３に矢印で示すように回転支持軸１１１を回転中心として時計回り（上方から見た場合）に回転する。なお、本実施の形態においては、供給板回転駆動機構１３８は、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗに向けて不活性ガスを吐出するときに、不活性ガス供給板１１０を回転させる。
【００６１】
図２に示すように、基板保持台２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、基板保持台２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、基板保持台２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００６２】
さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗのレジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００６３】
廃棄空間３１には、図示しない廃棄設備に接続された廃棄系配管へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、図示しない循環装置に接続された循環系配管へレジスト剥離液を導くための回収管３５が接続されている。これらの廃棄系配管、循環装置および循環系配管は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに設けられている。
【００６４】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからのレジスト剥離液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、基板Ｗの中央を通る垂線に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。
【００６５】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００６６】
スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を、その上端部が基板保持台２１の上端部とほぼ同じまたは基板保持台２１の上端部よりも低い搬入搬出位置と、回収液案内部４２が基板保持台２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置と、廃棄案内溝４１が基板保持台２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置との間で上下動させる。
【００６７】
基板保持台２１上に基板Ｗが搬入される際、および基板保持台２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置に下降する。
【００６８】
スプラッシュガード２４が循環位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したレジスト剥離液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して循環系配管に送られる。
【００６９】
一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄される。
【００７０】
洗浄処理部５ａ〜５ｄのモータ６０、ガード昇降駆動機構３７、供給板昇降駆動機構１３７、および供給板回転駆動機構１３８の動作、ならびに流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９、リンス液供給部７９、不活性ガス供給部８９、およびバルブ９１,９２の動作は図１の制御部４により制御される。
【００７１】
（１−４） 洗浄処理部の動作
図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、レジスト剥離処理が開始される際、アーム１２０は、供給板昇降駆動機構１３７により所定の高さ（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）で保持される。
【００７２】
この状態で、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面にレジスト剥離液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗの表面に不活性ガスが供給される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、所定の回転数（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転しつつ不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、レジスト剥離液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、レジスト剥離処理を確実に行うことができる。
【００７３】
その後、レジスト剥離処理が終了すると、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面にリンス液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗの表面に不活性ガスが供給される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、リンス処理を確実に行うことができる。
【００７４】
その後、リンス処理が終了すると、処理液ノズル５０からのリンス液の吐出が停止される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転および不活性ガスの吐出を継続する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面上から外方へ飛散され、基板Ｗが乾燥する。
【００７５】
乾燥処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０の回転および不活性ガスの吐出が停止される。その後、不活性ガス供給板１１０が上昇され、基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出される。
【００７６】
なお、不活性ガス供給板１１０の回転速度は、例えば、５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ程度であることが好ましいが、基板Ｗの大きさ、レジスト剥離液の粘性等の種々の条件に応じて適宜変更することができる。
【００７７】
（１−５） 第１の実施の形態の効果
本実施の形態においては、レジスト剥離処理およびリンス処理（以下、液処理と略記する）時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給され、レジスト剥離液またはリンス液（以下、処理液と略記する）が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【００７８】
また、本実施の形態においては、乾燥処理時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面上から飛散され、基板Ｗが乾燥する。すなわち、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗを乾燥させることができる。
【００７９】
以上のように、本実施の形態においては、液処理時および乾燥処理時に、基板Ｗを回転させる必要がない。したがって、チャック機構等の保持機構を有していない簡単な構成の基板保持台２１を用いることができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８０】
また、チャックピン等の保持部材により基板Ｗを保持する必要がないので、液処理時および乾燥処理時に基板Ｗが損傷することを防止することができる。また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板Ｗが回転していないので、基板Ｗと保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【００８１】
また、保持部材に大きな応力が発生しないので、保持部材を安価な材料で構成することができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８２】
（１−６） 他の構成例
上記においては、基板保持台２１が回転しない場合について説明したが、基板保持台２１を回転可能な構成にし、基板Ｗを回転させてもよい。それにより、より確実に基板Ｗの表面に均一に処理液を供給することができる。
【００８３】
なお、上記のように不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗに不活性ガスを供給しているので、基板Ｗの回転速度は低速（１００ｒｐｍ程度）でよい。したがって、チャックピン等の保持部材により基板Ｗを保持した場合にも、基板Ｗと保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。また、基板Ｗの回転速度が低いので、簡単な構成で基板Ｗを保持することができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８４】
