【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】より均一なテクスチャーを形成することができるシリコン基板のエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面に付着して局所的にエッチングを阻害する添加剤を含んだアルカリ水溶液のエッチング薬液で満たされ当該エッチング薬液の温度制御が可能な薬液槽にシリコン基板を浸漬してエッチングするシリコン基板のエッチング方法であって、シリコン基板を前記エッチング薬液に浸漬した直後からは、前記エッチング薬液の温度を第１の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後は、前記エッチング薬液の温度を前記第１の温度より高い第２の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、１断目エッチング処理槽６１において、温度ｔ１を有するエッチング液を用いて、金属膜の表層を除去する工程と、金属膜の表層を除去する工程の後に、２〜４段目エッチング処理槽６２〜６４において、温度ｔ１よりも高い温度ｔ２を有するエッチング液を用いて、金属膜をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４を供給して基板を加熱するプリヒート工程と、その後、前記基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４と、ＨＦ、ＮＨ_４ＦおよびＮＨ_４ＨＦ_２のうちの少なくともいずれか一つと、Ｈ_２Ｏとの混合液体を供給するエッチング工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。
【解決手段】蓋１のエッチング液３と対向する内側には、その周縁部に少なくとも２列の突起構造物８、９が複数配列されている（例えば、２列）。この複数配列構造は全体的に見ると千鳥状配列になっている。この複数配列構造において、蓋１の外側の配列を第１の配列とし、内側の配列を第２の配列とする。第１の配列の互いに隣接する突起構造物８間の間隔（Ａ）は、この間隔（Ａ）に対向する第２の配列の突起構造物９の長さ（Ｂ）と等しいかそれより短くなっている（Ａ≦Ｂ）。槽内の圧力が必要以上に上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が５６〜９０質量％の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部２と、電解装置３と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路１０，２０，３０，３１と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部２２と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部３２とを備える表面処理システム１で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置等の処理装置の増設を容易にし、装置自体に係る処理のスループットを向上させると共に各熱処理装置の処理能力の管理を容易化し、被処理基板の処理に係る歩留まりを向上することができる。
【解決手段】被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構７０を各々備えた熱処理装置ＨＰを複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロックＨＰＢ毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構８１と、この冷却液供給機構８１より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部ＨＰの温調機構７０に各々冷却液を供給する供給機構９９と、温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも１つ具備し構成された排気機構と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物表面の加工前のプロファイルを測定し、気体又は液体から成るエッチング剤を前記表面に向けて所定の流量で供給する供給手段を、該表面上の各点において前記目的プロファイルと前記加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる速度で、該表面に沿って移動させることにより、該表面をエッチングし、前記流量のエッチング剤を除去可能な量以上の吸引量で、前記表面付近の液体又は気体を吸引除去する。ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハを支えるチャックにおける温度関連の劣化又は変形に対する耐性の向上は、チャック部品を高温処理流体による効果から物理的に且つ／又は熱的に保護する少なくとも１つの遮蔽部材によって提供される。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。
【解決手段】 表面加工方法は、処理水中で光触媒活性を有する薄膜を被加工物の被加工面に対向配置し、薄膜に光を照射して薄膜上で酸化力を有する活性種を生成し、活性種と被加工面の原子とを化学反応させ、被加工面を溶出可能な化合物へと変化させて除去することにより、被加工面を平坦化する。表面加工方法は、温度Ｔ（Ｋ）、大気圧下における水への酸素の溶解度をモル分率χで表すと、モル分率χと温度Ｔ（Ｋ）とは、ｌｎχ＝−６６．７４＋｛８７．４８／（Ｔ／１００）｝＋２４．４５・ｌｎ（Ｔ／１００）の関係を有し、温度Ｔ（Ｋ）における処理水中の溶存酸素量Ｄ（ｍｇ／Ｌ）がＤ≧３．５５５×１０^５χとなる条件で化学反応を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ３６と、処理チャンバ内で基板Ｗを水平方向へ搬送する搬送ローラ４２と、搬送ローラによって搬送される基板の上面へエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４と、搬送ローラによって搬送される基板上面の所要領域に対して冷風または温風を吐出する気体吐出ノズル５２とを備える。気体吐出ノズル５２から冷風または温風を基板Ｗの上面へ吐出することにより、基板の上面上のエッチング液の温度を領域によって部分的に調節する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽１０と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管１２と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

本発明は、下面１２と、上面２２と、側面１４，１６，１８，２０とを有するウエハ状の基板１０を、液状の化学作用のあるプロセス媒体２６の、基板の少なくとも下面との接触によって、化学的に処理するための方法に関する。基板と、基板媒体と、これらを取り囲む雰囲気との間で三重線４２を同時に形成しつつ、基板を、プロセス媒体に対し、相対的に移動させる。特に側面に存する欠損を化学的に除去するために、プロセス媒体の、基板１０の上面２２との接触を回避しつつ、相対移動を実行し、三重線を、基板とプロセス媒体２６との間の相対移動に関し、プロセス媒体の流れ側から離隔した側面の所望の高さに形成することが提案される。かくして、雰囲気を、プロセス媒体２６の中に存在する成分の分圧に関して、上面が疎水特性を保つように、調整することができる。 （もっと読む）