基板の液処理装置および液処理方法
【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板の周縁部分に処理液を供給することにより当該基板の処理を行う基板の液処理装置および液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハともいう）に処理液を供給することにより当該基板の処理を行うような基板の液処理装置が知られている。このような基板の液処理装置は、１枚のウエハを略水平状態に保持する保持部と、鉛直方向に延びる軸線を中心として保持部を回転させる回転駆動部とを備えており、回転駆動部が保持部を回転させることによりこの保持部により略水平状態に保持されたウエハが鉛直方向に延びる軸線を中心として回転するようになっている。また、上述のような液処理装置には、保持部により保持されたウエハの表面や裏面に洗浄液や薬液等の処理液を供給する処理液供給部が設けられている。ウエハを回転させながら処理液供給部によりウエハに処理液を供給することにより、ウエハの洗浄処理や薬液処理等の処理を行うことができる。
【０００３】
また、従来の基板の液処理装置においては、ウエハの処理を行う際にパーティクルがウエハの表面に付着することを防止するために、保持部により保持されたウエハの表面にクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスをダウンフローで供給し、ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制するようになっている。
【０００４】
また、ウエハの高温処理を行う場合は、処理液供給部によりウエハに供給される処理液を予め加熱しておくことが知られている（例えば、特許文献１参照）。処理液供給部により高温の処理液をウエハに供給すると、この処理液からウエハに熱が伝達されることにより、ウエハを加熱しながら当該ウエハの処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１１５４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の基板の液処理装置において、保持部により保持されたウエハの表面にクリーンエアやＮ２ガス等のガスをダウンフローで供給し、ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制する際に、ウエハの表面に供給されるガスの流量が多ければ多いほどウエハの表面に対するパーティクルの付着をより一層抑制することができる。しかしながら、ウエハの高温処理を行う際に、ウエハの表面に供給されるガスが常温ガスなので、ウエハ全体の温度が上がりにくいという問題がある。
【０００７】
特に、従来の基板の液処理装置によりウエハの処理を行う際に、ウエハの周縁部分の処理を行う場合には、ウエハを回転させてこのウエハの表面に常温のクリーンエアやＮ２ガス等のガスを供給しながら処理液供給部によりウエハの周縁部分に処理液を供給する。ここで、ウエハの周縁部分とは、ウエハにおける半導体の製品を取ることができないような外周縁近傍の部分のことをいう。しかしながら、ウエハの高温処理を行う際に、ウエハの周縁部分に高温の処理液を供給したとしても、ウエハの中心部分近傍は処理液により加熱されないため、ウエハ全体の温度が上がりにくいという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ウエハの周縁部分の処理を行う場合において、ウエハの高温処理を十分に行うことができ、また、ウエハの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板の液処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転駆動部と、前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給する処理液供給部と、前記保持部により保持された基板に対向する対向板と、前記対向板を介して基板を加熱する加熱部分と、加熱されたガスを保持された基板の表面に供給する加熱ガス供給部分と、を有する遮蔽ユニットと、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット内で加熱され、この加熱されたガスが前記加熱ガス供給部分によって基板に供給されるようになっていてもよい。
【００１１】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットにおいて、前記加熱部分は、前記対向板を介して基板を加熱する際に基板の周縁部分を加熱するようになっており、前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていてもよい。
【００１２】
この場合、前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていてもよい。
【００１３】
また、前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが前記迂回板により迂回され、前記加熱ガス供給部分から基板に供給されるようになっていてもよい。
【００１４】
また、前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触することにより加熱されるようになっていてもよい。
【００１５】
この場合、前記加熱部材は、前記保持部により保持された基板の中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分を有する加熱フィンであり、前記加熱フィンの前記各フィン部分に沿ってガスが流れることにより当該ガスが前記加熱フィンにより加熱されるようになっていてもよい。
【００１６】
この際に、前記加熱フィンの各フィン部分は、前記保持部により保持された基板の周方向に沿って延びるよう設けられていてもよい。
【００１７】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていてもよい。
【００１８】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分によって前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気するための排気部を更に備えていてもよい。
【００１９】
本発明の基板の液処理方法は、保持部により基板を保持させることと、基板を保持する前記保持部を回転させることと、前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給することと、前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱することと、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給することと、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の基板の液処理方法においては、前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを当該遮蔽ユニット内で加熱し、この加熱されたガスを基板に供給するようになっていてもよい。
【００２１】
本発明の基板の液処理方法においては、前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱する際に、基板の周縁部分を加熱し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていてもよい。
【００２２】
この場合、前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていてもよい。
【００２３】
また、前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを前記迂回板により迂回させ、その後基板に供給するようになっていてもよい。
【００２４】
また、前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触させることにより加熱するようになっていてもよい。
【００２５】
本発明の基板の液処理方法においては、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていてもよい。
【００２６】
本発明の基板の液処理方法においては、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気部により排気するようになっていてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の基板の液処理装置および液処理方法によれば、基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態における基板の液処理装置の概略縦断面図である。
【図２】図１に示す基板の液処理装置におけるガス加熱フィンのＡ−Ａライン矢視図である。
【図３】本発明の実施の形態における他の液処理装置の概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における更に他の液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における更に他の液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における基板の液処理装置において、保持部により保持されたウエハの表面の周縁部分に処理液を供給するための他の構成を示す概略縦断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における基板の液処理装置を含む液処理システムを上方から見た上方平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、図７を用いて、本実施の形態における基板の液処理装置を含む液処理システムについて説明する。
【００３０】
図７に示すように、液処理システムは、外部から被処理基板としての半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、ウエハＷともいう）を収容したキャリアを載置するための載置台１０１と、キャリアに収容されたウエハＷを取り出すための搬送アーム１０２と、搬送アーム１０２によって取り出されたウエハＷを載置するための棚ユニット１０３と、棚ユニット１０３に載置されたウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを液処理装置１内に搬送する搬送アーム１０４と、を備えている。図７に示すように、液処理システムには、複数（図７に示す態様では１２個）の液処理装置１が組み込まれている。
【００３１】
図１および図２は、本実施の形態による基板の液処理装置１を示す図である。より詳細には、図１は、本実施の形態における基板の液処理装置１の概略縦断面図であり、図２は、図１に示す基板の液処理装置１におけるガス加熱フィンのＡ−Ａライン矢視図である。
【００３２】
図１に示すように、基板の液処理装置１は、ケーシング２と、ウエハＷを略水平状態に保持する保持部１０と、保持部１０から下方に延びる回転軸１２と、回転軸１２を介して保持部１０を回転させる回転駆動部２０とを備えている。保持部１０は、当該保持部１０上に載置されたウエハＷを例えば真空吸着等により保持するようになっている。また、保持部１０および回転駆動部２０はケーシング２内に配置されている。
【００３３】
図１に示すように、回転軸１２は鉛直方向に延びるようになっている。回転駆動部２０は、回転軸１２の下端部の周縁外方に配置されたプーリ２４と、プーリ２４に巻き掛けられた駆動ベルト２６と、この駆動ベルト２６に駆動力を付与することによってプーリ２４を介して回転軸１２を回転させるモータ２２とを有している。また、プーリ２４よりも上方の箇所における回転軸１２の周縁外方にはベアリング１４が配置されている。
【００３４】
ケーシング２内において、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ３０が配置されている。上方カップ３０は、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図１に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。より詳細には、上方カップ３０にはアーム４４ａを介して上方カップ昇降機構４４が取り付けられており、この上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０が図１における矢印方向に昇降させられるようになっている。上方カップ３０は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板３２と、対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ（加熱部分）３１と、ヒータ３１の上部に設けられたガス加熱フィン３４と、ガス加熱フィン３４の上方に配置された略円盤形状の天板部材３６とを有している。
【００３５】
対向板３２は、前述のように、保持部１０により保持されたウエハＷに対向するようになっている。より詳細には、対向板３２は、保持部１０により保持されたウエハＷの上方において当該ウエハＷとわずかな間隔を隔てて配置されている。対向板３２は導熱性を有する材料から構成されている。この対向板３２は、例えば、金属材料に耐薬性コーティングが行われたものからなる。具体的には、対向板３２は、例えばアルミニウムにテフロン（登録商標）がコーティングされたものからなる。図１に示すように、対向板３２の中心部分には開口３２ａが形成されている。また、対向板３２の上部にはヒータ３１が設けられており、ヒータ３１から発せられた熱が対向板３２に伝達される。そして、加熱された対向板３２により、保持部１０により保持されたウエハＷと対向板３２との間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面が加熱されるようになっている。