また、上記においては、長尺状の不活性ガス供給板１１０について説明したが、不活性ガス供給板１１０の形状はこれに限定されない。例えば、不活性ガス供給板１１０は、円盤形状であってもよい。
【００８５】
図５は、円盤形状の不活性ガス供給板１１０を示す下面図である。図５に示す不活性ガス供給板１１０においては、複数の不活性ガス供給口１１が回転支持軸１１１（図３参照）を中心とする複数の同心円（一点鎖線で示す円）上にそれぞれ配置されている。なお、複数の不活性ガス供給口１１は、図５に示すように曲線状に配置されてもよく、回転支持軸１１１（図３参照）を中心として半径方向に直線状に配置されてもよい。
【００８６】
このように、円盤形状の不活性ガス供給板１１０では、多様な構成で不活性ガス供給口１１を配置することができる。したがって、種々の条件に応じて不活性ガス供給口１１の配置を決定することにより、基板Ｗの全域により効率よく不活性ガスを供給することが可能となる。
【００８７】
また、図４の不活性ガス供給板１１０においては、複数の不活性ガス供給口１１がほぼ等間隔で配置されているが、不活性ガス供給口１１の配置例はこれに限定されるものではない。
【００８８】
例えば、不活性ガス供給板１１０の両端部に近づくに従い隣り合う不活性ガス供給口１１の間隔が小さくなるように複数の不活性ガス供給口１１を配置してもよい。この場合、不活性ガス供給板１１０の両端部近傍において不活性ガスの吐出量が多くなるので、基板Ｗの周縁部のリンス液を確実に飛散させることができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【００８９】
また、上記においては、不活性ガス供給板１１０に円形の不活性ガス供給口１１を複数設けた場合について説明したが、不活性ガス供給口１１の形状は上記の例に限定されない。
【００９０】
図６は、不活性ガス供給口１１の形状の他の例を示す図である。図６の例では、不活性ガス供給板１１０の下面側において長手方向に延びるようにスリット状の不活性ガス供給口１１が形成されている。この場合、不活性ガス供給口１１から基板Ｗの表面の全域に効率よく不活性ガスを供給することができる。
【００９１】
なお、図６においては、直線状に延びる不活性ガス供給口１１の例を示したが、曲線状に延びる不活性ガス供給口１１を設けてもよい。
【００９２】
（２） 第２の実施の形態
（２−１） 洗浄処理部の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【００９３】
図７は、第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図であり、図８は、図７の不活性ガス供給板１１０の下面図である。
【００９４】
図７に示すように、回転支持軸１１１は２重管構造を有しており、内部には、円筒状の処理液供給路９０を取り囲むように不活性ガス供給路９１が設けられている。処理液供給部９０には処理液供給管６３が接続され、不活性ガス供給路９１には不活性ガス供給管８４が接続されている。
【００９５】
また、図８に示すように、不活性ガス供給板１１０の下面側には、２つの不活性ガス供給領域１０および２つの処理液供給領域２０が設けられている。不活性ガス供給領域１０には複数の不活性ガス供給口１１がそれぞれ形成され、処理液供給領域２０は、複数の処理液供給口１２がそれぞれ形成されている。
【００９６】
なお、処理液供給領域２０は、不活性ガス供給領域１０に対して不活性ガス供給板１１０の回転方向（矢印で示す方向）における前方側に近接するように設けられ、不活性ガス供給領域１０は、処理液供給領域２０に対して回転方向における後方側に近接するように設けられている。
【００９７】
本実施の形態においては、不活性ガス供給路９１（図７）は不活性ガス供給口１１（図８）に連通し、処理液供給路９０（図７）は処理液供給口１２（図８）に連通している。したがって、不活性ガス供給部８９（図７）から不活性ガス供給管８４（図７）および不活性ガス供給路９１（図７）を通して導かれた不活性ガスが不活性ガス供給口１１から吐出される。また、レジスト剥離液供給部６９（図７）またはリンス液供給部７９（図７）から処理液供給管６３および処理液供給路９０を通して導かれたレジスト剥離液またはリンス液が処理液供給口１２から吐出される。
【００９８】
（２−２） 洗浄処理部の動作
図７の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、レジスト剥離処理が開始される際、アーム１２０は、供給板昇降駆動機構１３７により所定の高さ（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）で保持される。
【００９９】
この状態で、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ処理液供給口１２（図８）からレジスト剥離液を吐出するとともに、不活性ガス供給口１１（図８）から不活性ガスを吐出する。これにより、レジスト剥離処理が行われる。
【０１００】
その後、レジスト剥離処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ処理液供給口１２からリンス液を吐出するとともに、不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。これにより、リンス処理が行われる。
【０１０１】
その後、リンス処理が終了すると、処理液供給口１２からのリンス液の吐出が停止される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転および不活性ガスの吐出を継続する。これにより、乾燥処理が行われる。
【０１０２】
乾燥処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０の回転および不活性ガスの吐出が停止される。その後、不活性ガス供給板１１０が上昇し、基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出される。
【０１０３】
なお、不活性ガス供給板１１０の回転速度は、例えば、５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ程度であることが好ましいが、基板Ｗの大きさ、レジスト剥離液の粘性等の種々の条件に応じて適宜変更することができる。
【０１０４】
（２−３） 本実施の形態の効果
本実施の形態においては、レジスト剥離処理時およびリンス処理時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面にレジスト剥離液およびリンス液（以下、処理液と略記する）を供給する。それにより、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に均一に処理液を供給することができる。
【０１０５】
また、不活性ガス供給板１１０は、処理液の供給と同時に、不活性ガスを基板に供給している。この場合、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給される。それにより、処理液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【０１０６】
また、本実施の形態においては、図８に示したように、処理液供給口１２が不活性ガス供給口１１に対して不活性ガス供給板１１０の回転方向における前方側に近接するように設けられ、不活性ガス供給口１１が処理液供給口１２に対して回転方向における後方側に近接するように設けられている。この場合、基板Ｗに処理液が供給された直後に、その処理液に不活性ガスを供給することができる。それにより、処理液を迅速に押し広げることができる。その結果、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１０７】
以上の結果、レジスト剥離処理およびリンス処理を確実に行うことができる。
【０１０８】
（２−４） 不活性ガス供給板の他の例
本実施の形態において用いることができる不活性ガス供給板１１０は図８の例に限定されず、他の構成を有する不活性ガス供給板を用いてもよい。
【０１０９】
図９は、不活性ガス供給板１１０の他の例を示す下面図である。
【０１１０】
図９に示す不活性ガス供給板１１０においては、各不活性ガス供給領域１０には、長手方向に延びるようにスリット状の不活性ガス供給口１１が形成され、各処理液供給領域２０には、長手方向に延びるようにスリット状の処理液供給口１２が形成されている。
【０１１１】
この不活性ガス供給板１１０を用いた場合、処理液供給口１２から基板Ｗの表面の全域に効率よく処理液を供給することができるとともに、不活性ガス供給口１１から基板Ｗの表面の全域に効率よく不活性ガスを供給することができる。それにより、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１１２】
なお、図９においては、直線状に延びる不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２の例を示したが、曲線状に延びる不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２を設けてもよい。
【０１１３】
図１０は、不活性ガス供給板１１０のさらに他の例を示す下面図である。
【０１１４】
