基板処理装置および基板処理方法
【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間162の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。
【解決手段】処理空間162の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、基板の表面に処理液を供給して処理液により基板を湿式処理した後に基板を乾燥する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(電界放出ディスプレイ:Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【0002】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理が行われた後、基板表面に付着するリンス液を除去すべく、乾燥処理が実行される。例えば特許文献1に記載の装置は、基板を水平姿勢にて保持するベース部材と、ベース部材を回転させるモータと、ベース部材に対向して設けられた遮断部材と、遮断部材を回転させるモータと、ベース部材に保持された基板Wの周囲を取り囲むカップとを備えており、次のようにして薬液処理、リンス処理および乾燥処理を実行する。この装置では、搬送ロボットによって未処理の基板がベース部材に渡されて保持されると、遮断部材がベース部材に近接して基板の上方を覆うとともに、カップがベース部材および遮断部材の周囲を囲むように位置する。その後、ベース部材および遮断部材を回転させながら基板に対して薬液による薬液処理および純水によるリンス処理が行われる。そして、純水によるリンス処理が終了した後、基板をそのまま回転させ続けて基板に付着した水滴を遠心力によって振り切る(乾燥処理)。この装置では、遮断部材により基板表面を覆った状態で窒素ガスなどの不活性ガスが基板と遮断部材の間に供給され、不活性ガス雰囲気で乾燥処理が実行されるため、ウォーターマークの発生を抑制して基板処理を良好に行うことが可能となっている。
【0003】
【特許文献1】特許第3474055号公報(図1)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の発明では、遮断部材を基板に近接させた状態のままベース部材および遮断部材が回転して基板の乾燥処理を行っているため、遮断部材の駆動用モータや該モータの駆動力を伝達させる駆動力伝達機構などが必要となり、これが基板処理装置の製造コストの増大要因のひとつとなっていた。また、上記基板処理装置を装備する基板処理システムのプットプリントを低減させるために、基板処理装置の積層配置が提案されているが、遮断部材の駆動用モータや駆動力伝達機構の存在がそれを阻害する要因のひとつとなっていた。というのも、遮断部材の駆動用モータや駆動力伝達機構は遮断部材の上方位置に配設せざるを得ず、その分だけ装置が上下方向に大型化する傾向にあったためである。そこで、遮断部材を回転させることなく基板処理を行うことも検討されている。しかしながら、遮断部材を静止したまま基板処理すると、基板表面にウォーターマーク等が発生してしまい、基板を良好に処理することができなかった。
【0005】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
この発明にかかる基板処理装置は、基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後に、基板を乾燥させる基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持され、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる気体供給手段と、処理空間の湿度が規定湿度を超えている間基板乾燥の実行を規制する一方、処理空間の湿度が規定湿度以下となったときに基板乾燥を実行する制御手段とを備えたことを特徴としている。
【0007】
また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式工程と、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる湿度低下工程と、湿度低下工程により処理空間の湿度が所定の規定湿度以下となった後に基板を乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴としている。
【0008】
このように構成された発明(基板処理装置および方法)では、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体が供給されることによって基板表面に接する処理空間の湿度が低下していくが、処理空間の湿度が所定の規定湿度を超えている間、基板乾燥が実行されない。そして、処理空間が規定湿度以下となって十分に低湿度雰囲気となると、その低湿度雰囲気状態で基板乾燥が実行される。その結果、基板表面でのウォーターマーク等の発生が抑制されつつ基板が乾燥される。なお、乾燥気体としては、相対湿度が10%以下の不活性ガス、相対湿10.5%(露点温度が約−10゜C)以下に減湿された低露点空気などを用いるのが望ましい。
【0009】
ここで、気体供給手段としては、次のような構成を有するものを採用することができる。例えば、基板保持手段に保持された基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺のクリーンエアをファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、クリーンエアよりも低湿度の気体を乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、クリーンエアと乾燥気体のいずれか一方を選択的にファンフィルタユニットに送り込みファンフィルタユニットにより基板表面に供給可能となっているものを、上記気体供給手段として用いてもよい。そして、制御手段が気体供給手段を制御することによって、湿式処理中にはクリーンエアを基板表面に向けて供給する一方、基板乾燥前には乾燥気体の供給に切り替えるように構成してもよい。この場合、基板乾燥前にのみ乾燥気体を供給しているため、乾燥気体の使用量が抑制されてランニングコストが低減される。
【0010】
また、ファンフィルタユニットを制御して湿式処理中での処理空間へのクリーンエアの供給量を基板乾燥前での乾燥気体の供給量よりも多くすると、湿式処理時に処理空間内で発生する処理液雰囲気が効率よく処理空間から排出される。このため、処理液のミストなどが処理空間に残留して基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥をさらに良好に行うことができる。
【0011】
また、処理空間からの排気量を調整する排気調整手段をさらに設け、当該排気調整手段を制御して湿式処理中での処理空間へのクリーンエアの供給量を基板乾燥前での乾燥気体の供給量よりも多くすることができる。これによって、上記発明と同様に、湿式処理時に処理空間内で発生する処理液雰囲気が効率よく処理空間から排出される。このため、処理液のミストなどが処理空間に残留して基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥をさらに良好に行うことができる。また、乾燥処理の前に、処理空間からの排気量を抑えることで処理空間内の湿度が効率よく低下して処理空間の湿度が規定湿度以下となるまでに要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【0012】
また、基板乾燥前に処理空間の湿度に応じてファンフィルタユニットを制御することによって基板表面に供給する乾燥気体の供給量を調整してもよい。このような供給量調整によって処理空間の湿度が短時間で規定湿度に達することとなり、スループットを向上させることができる。
【0013】
また、気体供給手段としては、上記したファンフィルタユニットを用いたもの以外に、乾燥気体供給ノズルを用いたものを採用してもよい。すなわち基板保持手段に保持された基板の上方側から乾燥気体を基板表面に向けて吐出する乾燥気体供給ノズルを気体供給手段に設け、基板乾燥前に乾燥気体供給ノズルからの乾燥気体の吐出量を制御して処理空間への乾燥気体の供給量を制御するように構成してもよい。このように乾燥気体の供給量制御によって処理空間の湿度を適切に、かつ短時間で規定湿度以下に調整することができ、スループットを向上させることができる。
【0014】
また、処理空間の湿度を制御するために、処理空間の湿度を検出する第1湿度検出手段を設けて第1湿度検出手段の検出結果から処理空間の湿度を直接求めるように構成したり、処理空間から排気される排気ガスの湿度を検出する第2湿度検出手段を設けて第2湿度検出手段の検出結果から処理空間の湿度を間接的に求めるように構成してもよい。いずれの場合にも、検出結果に基づき処理空間の湿度が規定湿度以下か否かを判定して基板乾燥を制御することによって基板乾燥を良好に行うことができる。
【0015】
さらに、処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板の表面に供給して基板表面上の処理液を低表面張力溶剤に置換する溶剤供給手段を設け、低表面張力溶剤への置換後に、低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させるように構成してもよい。このように低表面張力溶剤を用いることによって乾燥性能を高めることができる。このようにして基板表面上の処理液を低表面張力溶剤に置換する場合には後述するように低表面張力液の乾燥時に発生する気化熱に起因して乾燥不良を起こしやすくなる。しかしながら、低表面張力溶剤への置換中に乾燥気体を処理空間に供給し、処理空間の湿度を十分に低下させた状態で低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させることによって、乾燥不良を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【0016】
この発明によれば、処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して処理空間の湿度を低下させていくが、処理空間の湿度が所定の規定湿度を超えている間、基板乾燥の実行を規制することによって乾燥不良を未然に防止することができる。そして、処理空間の湿度が規定湿度以下となり、処理空間が十分に低湿度雰囲気となった状態で乾燥処理を実行しているため、確実に基板表面を良好に処理することができる。また、遮断部材を回転させる必要がなくなり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
図1は本発明を好適に適用することのできる基板処理システムを示す図である。より詳しくは、図1(a)は基板処理システムの上面図であり、図1(b)は基板処理システムの側面図である。この基板処理システムは、半導体ウエハ等の円盤状の基板Wに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の基板処理装置としての処理ユニットを複数備える処理システムである。この基板処理システムは、基板Wに対して処理を施す基板処理部PPと、この基板処理部PPに結合されたインデクサ部IDと、処理流体(液体または気体)の供給/排出のための構成を収容した処理流体ボックス11、12とを備えている。
【0018】
インデクサ部IDは、基板Wを収容するためのカセットC(複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)など)を複数個保持することができるカセット保持部21と、このカセット保持部21に保持されたカセットCにアクセスして、未処理の基板WをカセットCから取り出したり、処理済の基板をカセットCに収納したりするためのインデクサロボット22とを備えている。
【0019】
各カセットCには、複数枚の基板Wが「ロット」という一単位で収容されている。複数枚の基板Wはロット単位で種々の基板処理装置の間に搬送され、各基板処理装置でロットを構成する各基板Wに対して同一種類の処理が施される。各カセットCは、複数枚の基板Wを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚(図示省略)を備えており、各段の棚に1枚ずつ基板Wを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Wの下面の周縁部に接触し、基板Wを下方から保持する構成となっており、基板Wは表面(パターン形成面)を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットCに収容されている。
【0020】
基板処理部PPは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット(基板搬送装置)13と、この基板搬送ロボット13が取付けられたフレーム30とを有している。このフレーム30には、図1(a)に示すように、水平方向に複数個(この実施形態では4個)の処理ユニット1A、2A、3A、4Aが基板搬送ロボット13を取り囲むように搭載されている。この実施形態では、処理ユニット1A〜4Aとして例えば半導体ウエハのようなほぼ円形の基板Wに対して所定の処理を施す処理ユニットがフレーム30に搭載されている。また、図1(b)に示すように、各処理ユニットの下段にはそれぞれもう1つの処理ユニットが設置されている。すなわち、処理ユニット1A〜4Aの下段に、処理ユニット1B〜4Bがそれぞれ設けられており、上下2段の積層構造が採用されている。
【0021】
基板搬送ロボット13は、インデクサロボット22から未処理の基板Wを受け取ることができ、かつ処理済の基板Wをインデクサロボット22に受け渡すことができる。より具体的には、例えば、基板搬送ロボット13は、当該基板処理部PPのフレーム30に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接/離間する方向に進退可能に構成されている。このような構成により、基板搬送ロボット13は、インデクサロボット22および処理ユニット1A〜4A、1B〜4Bのいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Wの受け渡しを行うことができる。
【0022】
インデクサロボット22は、装置全体を制御する制御部により指定されたカセットCから未処理の基板Wを取り出して基板搬送ロボット13に受け渡すとともに、基板搬送ロボット13から処理済の基板Wを受け取ってカセットCに収容する。処理済の基板Wは、当該基板Wが未処理の状態のときに収容されていたカセットCに収容されてもよい。また、未処理の基板Wを収容するカセットCと処理済の基板Wを収容するカセットCとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットCとは別のカセットCに処理済の基板Wが収容されるように構成してもよい。
