【課題】スクラッチの発生を抑制して酸化シリコン膜を平坦化する化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、化学的平坦化方法は、飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程を含む。前記方法は、凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４を供給して基板を加熱するプリヒート工程と、その後、前記基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４と、ＨＦ、ＮＨ_４ＦおよびＮＨ_４ＨＦ_２のうちの少なくともいずれか一つと、Ｈ_２Ｏとの混合液体を供給するエッチング工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜が表面に形成された被処理体について、窒化シリコン膜を選択的にエッチングすると共に速やかに窒化シリコン膜をエッチングすることができる技術を提供する。
【解決手段】フッ化アンモニウム水溶液と酸性薬液とを含みｐＨが制御された処理液を処理容器に供給する工程と、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜がその表面に形成された被処理体を前記処理容器内の前記処理液に浸漬する工程と、前記処理容器内の前記処理液を１００℃よりも高い温度に加熱すると共に該処理容器内を加圧し、前記窒化シリコン膜を選択的にエッチングする工程と、からなるエッチング処理とする。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物に対して高精度のエッチング処理を行うことができるノズル、エッチング液供給装置を提供する。
【解決手段】ワークの被処理面にエッチング液を供給するノズル４は、エッチング液を送出する送出口を有する内管４１２および送出口から送出されたエッチング液を吸引する吸引口を有する外管４１１とから構成されるノズル本体４１と、所定時刻に送出口から送出され被処理面に供給されるエッチング液に温度勾配を設けることのできる加熱手段４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽１０と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管１２と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】加熱周期の間において流体に対する加熱の度合いが経時的に大きく変化することを抑制することができる加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットにおいて、制御部５０は、要求出力量Ｑに基づいて、（Ａ）要求出力量Ｑが所定の設定値以下である場合には、加熱周期の全期間において常時オンとなる加熱器２４ａを設けることなく、全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行い、（Ｂ）要求出力量Ｑが所定の設定値より大きい場合には、加熱周期の全期間において全てまたは一部の加熱器２４ａを常時オンとし、残りの加熱器２４ａのうち全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行う。この際に、加熱周期における加熱器２４ａがオンとなる最大の数と最小の数との差が１以下になるようにする。 （もっと読む）

【課題】流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。
【解決手段】液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】処理液の温度を再現性よく精密に調整することが可能な処理液供給装置を提供すること。
【解決手段】本発明の処理液供給装置は、処理ノズル３０には、タンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃからの処理液をノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃに導く往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃと、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃに導かれた処理液をタンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃに戻す復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃと、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ内の処理液の流路をノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ又は復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに切り換えるバルブ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃとを有し、バルブ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの切り換えによって、ノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃから処理液を吐出させないときには、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃの処理液を復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを経由してタンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃに戻すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理槽内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽から排出されたシロキサンを含むリン酸水溶液は熱交換器５１によって冷却され、反応槽６０に供給される。また、反応槽６０には、分液槽８０からドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤の混合液が送給される。反応槽６０の内部にてリン酸水溶液、ドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤が混合、攪拌されることによって、リン酸水溶液中のシロキサンがＴＯＰＯ抽出剤によって抽出されてドデカン中に移行する。その後、反応槽６０内の混合液体は液液遠心分離機７０に送り出され、遠心力によって比較的比重の大きなリン酸水溶液と比重の小さなドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤を含む軽液とに分離される。分離されたリン酸水溶は再度処理槽に送給される。 （もっと読む）

【課題】均質で意図しない不純物の混入のないＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造装置および製造方法に適用され得る種結晶表面のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、被温調流体の通過する流路を有する本体ブロックと、この本体ブロックの表面に設置された伝熱板と、この伝熱板を介して流路を通過する被温調流体との間で熱交換を行う熱源とを備えて成る流体温調装置であって、その目的は過加熱スイッチ等の温度スイッチの設置個数を最小限に抑えつつ、過加熱等に起因する不具合の発生を未然に防止し得る流体温調装置を提供することにある。
【解決手段】 上記目的を達成するべく、本発明に関わる流体温調装置は、本体ブロックを挟む態様で該本体ブロックの片面に一枚ずつ設置された伝熱板と、各々の伝熱板に互いに等しく複数個ずつ設置された熱源と、本体ブロックを挟んで対を成す熱源を共に駆動する電源部とを備え、本体ブロックを挟んだ何れか一方の伝熱板に、該伝熱板が所定の温度以上となった状況において、電源部による熱源の駆動を停止させる１個の過加熱スイッチを設置している。
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【課題】 本発明は、特に半導体装置の製造プロセスにおける処理液の温度管理に適用して好適な流体温調装置を対象とし、その目的は、被温調流体に対する温度調節を迅速かつ精密に実施することができ、併せて装置の可及的なコンパクト化をも達成し得る流体温調装置を提供することにある。
【解決手段】 上記目的を達成するべく、本発明に関わる流体温調装置は、流路溝を形成した本体ブロックと、この本体ブロックの表面に設置されて被温調流体の通過する流路を形成する伝熱板と、この伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱するヒータと、上記伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱および冷却する熱電モジュールとを備えて成る。
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