図１０に示す不活性ガス供給板１１０においては、不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２が不活性ガス供給板１１０の長手方向に沿って交互に配置されている。この場合、処理液供給口１２から基板Ｗの表面に供給された処理液を迅速に押し広げることができる。それにより、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１１５】
（３） 第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【０１１６】
図１１は、第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図であり、図１２は図１１の不活性ガス供給板１１０の下面図である。
【０１１７】
図１１に示すように、本実施の形態においては、不活性ガス供給部８９（図２参照）が設けられていない。一方、回転支持軸１１１の下端部には、気体供給板１１５が設けられている。
【０１１８】
図１２に示すように、気体供給板１１５はプロペラ形状を有し、回転支持軸１１１の径方向に延びるように略水平に設けられている。
【０１１９】
本実施の形態においては、回転支持軸１１１が回転することによりプロペラ形状の気体供給板１１５が回転し、旋回流が発生する。その旋回流が基板Ｗの表面に供給される。それにより、基板Ｗを回転させることなく処理液を基板Ｗの表面の全域に均一に供給することができる。また、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗを容易に乾燥させることができる。
【０１２０】
このように、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させる機構および気体を基板Ｗに供給するための配管等が不要となるので、基板処理装置の構成を簡略化することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１２１】
（４） 第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【０１２２】
図１３は、第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【０１２３】
図１３に示すように、本実施の形態においては、基板Ｗよりやや径大の基板保持台２１の上面に複数の保持ピン２１１が設けられている。基板Ｗは、それら複数の保持ピン２１１により基板保持台２１の上方で保持される。
【０１２４】
また、基板Ｗの上方および下方に、図２の不活性ガス供給板１１０と同様の構成を有する不活性ガス供給板１１０ａが設けられている。基板保持台２１の中央部には、図２の回転支持軸１１１と同様の構成を有する回転支持軸１１１ａが挿通されている。不活性ガス供給板１１０ａは、回転支持軸１１１ａの上端部に取り付けられている。
【０１２５】
また、保持ピン２１１により保持された基板Ｗの両面に処理液を塗布することができるように、基板Ｗの上方および下方に処理液ノズル５０が設けられている。
【０１２６】
なお、回転支持軸１１１ａは、供給板回転駆動機構（図２参照）により回転される。また、回転支持軸１１１ａには、不活性ガス供給部８９（図２参照）から不活性ガスが供給される。
【０１２７】
以上のような構成により、処理液ノズル５０から基板Ｗの両面に処理液が供給される際に、２つの不活性ガス供給板１１０,１１０ａが回転しつつ基板Ｗの両面に不活性ガスを供給する。それにより、基板Ｗの両面に不活性ガスが旋回流として供給され、処理液が基板Ｗの両面の全域に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの両面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【０１２８】
また、乾燥処理時に、２つの不活性ガス供給板１１０,１１０ａが回転しつつ基板Ｗの両面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの両面に供給される。その結果、処理液が基板Ｗの表面上から飛散され、基板Ｗが乾燥する。すなわち、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの両面を乾燥させることができる。
【０１２９】
以上のように、本実施の形態においては、液処理時（レジスト剥離処理時およびリンス処理時）および乾燥処理時に、基板Ｗを回転させる必要がない。したがって、簡単な構成の基板保持台２１および保持ピン２１１を用いることができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３０】
また、基板Ｗが回転していないので、基板Ｗと保持ピン２１１との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【０１３１】
また、保持ピン２１１に大きな応力が発生しないので、保持ピン２１１を安価な材料で構成することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３２】
なお、上記においては、処理液ノズル５０により基板Ｗに処理液を供給しているが、図８〜図１０で説明したような処理液を供給することができる不活性ガス供給板１１０を用いて基板Ｗに処理液を供給してもよい。
【０１３３】
また、基板保持台２１を回転可能な構成にし、基板Ｗを回転させてもよい。それにより、より確実に基板Ｗの表面に均一に処理液を供給することができる。なお、上記のように不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗに不活性ガスを供給しているので、基板Ｗの回転速度は低速（１００ｒｐｍ程度）でよい。したがって、基板Ｗと保持ピン２１１との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。また、基板Ｗの回転速度が低いので、簡単な構成の保持ピン２１１で基板Ｗを保持することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３４】
（５） 請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３５】
上記実施の形態では、基板保持台２１が保持部の例であり、処理液ノズル５０および不活性ガス供給板１１０が処理液供給部の例であり、不活性ガス供給板１１０,１１０ａおよび気体供給板１１５が気体供給部の例であり、供給板回転駆動機構１３８が回転駆動手段の例であり、不活性ガス供給口１１が気体吐出口の例であり、処理液供給口１２が処理液吐出口の例であり、気体供給板１１５がプロペラ部材の例である。
【０１３６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明は、種々の基板に所定の処理を行う基板処理装置に有効に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図３】不活性ガス供給板を示す概略斜視図である。
【図４】不活性ガス供給板の概略下面図である。
【図５】円盤形状の不活性ガス供給板を示す下面図である。
【図６】不活性ガス供給口の形状の他の例を示すための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図８】図７の不活性ガス供給板の下面図である。
【図９】不活性ガス供給板の他の例を示す下面図である。
【図１０】不活性ガス供給板のさらに他の例を示す下面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図１２】図１１の不活性ガス供給板の下面図である。
【図１３】第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１３９】
５ａ〜５ｄ 洗浄処理部
１１ 不活性ガス供給口
１２ 処理液供給口
５０ 処理液ノズル
１００ 基板処理装置
１１０,１１０ａ 不活性ガス供給板
１１５ 気体供給板
１３８ 供給板回転駆動機構
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置としては、例えば、処理室内に一枚の基板を水平に保持して鉛直方向の軸の周りで回転させるためのスピンチャックを備えるものがある（例えば、特許文献１参照）。スピンチャックは、鉛直方向に沿った回転軸を中心に回転されるスピンベースと、そのスピンベース上に設けられた複数の保持部材とを備える。各保持部材は、基板の外周端部に接触して基板を保持するための保持ピンを有する。
【特許文献１】特開２００４−１１１９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような基板処理装置においては、基板に洗浄、レジスト液の塗布または現像等の処理を行う場合には、基板を高速で回転（例えば、１０００ｒｐｍ）させながら、回転する基板上に洗浄液、レジスト液、現像液等の処理液を供給する。それにより、処理液が遠心力により基板の全域に均一に塗り広げられる。
【０００５】
しかしながら、近年、基板処理装置において処理される基板の大型化が進んでいるため、基板を高速で回転させた場合、基板に大きな遠心力が働く。それにより、基板と保持部材との間に大きな接触圧力が生じ、基板が損傷するおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を略水平に保持する保持部と、保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、保持部により保持された基板に気体を供給する気体供給部と、気体が保持部により保持された基板に旋回流として供給されるように気体供給部を回転させる回転駆動手段とを備えたものである。
