【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】基板の乾燥処理時に基板から液滴を迅速かつ良好に滴下させて、基板処理装置のスループットを向上させるとともに、基板を良好に乾燥させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記液処理を行った前記基板（６）から液滴を除去するために前記基板（６）の外周縁部に対して相対的に接離可能に設けた液滴除去部材（４６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽１内でのリンス処理が完了した後に待機位置ＷＰで置換処理を行うために、単に基板Ｗを待機位置ＷＰに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりＤＩＷ蒸気が基板Ｗに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、ＤＩＷ蒸気の動圧によって基板Ｗに付着しているＤＩＷが下方へ押し流されて基板Ｗに残存するＤＩＷ量が低下する。また、基板ＷのうちＤＩＷ蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってＤＩＷの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ２１０と、チャンバ２１０の内部を加熱するヒータ２１２と、チャンバ２１０に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ２１０から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ２１０を回転させる回転部２７０と、を備えている。回転部２７０は、チャンバ２１０を水平方向に対して９０°以上１８０°以下回転させる。 （もっと読む）

【課題】乾燥処理条件に起因して変動するパーティクルのレベルを安定して低く抑える。
【解決手段】基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽（６９）を有する洗浄処理部（６２）と、洗浄槽の上方に設けられて揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスおよび不活性ガスを用いて基板の乾燥を行う乾燥チャンバー（６５）を有する乾燥処理部（６１）と、を備えたバッチ式の基板処理装置において、予め定められた関係に基づいて、乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、乾燥処理部の乾燥チャンバーに基板を搬入する前に、乾燥チャンバー内の温度を、設定した基板搬入時乾燥チャンバー内温度に調整する。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切換えに要する時間を短縮することができ、構成も簡略化できる基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬出入機構４は、複数枚の基板Ｗを積層状態で一括して保持するバッチハンド４０と、このバッチハンド４０を進退させるバッチハンド進退機構と、１枚の基板Ｗを保持する枚葉ハンド３９と、この枚葉ハンド３９を進退させる枚葉ハンド進退機構と、バッチハンド進退機構および枚葉ハンド進退機構を保持する保持ベース４１と、保持ベース４１を上下動させる昇降ブロック４３と、前記保持ベース４１を鉛直方向に沿う旋回ブロック４２とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、基板Ｗと共に回転可能な支持部材１０と、支持部材１０と共に基板Ｗを液処理するための処理室Ｓを形成し、処理室Ｓ内に気体を流入させる開口部２４を備えるカバー２０と、処理室Ｓ内において基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、支持部材１０の外周部１３とカバー２０の外周部２３との間に形成される環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を受け取るカップ４０と、環状間隙ＧＰを調節する調節機構１２２と、処理室Ｓの開口部２４に液供給部材３０を接近または離間させる移動機構１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを液処理する液処理装置１において、ウエハＷを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０の上方を覆いウエハ支持部材１０と共にウエハＷを液処理するための処理室Ｓを形成するカバー２０と、カバー２０の外周部２３とウエハ支持部材１０の外周部１３との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー２０を昇降させる昇降機構１３２と、処理室Ｓ内に配置され、回転するウエハＷに処理液を供給する液供給部材３０（４０）と、ウエハ支持部材１０によりウエハＷを支持していない状態で、カバー２０の位置を閉位置に設定し、液供給部材３０（４０）により処理室Ｓ内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー２０の位置を開位置に変更する制御装置７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法により２つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１では、被処理基板の回転保持部２１を囲むように設けられた第１、第２のカップ５１、５２は、回転する被処理基板Ｗから飛散した処理液を下方側へ案内し、第１の駆動部６１０及び第２の駆動部６２０は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第１のカップ５１及び第２のカップ５２昇降させる。制御部７は、第１、第２のカップ５１、５２の同時上昇時、第１のカップ５１の上昇速度を第２のカップ５２の上昇速度よりも大きくし、第１のカップ５１またはその第１の昇降部材は、前記第２のカップ５２またはその第２の昇降部材に下方側から重なり合って、第１の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第１のカップ５１と第２のカップ５２とを同時に上昇させる （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、基板処理部（２１）から排出された処理流体を含有する排気を処理するための排気処理部（２３）とを有し、排気処理部（２３）は、排気が流れる排気処理流路（４４）の下流側に下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路（４６）を形成し、排気上昇流路（４６）の断面積を排気処理流路（４４）の断面積よりも大きくして、排気上昇流路（４６）を流れる排気の流速を排気処理流路（４４）を流れる排気の流速よりも遅くなるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第１の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第１の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）