【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理に際し、被処理物上の異物等を確実に、かつ被処理物等を損傷することなく検知する。
【解決手段】表面処理装置１の処理部３を被処理物９と対向させ、被処理物９に対し平面ＰＬと平行な移動方向に相対移動させる。処理部３に表面状態検知手段１０の回転体１２を設ける。表面状態検知手段１０の回転体１２は、好ましくは円筒体であり、その回転軸１２ａが、平面ＰＬと平行で上記移動方向と交差している。支持部１３によって、回転体１２を回転軸１２ａのまわりに回転可能に支持し、かつ回転軸１２ａを平面ＰＬと交差する方向に変位可能にする。回転体１２の回転を回転センサ２１で検知する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、半導体ウェーハの製造工程の増加を抑えながらエッジ部のロールオフを縮小できるようにする。
【解決手段】ウェーハの表面及び裏面に対してそれぞれエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程と、次いで、ウェーハの表面に研磨パッドを当ててウェーハの裏面から圧力を加えながら研磨パッドにより表面を鏡面に研磨仕上げする鏡面研磨工程とを備え、鏡面研磨工程前に、ウェーハの裏面のエッジ部をロールオフ加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハをエッチングする技術に関し、ウェーハの表面形状をより最適に制御することができるようにした、半導体ウェーハのエッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面にエッチング液を供給してエッチングを行なう半導体ウェーハのエッチング装置１において、エッチング反応をウェーハ表面の位置ごとに操作する反応操作装置２０を備える。該反応操作装置は、該ウェーハに熱を与える熱付与装置２１と、該熱付与装置が該ウェーハに熱を与える位置及び量を設定する熱設定装置とを有している。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理における水素の気泡によるエッチングのばらつきを低減させることができる、ウェットエッチング用の治具及びウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング用の治具３は、アルカリエッチング液２に浸漬させることでエッチングがなされる基板１１を保持するものである。本発明の治具３は、治具３に保持された基板１１の表面に対して相対的に移動することで基板１１の表面上の気泡１６を除去するワイパー１３を有する。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】必要な排気を確保しつつも、排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、ロットが搬送されて薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２にて処理されるタイミングがスケジュールにより予め判断できるので、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の状態に応じて各ダンパー３７，４１，４５，４９を操作し、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の排出口３５，３９，４３，４７から排出される排気流量を調整できる。その結果、処理に必要な排気を確保しつつも装置全体の排気量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】吸引管を有する真空エッチング装置において、吹き付けられたエッチング液が基板の走行方向に流れるため、基板のたてとよこのエッチングに差が生じる欠点を改良し、均一なエッチング特性を得ることのできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】吸引管４の開口部７を部分的な開口とし、ノズルから基板上に吹き付けられたエッチング液がバイアス状の流れ１０を形成する構造とした。これによってエッチング液は基板上を斜めの異なる方向にクロスして流れる流れ１０となり、よこ方向の回路間の残銅を少なくし、エッチングのたて／よこ比の改良が達成できる。 （もっと読む）

【課題】ラスタースキャン方式によりガラス基板等の被加工物の表面をエッチャントにより加工する際、加工ヘッドの副走査のピッチに合わせて大きなうねりが発生した。
【解決手段】加工ヘッド２のノズルをガラス基板の表面に液状のエッチャントを連続的に供給する供給口４４と、供給口４４のを取り囲む多数の排出孔４５により構成し、供給口４４から供給されたエッチャントを多数の排出孔４５より吸引して排出し、多数の排出孔４５の内側に流動するエッチャントにより形成されるエッチング領域により、ガラス基板の表面をラスタースキャン方式によりエッチング加工するための加工ヘッドであって、前記エッチング領域を、供給口４４を中心とする円周内に形成された第１のエッチング領域５３と、副走査方向の前後部にそれぞれ第１のエッチング領域５３から張り出した第２のエッチング領域５４とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は一つの軸に回転性と移動性が集中されないスキャニングアームを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体ウエーハ汚染物質捕集装置のスキャニングアームは、半導体ウエーハの汚染物質捕集装置のスキャニングアームにおいて、Ｘ軸部（１１）と；該Ｘ軸部（１１）に沿って前、後進移動するようにＸ軸部（１１）に垂直設置されたＺ軸部（１２）；および該Ｚ軸部（１２）で昇、下降するようにＺ軸部（１２）に設置されるＹ軸部（１３）から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１２に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Ｗの上面へ給液ノズル１６から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ１８からシリコン基板Ｗの下面側へ波長が１．