【０００８】
この基板処理装置によれば、保持部により基板が略水平に保持され、その基板に処理液供給部から処理液が供給されるとともに、気体供給部から気体が供給される。このとき、回転駆動手段は、気体が旋回流として基板に供給されるように気体供給部を回転させる。
【０００９】
それにより、処理液供給部から基板に供給された処理液が基板の表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、この基板処理装置によれば、基板を回転させることなく、処理液を基板の表面の全域に均一に供給することができる。
【００１０】
このように、この基板処理装置によれば、液処理時に基板を回転させなくてもよい。そのため、チャックピン等の保持部材により基板を保持しなくてもよいので、液処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００１１】
また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板を回転させなくてもよいので、基板と保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００１２】
これらの結果、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。
【００１３】
また、基板を乾燥させる際には、処理液供給部からの処理液の供給を停止した状態で気体供給部から基板に気体を供給することができる。この場合も、気体が旋回流として基板に供給される。それにより、処理液が基板の表面上から外方へ飛散され、基板が乾燥する。したがって、この基板処理装置によれば、基板を回転させることなく、基板を乾燥させることができる。それにより、液処理時と同様に、乾燥処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００１４】
また、この基板処理装置によれば、基板を回転させなくてもよいので、基板保持部の構成を簡略化することができる。また、基板保持部と基板との間に大きな接触応力が発生しないので、基板保持部を安価な材料で構成することができる。これらの結果、基板処理装置の製造コストを十分に低減することができる。
【００１５】
（２）気体供給部は、保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに気体を吐出する気体吐出口を有してもよい。この場合、気体吐出口が基板に垂直な回転軸の周りで回転しつつ気体を吐出するので、基板の表面に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に効率よく供給することができる。
【００１６】
（３）気体吐出口は、回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の気体吐出口を含んでもよい。この場合、基板の表面の全域に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００１７】
（４）気体吐出口は、回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられてもよい。この場合、基板の表面の全域に効率よく気体を供給することができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００１８】
（５）処理液供給部は、保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに処理液を吐出する処理液吐出口を有してもよい。
【００１９】
この場合、処理液吐出口が基板に垂直な回転軸の周りで回転しつつ処理液を吐出するので、基板の表面に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域に効率よく供給することができる。
【００２０】
（６）処理液吐出口は、回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の処理液吐出口を含んでもよい。
【００２１】
この場合、基板の表面の全域に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域により効率よく供給することができる。
【００２２】
（７）処理液吐出口は、回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられてもよい。
【００２３】
この場合、基板の表面の全域に効率よく処理液を供給することができる。したがって、気体吐出口から吐出される気体により、処理液を基板の表面の全域により効率よく供給することができる。
【００２４】
（８）処理液吐出口は気体吐出口の回転方向における前方側に配置されてもよい。
【００２５】
この場合、基板に処理液が供給された直後に、その処理液に気体を供給することができるので、処理液を迅速に押し広げることができる。それにより、処理液を基板の表面の全域に迅速に供給することができる。
【００２６】
（９）気体供給部は、プロペラ部材であってもよい。この場合、気体供給部に気体を供給する配管等の気体供給系が不要となるので、基板処理装置の構成を簡略化することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、基板を回転させることなく、処理液を基板の表面の全域に均一に供給することができる。したがって、チャックピン等の保持部材により基板を保持しなくてもよいので、液処理時に基板が損傷することを防止することができる。
【００２８】
また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板を回転させなくてもよいので、基板と保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板の損傷を防止することができる。
【００２９】
これらの結果、基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００３２】
また、基板に処理を行う処理液はレジスト剥離液およびリンス液を含む。レジスト剥離液とは、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合液（以下、ＳＰＭと略記する）、硫酸とオゾン水との混合液、硫酸とフッ酸（ＨＦ）との混合液、または硫酸等をいう。リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【００３３】
さらに、常温とは、加熱および冷却を行わないときの基板処理装置内の温度をいい、例えば約１５℃〜２５℃である。
【００３４】
（１） 第１の実施の形態
（１−１） 基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、クリーンルームＣＬ内に設けられる。基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００３５】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへのレジスト剥離液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃液および排気等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器、処理液貯留タンク、吸引装置等の流体関連機器を収納する。
【００３６】
洗浄処理部５ａ，５ｂでは、基板Ｗの表面上に形成されたレジスト膜がレジスト剥離液により剥離され（以下、レジスト剥離処理と呼ぶ）、レジスト剥離処理後の基板Ｗの表面がリンス液により洗浄される（以下、リンス処理と呼ぶ）。
【００３７】
本実施の形態において、レジスト剥離液としては、ＳＰＭが用いられる。また、リンス液としては、純水が用いられる。
【００３８】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄは、それぞれ上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００３９】
以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００４０】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００４１】
（１−２） 基板処理装置の動作
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００４２】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００４３】
本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗにレジスト剥離処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００４４】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００内の各構成部の動作等を制御する。例えば、制御部４は処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４により制御される具体的な構成の詳細は後述する。
