【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板（ウエハ３）を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板エッチング装置１００は、エッチング液１１５を収容する容器１１０と、容器内に配置され、ガラス基板１２５が水平に安着する第１プレート１２０と、ガラス基板と向き合うように容器内に配置され、第１プレート上または第１プレート下でエッチング液を流動させる流動部１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物表面の加工前のプロファイルを測定し、気体又は液体から成るエッチング剤を前記表面に向けて所定の流量で供給する供給手段を、該表面上の各点において前記目的プロファイルと前記加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる速度で、該表面に沿って移動させることにより、該表面をエッチングし、前記流量のエッチング剤を除去可能な量以上の吸引量で、前記表面付近の液体又は気体を吸引除去する。ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】厚みに面内分布が生じていても均一にエッチングすることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を保持して回転させる載置台２２と、前記載置台２２に保持された被処理物にエッチング液を供給するエッチング液供給部６と、前記エッチング液が供給された被処理物の厚み、または前記エッチング液が供給された被処理物に形成された膜の厚み、を測定する測定部２５と、前記載置台２２と、前記エッチング液供給部６と、前記測定部２５と、を制御する制御部５とを備え、前記制御部５は、前記測定部２５による測定結果に基づいて、前記エッチング液供給部６に所定の範囲より厚い厚みの部分に対してエッチング液を供給させる。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハに形成する溝の深さを高精度に制御できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ２１に形成する溝の深さをモニタウェハ２２の貫通時間と追加エッチング時間により制御する。まず、所望の深さの溝をシリコンウェハ２１に形成する時間より短い時間で貫通するモニタウェハ２２を準備し、このモニタウェハ２２をシリコンウェハ２１と同時にエッチングする。続いて、モニタウェハ２２が貫通する時間（貫通時間）からエッチングレートを算出する。続いて、このエッチングレートから追加エッチング時間を割り出す。さらに、この追加エッチング時間でシリコンウェハ２１をエッチングすることで、実験によるエッチングレートに関する事前データに頼ることなく、リアルエッチングでシリコンウェハ２１に所望の深さの溝を正確に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ロットの処理不良を防止することができるとともに、ロット間における処理を均一化することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液交換後から薬液処理部ＣＨＢ２に第２搬送機構ＷＴＲが到達した後、薬液処理部ＣＨＢ２にてロットの処理を開始した時間を計時部２７が計時し、その経過時間とオーバータイムカウントとを判断部２９が比較する。経過時間がオーバータイムカウントを超えたと判断部２９が判断すると、報知部３３がオーバータイムアラームを報知する。したがって、許容時間内にロットを薬液処理部ＣＨＢ２で処理開始できなかったことをオペレータは知ることができる。よって、ロットの処理不良を防止することができる。またオーバータイムアラームが発生しない場合には、薬液交換からロットの処理までを一定時間内に収めることができるので、ロット間における処理を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板からの剥離物（例えば、レジストや金属膜）等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板１１を保持する基板保持部材１２と、これの回転駆動手段１４と、半導体基板１１に処理流体を噴射するノズル１５と、基板保持部材１２の周囲に設けられた飛散防止カバー１６とを有する半導体基板の処理装置１０において、飛散防止カバー１６の内側上部に、シャワーヘッダー１７を設け、飛散防止カバー１６の下方には、不要物３０を回収する取り外し式のメッシュ籠２９を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

本明細書において、固体照明デバイスおよび関連する製造方法を開示する。一実施形態において、固体照明デバイスは、Ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料、Ｎ型ＧａＮ材料から離間したＰ型ＧａＮ材料、ならびに直接Ｎ型ＧａＮ材料およびＰ型ＧａＮ材料の直接間にある窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料を備える発光ダイオードを含む。Ｎ型ＧａＮ材料、ＩｎＧａＮ材料、およびＰ型ＧａＮ材料のうちの少なくとも１つは、非平面を有する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。
【解決手段】 表面加工方法は、処理水中で光触媒活性を有する薄膜を被加工物の被加工面に対向配置し、薄膜に光を照射して薄膜上で酸化力を有する活性種を生成し、活性種と被加工面の原子とを化学反応させ、被加工面を溶出可能な化合物へと変化させて除去することにより、被加工面を平坦化する。表面加工方法は、温度Ｔ（Ｋ）、大気圧下における水への酸素の溶解度をモル分率χで表すと、モル分率χと温度Ｔ（Ｋ）とは、ｌｎχ＝−６６．７４＋｛８７．４８／（Ｔ／１００）｝＋２４．４５・ｌｎ（Ｔ／１００）の関係を有し、温度Ｔ（Ｋ）における処理水中の溶存酸素量Ｄ（ｍｇ／Ｌ）がＤ≧３．５５５×１０^５χとなる条件で化学反応を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程における不良の発生を減少させることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明によるエッチング装置は、基板が挿入または排出されるように開放された開口を有する複数のチャンバーと、前記各チャンバーの内部に設置されて、薬液を噴射する噴射部材と、前記各チャンバーの前記開口と隣接するように設置されて、前記開口に流通する気体を吸入する遮断部材と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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【課題】ティーチングのための作業者による作業を軽減することができ、かつ、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供すること。
【解決手段】ティーチング時においては、制御部によって、ステッピングモータが駆動される。そして、処理液ノズルがホームポジションに位置することが第１センサによって検出された時、および処理液ノズルが第１周縁相当位置に位置することが第２センサによって検出された時に、それぞれ、ステッピングモータの回転量が取得される。それら取得された回転量に基づいて、第１教示情報および第２教示情報が演算され、これら第１教示情報および第２教示情報がモータ制御部２１に登録される。 （もっと読む）

【課題】保守作業を簡易化してエッチング処理の効率を向上させることが可能なエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液を収納するエッチング槽１２と、エッチング槽１２に接続される駆動部２０、２２、２４と、駆動部の駆動部材の少なくとも一部に洗浄水を供給する洗浄部２８、３４とを備える。また、ひとつの実施形態で駆動部２０、２２、２４は、エッチング液を揺動させる揺動機構の揺動軸３６であり、前記揺動軸３６は軸受けプレート３５に覆われており、前記洗浄部２８、３４が、前記軸受けプレート２５の内部に前記洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 安価で注送圧力に脈動を発生させない羽根水車式のポンプを使用しながらも、エッチング液から発生するガスを注送ライン内及び注送ポンプ内から効果的に取り除き、エッチング液の循環を確保する機能を提供する。
【解決手段】 制御装置９は、遮断弁５Ａ，６Ａを開放し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを稼働させ、注送ラインＡを用いてエッチング槽１にエッチング液を循環供給する。流量センサ４からの信号を解析しエッチング液流量の低下が観測されると、制御装置９は遮断弁５Ａ，６Ａを遮断し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを停止する一方、遮断弁５Ｂ，６Ｂを開放し注送配管２Ｂ及び注送ポンプ３Ｂを稼働させて送ラインＢによるエッチング液の循環供給を行う。そして、注送ラインＡが停止している状態の下で、ガス抜きバルブ８Ａを開放し、注送配管２Ａ内及び注送ポンプ３Ａ内のガスを抜く。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に生成した反応生成物を速やかに被エッチング層から離すことにより、被エッチング面内においてエッチングレートが不均一になることを抑制する。
【解決手段】まず、基板３００に被エッチング層を形成する。次いで、被エッチング層上にマスクパターンを形成する。次いで、マスクパターンをマスクとして被エッチング層をウェットエッチングする。このウェットエッチングを行う工程において、マスクパターンを下側に向かせて基板３００をエッチング槽１００に浸漬させる。 （もっと読む）