説明

Fターム[5F043EE40]の内容

ウェットエッチング (11,167) | 装置 (3,217) | その他 (181)

Fターム[5F043EE40]に分類される特許

121 - 140 / 181


【課題】 エッチング処理の時間およびエッチング終了から洗浄開始までの時間を短縮することにより、その間においてエッチングむらが生じにくいようにし、また設置面積を小さくする。
【解決手段】 エッチング液タンク9内のエッチング液2を処理槽1内に供給し、この供給されたエッチング液2をエッチング液タンク9内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽1内に配置された半導体ウエハ18に対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理が終了し、処理槽1内のエッチング液2をエッチング液タンク9内に回収したら、直ちに、純水供給管14から純水3を処理槽1内に供給し、処理槽1内に配置された半導体ウエハ18に対して洗浄処理を行なう。 (もっと読む)


【課題】減圧環境下で溶剤蒸気を発生させることにより、溶剤濃度を高くすることができ、基板に対する乾燥効率をより向上させることができるとともに、チャンバ内への窒素ガス等のキャリアガスの大量供給を行わないことにより、減圧時のチャンバ内圧力を精度よく制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】蒸気発生部37内を減圧させた状態でイソプロピルアルコールの蒸気を発生させ、チャンバ27内を蒸気雰囲気にさせ、基板Wを乾燥位置に移動させ、圧力計55が所定値となるように真空時排気ポンプ19を調整してチャンバ27内を減圧させる。大量のキャリアガスを用いることなく、蒸気発生部37内を減圧した状態で蒸気を発生させるので、蒸気濃度を高くすることができて基板Wの乾燥効率をより向上できる。キャリアガスの大量供給を行わないので、減圧時のチャンバ27内の圧力を精度よく制御できる。 (もっと読む)


【解決手段】 本発明は、材料表面の湿式化学処理に関する。本発明は特に、プリント回路板技術における処理を加速させる構造に関する。本発明の方法によると、処理流体のパルス型吹付け噴流が生成され、被処理材料へ誘導される。これにより、被処理構造の表面への著しい衝撃作用を発生させ、必要な処理時間が大幅に短縮される。パルスとパルスとの間の一時中止時間中は、構造の溝からの処理流体の流出が圧力を受けず、加速されるため、構造の側面または回路板の導体の湿式化学処理量は先行技術と比べて少なくなる。化学エッチングの場合、結果としてアンダーカットが少なくなる。
(もっと読む)


【課題】 接合部の強度に優れ、空孔による悪影響が実質的に存在しない良好な接合状態を有する接合部を有する管状体を提供する。
【解決手段】 管状部材(A)と管状部材(B)とが接合した接合部を有する管状体であって、上記(A)と上記(B)の少なくとも一方が、溶融加工性樹脂からなる層を2層以上有する積層管であり、上記積層管を構成する少なくとも1つの層が溶融加工性含フッ素樹脂からなり、上記管状体は、各層の厚みが式(1)〜(3)(1) T1 > T2(2) T1 < T2(3) T1 > T1(各式中、T1は、上記(A)と上記(B)との接合面における最内層の厚みを表し、T2は、上記接合部以外の部分における最内層の厚みを表し、T1は、上記接合面における最内層以外の層の厚みの合計を表し、T2は、上記接合部以外の部分における最内層以外の層の厚みの合計を表す。)で表される関係を有する管状体。 (もっと読む)


【課題】処理液供給管を介してチャンバーに処理液を供給した後に、この処理液供給管から処理液の液滴を除去することができる基板処理ユニットおよび基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー10の上流側に処理液供給管20,21,22が接続されている。この処理液供給管20,21,22からそれぞれ第1の処理液および第2の処理液をチャンバー10内に送るようになっている。また、処理液供給管22に供給側ガス供給弁25が介設され、さらに供給側ガス供給弁25にガスを送る供給側ガス供給部80が設けられている。 (もっと読む)


【課題】コストアップを招くことなく、基板の表面に対する処理液の供給の均一性を確保しつつ、処理液の消費量、および基板への処理液の再付着の低減を図ることができる、処理液供給用ノズルおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル3は、筒状の保持部材7と、保持部材7に挿通された処理液吐出管8とを備えている。保持部材7は、先端側ほど中心軸線から離れるように拡開するフレア形状に形成されており、その先端を斜め下方に向けた状態に配置されている。処理液吐出管8は、長方形環状の断面形状を有している。処理液吐出管8の先端部は、保持部材7と非接触に設けられ、吐出口10の長手方向と直交する方向に遊動可能な遊端部9となっている。そして、ガス流通路13に窒素ガスを流すことにより、処理液吐出管8の先端部が上下方向に揺動されながら、処理液吐出管8の吐出口10から処理液がウエハWに向けて吐出される。 (もっと読む)