【００４５】
（１−３） 洗浄処理部の構成
図２は、図１の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００４６】
図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、上述のようにレジスト膜が形成された基板Ｗにレジスト剥離処理を行った後、リンス処理を行う。
【００４７】
図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持する基板保持台２１を備える。なお、本実施の形態においては、基板保持台２１は、基板Ｗの載置位置を決定するためのガイド機構を有していればよく、チャック機構等を有していない簡単な構成の台座等を用いることができる。
【００４８】
基板保持台２１の外方に、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に処理液ノズル５０が設けられている。
【００４９】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動する。それにより、処理液ノズル５０が基板保持台２１に保持された基板Ｗに近接した位置（図２に示す状態）と基板Ｗから離れた所定位置との間を移動する。
【００５０】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように処理液供給管６３が設けられている。処理液供給管６３は流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９およびリンス液供給部７９に接続されている。レジスト剥離液供給部６９には、レジスト剥離液（例えば、ＳＰＭ）が貯留され、リンス液供給部７９には、リンス液（例えば、純水）が貯留されている。
【００５１】
レジスト剥離液供給部６９と処理液供給管６３との間にはバルブ９１が設けられ、リンス液供給部７９と処理液供給管６３との間にはバルブ９２が設けられている。バルブ９１，９２の動作は図１の制御部４により制御される。これにより、所定のタイミングでレジスト剥離液およびリンス液のいずれか一方を選択的に処理液供給管６３に供給することができる。
【００５２】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理液ノズル５０には、処理液供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９またはリンス液供給部７９からレジスト剥離液またはリンス液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へレジスト剥離液またはリンス液を供給することができる。レジスト剥離液供給部６９から処理液ノズル５０に供給されるレジスト剥離液の温度は、例えば８０℃〜１３０℃に設定されている。また、リンス液供給部７９からリンスノズル７０に供給されるリンス液の温度は、例えば６５℃に設定されている。
【００５３】
基板Ｗの表面へレジスト剥離液またはリンス液を供給するときには、処理液ノズル５０は基板Ｗの外周部の上方に位置し、基板Ｗの表面に向けてレジスト剥離液またはリンス液を吐出する。基板Ｗの表面へレジスト剥離液およびリンス液を供給しないときには、処理液ノズル５０は所定の位置に退避される。
【００５４】
基板保持台２１の上方には、不活性ガス供給板１１０が設けられている。図３は、不活性ガス供給板１１０を示す概略斜視図であり、図４は、不活性ガス供給板１１０の概略下面図である。
【００５５】
図２および図３に示すように、不活性ガス供給板１１０は略円筒形状を有する回転支持軸１１１の下端部に略水平に取り付けられている。不活性ガス供給板１１０は、回転支持軸１１１の径方向に延びるように長尺状に形成されており、流線形でかつ中央部が上方にわずかに湾曲した断面形状を有する。回転支持軸１１１は水平方向に延びるアーム１２０により基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転可能に保持されている。これにより、不活性ガス供給板１１０の下面が基板保持台２１に保持された基板Ｗの上面と対向する。
【００５６】
図４に示すように、不活性ガス供給板１１０の下面には、複数の不活性ガス供給口１１が形成されている。不活性ガス供給口１１は、不活性ガス供給板１１０の下面の中央部において長手方向に並設されている。
【００５７】
図２に示すように、回転支持軸１１１の上端部には不活性ガス供給管８４が取り付けられている。不活性ガス供給管８４は流体ボックス部２ａ〜２ｄの不活性ガス供給部８９に接続されている。不活性ガス供給管８４および回転支持軸１１１の内部空間は互いに連通している。また、回転支持軸１１１の内部空間は、不活性ガス供給口１１（図４）に連通している。
【００５８】
不活性ガス供給板１１０の不活性ガス供給口１１（図４）には、不活性ガス供給管８４および回転支持軸１１１の内部空間を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄの不活性ガス供給部８９から不活性ガスが供給される。それにより、不活性ガス供給板１１０の不活性ガス供給口１１から基板保持台２１に保持された基板Ｗの表面に向かって不活性ガスが吐出される。不活性ガスとしては、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等を用いることができる。
【００５９】
図２に示すように、アーム１２０には、供給板昇降駆動機構１３７および供給板回転駆動機構１３８が接続されている。供給板昇降駆動機構１３７は、不活性ガス供給板１１０を基板保持台２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）と基板保持台２１から離れた所定位置との間で上下動作させる。
【００６０】
供給板回転駆動機構１３８は、回転支持軸１１１を基板保持台２１に保持された基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させる。これにより、不活性ガス供給板１１０が、図３に矢印で示すように回転支持軸１１１を回転中心として時計回り（上方から見た場合）に回転する。なお、本実施の形態においては、供給板回転駆動機構１３８は、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗに向けて不活性ガスを吐出するときに、不活性ガス供給板１１０を回転させる。
【００６１】
図２に示すように、基板保持台２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、基板保持台２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、基板保持台２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００６２】
さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗのレジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００６３】
廃棄空間３１には、図示しない廃棄設備に接続された廃棄系配管へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、図示しない循環装置に接続された循環系配管へレジスト剥離液を導くための回収管３５が接続されている。これらの廃棄系配管、循環装置および循環系配管は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに設けられている。
【００６４】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからのレジスト剥離液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、基板Ｗの中央を通る垂線に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。
【００６５】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００６６】
スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を、その上端部が基板保持台２１の上端部とほぼ同じまたは基板保持台２１の上端部よりも低い搬入搬出位置と、回収液案内部４２が基板保持台２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置と、廃棄案内溝４１が基板保持台２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置との間で上下動させる。
【００６７】
基板保持台２１上に基板Ｗが搬入される際、および基板保持台２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置に下降する。
【００６８】
スプラッシュガード２４が循環位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したレジスト剥離液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して循環系配管に送られる。
【００６９】
一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄される。
