【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材６２１に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Ｔを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材８２を下降させて、被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触していた部分を露出させ、洗浄部材６２１を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔの未洗浄部分を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品との間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット５０は、第１シャフト５４１、ボールねじナット５４２およびスプラインナット５４３を有するボールねじスプライン５４を備え、第１シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ５６の第２シャフト５６１は、第１シャフトに略平行であり、第１シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第１シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第２シャフトには互いに係合する第１および第２平歯車５７１，５７２がそれぞれ固定され、第１シャフトを昇降する際に、第２シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール１４において、エッジホイール１４の外周面に基板１０の端部と係合する溝１３を形成し、該溝１３から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル１８を備え、該放射状チャネル１８に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル１８を吸引することにより、基板１０とエッジホイール１４との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル１８に流体を供給することにより、基板１０の端部を濡らすことも可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル３のノズル筐体３１１の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ３１２を形成する。フランジ３１２の下面３１２ａが基板表面Ｗｆに近接対向配置される。ノズル筐体３１１の中央下部に設けたガス吐出口３０から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Ｗｆとフランジ３１２の下面３１２ａとの間隙空間を基板表面Ｗｆに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）

【課題】基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部８０によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部Ａ３により搬送する際に、基板搬送部Ａ３に設けられた検出部５により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部８０の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法で、行われる液処理に適した処理雰囲気を形成することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】筐体内の処理空間２１で被処理基板Ｗの表面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置２において、回転保持部３３、３４１は被処理基板Ｗを保持して鉛直軸周りに回転させ、処理液供給ノズル３５は回転する被処理基板Ｗの表面に処理液を供給する。第１の気体供給部２３は、前記液処理に適した処理雰囲気を形成するために、被処理基板Ｗの表面全体を流れ、カップ３１に流入する第１の気体の下降流を形成し、第２の気体供給部２２はこの第１の気体の下降流の外方領域に、前記第１の気体とは異なる第２の気体の下降流を形成する。そして第１の気体供給部２３及び第２の気体供給部２２は、前記処理空間２１を成す筐体の天井部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】処理流体ノズルから吐出した処理液により、半導体ウエハのような基板の上の異物を洗浄処理するときに、処理液が基板上に拡散することを抑制するとともに、一度基板から脱離した異物の基板外へ除去を効果的にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理流体ノズルの周囲を囲んで配置され一方向に開口部を設けた形に形成され、基板に対し気体を放出するように構成されている拡散抑制部と、拡散抑制部を移動させる移動部とを備え、処理流体ノズルにより処理液が吐出する際に、拡散抑制部の開口部が基板の周縁部に向くように移動部が拡散抑制部を移動することにより、処理液の拡散による基板のダメージを抑制し、処理液及び異物の基板外への除去を効果的にできるようにした。 （もっと読む）