【００３６】
また、ヒータ３１の上部には導熱性を有する材料から形成される加熱部材が設けられている。この加熱部材として、例えばガス加熱フィン３４が用いられるようになっている。そして、ヒータ３１から発せられた熱がガス加熱フィン３４に伝達されるようになっている。図１および図２に示すように、ガス加熱フィン３４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分３４ａを有している。ガス加熱フィン３４がこのようなフィン部分３４ａを複数有していることにより、ガス加熱フィン３４におけるガスに対する伝熱面積を増加させることができる。図２に示すように、各フィン部分３４ａは、保持部１０により保持されたウエハＷの周方向に沿って延びるよう設けられている。なお、図２において、参照のため保持部１０により保持されたウエハＷを二点鎖線で示している。また、図２において、後述する天板部材３６に形成された複数の貫通穴３６ａを点線で示している。
【００３７】
図１に示すように、ガス加熱フィン３４の上方には略円盤形状の天板部材３６が配置されている。天板部材３６の内部は中空となっており、この天板部材３６の上部における中心部分に設けられた上部開口３６ｂから当該天板部材３６の内部にクリーンエアやＮ２ガス等のガスが送られるようになっている。より詳細には、後述する送風機構４８によりケーシング２内にガスが送られ、このガスはケーシング２内でダウンフローとなるが、後述する排気部４２により上方カップ３０内のガスが吸引されることにより、ケーシング２内のダウンフローのガスの一部が上部開口３６ｂ内に取り込まれるようになっている。また、天板部材３６の底部３６ｃにおける周縁部分の箇所には複数の貫通穴３６ａが周方向に等間隔で形成されており（図２参照）、天板部材３６の内部に送られたガスは各貫通穴３６ａを介して天板部材３６の下方に流れるようになっている。
【００３８】
ここで、天板部材３６、ガス加熱フィン３４、ヒータ３１および対向板３２により、遮蔽ユニット３９が構成されている。また、天板部材３６の上部開口３６ｂは、ガスを遮蔽ユニット３９に導入するためのガス導入部分を構成している。また、天板部材３６の底部３６ｃは、上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスを迂回させる迂回板を構成している。より詳細には、天板部材３６の底部３６ｃは、遮蔽ユニット３９内に導入されたガスをウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に流れるようにし、次に逆方向に流れるようにするよう、遮蔽ユニット３９内でガスを迂回させている。このことにより、ガス加熱フィン３４におけるガスに対する伝熱面積を確実に増加させることができる。
【００３９】
図１に示すように、貫通穴３６ａを介して天板部材３６の下方に流れたガスはガス加熱フィン３４の上方において当該ガス加熱フィン３４の周縁部分から中心部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ３１から発せられた熱がガス加熱フィン３４に伝達され、ガス加熱フィン３４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン３４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００４０】
ガス加熱フィン３４により加熱されたガスは、対向板３２の中心部分に形成された開口３２ａを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られる。このようにして、加熱されたガスが保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給される。なお、対向板３２の中心部分に形成された開口３２ａは、加熱されたガスを保持されたウエハＷの表面に供給するための加熱ガス供給部分を構成している。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られたガスは、当該ウエハＷの表面と対向板３２の下面との間の隙間を通って、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れる。
【００４１】
保持部１０や回転軸１２の径方向外方には下方カップ４０が設けられている。この下方カップ４０は上方カップ３０の対向板３２の下方に配置され、当該対向板３２と下方カップ４０との間はシール部材３８によりシールされるようになっている。また、下方カップ４０の内部にはガスの流路４０ａが設けられており、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れたガスは、下方カップ４０の流路４０ａに送られるようになっている。また、下方カップ４０の下面には排気部４２が接続されており、下方カップ４０の流路４０ａに送られたガスは排気部４２により排気されるようになっている。下方カップ４０は、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図１に示すような位置から下方に移動することができるようになっている。より詳細には、下方カップ４０にはアーム４６ａを介して下方カップ昇降機構４６が取り付けられており、この下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０が図１における矢印方向に昇降させられるようになっている。
【００４２】
また、図１に示すように、対向板３２の内部には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に洗浄液や薬液等の処理液を供給するための処理液流路５２が形成されており、この処理液流路５２には処理液供給部５０が接続されている。そして、処理液供給部５０から処理液流路５２に処理液が供給され、この処理液が処理液流路５２から保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に吐出されるようになっている。なお、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に処理液を供給する方法は、図１に示すような処理液流路５２によるものに限定されることはない。他の例としては、例えば、図６に示すように、対向板３２に貫通穴５４を設け、この貫通穴５４を通るよう処理液供給管５６を処理液供給部５０に接続し、処理液供給管５６の先端部分にノズル５８を設けてもよい。この場合、処理液供給部５０から処理液供給管５６に処理液が供給され、この処理液供給管５６の先端部分に設けられたノズル５８からウエハＷの表面の周縁部分に処理液が噴射される。また、図６に示すような態様において、ノズル５８は貫通穴５４内においてウエハＷの径方向に移動自在となっていてもよい。
【００４３】
また、ケーシング２の内壁における上部位置には送風機構４８が取り付けられている。この送風機構４８によりクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスがケーシング２内に送られるようになっている。送風機構４８によりケーシング２内に送られたガスは、ケーシング２内でダウンフローとなる。そして、前述のように、排気部４２により上方カップ３０内のガスが吸引されることにより、ケーシング２内のダウンフローのガスの一部が上部開口３６ｂ内に取り込まれるようになっている。
【００４４】
また、図１に示すように、ケーシング２にはウエハＷの搬出入用の開口２ａが設けられており、この開口２ａには当該開口２ａの開閉を行うシャッター１８が設けられている。ケーシング２内にウエハＷを搬入したり、ケーシング２内からウエハＷを搬出したりする際には、シャッター１８が開口２ａを開き、搬送アーム１０４（図７参照）がこの開口２ａを介してケーシング２内に進入することにより、搬送アーム１０４から保持部１０にウエハＷが受け渡されたり、保持部１０に保持されたウエハＷが搬送アーム１０４により取り出されたりするようになっている。
【００４５】
次に、このような構成からなる基板の液処理装置１の動作（基板の液処理方法）について説明する。
【００４６】
まず、上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０が図１に示すような位置から上方に移動させられるとともに下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０が図１に示すような位置から下方に移動させられた状態で、液処理装置１のケーシング２の外方から搬送アーム１０４（図７参照）により開口２ａを介してケーシング２の内部にウエハＷが搬送され、保持部１０上にこのウエハＷが載置される。そして、例えば真空吸着によりウエハＷを保持部１０に保持させる。その後、上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０を下方に移動させるとともに下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０を上方に移動させ、上方カップ３０および下方カップ４０をそれぞれ図１に示すような位置とする。この際に、上方カップ３０と下方カップ４０との間がシール部材３８によりシールされる。また、この際に、ヒータ３１は対向板３２やガス加熱フィン３４を加熱している。対向板３２がヒータ３１により加熱されることにより、加熱された対向板３２によりこの対向板３２とウエハＷとの間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷが加熱される。
【００４７】
次に、回転駆動部２０により、鉛直方向に延びる軸線を中心として回転軸１２を回転させる。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷが回転される。このときに、モータ２２から駆動ベルト２６を介してプーリ２４に駆動力が付与されることによって回転軸１２が回転される。
【００４８】
そして、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、処理液供給部５０から処理液流路５２に洗浄液や薬液等の処理液を供給し、この処理液が処理液流路５２からウエハＷの表面の周縁部分に吐出される。このことにより、ウエハＷの周縁部分の洗浄処理や薬液処理等の処理が行われる。なお、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給される処理液は、加熱された処理液であることが好ましい。
【００４９】
また、送風機構４８によりケーシング２内に生成されるダウンフローのガスの一部が、排気部４２による吸引によって上部開口３６ｂ内に取り込まれる。そして、上部開口３６ｂから天板部材３６の内部にガスが送られ、各貫通穴３６ａを介してこのガスは天板部材３６の下方に流れる。その後、このガスはガス加熱フィン３４の上方において当該ガス加熱フィン３４の周縁部分から中心部分に向かって流れ、そして開口３２ａを介して下方に流れ、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られる。そして、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られたガスは、当該ウエハＷの表面と対向板３２の下面との間の隙間を通って、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れる。このことにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。また、ウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れるガスにより、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れたガスは、下方カップ４０の流路４０ａに送られ、最終的に排気部４２により排気される。
【００５０】
また、前述のように、ヒータ３１がガス加熱フィン３４を加熱しているので、天板部材３６から各貫通穴３６ａを介して下方に流れたガスがガス加熱フィン３４により加熱され、保持部１０により保持されたウエハＷの上面に加熱されたガスが送られる。このように、保持部１０により保持されたウエハＷは、対向板３２を介してヒータ３１により加熱されるとともに、加熱されたガスがウエハＷの表面に送られるので、ウエハＷの高温処理を行うことができる。
【００５１】
以上のように本実施の形態の基板の液処理装置１によれば、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分に処理液を供給する処理液供給部５０と、遮蔽ユニット３９とを備え、遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板３２と、対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ３１と、加熱されたガスを保持されたウエハＷの表面に供給する加熱ガス供給部分（対向板３２の開口３２ａ）とを備えている。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷを、対向板３２を介してヒータ３１により加熱するとともに、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に加熱されたガスを供給することにより、ウエハＷ全体の温度を高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。また、加熱ガス供給部分によって、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に加熱されたガスが供給されるので、ウエハＷの温度を下げることなく、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。
【００５２】
また、本実施の形態の基板の液処理装置１においては、図１に示すように、遮蔽ユニット３９は、ガスを当該遮蔽ユニット３９内に導入するためのガス導入部分（天板部材３６の上部開口３６ｂ）を更に有している。そして、遮蔽ユニット３９において、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット３９内で加熱され、この加熱されたガスが対向板３２の開口３２ａによってウエハＷに供給されるようになっている。