【００７０】
洗浄処理部５ａ〜５ｄのモータ６０、ガード昇降駆動機構３７、供給板昇降駆動機構１３７、および供給板回転駆動機構１３８の動作、ならびに流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９、リンス液供給部７９、不活性ガス供給部８９、およびバルブ９１,９２の動作は図１の制御部４により制御される。
【００７１】
（１−４） 洗浄処理部の動作
図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、レジスト剥離処理が開始される際、アーム１２０は、供給板昇降駆動機構１３７により所定の高さ（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）で保持される。
【００７２】
この状態で、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面にレジスト剥離液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗの表面に不活性ガスが供給される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、所定の回転数（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転しつつ不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、レジスト剥離液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、レジスト剥離処理を確実に行うことができる。
【００７３】
その後、レジスト剥離処理が終了すると、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面にリンス液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から基板Ｗの表面に不活性ガスが供給される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、リンス処理を確実に行うことができる。
【００７４】
その後、リンス処理が終了すると、処理液ノズル５０からのリンス液の吐出が停止される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転および不活性ガスの吐出を継続する。それにより、不活性ガスが旋回流となって基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面上から外方へ飛散され、基板Ｗが乾燥する。
【００７５】
乾燥処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０の回転および不活性ガスの吐出が停止される。その後、不活性ガス供給板１１０が上昇され、基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出される。
【００７６】
なお、不活性ガス供給板１１０の回転速度は、例えば、５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ程度であることが好ましいが、基板Ｗの大きさ、レジスト剥離液の粘性等の種々の条件に応じて適宜変更することができる。
【００７７】
（１−５） 第１の実施の形態の効果
本実施の形態においては、レジスト剥離処理およびリンス処理（以下、液処理と略記する）時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給され、レジスト剥離液またはリンス液（以下、処理液と略記する）が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【００７８】
また、本実施の形態においては、乾燥処理時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給される。その結果、リンス液が基板Ｗの表面上から飛散され、基板Ｗが乾燥する。すなわち、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗを乾燥させることができる。
【００７９】
以上のように、本実施の形態においては、液処理時および乾燥処理時に、基板Ｗを回転させる必要がない。したがって、チャック機構等の保持機構を有していない簡単な構成の基板保持台２１を用いることができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８０】
また、チャックピン等の保持部材により基板Ｗを保持する必要がないので、液処理時および乾燥処理時に基板Ｗが損傷することを防止することができる。また、チャックピン等の保持部材により基板を保持する場合にも、基板Ｗが回転していないので、基板Ｗと保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【００８１】
また、保持部材に大きな応力が発生しないので、保持部材を安価な材料で構成することができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８２】
（１−６） 他の構成例
上記においては、基板保持台２１が回転しない場合について説明したが、基板保持台２１を回転可能な構成にし、基板Ｗを回転させてもよい。それにより、より確実に基板Ｗの表面に均一に処理液を供給することができる。
【００８３】
なお、上記のように不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗに不活性ガスを供給しているので、基板Ｗの回転速度は低速（１００ｒｐｍ程度）でよい。したがって、チャックピン等の保持部材により基板Ｗを保持した場合にも、基板Ｗと保持部材との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。また、基板Ｗの回転速度が低いので、簡単な構成で基板Ｗを保持することができる。それにより、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。
【００８４】
また、上記においては、長尺状の不活性ガス供給板１１０について説明したが、不活性ガス供給板１１０の形状はこれに限定されない。例えば、不活性ガス供給板１１０は、円盤形状であってもよい。
【００８５】
図５は、円盤形状の不活性ガス供給板１１０を示す下面図である。図５に示す不活性ガス供給板１１０においては、複数の不活性ガス供給口１１が回転支持軸１１１（図３参照）を中心とする複数の同心円（一点鎖線で示す円）上にそれぞれ配置されている。なお、複数の不活性ガス供給口１１は、図５に示すように曲線状に配置されてもよく、回転支持軸１１１（図３参照）を中心として半径方向に直線状に配置されてもよい。
【００８６】
このように、円盤形状の不活性ガス供給板１１０では、多様な構成で不活性ガス供給口１１を配置することができる。したがって、種々の条件に応じて不活性ガス供給口１１の配置を決定することにより、基板Ｗの全域により効率よく不活性ガスを供給することが可能となる。
【００８７】
また、図４の不活性ガス供給板１１０においては、複数の不活性ガス供給口１１がほぼ等間隔で配置されているが、不活性ガス供給口１１の配置例はこれに限定されるものではない。
【００８８】
例えば、不活性ガス供給板１１０の両端部に近づくに従い隣り合う不活性ガス供給口１１の間隔が小さくなるように複数の不活性ガス供給口１１を配置してもよい。この場合、不活性ガス供給板１１０の両端部近傍において不活性ガスの吐出量が多くなるので、基板Ｗの周縁部のリンス液を確実に飛散させることができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【００８９】
また、上記においては、不活性ガス供給板１１０に円形の不活性ガス供給口１１を複数設けた場合について説明したが、不活性ガス供給口１１の形状は上記の例に限定されない。
【００９０】
図６は、不活性ガス供給口１１の形状の他の例を示す図である。図６の例では、不活性ガス供給板１１０の下面側において長手方向に延びるようにスリット状の不活性ガス供給口１１が形成されている。この場合、不活性ガス供給口１１から基板Ｗの表面の全域に効率よく不活性ガスを供給することができる。
【００９１】
なお、図６においては、直線状に延びる不活性ガス供給口１１の例を示したが、曲線状に延びる不活性ガス供給口１１を設けてもよい。
【００９２】
（２） 第２の実施の形態
（２−１） 洗浄処理部の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【００９３】
図７は、第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図であり、図８は、図７の不活性ガス供給板１１０の下面図である。
【００９４】
図７に示すように、回転支持軸１１１は２重管構造を有しており、内部には、円筒状の処理液供給路９０を取り囲むように不活性ガス供給路９１が設けられている。処理液供給部９０には処理液供給管６３が接続され、不活性ガス供給路９１には不活性ガス供給管８４が接続されている。
【００９５】
また、図８に示すように、不活性ガス供給板１１０の下面側には、２つの不活性ガス供給領域１０および２つの処理液供給領域２０が設けられている。不活性ガス供給領域１０には複数の不活性ガス供給口１１がそれぞれ形成され、処理液供給領域２０は、複数の処理液供給口１２がそれぞれ形成されている。