【0023】
次に、上記した基板処理システムに搭載される処理ユニットの実施形態について説明する。なお、図1の基板処理システムでは、8個の処理ユニットが搭載されているが、これらの処理ユニットはいずれも以下に説明する処理ユニット100と同一の構造とすることができる。
【0024】
図2は本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第1実施形態を示す図である。また、図3は図2の処理ユニットを制御する電気的構成を示すブロック図である。この処理ユニット100は、半導体ウエハ等の基板Wの表面に付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の処理ユニットである。より具体的には、基板表面に対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やDIW(脱イオン水:deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施し、さらに基板W上のリンス液をIPA(isopropyl alcohol:イソプロピルアルコール)液で置換した後に、基板Wを乾燥させる装置である。
【0025】
この処理ユニット100では、処理チャンバー102の天井部分にファンフィルタユニット(FFU)104が配置されている。このファンフィルタユニット104はファン104aおよびフィルタ104bを有している。この実施形態では、ファンフィルタユニット104に対して装置周辺のクリーンエアを供給するための供給配管190が接続されている。すなわち、供給配管190の一方端はクリーンルーム内の大気に取り込み可能に開口する一方、他方端はファンフィルタユニット104の上端部に接続されている。また、供給配管190には、CR大気用の開閉弁192が介挿されている。このため、処理ユニット全体を制御するユニット制御部118からの動作指令に応じてCR大気用弁192が開くことでファン104aの回転速度に応じた量のクリーンルーム内の大気、つまりクリーンエアをファンフィルタユニット104に供給可能となる。逆に、CR大気用弁192が閉じることでファンフィルタユニット104へのクリーンエアの供給が規制される。このように、本実施形態では、供給配管190とCR大気用弁192により本発明の「クリーンエア供給部」が構成されている。
【0026】
また、このファンフィルタユニット104の上端部は供給配管194により工場のユーティリティ等で構成されるCDA(低露点空気:Clean Dry Air)供給源に接続されている。この供給配管194には乾燥気体用の開閉弁196が介挿されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じて乾燥気体用弁196が開くことでファン104aの回転速度に応じた量の低露点空気が本発明の「乾燥気体」としてファンフィルタユニット104に供給される。逆に、乾燥気体用弁196が閉じることでファンフィルタユニット104への低露点空気の供給が規制される。この実施形態で使用する低露点空気は、クリーンエアよりも低湿度の空気であり、相対湿度10.5%(露点温度が約−10゜C)以下に減湿された低露点空気を用いている。このように、本実施形態では、供給配管194と乾燥気体用弁196により本発明の「乾燥気体供給部」が構成されており、CDA供給源からの低露点空気を本発明の「乾燥気体」として用いているが、クリーンルーム内の大気を基板処理に適合するように調湿・調温するCDA供給ユニットを乾燥気体供給部として装置内に設け、ユニット制御部118の動作指令に応じてCDA供給ユニットから低露点空気を供給するように構成してもよい。
【0027】
このように本実施形態では、ファンフィルタユニット104と、クリーンエア供給部(供給配管190+CR大気用弁192)と、乾燥気体供給部(供給配管194+乾燥気体用弁196)とにより本発明の「気体供給手段」が構成されており、2つの開閉弁192、196を開閉制御することによってクリーンエアと低露点空気のいずれか一方を選択的にファンフィルタユニット104に送り込み可能となっている。
【0028】
このファンフィルタユニット104では、上記のようにして送り込まれた気体がファン104aによってフィルタ104bに向けて送られて当該フィルタ104bで清浄された後に処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる。この実施形態では、ファン104aはファン調整機構198に接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてファン調整機構198がファン104aを駆動制御することによりファンフィルタユニット104から処理チャンバー102の中央空間への気体供給量を制御可能となっている。
【0029】
この中央空間にはスピンチャック106が配置されている。このスピンチャック106は基板表面を上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるものである。また、このスピンチャック106では、回転支軸108がモータを含むチャック回転機構110の回転軸に連結されており、チャック回転機構110の駆動によりスピンチャック106が回転軸(鉛直軸)回りに回転可能となっている。これら回転支軸108およびチャック回転機構110は、円筒状のケーシング114内に収容されている。また、回転支軸108の上端部には、円盤状のスピンベース116が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、ユニット制御部118からの動作指令に応じてチャック回転機構110を駆動させることによりスピンベース116が回転軸回りに回転する。また、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御してスピンベース116の回転速度を調整する。
【0030】
スピンベース116の周縁部付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン120が立設されている。チャックピン120は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース116の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン120のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部とを備えている。また、各チャックピン120は、基板保持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【0031】
スピンベース116に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン120を解放状態とし、後述する基板処理を基板Wに対して行う際には、複数個のチャックピン120を押圧状態とする。このように押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン120は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース116から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Wはその表面を上方に向け、裏面を下方に向けた状態で支持される。なお、基板保持機構としてはチャックピン120に限らず、基板裏面を吸引して基板Wを支持する真空チャックを用いてもよい。
【0032】
スピンチャック106により保持された基板Wの上方位置には、2種類のノズルアーム122、124が水平面内で揺動自在に設けられている。一方のノズルアーム122の先端部に薬液供給ノズル126とリンス液供給ノズル128が取り付けられている。また、他方のノズルアーム124の先端部にIPA液供給ノズル130と窒素ガス供給ノズル132が取り付けられている。
【0033】
これら4つのノズルのうち薬液供給ノズル126は薬液供給ユニット134(図3)と接続されている。この薬液供給ユニット134はフッ酸またはBHF(Buffered Hydrofluoric acid:バッファードフッ酸)などの基板洗浄に適した薬液をノズル126側に供給可能となっている。そして、ユニット制御部118からの指令に応じて薬液供給ユニット134が薬液供給ノズル126に向けて薬液を圧送すると、ノズル126から薬液が基板Wに向けて吐出される。また、薬液供給ノズル126と同様に、リンス液供給ノズル128にもリンス液供給ユニット136(図3)が接続されており、薬液処理された基板Wに向けてリンス液を吐出させてリンス処理を実行可能となっている。そして、これらのノズル126、128が取り付けられたノズルアーム122にはノズルアーム移動機構138が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構138が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル126、128は移動可能となっている。さらに、吐出領域においても、ノズルアーム移動機構138によりノズル126、128は基板表面の中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【0034】
また、IPA液供給ノズル130はIPA液供給ユニット140(図3)と接続されている。このIPA液供給ユニット140は100%IPA液あるいは純水で希釈したIPA液をノズル130側に供給可能となっている。そして、ユニット制御部118からの指令に応じてIPA液供給ユニット140がIPA液供給ノズル130に向けてIPA液を圧送すると、ノズル130からIPA液が基板Wに向けて吐出される。このようにIPA液供給ノズル130が本発明の「溶剤供給手段」として機能しており、薬液やリンス液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤としてIPA液を基板Wの表面中央部に供給可能となっている。また、IPA液供給ノズル130と同様に、窒素ガス供給ノズル132に窒素ガス供給ユニット142(図3)が接続されており、窒素ガスを基板Wに向けて吐出可能となっている。そして、これらのノズル130、132が取り付けられたノズルアーム124にはノズルアーム移動機構144が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構144が駆動されることで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル130、132は移動可能となっている。
【0035】
なお、この実施形態では、回転支軸108は中空管構造を有しており、リンス液供給ユニット136からリンス液が供給されて回転支軸108の内部空間に配置されたノズルの上端部に形成されたノズル孔(図示省略)からリンス液を基板裏面に向けて吐出することが可能となっている。
【0036】
ケーシング114の周囲には、受け部材146が固定的に取り付けられている。この受け部材146には、円筒状の仕切り部材が3個立設されている。そして、これらの仕切り部材とケーシング114の組み合わせにより3つの空間が排液槽148a〜148cとして形成されている。また、これらの排液槽148a〜148cの上方にはスプラッシュガード(カップ)150がスピンチャック106に水平姿勢で保持されている基板Wの周囲を包囲するようにスピンチャック106の回転軸に沿って昇降自在に設けられている。このスプラッシュガード150は回転軸に対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック106と同心円状に径方向内側から外側に向かって配置された2つのガードを備えている。そして、ガード昇降機構152の駆動によりスプラッシュガード150を段階的に昇降させることで、回転する基板Wから飛散する薬液やリンス液などを分別して排液させることが可能となっている。
【0037】
また、排液槽148aには、図2に示すように排気管160の一方端が接続されている。この排気管160の他方端は図示を省略する排気装置に接続されている。このため、排気管160を介して排液槽148aおよび処理空間162を排気可能となっている。しかも、この実施形態では、排気管160に排気調整機構164が介挿されており、ユニット制御部118からの指令に応じて排気調整機構164が処理空間162からの排気量を調整可能となっている。ここで、排気装置として、図1の基板処理システムを設置する工場の用力を用いてもよいし、また同システム内に真空ポンプや排気ポンプなどの排気ユニットを設けてもよい。いずれの排気装置を用いた場合であっても、排気管160を介して処理空間162を確実に排気可能となっている。なお、上記した処理空間162とは、スプラッシュガード150がスピンチャック106に保持された基板Wの周囲を取り囲むことで形成される空間内で基板表面と接した空間であり、当該処理空間162で薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理が実行される。
【0038】
次に、上記のように構成された処理ユニット(基板処理装置)100の動作について図4および図5を参照しつつ詳述する。図4は図1の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。図5は図1の処理ユニットの動作を示す模式図である。この実施形態では、ユニット制御部118がメモリ(図示省略)に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御して基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理を施す。これらのうち薬液処理およびリンス処理が本発明の「湿式処理」に相当しており、薬液処理ではフッ酸などの薬液が本発明の「処理液」として、またリンス処理ではDIWなどのリンス液が本発明の「処理液」として用いられる。
【0039】
ユニット制御部118はスプラッシュガード150を降下させてスピンチャック106をスプラッシュガード150の開口部150aから突出させる。このとき、両ノズルアーム122、124ともスプラッシュガード150の外側に退避している。そして、この状態で基板搬送ロボット13により未処理の基板Wが処理チャンバー102内に搬入される。より具体的には、基板表面を上方に向けた状態で基板Wが装置内に搬入され、スピンチャック106に保持される。この基板搬入動作と同時あるいは搬入後に、CR大気用弁192は開成される一方、乾燥気体用弁196は閉成されてファンフィルタユニット104にクリーンエアが送り込まれ、フィルタ104bで清浄された後に処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる(ステップS1)。これに続いて、図5(a)に示すように、スプラッシュガード150が1段階上昇されるとともに基板Wに対して薬液処理およびリンス処理が実行された(ステップS2)後にパドル形成処理が実行される(ステップS3)。