【００５３】
また、遮蔽ユニット３９は、天板部材３６の上部開口３６ｂから遮蔽ユニット３９内に導入されたガスを迂回させる迂回板（天板部材３６の底部３６ｃ）を更に有している。そして、遮蔽ユニット３９において、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが底部３６ｃにより迂回され、対向板３２の開口３２ａからウエハＷに供給されるようになっている。
【００５４】
また、遮蔽ユニット３９は、ヒータ３１により加熱され、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが接触するガス加熱フィン３４を有しており、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスがガス加熱フィン３４に接触することにより加熱されるようになっている。このように、一つのヒータ３１でウエハＷ自体とガスを同時に温調できるので、別途ガス温調機構を設ける必要がない。このため、省スペース化や省コスト化を図ることができる。
【００５５】
より詳細には、図２に示すように、ガス加熱フィン３４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分３４ａを有している。各フィン部分３４ａは、保持されたウエハＷの周方向に沿って延びるよう設けられている。そして、ガス加熱フィン３４の各フィン部分３４ａに沿って、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分から中心部分に向かってガスが流れることにより、当該ガスがガス加熱フィン３４により加熱されるようになっている。
【００５６】
また、図１に示すように、ケーシング２内においてダウンフローでガスを流すようにし、排気部４２による吸引により遮蔽ユニット３９内にガスを取り込み、この遮蔽ユニット３９内でガスを加熱するようにした場合には、加熱されるガスの量が比較的少なくなるので、ガスの加熱を必要最小限とすることができるという利点がある。
【００５７】
なお、本実施の形態による基板の液処理装置１は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。
【００５８】
例えば、基板の液処理装置１に送風機構４８を設ける代わりに、図７に示す液処理システムにおいて各液処理装置１の上方（図７の紙面における手前側）にファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）を設けるようにしてもよい。このとき、液処理装置１のケーシング２の上方部分に、ＦＦＵからのガスを導入するためのガス導入口が設けられる。この場合には、ＦＦＵから各液処理装置１にクリーンエアやＮ２ガス等のガスが送られ、このガスはケーシング２の上方部分に設けられたガス導入口を介してケーシング２内に取り込まれ、ケーシング２内でダウンフローの流れとなる。
【００５９】
また、対向板３２およびガス加熱フィン３４の両方を加熱するようなヒータ３１を設ける代わりに、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱するためのウエハ加熱部分、および保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給されるガスを加熱するためのガス加熱部分の両方を設けてもよい。この場合、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱するためのウエハ加熱部分は、当該ウエハＷの表面側（図１におけるウエハＷの上方側）ではなく、ウエハＷの裏面側（図１におけるウエハＷの下方側）に設けられていてもよい。
【００６０】
また、対向板３２を介してウエハＷを加熱する加熱部分は、ヒータ３１に限定されることはない。対向板３２を介してウエハＷを加熱することができるものであれば、ヒータ３１以外の他の機構を加熱部分として用いてもよい。具体的には、例えば、ヒータ３１を設ける代わりに、加熱された温水を対向板３２内で循環させ、このことにより対向板３２を加熱するようにしてもよい。
【００６１】
また、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分に処理液を供給する処理液供給部は、ウエハＷの表面側の周縁部分ではなく、ウエハＷの裏面側の周縁部分に処理液を供給するようになっていてもよい。この場合、ウエハＷの裏面側の周縁部分に処理液を供給するための処理液供給部および処理液流路が別途設けられることとなる。あるいは、ウエハＷの表面側および裏面側のそれぞれの周縁部分に処理液が供給されるようになっていてもよい。
【００６２】
また、基板の液処理装置１に設けられる遮蔽ユニットは、単に、対向板３２、この対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ３１、および加熱されたガスをウエハＷの表面に供給する加熱ガス供給部分（対向板３２の開口３２ａ）のみを備えたものであってもよい。すなわち、図１に示すような遮蔽ユニット３９と比較して、天板部材３６およびガス加熱フィン３４が省略された遮蔽ユニットを用いてもよい。この場合、基板の液処理装置１とは別の装置で予め加熱されたガスを、対向板３２の開口３２ａから保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給してもよい。あるいは、基板の液処理装置１にガス加熱フィン３４以外のガス加熱機構（図示せず）が設けられており、このガス加熱機構によりガスを加熱し、加熱されたガスを対向板３２の開口３２ａからウエハＷの表面に供給するようになっていてもよい。基板の液処理装置１とは別の装置で予め加熱されたガスや、ガス加熱フィン３４以外のガス加熱機構等により予め加熱されたガスをウエハＷの表面に供給する場合には、ガスを保温するための保温機構を設けることとなる。
【００６３】
また、ヒータ３１、対向板３２およびガス加熱フィン３４を含む遮蔽ユニット３９は図１に示すような構成のものとなっていなくともよい。本実施の形態の基板の液処理装置に設けられる遮蔽ユニット３９の他の例を、図３を用いて説明する。なお、図３に示す基板の液処理装置１ａにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
図３に示すような基板の液処理装置１ａにおいて、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ７０が配置されている。上方カップ７０は、上方カップ昇降機構４４により、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図３に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。上方カップ７０は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板７２と、対向板７２の上部に接続されたヒータ７１と、ヒータ７１の上部に設けられた加熱部材と、加熱部材の上方に配置された略円盤形状の天板部材７６とを有している。加熱部材として、例えばガス加熱フィン７４が用いられるようになっている。
【００６５】
対向板７２は、前述のように、保持部１０により保持されたウエハＷに対向するようになっている。より詳細には、対向板７２は、保持部１０により保持されたウエハＷの上方において当該ウエハＷとわずかな間隔を隔てて配置されている。対向板７２は導熱性を有する材料から構成されている。図３に示すように、この対向板７２には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍にガスを送るためのガスの流路７２ａが形成されている。また、対向板７２の上部にはヒータ７１が接続されており、ヒータ７１から発せられた熱が対向板７２に伝達され、この対向板７２によりウエハＷの表面が加熱されるようになっている。
【００６６】
また、ヒータ７１の上部には導熱性を有する材料から形成されるガス加熱フィン７４が接続されており、ヒータ７１から発せられた熱がガス加熱フィン７４に伝達されるようになっている。ガス加熱フィン７４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分７４ａを有している。
【００６７】
図３に示すように、ガス加熱フィン７４の上方には略円盤形状の天板部材７６が配置されている。天板部材７６の中心部分には貫通穴７６ａが形成されている。そして、送風機構４８により生成される、クリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスのダウンフローの一部が、排気部４２による吸引によって、貫通穴７６ａを介して天板部材７６の下方に送られるようになっている。
【００６８】
ここで、天板部材７６、ガス加熱フィン７４、ヒータ７１および対向板７２により、遮蔽ユニット７９が構成されている。また、天板部材７６の貫通穴７６ａは、ガスを遮蔽ユニット７９に導入するためのガス導入部分を構成している。
【００６９】
図３に示すように、貫通穴７６ａを介して天板部材７６の下方に流れたガスはガス加熱フィン７４の上方において当該ガス加熱フィン７４の中心部分から周縁部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ７１から発せられた熱がガス加熱フィン７４に伝達され、ガス加熱フィン７４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン７４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００７０】
ガス加熱フィン７４により加熱されたガスは、対向板７２に形成されたガスの流路７２ａを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍に送られる。このようにして、加熱されたガスが保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給される。このガスにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。また、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスにより、ウエハＷの周縁部分が加熱される。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスは、下方カップ４０のガスの流路４０ａに送られる。
【００７１】
図３に示すような遮蔽ユニット７９を用いた場合でも、図１に示すような遮蔽ユニット３９を用いた場合と同様に、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱部分により加熱するとともに、加熱されたガスを保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給することにより、処理液が供給される箇所であるウエハＷの周縁部分の温度を少なくとも高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。
【００７２】
また、本実施の形態の基板の液処理装置の更に他の態様について、図４を用いて説明する。なお、図４に示す基板の液処理装置１ｂにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７３】
一般的に、ウエハＷを加熱しながら当該ウエハＷの液処理を行う際に、ウエハＷが高温になり過ぎると、ウエハＷが反ってしまう等、ウエハＷが変形してしまい、保持部１０によるウエハＷの真空吸着等における吸着力が弱くなってしまう。このように、ウエハＷの変形を引き起こす可能性のあるような高温処理を行う場合には、ウエハＷに対して安定的に液処理を行うことができないという問題がある。これに対して、図４に示す基板の液処理装置１ｂのように、ウエハＷの表面における周縁部分のみを加熱した場合には、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【００７４】
より詳細には、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、図１に示す基板の液処理装置１と比較して、対向板３２の下部に断熱部材３３が追加的に設置されている。この断熱部材３３は略円盤形状のものからなり、保持部１０により保持されたウエハＷの上面の大部分を覆うようになっている。具体的には、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、対向板３２の直径は保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、断熱部材３３の直径は、ウエハＷの直径よりも小さく、保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、対向板３２の開口３２ａから下方に流れるガスは、この対向板３２と断熱部材３３との間の隙間を通ってウエハＷの半径方向外方に流れ、ウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側にこのガスが供給されるようになる。
【００７５】
図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、断熱部材３３が設けられていることにより、ヒータ３１により加熱された対向板３２は、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみを加熱するようになり、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域は対向板３２により直接加熱させられることはない。また、ウエハＷの表面における少なくとも保持部１０に接触する領域は断熱部材３３により覆われているので、ガス加熱フィン３４により加熱されたガスは、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみに送られるようになる。このため、加熱されたガスによっても、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域は直接加熱させられることはない。このように、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみが加熱させられるようになる。