【課題】半導体プロセス機器から排出される使用済みの半導体プロセス流体を効率よく回収して有効に再生することができるプロセス流体回収方法およびプロセス流体回収装置を提供する。
【解決手段】 半導体プロセス機器の排出口から再生ラインに使用済みプロセス流体を通流させ、前記半導体プロセス機器の排出口から前記使用済みプロセス流体を再生し、 前記再生ラインに接続された流体センサで前記使用済みプロセス流体の状態を測定し、前記流体センサから制御器へ前記プロセス流体の状態を表わす信号を送るとともに、該信号が所定範囲内にあることを設定し、前記信号が前記所定範囲内に入る場合は前記半導体プロセス機器に前記使用済みプロセス流体を回収し、また前記信号が前記所定範囲から外れる場合は前記使用済みプロセス流体の少なくとも一部をシステムドレインに流す。 (もっと読む)


【課題】基板を浸漬させて処理する薬液の劣化を正確に把握する。
【解決手段】基板を薬液に浸漬して基板の表面に形成された溶解層を除去する基板処理装置に、処理槽において除去された溶解層物質の総量を示す指標値情報120を演算する演算部16と、記憶装置12に記憶された溶解層物質の閾値情報121と演算部により求めた指標値情報120とを比較して処理槽における薬液の劣化を判定する判定部17とを設ける。そして、ドライバ18は判定部17の判定結果情報122に応じて、液供給機構4、バルブ群5およびポンプ6を制御して処理槽の薬液を交換する。 (もっと読む)


【課題】装置構成に合わせて、最終的なゲート電極の寸法が均一になるように複数の工程を管理して、ゲート電極の加工寸法のウエハ面内ばらつきを最小化することができる製造技術を提供する。
【解決手段】第1のプロセス装置101と、1つ以上後の第2のプロセス装置111とを有する半導体製造システムを用い、プロセス装置101で処理されたウエハ105の計測データを基に、ウエハ上に形成された薄膜膜厚もしくは構造体の高さがウエハ面内で均一になるように、プロセス装置111におけるウエハ115の処理方向を制御する。すなわち、ゲート寸法のモデル式にしたがいゲート電極の下地構造形成時のウエハ処理方向を制御(または素子分離等の下地構造を考慮して露光装置においてレジスト転写形成時にショット毎にドーズ量を制御)することで、エッチング加工後のゲート長をウエハ面内で均一化する。 (もっと読む)


【課題】 基板などの被処理物に付着した異物(析出物など)を好適に除去することが可能な液体エッチング式表面処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液を用いて被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング室2と、エッチング処理後の被処理物に対する水洗処理を行う水洗室3と、エッチング室2から水洗室3に被処理物を搬送する複数の搬送ローラー4を備える。被処理物において搬送ローラー4に接触する面に付着した異物を水洗室3内において力学的に掻き落とす回転式ブラシ5を備える。 (もっと読む)


【課題】処理液を供給する外部給液管をチャンバ内に設けられた内部給液管に、チャンバの後板に溶接を行なわずに液密に接続できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】チャンバ25と、処理液をチャンバへ供給する外部給液管27と、外部給液管に供給された処理液をチャンバ内に導入する内部給液管28と、チャンバの側板に形成された開口部31で外部給液管と内部給液管を液密に接続する第1の接続部26を具備し、第1の接続部は、外部給液管の端部が溶接される外部フランジ32と、内部給液管の端部が溶接される内部フランジ33と、外部フランジと内部フランジをねじ止め固定するねじ42と、一方のフランジとチャンバの側板との液密状態を確保する第1のシール材37と、第1のフランジと第2のフランジとの開口部で対向する面の液密状態を確保する第2のシール材38とを具備する。 (もっと読む)


【課題】流路抵抗が変動することに着目して、チェッキ弁の離脱を判断することができるベローズポンプ及びこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】ポンプ本体9のチェッキ弁21〜24が破損して離脱すると、ベローズ19,20へ吸引またはベローズ19,20から吐出される液体の流路抵抗が小さくなる。したがって、一対のベローズ19,20が収縮する際の動作時間が短くなる。これを一対の近接センサ37で検出することができるので、チェッキ弁21〜24が破損して離脱したと制御部39が判断することができる。 (もっと読む)