【0040】
薬液処理では、薬液供給ノズル126が基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構138がノズルアーム122を移動させるとともに、チャック回転機構110の駆動によりスピンチャック106に保持された基板Wを200〜1200rpmの範囲内で定められる回転速度(例えば800rpm)で回転させる。また、薬液供給ユニット134がフッ酸を薬液として薬液供給ノズル126に向けて圧送して当該ノズル126から基板表面に供給する。こうして基板表面の中央部に供給されたフッ酸は遠心力により径方向に広げられ、フッ酸による基板表面のエッチング処理(薬液処理)が実行される。
【0041】
薬液処理が完了すると、リンス液供給ノズル128が薬液供給ノズル126と入れ替わって基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構138がノズルアーム122を移動させる。そして、リンス液供給ノズル128からリンス液が吐出される。また、回転支軸108の上端部に形成されたノズル孔(図示省略)からリンス液が基板裏面に向けて吐出される。こうして基板表裏面に吐出されたリンス液は基板Wの回転の遠心力によって基板Wの表裏全面に拡がり、リンス液によるリンス処理が行われる。なお、この実施形態では、リンス処理の最終時点では、基板Wの回転速度は300rpmに減速されている。
【0042】
上記した薬液処理およびリンス処理時においては、ユニット制御部118はファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を高めて処理空間162に対して比較的大容量のクリーンエアを送り込んでいる。また、排気調整機構164により、処理空間162から比較的大容量の排気が行われている。このため、上方からの大容量のクリーンエア供給によって、薬液処理およびリンス処理中に発生する処理液のミストが上方に飛散して装置各部に付着するのを防止することができる。また、処理液(薬液およびリンス液)で形成される雰囲気、つまり処理液雰囲気を効率よく処理空間162から排出することができる。
【0043】
リンス処理が終了すると、次にパドル形成処理が実行される。すなわち、ユニット制御部118は、リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも遅い回転速度(この実施形態では5rpm)に減速する。これによって、リンス液供給ノズル128から吐出されるリンス液が基板表面に溜められてリンス液膜がパドル状に形成される(パドル形成処理)。なお、パドル形成処理時の回転速度は5rpmに限定されるものではないが、リンス液に作用する遠心力がリンス液と基板表面との間で作用する表面張力よりも小さくなるという条件が満足する範囲で回転速度を設定する必要がある。というのも、リンス液の液膜をパドル状に形成するためには、上記条件の充足が必須だからである。
【0044】
こうしてパドル形成が完了すると、ユニット制御部118はノズルアーム移動機構138を制御してノズルアーム122を基板Wから離間移動させて両ノズル126、128をスプラッシュガード150の外側に退避させる。また、ユニット制御部118はCR大気用弁192を閉じてファンフィルタユニット104へのクリーンエアの供給を停止する一方、乾燥気体用弁196を開いてファンフィルタユニット104に低露点空気(CDA)を送り込む(ステップS4)。また、低露点空気への切替と同時に、ユニット制御部118はファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を低下させて処理空間162に送り込む低露点空気の供給量を抑制する。また、低露点空気の供給と同時あるいは前後して、ユニット制御部118は排気調整機構164を制御して処理空間162からの排気を抑える。このように低露点空気の供給と排気調整によって処理空間162内の湿度が効果的に低下していく。
【0045】
このようにして処理空間162の湿度低下を図りつつ、置換処理を開始する(ステップS5)。ユニット制御部118はノズルアーム移動機構144を制御して窒素ガス供給ノズル132を基板表面の中央部上方に位置させる。これにより、IPA液供給ノズル130も窒素ガス供給ノズル132に並んで基板表面の中央部上方に位置する。なお、この実施形態では、後述する乾燥処理で基板表面の中央部を確実に乾燥させるために、窒素ガス供給ノズル132を回転軸上に位置させている。
【0046】
そして、IPA液供給ユニット140からIPA液が圧送されてIPA液供給ノズル130から基板Wの表面中央部に向けてIPA液が供給される(同図(b))。また、この実施形態では、湿度センサ182が本発明の「第1湿度検出手段」として設けられており、処理空間162の湿度に関連する信号がユニット制御部118に出力されている(図3)。そして、本実施形態では、ユニット制御部118は置換処理の開始と同時に湿度センサ182の検出結果に基づき処理空間162の湿度を連続的にあるいは断続的に求め(ステップS6)、さらに検出湿度に応じてファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を調整する(ステップS7)。例えば処理空間162の湿度が予め設定した規定湿度(この実施形態では相対湿度25%)よりも比較的高いときには回転速度を高めて低露点空気の供給量を増大させる一方、処理空間162の湿度が規定湿度に近づいてくると、回転速度を徐々に抑えて低露点空気の供給量を低減させることができる。このように検出湿度に基づく回転速度のフィードバック制御を行うことによって処理空間162の湿度を短時間で、しかも高精度に調整することができる。
【0047】
次のステップS8で処理空間162の湿度が規定湿度以下になったことをユニット制御部118が確認すると、ユニット制御部118はIPA液の供給を停止した(ステップS9)後に、低露点空気の供給を続けて処理空間162を低湿度雰囲気に保ったまま、窒素ガス供給ユニット142から窒素ガス供給ノズル132に対して窒素ガスを圧送する。これによって、ノズル132を基板Wの表面中央部に対向させたまま同ノズル132から窒素ガスが基板Wの表面中央部に供給され、その状態のまま基板Wが300〜2500rpmで高速回転されて基板Wの乾燥処理が実行される(ステップS10)。
【0048】
基板Wの乾燥処理が終了すると、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御して基板Wの回転を停止させる。そして、ユニット制御部118は乾燥気体用弁196を閉じてファンフィルタユニット104への低露点空気の供給を停止する。また、窒素ガスの供給を停止するとともに、ノズルアーム移動機構144がノズルアーム124を基板Wから離間移動させて両ノズル130、132をスプラッシュガード150の外側に退避させた後、スプラッシュガード150を降下させて、スピンチャック106をスプラッシュガード150の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボット13が処理済の基板Wを処理ユニット100から搬出して、1枚の基板Wに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Wについても、上記と同様の処理が実行される。
【0049】
以上のように、この実施形態によれば、置換処理と並行して低露点空気(CDA)を処理空間162に供給して処理空間162の湿度低下を図っているが、当該湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。また、この実施形態によれば、例えば特許文献1に記載されているような遮断部材が不要となるため、同文献1に記載の装置と比べて遮断部材および該遮断部材を回転駆動する機構が不要となり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。その結果、図1に示すように、処理ユニットを上下方向に積層配置することが可能となり、基板処理システムのフットプリントを大幅に縮小することができる。
【0050】
また、クリーンエア供給に要するコストと、低露点空気供給に要するコストを対比した場合、前者が後者に比べて低コストである。この実施形態では、置換処理を開始するまでクリーンエアを基板表面に向けて供給し、置換処理を開始した時点で処理空間162に供給する気体を低露点空気に切り替えている。このため、低露点空気の使用量を抑制することができ、ランニングコストの低減を効果的に図ることができる。また、薬液処理およびリンス処理においては、上記したように湿式処理(薬液およびリンス処理)において処理液のミストが大量に発生するが、本実施形態では湿式処理中において大量のクリーンエアを処理空間162に供給してミスト飛散を防止している。また同時に、比較的大容量で処理空間162を排気しているため、湿式処理時に処理空間162内で発生する処理液雰囲気を効率よく処理空間162から排出することができ、処理液(薬液およびリンス液)がスプラッシュガード150の周辺に飛散するのを効果的に防止することができる。したがって、ミストが基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥を良好に行うことができる。
【0051】
また、排気調整機構164が乾燥処理の前、つまり置換処理を行っている間に処理空間162からの排気量を抑え、これによってファンフィルタユニット104からの低露点空気が処理空間162に効率よく貯留されて処理空間162内の湿度が効率よく低下する。したがって、処理空間162の湿度が規定湿度以下となるまでに要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【0052】
さらに、上記実施形態では、乾燥性能を高めるためにIPA液を用いた置換処理を行っているが、乾燥処理前に低露点空気を基板表面に供給して処理空間162の湿度を低下させているため、図6に示す現象が発生するのを効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。
【0053】
図6はIPA液の蒸発に起因する乾燥不良の発生メカニズムを模式的に示す図である。このようにIPA液などの比較的揮発性の高い溶剤が蒸発する際には、基板回転の遠心力とIPA蒸発に伴いIPA液膜が移動していく。また、IPA蒸発によりIPA液膜の端部では基板表面が乾燥されて露出するが、IPA蒸発と同時に気化熱が発生して露出領域の周辺温度が局部的にかつ急激に低下する(同図(a))。このとき、露出領域の周辺に多量の水蒸気成分が存在すると、上記温度低下により露出領域に凝集して水滴として付着することがある(同図(b))。このような現象はIPA液膜の乾燥移動にしたがって順次発生するため、帯状の乾燥不良が発生してしまう。このような乾燥不良は基板表面の周辺湿度に大きく依存しているため、本実施形態のように乾燥処理に先立って処理空間162の湿度を大幅に低減しておくことで上記乾燥不良を効果的に、しかも確実に防止することができる。したがって、IPA液などの低表面張力溶剤を用いて置換処理を行う基板処理装置や基板処理方法では、非常に有用な技術と言える。
【0054】
図7は本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第2実施形態を示す図である。また、図8は図7の処理ユニットにおけるノズル構成を示す図である。この処理ユニット100が第1実施形態と大きく相違する点は、気体供給手段に関する構成であり、その他の基本構成は同一である。以下、相違点を中心に説明する一方、同一または相当箇所については同一符号を付して説明を省略する。
【0055】
この第2実施形態では、ファンフィルタユニット104はクリーンエアを供給する機能のみを担っている。つまり、ファンフィルタユニット104は、ファン104aによって外部から取り込んだクリーンエアをフィルタ104bで清浄にして処理チャンバー102の中央空間に送り込んでいる。一方、乾燥気体として機能する低露点空気(CDA)については、ノズル202から吐出するよう構成されている。すなわち、この第2実施形態では、ノズルアーム122の先端部に薬液供給ノズル126、リンス液供給ノズル128およびIPA液供給ノズル130が取り付けられており、第1実施形態と同様にしてノズル126、128および130からそれぞれ薬液、リンス液およびIPA液が吐出可能となっている。このノズルアーム122にはノズルアーム移動機構138が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構138が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル126、128、130は移動可能となっている。さらに、吐出領域においても、ノズルアーム移動機構138によりノズル126、128は基板表面の中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【0056】
これに対し、ノズルアーム124の先端部には、乾燥気体供給ノズル202が取り付けられている。この乾燥気体供給ノズル202にはCDA供給源(図示省略)が流量制御ユニット204を介して接続されている。このため、ユニット制御部118からの動作指令に応じて流量制御ユニット204が作動することによってノズル202に圧送される低露点空気の流量を制御可能となっている。そして、ノズル202が取り付けられたノズルアーム124にはノズルアーム移動機構144が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構144が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル202は移動可能で、しかも吐出領域においても基板表面の中央部上方と周縁部上方との間で往復移動可能となっている。つまり、ノズル202から低露点空気を吐出させながらノズルアーム124を往復移動させることで低露点空気を処理空間162全体に供給させることが可能となっている。
【0057】