【００７６】
また、本実施の形態の基板の液処理装置の更に他の態様について、図５を用いて説明する。なお、図５に示す基板の液処理装置１ｃにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７７】
図５に示す基板の液処理装置１ｃでも、図４に示す基板の液処理装置１ｂと同様に、ウエハＷの高温処理を行う際に、ウエハＷの表面における周縁部分のみを加熱することにより、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【００７８】
より詳細には、図５に示すような基板の液処理装置１ｃにおいて、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ８０が配置されている。上方カップ８０は、上方カップ昇降機構４４により、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図５に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。上方カップ８０は、略円盤形状の本体部分８２と、本体部分８２の上方に設置された略円盤形状の天板部材８６とを有している。本体部分８２は、導熱性を有する部材から形成されている。天板部材８６の中心部分には貫通穴８６ａが形成されており、排気部４２による吸引によって、この貫通穴８６ａの上方からクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスが天板部材８６の下方に送られるようになっている。
【００７９】
上方カップ８０の本体部分８２の内部には、天板部材８６の下面に取り付けられた断熱部材８２ａと、断熱部材８２ａの下面に取り付けられたヒータ８２ｂとがそれぞれ設けられている。また、本体部分８２の内部において、ヒータ８２ｂの下方にはわずかな間隔を隔てて加熱部材が設けられている。加熱部材として、例えばガス加熱フィン８４が用いられるようになっている。また、このガス加熱フィン８４の下面には断熱部材８８が取り付けられている。本体部分８２の直径は保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、断熱部材８８の直径も保持部１０の直径よりも大きくなっているが、この断熱部材８８の直径はウエハＷの直径よりも小さくなっている。また、本体部分８２には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍にガスを送るためのガスの流路８２ｃが設けられている。このようにして、天板部材８６の下方に送られたガスは、ガス加熱フィン８４に沿ってウエハＷの半径方向外方に流れ、流路８２ｃを介して、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側に供給されるようになる。このガスにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。
【００８０】
図５に示すような基板の液処理装置１ｃでは、ヒータ８２ｂから発せられた熱が本体部分８２に伝達され、この加熱された本体部分８２により、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における周縁部分と本体部分８２と間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面における周縁部分が加熱させられる。
【００８１】
また、ヒータ８２ｂの近傍には導熱性を有する材料から形成されるガス加熱フィン８４が設けられており、ヒータ８２ｂから発せられた熱がガス加熱フィン８４に伝達されるようになっている。ガス加熱フィン８４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分８４ａを有している。
【００８２】
ここで、本体部分８２、断熱部材８２ａ、ヒータ８２ｂ、ガス加熱フィン８４、天板部材８６、断熱部材８８により、遮蔽ユニット８９が構成されている。また、天板部材８６の貫通穴８６ａは、ガスを遮蔽ユニット８９に導入するためのガス導入部分を構成している。
【００８３】
図５に示すように、貫通穴８６ａを介して天板部材８６の下方に流れたガスはガス加熱フィン８４の上方において当該ガス加熱フィン８４の中心部分から周縁部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ８２ｂから発せられた熱がガス加熱フィン８４に伝達され、ガス加熱フィン８４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン８４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００８４】
ガス加熱フィン８４により加熱されたガスは、本体部分８２に形成されたガスの流路８２ｃを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側に送られる。そして、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に送られたガスにより、ウエハＷにおける保持部１０に接触する領域よりも外側の領域が加熱される。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスは、下方カップ４０のガスの流路４０ａに送られる。
【００８５】
また、前述のように、ヒータ８２ｂから発せられた熱が本体部分８２に伝達され、この加熱された本体部分８２により、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における周縁部分と本体部分８２と間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面における周縁部分が加熱させられる。一方、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における少なくとも保持部１０に接触する領域を覆うよう断熱部材８８が設けられているため、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域が直接加熱させられることはない。
【００８６】
図５に示すような遮蔽ユニット８９を用いた場合には、図１に示すような遮蔽ユニット３９を用いた場合と同様に、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱部分により加熱するとともに、加熱されたガスを保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給することにより、処理液が供給される箇所であるウエハＷの周縁部分の温度を少なくとも高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。
【００８７】
さらに、図５に示す基板の液処理装置１ｃでは、図４に示す基板の液処理装置１ｂと同様に、ウエハＷの表面における周縁部分のみが加熱させられるようになる。このため、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【符号の説明】
【００８８】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 液処理装置
２ ケーシング
２ａ 開口
１０ 保持部
１２ 回転軸
１４ ベアリング
１８ シャッター
２０ 回転駆動部
２２ モータ
２４ プーリ
２６ 駆動ベルト
３０ 上方カップ
３１ ヒータ
３２ 対向板
３２ａ 開口
３３ 断熱部材
３４ ガス加熱フィン
３４ａ フィン部分
３６ 天板部材
３６ａ 貫通穴
３６ｂ 上部開口
３６ｃ 底部
３８ シール部材
３９ 遮蔽ユニット
４０ 下方カップ
４０ａ 流路
４２ 排気部
４４ 上方カップ昇降機構
４４ａ アーム
４６ 下方カップ昇降機構
４６ａ アーム
４８ 送風機構
５０ 処理液供給部
５２ 処理液流路
５４ 貫通穴
５６ 処理液供給管
５８ ノズル
７０ 上方カップ
７１ ヒータ
７２ 対向板
７２ａ 流路
７４ ガス加熱フィン
７４ａ フィン部分
７６ 天板部材
７６ａ 貫通穴
７９ 遮蔽ユニット
８０ 上方カップ
８２ 本体部分
８２ａ 断熱部材
８２ｂ ヒータ
８２ｃ 流路
８４ ガス加熱フィン
８６ 天板部材
８６ａ 貫通穴
８８ 断熱部材
８９ 遮蔽ユニット
１０１ 載置台
１０２ 搬送アーム
１０３ 棚ユニット
１０４ 搬送アーム
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板の周縁部分に処理液を供給することにより当該基板の処理を行う基板の液処理装置および液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハともいう）に処理液を供給することにより当該基板の処理を行うような基板の液処理装置が知られている。このような基板の液処理装置は、１枚のウエハを略水平状態に保持する保持部と、鉛直方向に延びる軸線を中心として保持部を回転させる回転駆動部とを備えており、回転駆動部が保持部を回転させることによりこの保持部により略水平状態に保持されたウエハが鉛直方向に延びる軸線を中心として回転するようになっている。また、上述のような液処理装置には、保持部により保持されたウエハの表面や裏面に洗浄液や薬液等の処理液を供給する処理液供給部が設けられている。ウエハを回転させながら処理液供給部によりウエハに処理液を供給することにより、ウエハの洗浄処理や薬液処理等の処理を行うことができる。
【０００３】
また、従来の基板の液処理装置においては、ウエハの処理を行う際にパーティクルがウエハの表面に付着することを防止するために、保持部により保持されたウエハの表面にクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスをダウンフローで供給し、ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制するようになっている。
【０００４】
また、ウエハの高温処理を行う場合は、処理液供給部によりウエハに供給される処理液を予め加熱しておくことが知られている（例えば、特許文献１参照）。処理液供給部により高温の処理液をウエハに供給すると、この処理液からウエハに熱が伝達されることにより、ウエハを加熱しながら当該ウエハの処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１１５４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の基板の液処理装置において、保持部により保持されたウエハの表面にクリーンエアやＮ２ガス等のガスをダウンフローで供給し、ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制する際に、ウエハの表面に供給されるガスの流量が多ければ多いほどウエハの表面に対するパーティクルの付着をより一層抑制することができる。しかしながら、ウエハの高温処理を行う際に、ウエハの表面に供給されるガスが常温ガスなので、ウエハ全体の温度が上がりにくいという問題がある。
【０００７】
特に、従来の基板の液処理装置によりウエハの処理を行う際に、ウエハの周縁部分の処理を行う場合には、ウエハを回転させてこのウエハの表面に常温のクリーンエアやＮ２ガス等のガスを供給しながら処理液供給部によりウエハの周縁部分に処理液を供給する。ここで、ウエハの周縁部分とは、ウエハにおける半導体の製品を取ることができないような外周縁近傍の部分のことをいう。しかしながら、ウエハの高温処理を行う際に、ウエハの周縁部分に高温の処理液を供給したとしても、ウエハの中心部分近傍は処理液により加熱されないため、ウエハ全体の温度が上がりにくいという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ウエハの周縁部分の処理を行う場合において、ウエハの高温処理を十分に行うことができ、また、ウエハの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板の液処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転駆動部と、前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給する処理液供給部と、前記保持部により保持された基板に対向する対向板と、前記対向板を介して基板を加熱する加熱部分と、加熱されたガスを保持された基板の表面に供給する加熱ガス供給部分と、を有する遮蔽ユニットと、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット内で加熱され、この加熱されたガスが前記加熱ガス供給部分によって基板に供給されるようになっていてもよい。
【００１１】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットにおいて、前記加熱部分は、前記対向板を介して基板を加熱する際に基板の周縁部分を加熱するようになっており、前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていてもよい。
【００１２】
この場合、前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていてもよい。
【００１３】
また、前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが前記迂回板により迂回され、前記加熱ガス供給部分から基板に供給されるようになっていてもよい。
【００１４】
また、前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触することにより加熱されるようになっていてもよい。
【００１５】
