【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台３２と、載置台３２に載置されている基板の周縁部を保持する保持部４４と、保持部４４に光を照射する光源９８と、保持部４４からの光の光量を検出することによって、保持部に保持されている基板の保持状態を検出する検出部９９とを有する。 （もっと読む）

【課題】各種の生産設備から排出される排水を処理するための効率的な排水処理方法を提供する。
【解決手段】排水処理装置１０は、処理対象成分の濃度が低い排水を処理するための低濃度排水処理手段１３と、処理対象成分の濃度が高い排水を処理するための高濃度排水処理手段１４と、生産設備から低濃度排水処理手段と高濃度排水処理手段とに排水を送る排水路４，１１，１２と、排水路を通る排水を前記低濃度排水処理手段又は前記高濃度排水処理手段に切り替えて排水させる流路切り替え手段１５，１６と、生産設備での生産工程のプロセスデータ信号を送信するプロセスデータ信号送信手段１７と、プロセスデータ信号を受信して、該プロセスデータ信号に基づいて、排水路を通る排水の処理対象成分の濃度を判断して、該濃度に基づいて、流路切り替え手段に動作信号を送る制御手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１上、又は基板１上の導電膜５０上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、基板１に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板１上又は導電膜５０上に貴金属を含む金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、金属膜のうち未反応の金属を第１の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂの上面上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第１の薬液と異なる第２の薬液を用いて基板１上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第２の酸化膜１４を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後、第１及び第２の薬液と異なる第３の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】エッチングラインにおける水使用状況等の時間変化を把握し、効率の悪い状況の発見を容易とするエッチングラインの水使用量管理システム等を提供する。
【解決手段】水使用量管理システム１が、エッチングライン１００の水使用量を所定の時間間隔で計測しＰＣ３００に送信する流量計１５０と、センサ３１により検知したエッチングライン１００上の基板７０の有無をエッチングライン１００の運転情報として受信してＰＣ３００に送信するＰＬＣ２００と、水使用量、エッチングライン１００の運転情報を受信し、水使用金額を算出し、水使用量と運転状況、水使用金額を水使用量管理画面としてリアルタイムに表示するＰＣ３００とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗは基板保持部３に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部３４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部３４３からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第１のステップにて第１の回転速度で回転させながら被処理基板Ｗに薬液を供給し、第２のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Ｗを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第３のステップにて被処理基板Ｗを第１の回転速度以下の第３の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Ｗにリンス液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷの下面中央部を支持するためのセンターチャック７と、ウエハＷの下面周縁部を支持するための外周リング部材８と、ウエハＷの下面周縁部と外周リング部材８との間をシールするための第１シール部材９とを備える。吸着ベース１０は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース１０の上面１０ａには、吸引口２６と吸引溝２７とが形成されている。吸引溝２７には、吸着ベース１０の側面に開口するオリフィス３０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化および複雑化せず、処理液から発生する気泡を効果的に消泡することのできるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理装置１Ａは、ガラス基板２００が搬送される搬送路を内部に含む処理槽１０と、搬送路の上方に位置し、搬送路上を搬送されるガラス基板２００に対してエッチング液１００を供給する吐出管２１と、搬送路よりも下方に位置する処理槽１０の底部および側部にて構成され、エッチング液１００を一時的に貯留するとともに、貯留されたエッチング液１００を処理槽１０の外部に排出する排出部１３と、搬送路よりも下方でかつ排出部１３の上方に位置し、排出部１３に一時的に貯留されたエッチング液１００の液面に生じた気泡１０２を加熱することで当該気泡１０２を破泡するヒータ３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】横の広がりを抑えて貫通孔を形成することができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１に貫通孔８を形成するシリコン基板の加工方法であって、（１）前記シリコン基板の裏面に開口部を有するエッチングマスク層５を形成する工程と、（２）前記開口部を通じて前記シリコン基板に未貫通孔７を形成する工程と、（３）前記未貫通孔が形成された前記シリコン基板の裏面から、（１００）面のエッチングレートが（１１０）面のエッチングレートよりも速いエッチング液を用いて結晶異方性エッチングを行い、前記貫通孔を形成する工程と、を有するシリコン基板の加工方法である。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出し、薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻す。薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に基づき、基板１の移動速度を変更する。そして、薬液ノズル２１から基板移動方向側に離して配置された洗浄液ノズル３１から基板１へ洗浄液を吐出して、基板１から薬液２を洗い流す。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を正確かつ迅速に目標の特性になるように混合する。
【解決手段】混合前の複数の流体を流すための流路５，７，１１，１３と、混合後の流体を流すための流路１５，１７と、流体を流路で移動させるためのポンプ１９と、混合前の複数の流体の流量をそれぞれ調整するための流量調整部１１ｂ，１３ｂと、混合後の流体の特性を光学的に測定するための測定部１５ａと、測定部１５ａの測定結果に基づいて混合後の流体が目標の特性になるように流量調整部１１ｂ，１３ｂを制御して混合前の流体の流量を調整する制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理モジュール間で共有されている共通用力系の負荷を抑えた処理装置等を提供する。
【解決手段】処理モジュール群は、基板に対して各々同一の処理を行うための多数の処理モジュールを、ｎ個（ｎ≧２）を１組としてｋ組（ｋ≧２）備え、各組の処理モジュールには各組の処理モジュールに対して共通化されると共にその最大能力がｍ個（ｍ≦ｎ）分の大きさの共通用力系が設けられている。搬送機構は各組の処理モジュールに基板を順次１個づつ搬入する動作を繰り返し、このとき（１）共通用力系が使用されている一の処理モジュールにおける処理が終了した後にその組の他の処理モジュールへ基板を搬入するか、または（２）当該一の処理モジュールの処理の終了を待たずに他の処理モジュールへ基板を搬入してから当該一の処理モジュールにおける処理が終了した後に他の処理モジュールの処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】 被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第１の膜に接触させ、第１の膜のエッチングを進行させる第１処理液供給部１５と、第１処理液とは状態が異なる第２処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第２の膜に接触させ、第２の膜のエッチングを進行させる第２処理液供給部１７と、第１の膜の除去状態を検出する検出部３１と、検出部３１の検出値に基づいて、第１の膜が除去されたと判断した場合に、切り換え部１３に、処理液を第１処理液から第２処理液に切り換える指令を送信する制御部３２とを具備し、検出部３１は、被処理体Ｗに接触した第１処理液の所定物質の濃度を測定する。 （もっと読む）