また、第2実施形態では、処理空間162の湿度を直接検出する湿度センサ182の代わりに排気管160に湿度センサ206が介挿されており、処理空間162からの排気ガスの湿度を検出し、その検出結果に関連する信号をユニット制御部118に出力する。そして、ユニット制御部118は当該信号に基づき排気ガスの湿度を求め、処理空間162の湿度を間接的に導出可能となっている。このように湿度センサ206は本発明の「第2湿度検出手段」に相当している。もちろん、第2実施形態においても、第1実施形態と同様に湿度センサ182を設けて処理空間162の湿度を検出するように構成してもよい。逆に、第1実施形態において、排気管160に湿度センサ206を設けて処理空間162の湿度を間接的に求めてもよいことは言うまでもない。
【0058】
図9は図7の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。図10および図11は図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。この実施形態においても、第1実施形態と同様に、ユニット制御部118がメモリ(図示省略)に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御することによって、基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理が実行される。
【0059】
この第2実施形態においても、第1実施形態と同様にして、基板表面を上方に向けた状態で未処理の基板Wが装置内に搬入され、スピンチャック106に保持される。なお、この第2実施形態では、基板処理を行っている間、ファンフィルタユニット104からクリーンエアが常時処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる。
【0060】
そして、図10(a)に示すように、第1実施形態と同様にして薬液・リンス処理が実行される(ステップS21)のに続いて、パドル形成処理が実行される(ステップS22)。このパドル形成処理後に、ユニット制御部118はノズルアーム移動機構144を制御して乾燥気体供給ノズル202を基板表面の中央部上方と周縁部上方との間で往復移動させる(ステップS23)とともに、同ノズル202から低露点空気を吐出させる(ステップS24)。これによって、処理空間162に低露点空気が送り込まれて処理空間162内の湿度が効果的に低下していく。
【0061】
このようにして処理空間162の湿度低下を図りつつ、置換処理が開始される(ステップS25)。すなわち、IPA液供給ユニット140からIPA液が圧送されてIPA液供給ノズル130から基板Wの表面中央部に向けてIPA液が供給される(同図(b))。また、この実施形態では、排気管160に介挿された湿度センサ206から処理空間162の湿度に関連する信号がユニット制御部118に出力されている。そして、本実施形態では、ユニット制御部118は置換処理の開始と同時に湿度センサ206の検出結果に基づき排気ガスの湿度を求め、この値から処理空間162の湿度を間接的に検出し(ステップS26)、さらに検出湿度に応じて流量制御ユニット204を制御して低露点空気の供給量を調整する(ステップS27)。例えば処理空間162の湿度が予め設定した規定湿度(この実施形態では相対湿度25%)よりも比較的高いときには流量を高めて低露点空気の供給量を増大させる一方、処理空間162の湿度が規定湿度に近づいてくると、流量を徐々に抑えて低露点空気の供給量を低減させることができる。このように検出湿度に基づく低露点空気の流量をフィードバック制御することによって処理空間162の湿度を短時間で、しかも高精度に調整することができる。
【0062】
次のステップS28で処理空間162の湿度が規定湿度以下になったことをユニット制御部118が確認すると、ユニット制御部118はIPA液の供給を停止した(ステップS29)後、ノズルアーム移動機構138を制御してノズルアーム122を基板Wから離間移動させてノズル126、128、130をスプラッシュガード150の外側に退避させる一方、ノズルアーム移動機構144を制御して乾燥気体供給ノズル202を回転軸上に位置させる(ステップS30)。こうして、低露点空気を基板表面の中央部に供給したまま基板Wが300〜2500rpmで高速回転されて基板Wの乾燥処理が実行される(ステップS31)。
【0063】
基板Wの乾燥処理が終了すると、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御して基板Wの回転を停止させる。そして、ユニット制御部118は流量制御ユニット204を制御することによって低露点空気の供給を停止する。また、ノズルアーム移動機構144がノズルアーム124を基板Wから離間移動させてノズル202をスプラッシュガード150の外側に退避させた後、スプラッシュガード150を降下させて、スピンチャック106をスプラッシュガード150の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボット13が処理済の基板Wを処理ユニット100から搬出して、1枚の基板Wに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Wについても、上記と同様の処理が実行される。
【0064】
以上のように、この第2実施形態によれば、第1実施形態と同様に、処理空間162の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。
【0065】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上記した実施形態では、本発明の「乾燥気体」として低露点空気を用いているが、これ以外の乾燥気体、例えば乾燥窒素ガスなどを用いることができる。
【0066】
また、第1実施形態では、ファン調整機構198によってファン104aの回転速度を制御することで処理空間162への低露点空気の供給量を調整しているが、排気調整機構164による排気量調整のみによって処理空間162への低露点空気の供給量を制御してもよい。
【0067】
また、上記第1および第2実施形態では、置換処理と同時に低露点空気などの乾燥気体の処理空間162への供給を開始しているが、置換処理の途中から乾燥気体の供給を開始してもよい。また、パドル形成処理や湿式処理の途中から乾燥気体の供給を開始してもよい。
【0068】
また、上記した実施形態の置換処理では、基板表面に形成されたパターンが倒壊するなどの不具合を防止して乾燥性能を高めるために低表面張力液としてIPA液を用いて置換処理を行っているが、IPA液以外に、エチルアルコール、メチルアルコール、HFE(ハイドロフルオロエーテル:hydrofluoroether)、アセトン(acetone)およびTrans-1,2ジクロロエチレン(trans1,2-dichloroethylene)などの各種有機溶媒を低表面張力液として用いるようにしてもよい。また、低表面張力溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけではなく、他の成分と混合した液であってもよい。例えば、IPAと純水の混合液であってもよいし、IPAとHFEの混合液であってもよい。また、各種アルコールの蒸気を有機溶媒成分としてDIWに溶解させて低表面張力液を生成するようにしてもよい。なお、乾燥処理の前に置換処理を行っているが、これは必須処理ではなく、省略してもよい。
【0069】
また、上記実施形態では、半導体ウエハ等の基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処置を行う装置および方法に本発明を適用しているが、基板Wの種類や処理内容はこれに限定されるものではなく、処理液を基板に供給して湿式処理を施した後に当該基板を乾燥する基板処理装置および方法に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0070】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に湿式処理および乾燥処理を施す基板処理装置および方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0071】
【図1】本発明を好適に適用することのできる基板処理システムを示す図である。
【図2】本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第1実施形態を示す図である。
【図3】図2の処理ユニットを制御する電気的構成を示すブロック図である。
【図4】図1の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。
【図5】図1の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【図6】IPA液の蒸発に起因する乾燥不良の発生メカニズムを模式的に示す図である。
【図7】本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第2実施形態を示す図である。
【図8】図7の処理ユニットにおけるノズル構成を示す図である。
【図9】図7の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。
【図10】図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【図11】図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【符号の説明】
【0072】
1A〜4A、1B〜4B、100…処理ユニット(基板処理装置)
104…ファンフィルタユニット
106…スピンチャック(基板保持手段)
118…ユニット制御部(制御手段)
120…チャックピン(基板保持手段)
130…IPA液供給ノズル(溶剤供給手段)
162…処理空間
164…排気調整機構
182…湿度センサ(第1湿度検出手段)
190…供給配管(クリーンエア供給部)
192…CR大気用弁192(クリーンエア供給部)
194…供給配管(乾燥気体供給部)
196…乾燥気体用弁(乾燥気体供給部)
202…乾燥気体供給ノズル
206…湿度センサ(第2湿度検出手段)
W…基板
【技術分野】
【0001】
この発明は、基板の表面に処理液を供給して処理液により基板を湿式処理した後に基板を乾燥する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(電界放出ディスプレイ:Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【0002】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理が行われた後、基板表面に付着するリンス液を除去すべく、乾燥処理が実行される。例えば特許文献1に記載の装置は、基板を水平姿勢にて保持するベース部材と、ベース部材を回転させるモータと、ベース部材に対向して設けられた遮断部材と、遮断部材を回転させるモータと、ベース部材に保持された基板Wの周囲を取り囲むカップとを備えており、次のようにして薬液処理、リンス処理および乾燥処理を実行する。この装置では、搬送ロボットによって未処理の基板がベース部材に渡されて保持されると、遮断部材がベース部材に近接して基板の上方を覆うとともに、カップがベース部材および遮断部材の周囲を囲むように位置する。その後、ベース部材および遮断部材を回転させながら基板に対して薬液による薬液処理および純水によるリンス処理が行われる。そして、純水によるリンス処理が終了した後、基板をそのまま回転させ続けて基板に付着した水滴を遠心力によって振り切る(乾燥処理)。この装置では、遮断部材により基板表面を覆った状態で窒素ガスなどの不活性ガスが基板と遮断部材の間に供給され、不活性ガス雰囲気で乾燥処理が実行されるため、ウォーターマークの発生を抑制して基板処理を良好に行うことが可能となっている。
【0003】
【特許文献1】特許第3474055号公報(図1)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の発明では、遮断部材を基板に近接させた状態のままベース部材および遮断部材が回転して基板の乾燥処理を行っているため、遮断部材の駆動用モータや該モータの駆動力を伝達させる駆動力伝達機構などが必要となり、これが基板処理装置の製造コストの増大要因のひとつとなっていた。また、上記基板処理装置を装備する基板処理システムのプットプリントを低減させるために、基板処理装置の積層配置が提案されているが、遮断部材の駆動用モータや駆動力伝達機構の存在がそれを阻害する要因のひとつとなっていた。というのも、遮断部材の駆動用モータや駆動力伝達機構は遮断部材の上方位置に配設せざるを得ず、その分だけ装置が上下方向に大型化する傾向にあったためである。そこで、遮断部材を回転させることなく基板処理を行うことも検討されている。しかしながら、遮断部材を静止したまま基板処理すると、基板表面にウォーターマーク等が発生してしまい、基板を良好に処理することができなかった。
【0005】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
この発明にかかる基板処理装置は、基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後に、基板を乾燥させる基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持され、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる気体供給手段と、処理空間の湿度が規定湿度を超えている間基板乾燥の実行を規制する一方、処理空間の湿度が規定湿度以下となったときに基板乾燥を実行する制御手段とを備えたことを特徴としている。
【0007】
また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式工程と、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる湿度低下工程と、湿度低下工程により処理空間の湿度が所定の規定湿度以下となった後に基板を乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴としている。
【0008】
このように構成された発明(基板処理装置および方法)では、湿式処理により処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体が供給されることによって基板表面に接する処理空間の湿度が低下していくが、処理空間の湿度が所定の規定湿度を超えている間、基板乾燥が実行されない。そして、処理空間が規定湿度以下となって十分に低湿度雰囲気となると、その低湿度雰囲気状態で基板乾燥が実行される。その結果、基板表面でのウォーターマーク等の発生が抑制されつつ基板が乾燥される。なお、乾燥気体としては、相対湿度が10%以下の不活性ガス、相対湿10.5%(露点温度が約−10゜C)以下に減湿された低露点空気などを用いるのが望ましい。