この場合、前記加熱部材は、前記保持部により保持された基板の中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分を有する加熱フィンであり、前記加熱フィンの前記各フィン部分に沿ってガスが流れることにより当該ガスが前記加熱フィンにより加熱されるようになっていてもよい。
【００１６】
この際に、前記加熱フィンの各フィン部分は、前記保持部により保持された基板の周方向に沿って延びるよう設けられていてもよい。
【００１７】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていてもよい。
【００１８】
本発明の基板の液処理装置においては、前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分によって前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気するための排気部を更に備えていてもよい。
【００１９】
本発明の基板の液処理方法は、保持部により基板を保持させることと、基板を保持する前記保持部を回転させることと、前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給することと、前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱することと、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給することと、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の基板の液処理方法においては、前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを当該遮蔽ユニット内で加熱し、この加熱されたガスを基板に供給するようになっていてもよい。
【００２１】
本発明の基板の液処理方法においては、前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱する際に、基板の周縁部分を加熱し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていてもよい。
【００２２】
この場合、前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていてもよい。
【００２３】
また、前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを前記迂回板により迂回させ、その後基板に供給するようになっていてもよい。
【００２４】
また、前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触させることにより加熱するようになっていてもよい。
【００２５】
本発明の基板の液処理方法においては、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていてもよい。
【００２６】
本発明の基板の液処理方法においては、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気部により排気するようになっていてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の基板の液処理装置および液処理方法によれば、基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態における基板の液処理装置の概略縦断面図である。
【図２】図１に示す基板の液処理装置におけるガス加熱フィンのＡ−Ａライン矢視図である。
【図３】本発明の実施の形態における他の液処理装置の概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における更に他の液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における更に他の液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における基板の液処理装置において、保持部により保持されたウエハの表面の周縁部分に処理液を供給するための他の構成を示す概略縦断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における基板の液処理装置を含む液処理システムを上方から見た上方平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、図７を用いて、本実施の形態における基板の液処理装置を含む液処理システムについて説明する。
【００３０】
図７に示すように、液処理システムは、外部から被処理基板としての半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、ウエハＷともいう）を収容したキャリアを載置するための載置台１０１と、キャリアに収容されたウエハＷを取り出すための搬送アーム１０２と、搬送アーム１０２によって取り出されたウエハＷを載置するための棚ユニット１０３と、棚ユニット１０３に載置されたウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを液処理装置１内に搬送する搬送アーム１０４と、を備えている。図７に示すように、液処理システムには、複数（図７に示す態様では１２個）の液処理装置１が組み込まれている。
【００３１】
図１および図２は、本実施の形態による基板の液処理装置１を示す図である。より詳細には、図１は、本実施の形態における基板の液処理装置１の概略縦断面図であり、図２は、図１に示す基板の液処理装置１におけるガス加熱フィンのＡ−Ａライン矢視図である。
【００３２】
図１に示すように、基板の液処理装置１は、ケーシング２と、ウエハＷを略水平状態に保持する保持部１０と、保持部１０から下方に延びる回転軸１２と、回転軸１２を介して保持部１０を回転させる回転駆動部２０とを備えている。保持部１０は、当該保持部１０上に載置されたウエハＷを例えば真空吸着等により保持するようになっている。また、保持部１０および回転駆動部２０はケーシング２内に配置されている。
【００３３】
図１に示すように、回転軸１２は鉛直方向に延びるようになっている。回転駆動部２０は、回転軸１２の下端部の周縁外方に配置されたプーリ２４と、プーリ２４に巻き掛けられた駆動ベルト２６と、この駆動ベルト２６に駆動力を付与することによってプーリ２４を介して回転軸１２を回転させるモータ２２とを有している。また、プーリ２４よりも上方の箇所における回転軸１２の周縁外方にはベアリング１４が配置されている。
【００３４】
ケーシング２内において、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ３０が配置されている。上方カップ３０は、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図１に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。より詳細には、上方カップ３０にはアーム４４ａを介して上方カップ昇降機構４４が取り付けられており、この上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０が図１における矢印方向に昇降させられるようになっている。上方カップ３０は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板３２と、対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ（加熱部分）３１と、ヒータ３１の上部に設けられたガス加熱フィン３４と、ガス加熱フィン３４の上方に配置された略円盤形状の天板部材３６とを有している。
【００３５】
対向板３２は、前述のように、保持部１０により保持されたウエハＷに対向するようになっている。より詳細には、対向板３２は、保持部１０により保持されたウエハＷの上方において当該ウエハＷとわずかな間隔を隔てて配置されている。対向板３２は導熱性を有する材料から構成されている。この対向板３２は、例えば、金属材料に耐薬性コーティングが行われたものからなる。具体的には、対向板３２は、例えばアルミニウムにテフロン（登録商標）がコーティングされたものからなる。図１に示すように、対向板３２の中心部分には開口３２ａが形成されている。また、対向板３２の上部にはヒータ３１が設けられており、ヒータ３１から発せられた熱が対向板３２に伝達される。そして、加熱された対向板３２により、保持部１０により保持されたウエハＷと対向板３２との間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面が加熱されるようになっている。
【００３６】
また、ヒータ３１の上部には導熱性を有する材料から形成される加熱部材が設けられている。この加熱部材として、例えばガス加熱フィン３４が用いられるようになっている。そして、ヒータ３１から発せられた熱がガス加熱フィン３４に伝達されるようになっている。図１および図２に示すように、ガス加熱フィン３４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分３４ａを有している。ガス加熱フィン３４がこのようなフィン部分３４ａを複数有していることにより、ガス加熱フィン３４におけるガスに対する伝熱面積を増加させることができる。図２に示すように、各フィン部分３４ａは、保持部１０により保持されたウエハＷの周方向に沿って延びるよう設けられている。なお、図２において、参照のため保持部１０により保持されたウエハＷを二点鎖線で示している。また、図２において、後述する天板部材３６に形成された複数の貫通穴３６ａを点線で示している。
【００３７】
図１に示すように、ガス加熱フィン３４の上方には略円盤形状の天板部材３６が配置されている。天板部材３６の内部は中空となっており、この天板部材３６の上部における中心部分に設けられた上部開口３６ｂから当該天板部材３６の内部にクリーンエアやＮ２ガス等のガスが送られるようになっている。より詳細には、後述する送風機構４８によりケーシング２内にガスが送られ、このガスはケーシング２内でダウンフローとなるが、後述する排気部４２により上方カップ３０内のガスが吸引されることにより、ケーシング２内のダウンフローのガスの一部が上部開口３６ｂ内に取り込まれるようになっている。また、天板部材３６の底部３６ｃにおける周縁部分の箇所には複数の貫通穴３６ａが周方向に等間隔で形成されており（図２参照）、天板部材３６の内部に送られたガスは各貫通穴３６ａを介して天板部材３６の下方に流れるようになっている。
【００３８】
ここで、天板部材３６、ガス加熱フィン３４、ヒータ３１および対向板３２により、遮蔽ユニット３９が構成されている。また、天板部材３６の上部開口３６ｂは、ガスを遮蔽ユニット３９に導入するためのガス導入部分を構成している。また、天板部材３６の底部３６ｃは、上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスを迂回させる迂回板を構成している。より詳細には、天板部材３６の底部３６ｃは、遮蔽ユニット３９内に導入されたガスをウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に流れるようにし、次に逆方向に流れるようにするよう、遮蔽ユニット３９内でガスを迂回させている。このことにより、ガス加熱フィン３４におけるガスに対する伝熱面積を確実に増加させることができる。
【００３９】
図１に示すように、貫通穴３６ａを介して天板部材３６の下方に流れたガスはガス加熱フィン３４の上方において当該ガス加熱フィン３４の周縁部分から中心部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ３１から発せられた熱がガス加熱フィン３４に伝達され、ガス加熱フィン３４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン３４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００４０】
ガス加熱フィン３４により加熱されたガスは、対向板３２の中心部分に形成された開口３２ａを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られる。このようにして、加熱されたガスが保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給される。なお、対向板３２の中心部分に形成された開口３２ａは、加熱されたガスを保持されたウエハＷの表面に供給するための加熱ガス供給部分を構成している。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られたガスは、当該ウエハＷの表面と対向板３２の下面との間の隙間を通って、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れる。
【００４１】
保持部１０や回転軸１２の径方向外方には下方カップ４０が設けられている。この下方カップ４０は上方カップ３０の対向板３２の下方に配置され、当該対向板３２と下方カップ４０との間はシール部材３８によりシールされるようになっている。また、下方カップ４０の内部にはガスの流路４０ａが設けられており、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れたガスは、下方カップ４０の流路４０ａに送られるようになっている。また、下方カップ４０の下面には排気部４２が接続されており、下方カップ４０の流路４０ａに送られたガスは排気部４２により排気されるようになっている。下方カップ４０は、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図１に示すような位置から下方に移動することができるようになっている。より詳細には、下方カップ４０にはアーム４６ａを介して下方カップ昇降機構４６が取り付けられており、この下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０が図１における矢印方向に昇降させられるようになっている。