２μｍ〜５．０μｍの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Ｗを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理前における、基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】主表面に複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理方法であって、基板の主表面に第１の処理液を供給し、基板の主表面に第１の処理液を付着させ、基板の主表面に第１の処理液が付着した状態で、第１の処理液よりも表面張力が大きい第２の処理液を基板の主表面に供給し、第２の処理液により基板の主表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】回転させた基板に処理液を供給して所定の処理を行い、しかも、基板から外方へ飛散する処理液を受け止める飛散防止部材を設けた基板処理装置および該装置の制御方法において、装置の異常を確実に検出する。
【解決手段】飛散防止部材を昇降させる一対のサーボモータ１１９のそれぞれにかかる負荷トルクを検出するトルク検出部５１２２を設ける。両サーボモータ１１９のいずれかにかかる負荷トルクが極端に小さいとき、および、両サーボモータ１１９の負荷トルク差が大きいとき、同期制御装置５１１は装置に異常があるものと判定してモータの駆動を停止する。 （もっと読む）

加工されるべき部分が予め定められたパターンに制限される表面加工は、（ａ）加工されるべき表面の領域であって、前記予め定められたパターンの部分を少なくとも覆う領域上に第一の試薬の層を提供する工程と；（ｂ）前記表面を加工するために必要とされる更なる試薬である一つ以上の更なる試薬を提供する工程と；（ｃ）前記予め定められたパターンに従って加工されるべき領域上に少なくとも一つの更なる試薬を塗布する工程と、により達成され、それにより、第一の試薬は予め定められたパターンの部分のみにおいて表面を加工すべく、一つ以上の更なる試薬と反応する。同加工は、二つ以上の成分を有するエッチャントが使用されるエッチングに特に適用可能である。その場合、少なくとも第一のエッチャント成分は表面上に適用され、かつ少なくとも一つの更なるエッチャント成分が予め定められたパターンに適用される。
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【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理を実行する前に処理空間１６２の湿度を低下させており、乾燥処理を低湿度雰囲気で行っているため、基板乾燥により基板表面にウォーターマーク等が発生するのを効果的に抑えることができる。また、乾燥性能を高めるために置換処理を行っているが、湿度が低下した処理空間でＩＰＡ液が蒸発するため、ＩＰＡ乾燥時に発生する気化熱に起因する乾燥不良を効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ２１には、超音波振動子１８の駆動電流値と、超音波ノズル４とウエハＷとの間の距離と、超音波ノズル４から供給される処理液流量と、ウエハＷ上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。ＣＰＵ２０は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー２４により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。ＣＰＵ２０は、その算出された駆動電流値で超音波振動子１８を駆動するように超音波発振器１７を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板毎或いはロット毎に好適な処理条件を自動設定して半導体基板の加工処理を行う半導体基板の処理方法および半導体基板の処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の処理方法であり半導体基板の処理方法であって、データ記録手段が、入力される半導体基板の各々の属性を表す属性データを半導体基板の個体識別符号に対応づけて記録媒体に記録する属性データ記録ステップと、制御手段が、半導体基板のうちの１つの個体識別符号を伴う着工指示を生成するステップと、処理条件設定手段が、着工指示に係る半導体基板に対応する属性データを記録媒体から抽出と、当該抽出属性データおよび半導体基板の属性に対応した複数の処理条件が設定された処理条件判断テーブルに基づき、複数の処理条件のうちから１つを選択する処理条件設定ステップと、加工手段が、当該選択された処理条件のもとで着工指示に係る半導体基板への加工ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの片面を保護して他の片面をエッチングまたはリンス処理を行うエッチング処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】基板のウェーハデバイス面を保護するため、界面部を純水で保護しながら、基板の界面部全般に純水による表面張力が均質にかかるように、純水受け皿底面を円錐状に加工し、円錐状の端面を基板の円周の内側とし、その外側は基板とフラットとの間に狭い隙間を形成させ、対向して複数にチャック止めされた基板と基板保護用純水の円錐状受け皿は設定された回転数で同軸により回転させ、純水の表面張力と回転による遠心速度をバランスさせることで、裏面エッチッグ液またはリンス水が下面に回り込まないようにして、下面になっているウェーハデバイス面のコンタミネーションを防止する。これら基板の乾燥はこの純水をクリーン窒素ガスに置換して基板の両面が乾燥するまで回転させることを特徴とする。 （もっと読む）