【0009】
ここで、気体供給手段としては、次のような構成を有するものを採用することができる。例えば、基板保持手段に保持された基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺のクリーンエアをファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、クリーンエアよりも低湿度の気体を乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、クリーンエアと乾燥気体のいずれか一方を選択的にファンフィルタユニットに送り込みファンフィルタユニットにより基板表面に供給可能となっているものを、上記気体供給手段として用いてもよい。そして、制御手段が気体供給手段を制御することによって、湿式処理中にはクリーンエアを基板表面に向けて供給する一方、基板乾燥前には乾燥気体の供給に切り替えるように構成してもよい。この場合、基板乾燥前にのみ乾燥気体を供給しているため、乾燥気体の使用量が抑制されてランニングコストが低減される。
【0010】
また、ファンフィルタユニットを制御して湿式処理中での処理空間へのクリーンエアの供給量を基板乾燥前での乾燥気体の供給量よりも多くすると、湿式処理時に処理空間内で発生する処理液雰囲気が効率よく処理空間から排出される。このため、処理液のミストなどが処理空間に残留して基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥をさらに良好に行うことができる。
【0011】
また、処理空間からの排気量を調整する排気調整手段をさらに設け、当該排気調整手段を制御して湿式処理中での処理空間へのクリーンエアの供給量を基板乾燥前での乾燥気体の供給量よりも多くすることができる。これによって、上記発明と同様に、湿式処理時に処理空間内で発生する処理液雰囲気が効率よく処理空間から排出される。このため、処理液のミストなどが処理空間に残留して基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥をさらに良好に行うことができる。また、乾燥処理の前に、処理空間からの排気量を抑えることで処理空間内の湿度が効率よく低下して処理空間の湿度が規定湿度以下となるまでに要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【0012】
また、基板乾燥前に処理空間の湿度に応じてファンフィルタユニットを制御することによって基板表面に供給する乾燥気体の供給量を調整してもよい。このような供給量調整によって処理空間の湿度が短時間で規定湿度に達することとなり、スループットを向上させることができる。
【0013】
また、気体供給手段としては、上記したファンフィルタユニットを用いたもの以外に、乾燥気体供給ノズルを用いたものを採用してもよい。すなわち基板保持手段に保持された基板の上方側から乾燥気体を基板表面に向けて吐出する乾燥気体供給ノズルを気体供給手段に設け、基板乾燥前に乾燥気体供給ノズルからの乾燥気体の吐出量を制御して処理空間への乾燥気体の供給量を制御するように構成してもよい。このように乾燥気体の供給量制御によって処理空間の湿度を適切に、かつ短時間で規定湿度以下に調整することができ、スループットを向上させることができる。
【0014】
また、処理空間の湿度を制御するために、処理空間の湿度を検出する第1湿度検出手段を設けて第1湿度検出手段の検出結果から処理空間の湿度を直接求めるように構成したり、処理空間から排気される排気ガスの湿度を検出する第2湿度検出手段を設けて第2湿度検出手段の検出結果から処理空間の湿度を間接的に求めるように構成してもよい。いずれの場合にも、検出結果に基づき処理空間の湿度が規定湿度以下か否かを判定して基板乾燥を制御することによって基板乾燥を良好に行うことができる。
【0015】
さらに、処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板の表面に供給して基板表面上の処理液を低表面張力溶剤に置換する溶剤供給手段を設け、低表面張力溶剤への置換後に、低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させるように構成してもよい。このように低表面張力溶剤を用いることによって乾燥性能を高めることができる。このようにして基板表面上の処理液を低表面張力溶剤に置換する場合には後述するように低表面張力液の乾燥時に発生する気化熱に起因して乾燥不良を起こしやすくなる。しかしながら、低表面張力溶剤への置換中に乾燥気体を処理空間に供給し、処理空間の湿度を十分に低下させた状態で低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させることによって、乾燥不良を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【0016】
この発明によれば、処理液で濡れた基板表面に向けて乾燥気体を供給して処理空間の湿度を低下させていくが、処理空間の湿度が所定の規定湿度を超えている間、基板乾燥の実行を規制することによって乾燥不良を未然に防止することができる。そして、処理空間の湿度が規定湿度以下となり、処理空間が十分に低湿度雰囲気となった状態で乾燥処理を実行しているため、確実に基板表面を良好に処理することができる。また、遮断部材を回転させる必要がなくなり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
図1は本発明を好適に適用することのできる基板処理システムを示す図である。より詳しくは、図1(a)は基板処理システムの上面図であり、図1(b)は基板処理システムの側面図である。この基板処理システムは、半導体ウエハ等の円盤状の基板Wに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の基板処理装置としての処理ユニットを複数備える処理システムである。この基板処理システムは、基板Wに対して処理を施す基板処理部PPと、この基板処理部PPに結合されたインデクサ部IDと、処理流体(液体または気体)の供給/排出のための構成を収容した処理流体ボックス11、12とを備えている。
【0018】
インデクサ部IDは、基板Wを収容するためのカセットC(複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)など)を複数個保持することができるカセット保持部21と、このカセット保持部21に保持されたカセットCにアクセスして、未処理の基板WをカセットCから取り出したり、処理済の基板をカセットCに収納したりするためのインデクサロボット22とを備えている。
【0019】
各カセットCには、複数枚の基板Wが「ロット」という一単位で収容されている。複数枚の基板Wはロット単位で種々の基板処理装置の間に搬送され、各基板処理装置でロットを構成する各基板Wに対して同一種類の処理が施される。各カセットCは、複数枚の基板Wを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚(図示省略)を備えており、各段の棚に1枚ずつ基板Wを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Wの下面の周縁部に接触し、基板Wを下方から保持する構成となっており、基板Wは表面(パターン形成面)を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットCに収容されている。
【0020】
基板処理部PPは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット(基板搬送装置)13と、この基板搬送ロボット13が取付けられたフレーム30とを有している。このフレーム30には、図1(a)に示すように、水平方向に複数個(この実施形態では4個)の処理ユニット1A、2A、3A、4Aが基板搬送ロボット13を取り囲むように搭載されている。この実施形態では、処理ユニット1A〜4Aとして例えば半導体ウエハのようなほぼ円形の基板Wに対して所定の処理を施す処理ユニットがフレーム30に搭載されている。また、図1(b)に示すように、各処理ユニットの下段にはそれぞれもう1つの処理ユニットが設置されている。すなわち、処理ユニット1A〜4Aの下段に、処理ユニット1B〜4Bがそれぞれ設けられており、上下2段の積層構造が採用されている。
【0021】
基板搬送ロボット13は、インデクサロボット22から未処理の基板Wを受け取ることができ、かつ処理済の基板Wをインデクサロボット22に受け渡すことができる。より具体的には、例えば、基板搬送ロボット13は、当該基板処理部PPのフレーム30に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接/離間する方向に進退可能に構成されている。このような構成により、基板搬送ロボット13は、インデクサロボット22および処理ユニット1A〜4A、1B〜4Bのいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Wの受け渡しを行うことができる。
【0022】
インデクサロボット22は、装置全体を制御する制御部により指定されたカセットCから未処理の基板Wを取り出して基板搬送ロボット13に受け渡すとともに、基板搬送ロボット13から処理済の基板Wを受け取ってカセットCに収容する。処理済の基板Wは、当該基板Wが未処理の状態のときに収容されていたカセットCに収容されてもよい。また、未処理の基板Wを収容するカセットCと処理済の基板Wを収容するカセットCとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットCとは別のカセットCに処理済の基板Wが収容されるように構成してもよい。
【0023】
次に、上記した基板処理システムに搭載される処理ユニットの実施形態について説明する。なお、図1の基板処理システムでは、8個の処理ユニットが搭載されているが、これらの処理ユニットはいずれも以下に説明する処理ユニット100と同一の構造とすることができる。
【0024】
図2は本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第1実施形態を示す図である。また、図3は図2の処理ユニットを制御する電気的構成を示すブロック図である。この処理ユニット100は、半導体ウエハ等の基板Wの表面に付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の処理ユニットである。より具体的には、基板表面に対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やDIW(脱イオン水:deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施し、さらに基板W上のリンス液をIPA(isopropyl alcohol:イソプロピルアルコール)液で置換した後に、基板Wを乾燥させる装置である。
【0025】
この処理ユニット100では、処理チャンバー102の天井部分にファンフィルタユニット(FFU)104が配置されている。このファンフィルタユニット104はファン104aおよびフィルタ104bを有している。この実施形態では、ファンフィルタユニット104に対して装置周辺のクリーンエアを供給するための供給配管190が接続されている。すなわち、供給配管190の一方端はクリーンルーム内の大気に取り込み可能に開口する一方、他方端はファンフィルタユニット104の上端部に接続されている。また、供給配管190には、CR大気用の開閉弁192が介挿されている。このため、処理ユニット全体を制御するユニット制御部118からの動作指令に応じてCR大気用弁192が開くことでファン104aの回転速度に応じた量のクリーンルーム内の大気、つまりクリーンエアをファンフィルタユニット104に供給可能となる。逆に、CR大気用弁192が閉じることでファンフィルタユニット104へのクリーンエアの供給が規制される。このように、本実施形態では、供給配管190とCR大気用弁192により本発明の「クリーンエア供給部」が構成されている。
【0026】
また、このファンフィルタユニット104の上端部は供給配管194により工場のユーティリティ等で構成されるCDA(低露点空気:Clean Dry Air)供給源に接続されている。この供給配管194には乾燥気体用の開閉弁196が介挿されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じて乾燥気体用弁196が開くことでファン104aの回転速度に応じた量の低露点空気が本発明の「乾燥気体」としてファンフィルタユニット104に供給される。逆に、乾燥気体用弁196が閉じることでファンフィルタユニット104への低露点空気の供給が規制される。この実施形態で使用する低露点空気は、クリーンエアよりも低湿度の空気であり、相対湿度10.5%(露点温度が約−10゜C)以下に減湿された低露点空気を用いている。このように、本実施形態では、供給配管194と乾燥気体用弁196により本発明の「乾燥気体供給部」が構成されており、CDA供給源からの低露点空気を本発明の「乾燥気体」として用いているが、クリーンルーム内の大気を基板処理に適合するように調湿・調温するCDA供給ユニットを乾燥気体供給部として装置内に設け、ユニット制御部118の動作指令に応じてCDA供給ユニットから低露点空気を供給するように構成してもよい。
【0027】
このように本実施形態では、ファンフィルタユニット104と、クリーンエア供給部(供給配管190+CR大気用弁192)と、乾燥気体供給部(供給配管194+乾燥気体用弁196)とにより本発明の「気体供給手段」が構成されており、2つの開閉弁192、196を開閉制御することによってクリーンエアと低露点空気のいずれか一方を選択的にファンフィルタユニット104に送り込み可能となっている。
【0028】
このファンフィルタユニット104では、上記のようにして送り込まれた気体がファン104aによってフィルタ104bに向けて送られて当該フィルタ104bで清浄された後に処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる。この実施形態では、ファン104aはファン調整機構198に接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてファン調整機構198がファン104aを駆動制御することによりファンフィルタユニット104から処理チャンバー102の中央空間への気体供給量を制御可能となっている。
【0029】