【００４２】
また、図１に示すように、対向板３２の内部には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に洗浄液や薬液等の処理液を供給するための処理液流路５２が形成されており、この処理液流路５２には処理液供給部５０が接続されている。そして、処理液供給部５０から処理液流路５２に処理液が供給され、この処理液が処理液流路５２から保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に吐出されるようになっている。なお、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に処理液を供給する方法は、図１に示すような処理液流路５２によるものに限定されることはない。他の例としては、例えば、図６に示すように、対向板３２に貫通穴５４を設け、この貫通穴５４を通るよう処理液供給管５６を処理液供給部５０に接続し、処理液供給管５６の先端部分にノズル５８を設けてもよい。この場合、処理液供給部５０から処理液供給管５６に処理液が供給され、この処理液供給管５６の先端部分に設けられたノズル５８からウエハＷの表面の周縁部分に処理液が噴射される。また、図６に示すような態様において、ノズル５８は貫通穴５４内においてウエハＷの径方向に移動自在となっていてもよい。
【００４３】
また、ケーシング２の内壁における上部位置には送風機構４８が取り付けられている。この送風機構４８によりクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスがケーシング２内に送られるようになっている。送風機構４８によりケーシング２内に送られたガスは、ケーシング２内でダウンフローとなる。そして、前述のように、排気部４２により上方カップ３０内のガスが吸引されることにより、ケーシング２内のダウンフローのガスの一部が上部開口３６ｂ内に取り込まれるようになっている。
【００４４】
また、図１に示すように、ケーシング２にはウエハＷの搬出入用の開口２ａが設けられており、この開口２ａには当該開口２ａの開閉を行うシャッター１８が設けられている。ケーシング２内にウエハＷを搬入したり、ケーシング２内からウエハＷを搬出したりする際には、シャッター１８が開口２ａを開き、搬送アーム１０４（図７参照）がこの開口２ａを介してケーシング２内に進入することにより、搬送アーム１０４から保持部１０にウエハＷが受け渡されたり、保持部１０に保持されたウエハＷが搬送アーム１０４により取り出されたりするようになっている。
【００４５】
次に、このような構成からなる基板の液処理装置１の動作（基板の液処理方法）について説明する。
【００４６】
まず、上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０が図１に示すような位置から上方に移動させられるとともに下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０が図１に示すような位置から下方に移動させられた状態で、液処理装置１のケーシング２の外方から搬送アーム１０４（図７参照）により開口２ａを介してケーシング２の内部にウエハＷが搬送され、保持部１０上にこのウエハＷが載置される。そして、例えば真空吸着によりウエハＷを保持部１０に保持させる。その後、上方カップ昇降機構４４により上方カップ３０を下方に移動させるとともに下方カップ昇降機構４６により下方カップ４０を上方に移動させ、上方カップ３０および下方カップ４０をそれぞれ図１に示すような位置とする。この際に、上方カップ３０と下方カップ４０との間がシール部材３８によりシールされる。また、この際に、ヒータ３１は対向板３２やガス加熱フィン３４を加熱している。対向板３２がヒータ３１により加熱されることにより、加熱された対向板３２によりこの対向板３２とウエハＷとの間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷが加熱される。
【００４７】
次に、回転駆動部２０により、鉛直方向に延びる軸線を中心として回転軸１２を回転させる。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷが回転される。このときに、モータ２２から駆動ベルト２６を介してプーリ２４に駆動力が付与されることによって回転軸１２が回転される。
【００４８】
そして、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、処理液供給部５０から処理液流路５２に洗浄液や薬液等の処理液を供給し、この処理液が処理液流路５２からウエハＷの表面の周縁部分に吐出される。このことにより、ウエハＷの周縁部分の洗浄処理や薬液処理等の処理が行われる。なお、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給される処理液は、加熱された処理液であることが好ましい。
【００４９】
また、送風機構４８によりケーシング２内に生成されるダウンフローのガスの一部が、排気部４２による吸引によって上部開口３６ｂ内に取り込まれる。そして、上部開口３６ｂから天板部材３６の内部にガスが送られ、各貫通穴３６ａを介してこのガスは天板部材３６の下方に流れる。その後、このガスはガス加熱フィン３４の上方において当該ガス加熱フィン３４の周縁部分から中心部分に向かって流れ、そして開口３２ａを介して下方に流れ、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られる。そして、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の中心部分に送られたガスは、当該ウエハＷの表面と対向板３２の下面との間の隙間を通って、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れる。このことにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。また、ウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れるガスにより、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かって流れたガスは、下方カップ４０の流路４０ａに送られ、最終的に排気部４２により排気される。
【００５０】
また、前述のように、ヒータ３１がガス加熱フィン３４を加熱しているので、天板部材３６から各貫通穴３６ａを介して下方に流れたガスがガス加熱フィン３４により加熱され、保持部１０により保持されたウエハＷの上面に加熱されたガスが送られる。このように、保持部１０により保持されたウエハＷは、対向板３２を介してヒータ３１により加熱されるとともに、加熱されたガスがウエハＷの表面に送られるので、ウエハＷの高温処理を行うことができる。
【００５１】
以上のように本実施の形態の基板の液処理装置１によれば、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分に処理液を供給する処理液供給部５０と、遮蔽ユニット３９とを備え、遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板３２と、対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ３１と、加熱されたガスを保持されたウエハＷの表面に供給する加熱ガス供給部分（対向板３２の開口３２ａ）とを備えている。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷを、対向板３２を介してヒータ３１により加熱するとともに、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に加熱されたガスを供給することにより、ウエハＷ全体の温度を高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。また、加熱ガス供給部分によって、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に加熱されたガスが供給されるので、ウエハＷの温度を下げることなく、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる。
【００５２】
また、本実施の形態の基板の液処理装置１においては、図１に示すように、遮蔽ユニット３９は、ガスを当該遮蔽ユニット３９内に導入するためのガス導入部分（天板部材３６の上部開口３６ｂ）を更に有している。そして、遮蔽ユニット３９において、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット３９内で加熱され、この加熱されたガスが対向板３２の開口３２ａによってウエハＷに供給されるようになっている。
【００５３】
また、遮蔽ユニット３９は、天板部材３６の上部開口３６ｂから遮蔽ユニット３９内に導入されたガスを迂回させる迂回板（天板部材３６の底部３６ｃ）を更に有している。そして、遮蔽ユニット３９において、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが底部３６ｃにより迂回され、対向板３２の開口３２ａからウエハＷに供給されるようになっている。
【００５４】
また、遮蔽ユニット３９は、ヒータ３１により加熱され、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスが接触するガス加熱フィン３４を有しており、天板部材３６の上部開口３６ｂにより遮蔽ユニット３９内に導入されたガスがガス加熱フィン３４に接触することにより加熱されるようになっている。このように、一つのヒータ３１でウエハＷ自体とガスを同時に温調できるので、別途ガス温調機構を設ける必要がない。このため、省スペース化や省コスト化を図ることができる。
【００５５】
より詳細には、図２に示すように、ガス加熱フィン３４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分３４ａを有している。各フィン部分３４ａは、保持されたウエハＷの周方向に沿って延びるよう設けられている。そして、ガス加熱フィン３４の各フィン部分３４ａに沿って、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分から中心部分に向かってガスが流れることにより、当該ガスがガス加熱フィン３４により加熱されるようになっている。
【００５６】
また、図１に示すように、ケーシング２内においてダウンフローでガスを流すようにし、排気部４２による吸引により遮蔽ユニット３９内にガスを取り込み、この遮蔽ユニット３９内でガスを加熱するようにした場合には、加熱されるガスの量が比較的少なくなるので、ガスの加熱を必要最小限とすることができるという利点がある。
【００５７】
なお、本実施の形態による基板の液処理装置１は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。
【００５８】
例えば、基板の液処理装置１に送風機構４８を設ける代わりに、図７に示す液処理システムにおいて各液処理装置１の上方（図７の紙面における手前側）にファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）を設けるようにしてもよい。このとき、液処理装置１のケーシング２の上方部分に、ＦＦＵからのガスを導入するためのガス導入口が設けられる。この場合には、ＦＦＵから各液処理装置１にクリーンエアやＮ２ガス等のガスが送られ、このガスはケーシング２の上方部分に設けられたガス導入口を介してケーシング２内に取り込まれ、ケーシング２内でダウンフローの流れとなる。
【００５９】
また、対向板３２およびガス加熱フィン３４の両方を加熱するようなヒータ３１を設ける代わりに、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱するためのウエハ加熱部分、および保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給されるガスを加熱するためのガス加熱部分の両方を設けてもよい。この場合、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱するためのウエハ加熱部分は、当該ウエハＷの表面側（図１におけるウエハＷの上方側）ではなく、ウエハＷの裏面側（図１におけるウエハＷの下方側）に設けられていてもよい。
【００６０】
また、対向板３２を介してウエハＷを加熱する加熱部分は、ヒータ３１に限定されることはない。対向板３２を介してウエハＷを加熱することができるものであれば、ヒータ３１以外の他の機構を加熱部分として用いてもよい。具体的には、例えば、ヒータ３１を設ける代わりに、加熱された温水を対向板３２内で循環させ、このことにより対向板３２を加熱するようにしてもよい。
【００６１】
また、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部分に処理液を供給する処理液供給部は、ウエハＷの表面側の周縁部分ではなく、ウエハＷの裏面側の周縁部分に処理液を供給するようになっていてもよい。この場合、ウエハＷの裏面側の周縁部分に処理液を供給するための処理液供給部および処理液流路が別途設けられることとなる。あるいは、ウエハＷの表面側および裏面側のそれぞれの周縁部分に処理液が供給されるようになっていてもよい。
【００６２】
また、基板の液処理装置１に設けられる遮蔽ユニットは、単に、対向板３２、この対向板３２を介してウエハＷを加熱するヒータ３１、および加熱されたガスをウエハＷの表面に供給する加熱ガス供給部分（対向板３２の開口３２ａ）のみを備えたものであってもよい。すなわち、図１に示すような遮蔽ユニット３９と比較して、天板部材３６およびガス加熱フィン３４が省略された遮蔽ユニットを用いてもよい。この場合、基板の液処理装置１とは別の装置で予め加熱されたガスを、対向板３２の開口３２ａから保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給してもよい。あるいは、基板の液処理装置１にガス加熱フィン３４以外のガス加熱機構（図示せず）が設けられており、このガス加熱機構によりガスを加熱し、加熱されたガスを対向板３２の開口３２ａからウエハＷの表面に供給するようになっていてもよい。基板の液処理装置１とは別の装置で予め加熱されたガスや、ガス加熱フィン３４以外のガス加熱機構等により予め加熱されたガスをウエハＷの表面に供給する場合には、ガスを保温するための保温機構を設けることとなる。