【課題】チャンバの高重量化を招くことなく、剛性を向上させることができるようにした基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理するチャンバを有する処理装置であって、
チャンバ11は、前面板12、背面板13、一対の側板14、底板15及び天板16によって箱型状に形成されていて、背面板の外面には背面板を補強する補強枠22が設けられ、底板と天板の外面にはこれらを補強する補強部材24,25が設けられている。 (もっと読む)


【課題】チャンバに形成された開口部を内カバーによって確実に密閉できるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に搬入された基板を処理するためのチャンバ5と、チャンバの一側面に形成された開口部6を開閉する内カバー15と、内カバーの内面の周辺部に設けられ内カバーを閉じたときにチャンバの一側面の開口部の周辺部に接触するシール材24と、チャンバの一側面の開口部の周辺部に周方向に所定間隔で設けられ内カバーを閉じたときに内カバーの周辺部の複数箇所を押圧保持してシール材をチャンバの一側面に圧接させるとともに内カバーを押圧する押圧力の調整が可能な複数のクランパ27を具備する。 (もっと読む)


【課題】 四辺形基板の洗浄仕上がりの質の向上と、洗浄作業効率の向上を達成することのできる四辺形基板洗浄装置を提供することを目的とする
【解決手段】 四辺形の基板を洗浄する四辺形基板洗浄装置において、四辺形の相対する2辺で基板Wを支持するエル字形支持部材404A〜Dであって、基板Wの底面W3を支持する底面支持部411と、側面W2を支持する側面支持部412とをそれぞれ有する少なくとも2個のエル字形支持部材と、基板Wの表面W1を洗浄する、エル字形支持部材の鉛直方向上方に配置された回転する表面洗浄ロール402とを備える。 (もっと読む)


【課題】膜の種類に適した処理方法を迅速に判断してエッチング、洗浄等の処理を行える基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種を登録できかつ基板の下面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種を登録でき、また処理される前記基板の上面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角を登録できかつ処理される基板の下面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角を登録できる登録部11と、前記登録部に登録された膜種及び接触角の情報に基づいて前記処理液供給機構及び前記基板回転機構の動作を制御する制御部13とを備え、前記登録された被膜の処理液に対する接触角に基づいて処理を制御する。 (もっと読む)


【課題】電解メッキ法により半導体基板上に形成された金属膜の膜厚を、半導体基板の全面に亘って均一にする。
【解決手段】電解メッキ法により金属膜103が形成された半導体基板101を回転させながら、金属膜103用のエッチング液を第1の流速で金属膜103の外周領域に供給した後、引き続き第1の流速よりも小さい第2の流速でエッチング液を供給する。 (もっと読む)


【課題】薬液弁を流路ブロックに取り付けた薬液供給ユニットを実現するために使用される流路ブロックを提供すること。
【解決手段】本発明の流路ブロックは、直方体の一面に2つのポート36が形成され、2つのポート36を連通する曲線状の連通路37を有する。例えば、2つのポート36及び連通路37が、一体成形されたチューブ形状のチューブ部材30であって、直方形のブロック部材20に装着されて曲線状の連通路37を形成する。 (もっと読む)


【課題】個々の基板または所定枚数の基板群に対して適切な内容の基板処理を施すこと。
【解決手段】この基板処理装置は、基板に対して処理を施すための処理ユニット11〜14と、基板処理の内容(処理手順、処理条件)を表すレシピデータを保持するメインコントローラ51とを備えている。処理ユニット11〜14には、メインコントローラ51と通信可能に接続されたユニットコントローラ41〜44と、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段とが設けられている。ユニットコントローラ41〜44は、メインコントローラ51からレシピデータを受信し、そのレシピデータに対して、状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成する。この最終実行レシピデータに従って基板処理が行われる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で基板を処理液で処理したり、カップ体と処理槽を洗浄液で洗浄できる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽1と、処理槽内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル16を内部に有するカップ体2と、先端に回転テーブルに保持された基板を処理する処理液を噴射する処理用ノズル58が設けられた第1のアーム体56と、先端に処理槽及びカップ体を洗浄する洗浄液を噴射する洗浄用ノズル59が設けられた第2のアーム体57と、処理槽に設けられ第1のアーム体と第2のアーム体との基端が取り付けられた可動体51と、可動体を駆動して第1のアーム体に設けられた処理用ノズルをカップ体の上方に位置決めして基板を処理液で処理するプロセス状態と、第2のアーム体に設けられた洗浄用ノズルをカップ体の上方に位置決めしてカップ体と処理槽を洗浄液で洗浄する洗浄状態とに切り換える回転駆動源52とを具備する。 (もっと読む)


121 - 140 / 181