この中央空間にはスピンチャック106が配置されている。このスピンチャック106は基板表面を上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるものである。また、このスピンチャック106では、回転支軸108がモータを含むチャック回転機構110の回転軸に連結されており、チャック回転機構110の駆動によりスピンチャック106が回転軸(鉛直軸)回りに回転可能となっている。これら回転支軸108およびチャック回転機構110は、円筒状のケーシング114内に収容されている。また、回転支軸108の上端部には、円盤状のスピンベース116が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、ユニット制御部118からの動作指令に応じてチャック回転機構110を駆動させることによりスピンベース116が回転軸回りに回転する。また、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御してスピンベース116の回転速度を調整する。
【0030】
スピンベース116の周縁部付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン120が立設されている。チャックピン120は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース116の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン120のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部とを備えている。また、各チャックピン120は、基板保持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【0031】
スピンベース116に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン120を解放状態とし、後述する基板処理を基板Wに対して行う際には、複数個のチャックピン120を押圧状態とする。このように押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン120は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース116から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Wはその表面を上方に向け、裏面を下方に向けた状態で支持される。なお、基板保持機構としてはチャックピン120に限らず、基板裏面を吸引して基板Wを支持する真空チャックを用いてもよい。
【0032】
スピンチャック106により保持された基板Wの上方位置には、2種類のノズルアーム122、124が水平面内で揺動自在に設けられている。一方のノズルアーム122の先端部に薬液供給ノズル126とリンス液供給ノズル128が取り付けられている。また、他方のノズルアーム124の先端部にIPA液供給ノズル130と窒素ガス供給ノズル132が取り付けられている。
【0033】
これら4つのノズルのうち薬液供給ノズル126は薬液供給ユニット134(図3)と接続されている。この薬液供給ユニット134はフッ酸またはBHF(Buffered Hydrofluoric acid:バッファードフッ酸)などの基板洗浄に適した薬液をノズル126側に供給可能となっている。そして、ユニット制御部118からの指令に応じて薬液供給ユニット134が薬液供給ノズル126に向けて薬液を圧送すると、ノズル126から薬液が基板Wに向けて吐出される。また、薬液供給ノズル126と同様に、リンス液供給ノズル128にもリンス液供給ユニット136(図3)が接続されており、薬液処理された基板Wに向けてリンス液を吐出させてリンス処理を実行可能となっている。そして、これらのノズル126、128が取り付けられたノズルアーム122にはノズルアーム移動機構138が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構138が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル126、128は移動可能となっている。さらに、吐出領域においても、ノズルアーム移動機構138によりノズル126、128は基板表面の中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【0034】
また、IPA液供給ノズル130はIPA液供給ユニット140(図3)と接続されている。このIPA液供給ユニット140は100%IPA液あるいは純水で希釈したIPA液をノズル130側に供給可能となっている。そして、ユニット制御部118からの指令に応じてIPA液供給ユニット140がIPA液供給ノズル130に向けてIPA液を圧送すると、ノズル130からIPA液が基板Wに向けて吐出される。このようにIPA液供給ノズル130が本発明の「溶剤供給手段」として機能しており、薬液やリンス液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤としてIPA液を基板Wの表面中央部に供給可能となっている。また、IPA液供給ノズル130と同様に、窒素ガス供給ノズル132に窒素ガス供給ユニット142(図3)が接続されており、窒素ガスを基板Wに向けて吐出可能となっている。そして、これらのノズル130、132が取り付けられたノズルアーム124にはノズルアーム移動機構144が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構144が駆動されることで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル130、132は移動可能となっている。
【0035】
なお、この実施形態では、回転支軸108は中空管構造を有しており、リンス液供給ユニット136からリンス液が供給されて回転支軸108の内部空間に配置されたノズルの上端部に形成されたノズル孔(図示省略)からリンス液を基板裏面に向けて吐出することが可能となっている。
【0036】
ケーシング114の周囲には、受け部材146が固定的に取り付けられている。この受け部材146には、円筒状の仕切り部材が3個立設されている。そして、これらの仕切り部材とケーシング114の組み合わせにより3つの空間が排液槽148a〜148cとして形成されている。また、これらの排液槽148a〜148cの上方にはスプラッシュガード(カップ)150がスピンチャック106に水平姿勢で保持されている基板Wの周囲を包囲するようにスピンチャック106の回転軸に沿って昇降自在に設けられている。このスプラッシュガード150は回転軸に対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック106と同心円状に径方向内側から外側に向かって配置された2つのガードを備えている。そして、ガード昇降機構152の駆動によりスプラッシュガード150を段階的に昇降させることで、回転する基板Wから飛散する薬液やリンス液などを分別して排液させることが可能となっている。
【0037】
また、排液槽148aには、図2に示すように排気管160の一方端が接続されている。この排気管160の他方端は図示を省略する排気装置に接続されている。このため、排気管160を介して排液槽148aおよび処理空間162を排気可能となっている。しかも、この実施形態では、排気管160に排気調整機構164が介挿されており、ユニット制御部118からの指令に応じて排気調整機構164が処理空間162からの排気量を調整可能となっている。ここで、排気装置として、図1の基板処理システムを設置する工場の用力を用いてもよいし、また同システム内に真空ポンプや排気ポンプなどの排気ユニットを設けてもよい。いずれの排気装置を用いた場合であっても、排気管160を介して処理空間162を確実に排気可能となっている。なお、上記した処理空間162とは、スプラッシュガード150がスピンチャック106に保持された基板Wの周囲を取り囲むことで形成される空間内で基板表面と接した空間であり、当該処理空間162で薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理が実行される。
【0038】
次に、上記のように構成された処理ユニット(基板処理装置)100の動作について図4および図5を参照しつつ詳述する。図4は図1の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。図5は図1の処理ユニットの動作を示す模式図である。この実施形態では、ユニット制御部118がメモリ(図示省略)に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御して基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理を施す。これらのうち薬液処理およびリンス処理が本発明の「湿式処理」に相当しており、薬液処理ではフッ酸などの薬液が本発明の「処理液」として、またリンス処理ではDIWなどのリンス液が本発明の「処理液」として用いられる。
【0039】
ユニット制御部118はスプラッシュガード150を降下させてスピンチャック106をスプラッシュガード150の開口部150aから突出させる。このとき、両ノズルアーム122、124ともスプラッシュガード150の外側に退避している。そして、この状態で基板搬送ロボット13により未処理の基板Wが処理チャンバー102内に搬入される。より具体的には、基板表面を上方に向けた状態で基板Wが装置内に搬入され、スピンチャック106に保持される。この基板搬入動作と同時あるいは搬入後に、CR大気用弁192は開成される一方、乾燥気体用弁196は閉成されてファンフィルタユニット104にクリーンエアが送り込まれ、フィルタ104bで清浄された後に処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる(ステップS1)。これに続いて、図5(a)に示すように、スプラッシュガード150が1段階上昇されるとともに基板Wに対して薬液処理およびリンス処理が実行された(ステップS2)後にパドル形成処理が実行される(ステップS3)。
【0040】
薬液処理では、薬液供給ノズル126が基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構138がノズルアーム122を移動させるとともに、チャック回転機構110の駆動によりスピンチャック106に保持された基板Wを200〜1200rpmの範囲内で定められる回転速度(例えば800rpm)で回転させる。また、薬液供給ユニット134がフッ酸を薬液として薬液供給ノズル126に向けて圧送して当該ノズル126から基板表面に供給する。こうして基板表面の中央部に供給されたフッ酸は遠心力により径方向に広げられ、フッ酸による基板表面のエッチング処理(薬液処理)が実行される。
【0041】
薬液処理が完了すると、リンス液供給ノズル128が薬液供給ノズル126と入れ替わって基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構138がノズルアーム122を移動させる。そして、リンス液供給ノズル128からリンス液が吐出される。また、回転支軸108の上端部に形成されたノズル孔(図示省略)からリンス液が基板裏面に向けて吐出される。こうして基板表裏面に吐出されたリンス液は基板Wの回転の遠心力によって基板Wの表裏全面に拡がり、リンス液によるリンス処理が行われる。なお、この実施形態では、リンス処理の最終時点では、基板Wの回転速度は300rpmに減速されている。
【0042】
上記した薬液処理およびリンス処理時においては、ユニット制御部118はファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を高めて処理空間162に対して比較的大容量のクリーンエアを送り込んでいる。また、排気調整機構164により、処理空間162から比較的大容量の排気が行われている。このため、上方からの大容量のクリーンエア供給によって、薬液処理およびリンス処理中に発生する処理液のミストが上方に飛散して装置各部に付着するのを防止することができる。また、処理液(薬液およびリンス液)で形成される雰囲気、つまり処理液雰囲気を効率よく処理空間162から排出することができる。
【0043】
リンス処理が終了すると、次にパドル形成処理が実行される。すなわち、ユニット制御部118は、リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも遅い回転速度(この実施形態では5rpm)に減速する。これによって、リンス液供給ノズル128から吐出されるリンス液が基板表面に溜められてリンス液膜がパドル状に形成される(パドル形成処理)。なお、パドル形成処理時の回転速度は5rpmに限定されるものではないが、リンス液に作用する遠心力がリンス液と基板表面との間で作用する表面張力よりも小さくなるという条件が満足する範囲で回転速度を設定する必要がある。というのも、リンス液の液膜をパドル状に形成するためには、上記条件の充足が必須だからである。
【0044】
こうしてパドル形成が完了すると、ユニット制御部118はノズルアーム移動機構138を制御してノズルアーム122を基板Wから離間移動させて両ノズル126、128をスプラッシュガード150の外側に退避させる。また、ユニット制御部118はCR大気用弁192を閉じてファンフィルタユニット104へのクリーンエアの供給を停止する一方、乾燥気体用弁196を開いてファンフィルタユニット104に低露点空気(CDA)を送り込む(ステップS4)。また、低露点空気への切替と同時に、ユニット制御部118はファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を低下させて処理空間162に送り込む低露点空気の供給量を抑制する。また、低露点空気の供給と同時あるいは前後して、ユニット制御部118は排気調整機構164を制御して処理空間162からの排気を抑える。このように低露点空気の供給と排気調整によって処理空間162内の湿度が効果的に低下していく。
【0045】
このようにして処理空間162の湿度低下を図りつつ、置換処理を開始する(ステップS5)。ユニット制御部118はノズルアーム移動機構144を制御して窒素ガス供給ノズル132を基板表面の中央部上方に位置させる。これにより、IPA液供給ノズル130も窒素ガス供給ノズル132に並んで基板表面の中央部上方に位置する。なお、この実施形態では、後述する乾燥処理で基板表面の中央部を確実に乾燥させるために、窒素ガス供給ノズル132を回転軸上に位置させている。
【0046】