【００６３】
また、ヒータ３１、対向板３２およびガス加熱フィン３４を含む遮蔽ユニット３９は図１に示すような構成のものとなっていなくともよい。本実施の形態の基板の液処理装置に設けられる遮蔽ユニット３９の他の例を、図３を用いて説明する。なお、図３に示す基板の液処理装置１ａにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
図３に示すような基板の液処理装置１ａにおいて、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ７０が配置されている。上方カップ７０は、上方カップ昇降機構４４により、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図３に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。上方カップ７０は、保持部１０により保持されたウエハＷに対向する対向板７２と、対向板７２の上部に接続されたヒータ７１と、ヒータ７１の上部に設けられた加熱部材と、加熱部材の上方に配置された略円盤形状の天板部材７６とを有している。加熱部材として、例えばガス加熱フィン７４が用いられるようになっている。
【００６５】
対向板７２は、前述のように、保持部１０により保持されたウエハＷに対向するようになっている。より詳細には、対向板７２は、保持部１０により保持されたウエハＷの上方において当該ウエハＷとわずかな間隔を隔てて配置されている。対向板７２は導熱性を有する材料から構成されている。図３に示すように、この対向板７２には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍にガスを送るためのガスの流路７２ａが形成されている。また、対向板７２の上部にはヒータ７１が接続されており、ヒータ７１から発せられた熱が対向板７２に伝達され、この対向板７２によりウエハＷの表面が加熱されるようになっている。
【００６６】
また、ヒータ７１の上部には導熱性を有する材料から形成されるガス加熱フィン７４が接続されており、ヒータ７１から発せられた熱がガス加熱フィン７４に伝達されるようになっている。ガス加熱フィン７４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分７４ａを有している。
【００６７】
図３に示すように、ガス加熱フィン７４の上方には略円盤形状の天板部材７６が配置されている。天板部材７６の中心部分には貫通穴７６ａが形成されている。そして、送風機構４８により生成される、クリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスのダウンフローの一部が、排気部４２による吸引によって、貫通穴７６ａを介して天板部材７６の下方に送られるようになっている。
【００６８】
ここで、天板部材７６、ガス加熱フィン７４、ヒータ７１および対向板７２により、遮蔽ユニット７９が構成されている。また、天板部材７６の貫通穴７６ａは、ガスを遮蔽ユニット７９に導入するためのガス導入部分を構成している。
【００６９】
図３に示すように、貫通穴７６ａを介して天板部材７６の下方に流れたガスはガス加熱フィン７４の上方において当該ガス加熱フィン７４の中心部分から周縁部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ７１から発せられた熱がガス加熱フィン７４に伝達され、ガス加熱フィン７４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン７４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００７０】
ガス加熱フィン７４により加熱されたガスは、対向板７２に形成されたガスの流路７２ａを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍に送られる。このようにして、加熱されたガスが保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給される。このガスにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。また、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスにより、ウエハＷの周縁部分が加熱される。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスは、下方カップ４０のガスの流路４０ａに送られる。
【００７１】
図３に示すような遮蔽ユニット７９を用いた場合でも、図１に示すような遮蔽ユニット３９を用いた場合と同様に、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱部分により加熱するとともに、加熱されたガスを保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給することにより、処理液が供給される箇所であるウエハＷの周縁部分の温度を少なくとも高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。
【００７２】
また、本実施の形態の基板の液処理装置の更に他の態様について、図４を用いて説明する。なお、図４に示す基板の液処理装置１ｂにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７３】
一般的に、ウエハＷを加熱しながら当該ウエハＷの液処理を行う際に、ウエハＷが高温になり過ぎると、ウエハＷが反ってしまう等、ウエハＷが変形してしまい、保持部１０によるウエハＷの真空吸着等における吸着力が弱くなってしまう。このように、ウエハＷの変形を引き起こす可能性のあるような高温処理を行う場合には、ウエハＷに対して安定的に液処理を行うことができないという問題がある。これに対して、図４に示す基板の液処理装置１ｂのように、ウエハＷの表面における周縁部分のみを加熱した場合には、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【００７４】
より詳細には、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、図１に示す基板の液処理装置１と比較して、対向板３２の下部に断熱部材３３が追加的に設置されている。この断熱部材３３は略円盤形状のものからなり、保持部１０により保持されたウエハＷの上面の大部分を覆うようになっている。具体的には、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、対向板３２の直径は保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、断熱部材３３の直径は、ウエハＷの直径よりも小さく、保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、対向板３２の開口３２ａから下方に流れるガスは、この対向板３２と断熱部材３３との間の隙間を通ってウエハＷの半径方向外方に流れ、ウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側にこのガスが供給されるようになる。
【００７５】
図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、断熱部材３３が設けられていることにより、ヒータ３１により加熱された対向板３２は、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみを加熱するようになり、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域は対向板３２により直接加熱させられることはない。また、ウエハＷの表面における少なくとも保持部１０に接触する領域は断熱部材３３により覆われているので、ガス加熱フィン３４により加熱されたガスは、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみに送られるようになる。このため、加熱されたガスによっても、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域は直接加熱させられることはない。このように、図４に示す基板の液処理装置１ｂでは、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域よりも外側部分のみが加熱させられるようになる。
【００７６】
また、本実施の形態の基板の液処理装置の更に他の態様について、図５を用いて説明する。なお、図５に示す基板の液処理装置１ｃにおいて、図１に示す基板の液処理装置１と同一の構成要素については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７７】
図５に示す基板の液処理装置１ｃでも、図４に示す基板の液処理装置１ｂと同様に、ウエハＷの高温処理を行う際に、ウエハＷの表面における周縁部分のみを加熱することにより、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【００７８】
より詳細には、図５に示すような基板の液処理装置１ｃにおいて、保持部１０により保持されたウエハＷの上方には上方カップ８０が配置されている。上方カップ８０は、上方カップ昇降機構４４により、ウエハＷを保持部１０に保持させたり保持部１０から取り外したりする際に図５に示すような位置から上方に移動することができるようになっている。上方カップ８０は、略円盤形状の本体部分８２と、本体部分８２の上方に設置された略円盤形状の天板部材８６とを有している。本体部分８２は、導熱性を有する部材から形成されている。天板部材８６の中心部分には貫通穴８６ａが形成されており、排気部４２による吸引によって、この貫通穴８６ａの上方からクリーンエアやＮ２ガス（窒素ガス）等のガスが天板部材８６の下方に送られるようになっている。
【００７９】
上方カップ８０の本体部分８２の内部には、天板部材８６の下面に取り付けられた断熱部材８２ａと、断熱部材８２ａの下面に取り付けられたヒータ８２ｂとがそれぞれ設けられている。また、本体部分８２の内部において、ヒータ８２ｂの下方にはわずかな間隔を隔てて加熱部材が設けられている。加熱部材として、例えばガス加熱フィン８４が用いられるようになっている。また、このガス加熱フィン８４の下面には断熱部材８８が取り付けられている。本体部分８２の直径は保持部１０の直径よりも大きくなっている。また、断熱部材８８の直径も保持部１０の直径よりも大きくなっているが、この断熱部材８８の直径はウエハＷの直径よりも小さくなっている。また、本体部分８２には、保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分近傍にガスを送るためのガスの流路８２ｃが設けられている。このようにして、天板部材８６の下方に送られたガスは、ガス加熱フィン８４に沿ってウエハＷの半径方向外方に流れ、流路８２ｃを介して、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側に供給されるようになる。このガスにより、処理液供給部５０から処理液流路５２を介してウエハＷの周縁部分に供給された処理液が、ウエハＷの中心方向に向かって流れることを防止することができる。
【００８０】
図５に示すような基板の液処理装置１ｃでは、ヒータ８２ｂから発せられた熱が本体部分８２に伝達され、この加熱された本体部分８２により、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における周縁部分と本体部分８２と間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面における周縁部分が加熱させられる。
【００８１】
また、ヒータ８２ｂの近傍には導熱性を有する材料から形成されるガス加熱フィン８４が設けられており、ヒータ８２ｂから発せられた熱がガス加熱フィン８４に伝達されるようになっている。ガス加熱フィン８４は、保持部１０により保持されたウエハＷの中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分８４ａを有している。
【００８２】
ここで、本体部分８２、断熱部材８２ａ、ヒータ８２ｂ、ガス加熱フィン８４、天板部材８６、断熱部材８８により、遮蔽ユニット８９が構成されている。また、天板部材８６の貫通穴８６ａは、ガスを遮蔽ユニット８９に導入するためのガス導入部分を構成している。
【００８３】
図５に示すように、貫通穴８６ａを介して天板部材８６の下方に流れたガスはガス加熱フィン８４の上方において当該ガス加熱フィン８４の中心部分から周縁部分に向かって流れるようになっている。この際に、ヒータ８２ｂから発せられた熱がガス加熱フィン８４に伝達され、ガス加熱フィン８４自体が加熱されているので、ガスがガス加熱フィン８４に沿って流れることにより当該ガスが加熱される。
【００８４】
ガス加熱フィン８４により加熱されたガスは、本体部分８２に形成されたガスの流路８２ｃを介して下方に流れ、この加熱されたガスは保持部１０により保持されたウエハＷの表面における処理液流路５２により処理液が供給される箇所よりも内側であって保持部１０に接触する領域よりも外側に送られる。そして、保持部１０により保持されたウエハＷの表面に送られたガスにより、ウエハＷにおける保持部１０に接触する領域よりも外側の領域が加熱される。保持部１０により保持されたウエハＷの表面の周縁部分に送られたガスは、下方カップ４０のガスの流路４０ａに送られる。
【００８５】