【００９６】
なお、処理液供給領域２０は、不活性ガス供給領域１０に対して不活性ガス供給板１１０の回転方向（矢印で示す方向）における前方側に近接するように設けられ、不活性ガス供給領域１０は、処理液供給領域２０に対して回転方向における後方側に近接するように設けられている。
【００９７】
本実施の形態においては、不活性ガス供給路９１（図７）は不活性ガス供給口１１（図８）に連通し、処理液供給路９０（図７）は処理液供給口１２（図８）に連通している。したがって、不活性ガス供給部８９（図７）から不活性ガス供給管８４（図７）および不活性ガス供給路９１（図７）を通して導かれた不活性ガスが不活性ガス供給口１１から吐出される。また、レジスト剥離液供給部６９（図７）またはリンス液供給部７９（図７）から処理液供給管６３および処理液供給路９０を通して導かれたレジスト剥離液またはリンス液が処理液供給口１２から吐出される。
【００９８】
（２−２） 洗浄処理部の動作
図７の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、レジスト剥離処理が開始される際、アーム１２０は、供給板昇降駆動機構１３７により所定の高さ（例えば、基板Ｗ上面と不活性ガス供給板１１０の下面との距離が１ｍｍ〜２０ｍｍの位置）で保持される。
【００９９】
この状態で、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ処理液供給口１２（図８）からレジスト剥離液を吐出するとともに、不活性ガス供給口１１（図８）から不活性ガスを吐出する。これにより、レジスト剥離処理が行われる。
【０１００】
その後、レジスト剥離処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０は、回転しつつ処理液供給口１２からリンス液を吐出するとともに、不活性ガス供給口１１から不活性ガスを吐出する。これにより、リンス処理が行われる。
【０１０１】
その後、リンス処理が終了すると、処理液供給口１２からのリンス液の吐出が停止される。なお、このとき、不活性ガス供給板１１０は、回転および不活性ガスの吐出を継続する。これにより、乾燥処理が行われる。
【０１０２】
乾燥処理が終了すると、不活性ガス供給板１１０の回転および不活性ガスの吐出が停止される。その後、不活性ガス供給板１１０が上昇し、基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出される。
【０１０３】
なお、不活性ガス供給板１１０の回転速度は、例えば、５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ程度であることが好ましいが、基板Ｗの大きさ、レジスト剥離液の粘性等の種々の条件に応じて適宜変更することができる。
【０１０４】
（２−３） 本実施の形態の効果
本実施の形態においては、レジスト剥離処理時およびリンス処理時に、不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗの表面にレジスト剥離液およびリンス液（以下、処理液と略記する）を供給する。それにより、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に均一に処理液を供給することができる。
【０１０５】
また、不活性ガス供給板１１０は、処理液の供給と同時に、不活性ガスを基板に供給している。この場合、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの表面に供給される。それにより、処理液が基板Ｗの表面の全域に均一に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの表面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【０１０６】
また、本実施の形態においては、図８に示したように、処理液供給口１２が不活性ガス供給口１１に対して不活性ガス供給板１１０の回転方向における前方側に近接するように設けられ、不活性ガス供給口１１が処理液供給口１２に対して回転方向における後方側に近接するように設けられている。この場合、基板Ｗに処理液が供給された直後に、その処理液に不活性ガスを供給することができる。それにより、処理液を迅速に押し広げることができる。その結果、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１０７】
以上の結果、レジスト剥離処理およびリンス処理を確実に行うことができる。
【０１０８】
（２−４） 不活性ガス供給板の他の例
本実施の形態において用いることができる不活性ガス供給板１１０は図８の例に限定されず、他の構成を有する不活性ガス供給板を用いてもよい。
【０１０９】
図９は、不活性ガス供給板１１０の他の例を示す下面図である。
【０１１０】
図９に示す不活性ガス供給板１１０においては、各不活性ガス供給領域１０には、長手方向に延びるようにスリット状の不活性ガス供給口１１が形成され、各処理液供給領域２０には、長手方向に延びるようにスリット状の処理液供給口１２が形成されている。
【０１１１】
この不活性ガス供給板１１０を用いた場合、処理液供給口１２から基板Ｗの表面の全域に効率よく処理液を供給することができるとともに、不活性ガス供給口１１から基板Ｗの表面の全域に効率よく不活性ガスを供給することができる。それにより、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１１２】
なお、図９においては、直線状に延びる不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２の例を示したが、曲線状に延びる不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２を設けてもよい。
【０１１３】
図１０は、不活性ガス供給板１１０のさらに他の例を示す下面図である。
【０１１４】
図１０に示す不活性ガス供給板１１０においては、不活性ガス供給口１１および処理液供給口１２が不活性ガス供給板１１０の長手方向に沿って交互に配置されている。この場合、処理液供給口１２から基板Ｗの表面に供給された処理液を迅速に押し広げることができる。それにより、処理液を基板Ｗの表面の全域に迅速に供給することができる。
【０１１５】
（３） 第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【０１１６】
図１１は、第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図であり、図１２は図１１の不活性ガス供給板１１０の下面図である。
【０１１７】
図１１に示すように、本実施の形態においては、不活性ガス供給部８９（図２参照）が設けられていない。一方、回転支持軸１１１の下端部には、気体供給板１１５が設けられている。
【０１１８】
図１２に示すように、気体供給板１１５はプロペラ形状を有し、回転支持軸１１１の径方向に延びるように略水平に設けられている。
【０１１９】
本実施の形態においては、回転支持軸１１１が回転することによりプロペラ形状の気体供給板１１５が回転し、旋回流が発生する。その旋回流が基板Ｗの表面に供給される。それにより、基板Ｗを回転させることなく処理液を基板Ｗの表面の全域に均一に供給することができる。また、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗを容易に乾燥させることができる。
【０１２０】
このように、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させる機構および気体を基板Ｗに供給するための配管等が不要となるので、基板処理装置の構成を簡略化することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１２１】
（４） 第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部が図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄと異なるのは以下の点である。
【０１２２】
図１３は、第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【０１２３】
図１３に示すように、本実施の形態においては、基板Ｗよりやや径大の基板保持台２１の上面に複数の保持ピン２１１が設けられている。基板Ｗは、それら複数の保持ピン２１１により基板保持台２１の上方で保持される。
【０１２４】
また、基板Ｗの上方および下方に、図２の不活性ガス供給板１１０と同様の構成を有する不活性ガス供給板１１０ａが設けられている。基板保持台２１の中央部には、図２の回転支持軸１１１と同様の構成を有する回転支持軸１１１ａが挿通されている。不活性ガス供給板１１０ａは、回転支持軸１１１ａの上端部に取り付けられている。
【０１２５】
また、保持ピン２１１により保持された基板Ｗの両面に処理液を塗布することができるように、基板Ｗの上方および下方に処理液ノズル５０が設けられている。
【０１２６】
なお、回転支持軸１１１ａは、供給板回転駆動機構（図２参照）により回転される。また、回転支持軸１１１ａには、不活性ガス供給部８９（図２参照）から不活性ガスが供給される。
【０１２７】