そして、IPA液供給ユニット140からIPA液が圧送されてIPA液供給ノズル130から基板Wの表面中央部に向けてIPA液が供給される(同図(b))。また、この実施形態では、湿度センサ182が本発明の「第1湿度検出手段」として設けられており、処理空間162の湿度に関連する信号がユニット制御部118に出力されている(図3)。そして、本実施形態では、ユニット制御部118は置換処理の開始と同時に湿度センサ182の検出結果に基づき処理空間162の湿度を連続的にあるいは断続的に求め(ステップS6)、さらに検出湿度に応じてファン調整機構198を制御してファン104aの回転速度を調整する(ステップS7)。例えば処理空間162の湿度が予め設定した規定湿度(この実施形態では相対湿度25%)よりも比較的高いときには回転速度を高めて低露点空気の供給量を増大させる一方、処理空間162の湿度が規定湿度に近づいてくると、回転速度を徐々に抑えて低露点空気の供給量を低減させることができる。このように検出湿度に基づく回転速度のフィードバック制御を行うことによって処理空間162の湿度を短時間で、しかも高精度に調整することができる。
【0047】
次のステップS8で処理空間162の湿度が規定湿度以下になったことをユニット制御部118が確認すると、ユニット制御部118はIPA液の供給を停止した(ステップS9)後に、低露点空気の供給を続けて処理空間162を低湿度雰囲気に保ったまま、窒素ガス供給ユニット142から窒素ガス供給ノズル132に対して窒素ガスを圧送する。これによって、ノズル132を基板Wの表面中央部に対向させたまま同ノズル132から窒素ガスが基板Wの表面中央部に供給され、その状態のまま基板Wが300〜2500rpmで高速回転されて基板Wの乾燥処理が実行される(ステップS10)。
【0048】
基板Wの乾燥処理が終了すると、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御して基板Wの回転を停止させる。そして、ユニット制御部118は乾燥気体用弁196を閉じてファンフィルタユニット104への低露点空気の供給を停止する。また、窒素ガスの供給を停止するとともに、ノズルアーム移動機構144がノズルアーム124を基板Wから離間移動させて両ノズル130、132をスプラッシュガード150の外側に退避させた後、スプラッシュガード150を降下させて、スピンチャック106をスプラッシュガード150の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボット13が処理済の基板Wを処理ユニット100から搬出して、1枚の基板Wに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Wについても、上記と同様の処理が実行される。
【0049】
以上のように、この実施形態によれば、置換処理と並行して低露点空気(CDA)を処理空間162に供給して処理空間162の湿度低下を図っているが、当該湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。また、この実施形態によれば、例えば特許文献1に記載されているような遮断部材が不要となるため、同文献1に記載の装置と比べて遮断部材および該遮断部材を回転駆動する機構が不要となり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。その結果、図1に示すように、処理ユニットを上下方向に積層配置することが可能となり、基板処理システムのフットプリントを大幅に縮小することができる。
【0050】
また、クリーンエア供給に要するコストと、低露点空気供給に要するコストを対比した場合、前者が後者に比べて低コストである。この実施形態では、置換処理を開始するまでクリーンエアを基板表面に向けて供給し、置換処理を開始した時点で処理空間162に供給する気体を低露点空気に切り替えている。このため、低露点空気の使用量を抑制することができ、ランニングコストの低減を効果的に図ることができる。また、薬液処理およびリンス処理においては、上記したように湿式処理(薬液およびリンス処理)において処理液のミストが大量に発生するが、本実施形態では湿式処理中において大量のクリーンエアを処理空間162に供給してミスト飛散を防止している。また同時に、比較的大容量で処理空間162を排気しているため、湿式処理時に処理空間162内で発生する処理液雰囲気を効率よく処理空間162から排出することができ、処理液(薬液およびリンス液)がスプラッシュガード150の周辺に飛散するのを効果的に防止することができる。したがって、ミストが基板表面に付着するのを防止することができ、基板乾燥を良好に行うことができる。
【0051】
また、排気調整機構164が乾燥処理の前、つまり置換処理を行っている間に処理空間162からの排気量を抑え、これによってファンフィルタユニット104からの低露点空気が処理空間162に効率よく貯留されて処理空間162内の湿度が効率よく低下する。したがって、処理空間162の湿度が規定湿度以下となるまでに要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【0052】
さらに、上記実施形態では、乾燥性能を高めるためにIPA液を用いた置換処理を行っているが、乾燥処理前に低露点空気を基板表面に供給して処理空間162の湿度を低下させているため、図6に示す現象が発生するのを効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。
【0053】
図6はIPA液の蒸発に起因する乾燥不良の発生メカニズムを模式的に示す図である。このようにIPA液などの比較的揮発性の高い溶剤が蒸発する際には、基板回転の遠心力とIPA蒸発に伴いIPA液膜が移動していく。また、IPA蒸発によりIPA液膜の端部では基板表面が乾燥されて露出するが、IPA蒸発と同時に気化熱が発生して露出領域の周辺温度が局部的にかつ急激に低下する(同図(a))。このとき、露出領域の周辺に多量の水蒸気成分が存在すると、上記温度低下により露出領域に凝集して水滴として付着することがある(同図(b))。このような現象はIPA液膜の乾燥移動にしたがって順次発生するため、帯状の乾燥不良が発生してしまう。このような乾燥不良は基板表面の周辺湿度に大きく依存しているため、本実施形態のように乾燥処理に先立って処理空間162の湿度を大幅に低減しておくことで上記乾燥不良を効果的に、しかも確実に防止することができる。したがって、IPA液などの低表面張力溶剤を用いて置換処理を行う基板処理装置や基板処理方法では、非常に有用な技術と言える。
【0054】
図7は本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第2実施形態を示す図である。また、図8は図7の処理ユニットにおけるノズル構成を示す図である。この処理ユニット100が第1実施形態と大きく相違する点は、気体供給手段に関する構成であり、その他の基本構成は同一である。以下、相違点を中心に説明する一方、同一または相当箇所については同一符号を付して説明を省略する。
【0055】
この第2実施形態では、ファンフィルタユニット104はクリーンエアを供給する機能のみを担っている。つまり、ファンフィルタユニット104は、ファン104aによって外部から取り込んだクリーンエアをフィルタ104bで清浄にして処理チャンバー102の中央空間に送り込んでいる。一方、乾燥気体として機能する低露点空気(CDA)については、ノズル202から吐出するよう構成されている。すなわち、この第2実施形態では、ノズルアーム122の先端部に薬液供給ノズル126、リンス液供給ノズル128およびIPA液供給ノズル130が取り付けられており、第1実施形態と同様にしてノズル126、128および130からそれぞれ薬液、リンス液およびIPA液が吐出可能となっている。このノズルアーム122にはノズルアーム移動機構138が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構138が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル126、128、130は移動可能となっている。さらに、吐出領域においても、ノズルアーム移動機構138によりノズル126、128は基板表面の中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【0056】
これに対し、ノズルアーム124の先端部には、乾燥気体供給ノズル202が取り付けられている。この乾燥気体供給ノズル202にはCDA供給源(図示省略)が流量制御ユニット204を介して接続されている。このため、ユニット制御部118からの動作指令に応じて流量制御ユニット204が作動することによってノズル202に圧送される低露点空気の流量を制御可能となっている。そして、ノズル202が取り付けられたノズルアーム124にはノズルアーム移動機構144が接続されており、ユニット制御部118からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構144が作動することで、基板Wの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル202は移動可能で、しかも吐出領域においても基板表面の中央部上方と周縁部上方との間で往復移動可能となっている。つまり、ノズル202から低露点空気を吐出させながらノズルアーム124を往復移動させることで低露点空気を処理空間162全体に供給させることが可能となっている。
【0057】
また、第2実施形態では、処理空間162の湿度を直接検出する湿度センサ182の代わりに排気管160に湿度センサ206が介挿されており、処理空間162からの排気ガスの湿度を検出し、その検出結果に関連する信号をユニット制御部118に出力する。そして、ユニット制御部118は当該信号に基づき排気ガスの湿度を求め、処理空間162の湿度を間接的に導出可能となっている。このように湿度センサ206は本発明の「第2湿度検出手段」に相当している。もちろん、第2実施形態においても、第1実施形態と同様に湿度センサ182を設けて処理空間162の湿度を検出するように構成してもよい。逆に、第1実施形態において、排気管160に湿度センサ206を設けて処理空間162の湿度を間接的に求めてもよいことは言うまでもない。
【0058】
図9は図7の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。図10および図11は図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。この実施形態においても、第1実施形態と同様に、ユニット制御部118がメモリ(図示省略)に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御することによって、基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処理が実行される。
【0059】
この第2実施形態においても、第1実施形態と同様にして、基板表面を上方に向けた状態で未処理の基板Wが装置内に搬入され、スピンチャック106に保持される。なお、この第2実施形態では、基板処理を行っている間、ファンフィルタユニット104からクリーンエアが常時処理チャンバー102の中央空間に送り込まれる。
【0060】
そして、図10(a)に示すように、第1実施形態と同様にして薬液・リンス処理が実行される(ステップS21)のに続いて、パドル形成処理が実行される(ステップS22)。このパドル形成処理後に、ユニット制御部118はノズルアーム移動機構144を制御して乾燥気体供給ノズル202を基板表面の中央部上方と周縁部上方との間で往復移動させる(ステップS23)とともに、同ノズル202から低露点空気を吐出させる(ステップS24)。これによって、処理空間162に低露点空気が送り込まれて処理空間162内の湿度が効果的に低下していく。
【0061】
このようにして処理空間162の湿度低下を図りつつ、置換処理が開始される(ステップS25)。すなわち、IPA液供給ユニット140からIPA液が圧送されてIPA液供給ノズル130から基板Wの表面中央部に向けてIPA液が供給される(同図(b))。また、この実施形態では、排気管160に介挿された湿度センサ206から処理空間162の湿度に関連する信号がユニット制御部118に出力されている。そして、本実施形態では、ユニット制御部118は置換処理の開始と同時に湿度センサ206の検出結果に基づき排気ガスの湿度を求め、この値から処理空間162の湿度を間接的に検出し(ステップS26)、さらに検出湿度に応じて流量制御ユニット204を制御して低露点空気の供給量を調整する(ステップS27)。例えば処理空間162の湿度が予め設定した規定湿度(この実施形態では相対湿度25%)よりも比較的高いときには流量を高めて低露点空気の供給量を増大させる一方、処理空間162の湿度が規定湿度に近づいてくると、流量を徐々に抑えて低露点空気の供給量を低減させることができる。このように検出湿度に基づく低露点空気の流量をフィードバック制御することによって処理空間162の湿度を短時間で、しかも高精度に調整することができる。
【0062】
次のステップS28で処理空間162の湿度が規定湿度以下になったことをユニット制御部118が確認すると、ユニット制御部118はIPA液の供給を停止した(ステップS29)後、ノズルアーム移動機構138を制御してノズルアーム122を基板Wから離間移動させてノズル126、128、130をスプラッシュガード150の外側に退避させる一方、ノズルアーム移動機構144を制御して乾燥気体供給ノズル202を回転軸上に位置させる(ステップS30)。こうして、低露点空気を基板表面の中央部に供給したまま基板Wが300〜2500rpmで高速回転されて基板Wの乾燥処理が実行される(ステップS31)。
【0063】
基板Wの乾燥処理が終了すると、ユニット制御部118はチャック回転機構110を制御して基板Wの回転を停止させる。そして、ユニット制御部118は流量制御ユニット204を制御することによって低露点空気の供給を停止する。また、ノズルアーム移動機構144がノズルアーム124を基板Wから離間移動させてノズル202をスプラッシュガード150の外側に退避させた後、スプラッシュガード150を降下させて、スピンチャック106をスプラッシュガード150の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボット13が処理済の基板Wを処理ユニット100から搬出して、1枚の基板Wに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Wについても、上記と同様の処理が実行される。
【0064】
以上のように、この第2実施形態によれば、第1実施形態と同様に、処理空間162の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間162が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。
【0065】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上記した実施形態では、本発明の「乾燥気体」として低露点空気を用いているが、これ以外の乾燥気体、例えば乾燥窒素ガスなどを用いることができる。