また、前述のように、ヒータ８２ｂから発せられた熱が本体部分８２に伝達され、この加熱された本体部分８２により、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における周縁部分と本体部分８２と間の隙間が加熱され、このことによりウエハＷの表面における周縁部分が加熱させられる。一方、保持部１０により保持されたウエハＷの表面における少なくとも保持部１０に接触する領域を覆うよう断熱部材８８が設けられているため、ウエハＷの表面における保持部１０に接触する領域が直接加熱させられることはない。
【００８６】
図５に示すような遮蔽ユニット８９を用いた場合には、図１に示すような遮蔽ユニット３９を用いた場合と同様に、保持部１０により保持されたウエハＷを加熱部分により加熱するとともに、加熱されたガスを保持部１０により保持されたウエハＷの表面に供給することにより、処理液が供給される箇所であるウエハＷの周縁部分の温度を少なくとも高温に維持することができ、このためウエハＷの高温処理を十分に行うことができる。
【００８７】
さらに、図５に示す基板の液処理装置１ｃでは、図４に示す基板の液処理装置１ｂと同様に、ウエハＷの表面における周縁部分のみが加熱させられるようになる。このため、ウエハＷが高温になり過ぎてしまうということを防止することができ、ウエハＷが変形してしまうことを抑止することができる。
【符号の説明】
【００８８】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 液処理装置
２ ケーシング
２ａ 開口
１０ 保持部
１２ 回転軸
１４ ベアリング
１８ シャッター
２０ 回転駆動部
２２ モータ
２４ プーリ
２６ 駆動ベルト
３０ 上方カップ
３１ ヒータ
３２ 対向板
３２ａ 開口
３３ 断熱部材
３４ ガス加熱フィン
３４ａ フィン部分
３６ 天板部材
３６ａ 貫通穴
３６ｂ 上部開口
３６ｃ 底部
３８ シール部材
３９ 遮蔽ユニット
４０ 下方カップ
４０ａ 流路
４２ 排気部
４４ 上方カップ昇降機構
４４ａ アーム
４６ 下方カップ昇降機構
４６ａ アーム
４８ 送風機構
５０ 処理液供給部
５２ 処理液流路
５４ 貫通穴
５６ 処理液供給管
５８ ノズル
７０ 上方カップ
７１ ヒータ
７２ 対向板
７２ａ 流路
７４ ガス加熱フィン
７４ａ フィン部分
７６ 天板部材
７６ａ 貫通穴
７９ 遮蔽ユニット
８０ 上方カップ
８２ 本体部分
８２ａ 断熱部材
８２ｂ ヒータ
８２ｃ 流路
８４ ガス加熱フィン
８６ 天板部材
８６ａ 貫通穴
８８ 断熱部材
８９ 遮蔽ユニット
１０１ 載置台
１０２ 搬送アーム
１０３ 棚ユニット
１０４ 搬送アーム
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部により保持された基板に対向する対向板と、前記対向板を介して基板を加熱する加熱部分と、加熱されたガスを保持された基板の表面に供給する加熱ガス供給部分と、を有する遮蔽ユニットと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理装置。
【請求項２】
前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット内で加熱され、この加熱されたガスが前記加熱ガス供給部分によって基板に供給されることを特徴とする請求項１記載の基板の液処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽ユニットにおいて、前記加熱部分は、前記対向板を介して基板を加熱する際に基板の周縁部分を加熱するようになっており、前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていることを特徴とする請求項１または２記載の基板の液処理装置。
【請求項４】
前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項３記載の基板の液処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが前記迂回板により迂回され、前記加熱ガス供給部分から基板に供給されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項６】
前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触することにより加熱されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項７】
前記加熱部材は、前記保持部により保持された基板の中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分を有する加熱フィンであり、
前記加熱フィンの前記各フィン部分に沿ってガスが流れることにより当該ガスが前記加熱フィンにより加熱されることを特徴とする請求項６記載の基板の液処理装置。
【請求項８】
前記加熱フィンの各フィン部分は、前記保持部により保持された基板の周方向に沿って延びるよう設けられていることを特徴とする請求項７記載の基板の液処理装置。
【請求項９】
前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていることを特徴とする請求項１または２記載の基板の液処理装置。
【請求項１０】
前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分によって前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気するための排気部を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項１１】
保持部により基板を保持させることと、
基板を保持する前記保持部を回転させることと、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給することと、
前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱することと、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給することと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理方法。
【請求項１２】
前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを当該遮蔽ユニット内で加熱し、この加熱されたガスを基板に供給することを特徴とする請求項１１記載の基板の液処理方法。
【請求項１３】
前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱する際に、基板の周縁部分を加熱し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給することを特徴とする請求項１１または１２記載の基板の液処理方法。
【請求項１４】
前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項１３記載の基板の液処理方法。
【請求項１５】
前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを前記迂回板により迂回させ、その後基板に供給することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【請求項１６】
前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触させることにより加熱することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【請求項１７】
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給することを特徴とする請求項１１または１２記載の基板の液処理方法。
【請求項１８】
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気部により排気することを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【請求項１】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部により保持された基板に対向する対向板と、前記対向板を介して基板を加熱する加熱部分と、加熱されたガスを保持された基板の表面に供給する加熱ガス供給部分と、を有する遮蔽ユニットと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理装置。
【請求項２】
前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット内で加熱され、この加熱されたガスが前記加熱ガス供給部分によって基板に供給されることを特徴とする請求項１記載の基板の液処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽ユニットにおいて、前記加熱部分は、前記対向板を介して基板を加熱する際に基板の周縁部分を加熱するようになっており、前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていることを特徴とする請求項１または２記載の基板の液処理装置。
【請求項４】
前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項３記載の基板の液処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが前記迂回板により迂回され、前記加熱ガス供給部分から基板に供給されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項６】
前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触することにより加熱されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項７】
前記加熱部材は、前記保持部により保持された基板の中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分を有する加熱フィンであり、
前記加熱フィンの前記各フィン部分に沿ってガスが流れることにより当該ガスが前記加熱フィンにより加熱されることを特徴とする請求項６記載の基板の液処理装置。
【請求項８】
前記加熱フィンの各フィン部分は、前記保持部により保持された基板の周方向に沿って延びるよう設けられていることを特徴とする請求項７記載の基板の液処理装置。
【請求項９】
前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていることを特徴とする請求項１または２記載の基板の液処理装置。
【請求項１０】
前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分によって前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気するための排気部を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
【請求項１１】
保持部により基板を保持させることと、
基板を保持する前記保持部を回転させることと、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給することと、
前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱することと、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給することと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理方法。
【請求項１２】
前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを当該遮蔽ユニット内で加熱し、この加熱されたガスを基板に供給することを特徴とする請求項１１記載の基板の液処理方法。
【請求項１３】
前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱する際に、基板の周縁部分を加熱し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給することを特徴とする請求項１１または１２記載の基板の液処理方法。
【請求項１４】
前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項１３記載の基板の液処理方法。
【請求項１５】
前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを前記迂回板により迂回させ、その後基板に供給することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【請求項１６】
前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触させることにより加熱することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【請求項１７】
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給することを特徴とする請求項１１または１２記載の基板の液処理方法。
【請求項１８】
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気部により排気することを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−５４９３２（Ｐ２０１１−５４９３２Ａ）
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２２９９９（Ｐ２０１０−１２２９９９）
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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