以上のような構成により、処理液ノズル５０から基板Ｗの両面に処理液が供給される際に、２つの不活性ガス供給板１１０,１１０ａが回転しつつ基板Ｗの両面に不活性ガスを供給する。それにより、基板Ｗの両面に不活性ガスが旋回流として供給され、処理液が基板Ｗの両面の全域に押し広げられる。したがって、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの両面の全域に処理液を均一に供給することができる。
【０１２８】
また、乾燥処理時に、２つの不活性ガス供給板１１０,１１０ａが回転しつつ基板Ｗの両面に不活性ガスを供給する。それにより、不活性ガスが旋回流となり基板Ｗの両面に供給される。その結果、処理液が基板Ｗの表面上から飛散され、基板Ｗが乾燥する。すなわち、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させることなく、基板Ｗの両面を乾燥させることができる。
【０１２９】
以上のように、本実施の形態においては、液処理時（レジスト剥離処理時およびリンス処理時）および乾燥処理時に、基板Ｗを回転させる必要がない。したがって、簡単な構成の基板保持台２１および保持ピン２１１を用いることができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３０】
また、基板Ｗが回転していないので、基板Ｗと保持ピン２１１との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。
【０１３１】
また、保持ピン２１１に大きな応力が発生しないので、保持ピン２１１を安価な材料で構成することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３２】
なお、上記においては、処理液ノズル５０により基板Ｗに処理液を供給しているが、図８〜図１０で説明したような処理液を供給することができる不活性ガス供給板１１０を用いて基板Ｗに処理液を供給してもよい。
【０１３３】
また、基板保持台２１を回転可能な構成にし、基板Ｗを回転させてもよい。それにより、より確実に基板Ｗの表面に均一に処理液を供給することができる。なお、上記のように不活性ガス供給板１１０が回転しつつ基板Ｗに不活性ガスを供給しているので、基板Ｗの回転速度は低速（１００ｒｐｍ程度）でよい。したがって、基板Ｗと保持ピン２１１との間に大きな接触応力が発生することを防止することができる。それにより、基板Ｗの損傷を防止することができる。また、基板Ｗの回転速度が低いので、簡単な構成の保持ピン２１１で基板Ｗを保持することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【０１３４】
（５） 請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３５】
上記実施の形態では、基板保持台２１が保持部の例であり、処理液ノズル５０および不活性ガス供給板１１０が処理液供給部の例であり、不活性ガス供給板１１０,１１０ａおよび気体供給板１１５が気体供給部の例であり、供給板回転駆動機構１３８が回転駆動手段の例であり、不活性ガス供給口１１が気体吐出口の例であり、処理液供給口１２が処理液吐出口の例であり、気体供給板１１５がプロペラ部材の例である。
【０１３６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明は、種々の基板に所定の処理を行う基板処理装置に有効に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図３】不活性ガス供給板を示す概略斜視図である。
【図４】不活性ガス供給板の概略下面図である。
【図５】円盤形状の不活性ガス供給板を示す下面図である。
【図６】不活性ガス供給口の形状の他の例を示すための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図８】図７の不活性ガス供給板の下面図である。
【図９】不活性ガス供給板の他の例を示す下面図である。
【図１０】不活性ガス供給板のさらに他の例を示す下面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図１２】図１１の不活性ガス供給板の下面図である。
【図１３】第４の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１３９】
５ａ〜５ｄ 洗浄処理部
１１ 不活性ガス供給口
１２ 処理液供給口
５０ 処理液ノズル
１００ 基板処理装置
１１０,１１０ａ 不活性ガス供給板
１１５ 気体供給板
１３８ 供給板回転駆動機構
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を略水平に保持する保持部と、
前記保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部により保持された基板に気体を供給する気体供給部と、
気体が前記保持部により保持された基板に旋回流として供給されるように前記気体供給部を回転させる回転駆動手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給部は、前記保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに気体を吐出する気体吐出口を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記気体吐出口は、前記回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の気体吐出口を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気体吐出口は、前記回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部は、前記保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに処理液を吐出する処理液吐出口を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液吐出口は、前記回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の処理液吐出口を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液吐出口は、前記回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液吐出口は前記気体吐出口の前記回転方向における前方側に配置されることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記気体供給部は、プロペラ部材であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を略水平に保持する保持部と、
前記保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部により保持された基板に気体を供給する気体供給部と、
気体が前記保持部により保持された基板に旋回流として供給されるように前記気体供給部を回転させる回転駆動手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給部は、前記保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに気体を吐出する気体吐出口を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記気体吐出口は、前記回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の気体吐出口を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気体吐出口は、前記回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部は、前記保持部により保持された基板に垂直な回転軸の周りで回転するとともに処理液を吐出する処理液吐出口を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液吐出口は、前記回転軸を中心とする複数の同心円上の位置にそれぞれ配置される複数の処理液吐出口を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液吐出口は、前記回転軸から外方に直線状または曲線状に延びるように設けられることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液吐出口は前記気体吐出口の前記回転方向における前方側に配置されることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記気体供給部は、プロペラ部材であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００８−２５１６５８（Ｐ２００８−２５１６５８Ａ）
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８８３８７（Ｐ２００７−８８３８７）
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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