【0066】
また、第1実施形態では、ファン調整機構198によってファン104aの回転速度を制御することで処理空間162への低露点空気の供給量を調整しているが、排気調整機構164による排気量調整のみによって処理空間162への低露点空気の供給量を制御してもよい。
【0067】
また、上記第1および第2実施形態では、置換処理と同時に低露点空気などの乾燥気体の処理空間162への供給を開始しているが、置換処理の途中から乾燥気体の供給を開始してもよい。また、パドル形成処理や湿式処理の途中から乾燥気体の供給を開始してもよい。
【0068】
また、上記した実施形態の置換処理では、基板表面に形成されたパターンが倒壊するなどの不具合を防止して乾燥性能を高めるために低表面張力液としてIPA液を用いて置換処理を行っているが、IPA液以外に、エチルアルコール、メチルアルコール、HFE(ハイドロフルオロエーテル:hydrofluoroether)、アセトン(acetone)およびTrans-1,2ジクロロエチレン(trans1,2-dichloroethylene)などの各種有機溶媒を低表面張力液として用いるようにしてもよい。また、低表面張力溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけではなく、他の成分と混合した液であってもよい。例えば、IPAと純水の混合液であってもよいし、IPAとHFEの混合液であってもよい。また、各種アルコールの蒸気を有機溶媒成分としてDIWに溶解させて低表面張力液を生成するようにしてもよい。なお、乾燥処理の前に置換処理を行っているが、これは必須処理ではなく、省略してもよい。
【0069】
また、上記実施形態では、半導体ウエハ等の基板Wに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、置換処理および乾燥処置を行う装置および方法に本発明を適用しているが、基板Wの種類や処理内容はこれに限定されるものではなく、処理液を基板に供給して湿式処理を施した後に当該基板を乾燥する基板処理装置および方法に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0070】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に湿式処理および乾燥処理を施す基板処理装置および方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0071】
【図1】本発明を好適に適用することのできる基板処理システムを示す図である。
【図2】本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第1実施形態を示す図である。
【図3】図2の処理ユニットを制御する電気的構成を示すブロック図である。
【図4】図1の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。
【図5】図1の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【図6】IPA液の蒸発に起因する乾燥不良の発生メカニズムを模式的に示す図である。
【図7】本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第2実施形態を示す図である。
【図8】図7の処理ユニットにおけるノズル構成を示す図である。
【図9】図7の処理ユニットの動作を示すフローチャートである。
【図10】図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【図11】図7の処理ユニットの動作を示す模式図である。
【符号の説明】
【0072】
1A〜4A、1B〜4B、100…処理ユニット(基板処理装置)
104…ファンフィルタユニット
106…スピンチャック(基板保持手段)
118…ユニット制御部(制御手段)
120…チャックピン(基板保持手段)
130…IPA液供給ノズル(溶剤供給手段)
162…処理空間
164…排気調整機構
182…湿度センサ(第1湿度検出手段)
190…供給配管(クリーンエア供給部)
192…CR大気用弁192(クリーンエア供給部)
194…供給配管(乾燥気体供給部)
196…乾燥気体用弁(乾燥気体供給部)
202…乾燥気体供給ノズル
206…湿度センサ(第2湿度検出手段)
W…基板
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後に、前記基板を乾燥させる基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持され、前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる気体供給手段と、
前記処理空間の湿度が規定湿度を超えている間基板乾燥の実行を規制する一方、前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下となったときに基板乾燥を実行する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記気体供給手段は、前記基板保持手段に保持された前記基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺のクリーンエアを前記ファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、前記クリーンエアよりも低湿度の気体を前記乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、前記クリーンエアと前記乾燥気体のいずれか一方を選択的に前記ファンフィルタユニットに送り込み前記ファンフィルタユニットにより前記基板表面に供給可能となっており、
前記制御手段は前記気体供給手段を制御することによって、前記湿式処理中には前記クリーンエアを前記基板表面に向けて供給する一方、前記基板乾燥前には前記乾燥気体の供給に切り替える請求項1記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御手段は前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記湿式処理中での前記クリーンエアの供給量を前記基板乾燥前での前記乾燥気体の供給量よりも多くする請求項2記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理空間からの排気量を調整する排気調整手段をさらに備え、
前記制御手段は前記排気調整手段を制御することによって前記湿式処理中での前記クリーンエアの供給量を前記基板乾燥前での前記乾燥気体の供給量よりも多くする請求項2記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御手段は前記基板乾燥前に前記処理空間の湿度に応じて前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記基板表面に供給する前記乾燥気体の供給量を調整する請求項2ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記気体供給手段は前記基板保持手段に保持された前記基板の上方側から前記乾燥気体を前記基板表面に向けて吐出する乾燥気体供給ノズルを有しており、
前記制御手段は前記基板乾燥前に前記乾燥気体供給ノズルからの前記乾燥気体の吐出量を制御して前記処理空間への前記乾燥気体の供給量を制御する請求項1記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理空間の湿度を検出する第1湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第1湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理空間から排気される排気ガスの湿度を検出する第2湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第2湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面に供給して前記基板表面上の前記処理液を前記低表面張力溶剤に置換する溶剤供給手段を備え、
前記制御手段は、前記低表面張力溶剤への置換中に前記乾燥気体を前記処理空間に供給し、前記置換後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させる請求項1ないし8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式工程と、
前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる湿度低下工程と、
前記湿度低下工程により前記処理空間の湿度が所定の規定湿度以下となった後に前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項11】
前記湿度低下工程は前記湿式工程の途中で開始される請求項10記載の基板処理方法。
【請求項1】
基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後に、前記基板を乾燥させる基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持され、前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる気体供給手段と、
前記処理空間の湿度が規定湿度を超えている間基板乾燥の実行を規制する一方、前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下となったときに基板乾燥を実行する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記気体供給手段は、前記基板保持手段に保持された前記基板の上方位置に配置されたファンフィルタユニットと、装置周辺のクリーンエアを前記ファンフィルタユニットに供給するクリーンエア供給部と、前記クリーンエアよりも低湿度の気体を前記乾燥気体として供給する乾燥気体供給部とを有し、前記クリーンエアと前記乾燥気体のいずれか一方を選択的に前記ファンフィルタユニットに送り込み前記ファンフィルタユニットにより前記基板表面に供給可能となっており、
前記制御手段は前記気体供給手段を制御することによって、前記湿式処理中には前記クリーンエアを前記基板表面に向けて供給する一方、前記基板乾燥前には前記乾燥気体の供給に切り替える請求項1記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御手段は前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記湿式処理中での前記クリーンエアの供給量を前記基板乾燥前での前記乾燥気体の供給量よりも多くする請求項2記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理空間からの排気量を調整する排気調整手段をさらに備え、
前記制御手段は前記排気調整手段を制御することによって前記湿式処理中での前記クリーンエアの供給量を前記基板乾燥前での前記乾燥気体の供給量よりも多くする請求項2記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御手段は前記基板乾燥前に前記処理空間の湿度に応じて前記ファンフィルタユニットを制御することによって前記基板表面に供給する前記乾燥気体の供給量を調整する請求項2ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記気体供給手段は前記基板保持手段に保持された前記基板の上方側から前記乾燥気体を前記基板表面に向けて吐出する乾燥気体供給ノズルを有しており、
前記制御手段は前記基板乾燥前に前記乾燥気体供給ノズルからの前記乾燥気体の吐出量を制御して前記処理空間への前記乾燥気体の供給量を制御する請求項1記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理空間の湿度を検出する第1湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第1湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理空間から排気される排気ガスの湿度を検出する第2湿度検出手段をさらに備え、
前記制御手段は前記第2湿度検出手段の検出結果に基づき前記処理空間の湿度が前記規定湿度以下か否かを判定して前記基板乾燥を制御する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面に供給して前記基板表面上の前記処理液を前記低表面張力溶剤に置換する溶剤供給手段を備え、
前記制御手段は、前記低表面張力溶剤への置換中に前記乾燥気体を前記処理空間に供給し、前記置換後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させる請求項1ないし8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式工程と、
前記湿式処理により前記処理液で濡れた前記基板表面に向けて乾燥気体を供給して前記基板表面に接する処理空間の湿度を低下させる湿度低下工程と、
前記湿度低下工程により前記処理空間の湿度が所定の規定湿度以下となった後に前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項11】
前記湿度低下工程は前記湿式工程の途中で開始される請求項10記載の基板処理方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2009−224514(P2009−224514A)
【公開日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−66565(P2008−66565)
【出願日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【出願人】(000207551)大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【出願人】(000207551)大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Fターム(参考)】
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