基板の処理装置及び処理方法
【課題】この発明は立位状態で搬送される基板を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射するエッチング処理部１８とを有し、
エッチング処理部は、基板の板面に処理液を噴射する複数のノズル２１ａ〜２１ｄを有し、これら複数のノズルは基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板の搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射するエッチング処理部１８とを有し、
エッチング処理部は、基板の板面に処理液を噴射する複数のノズル２１ａ〜２１ｄを有し、これら複数のノズルは基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板の搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板を処理液によって処理する場合に好適する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などの処理液によって基板を処理する工程、さらに処理液としての洗浄液によって洗浄する工程などがあり、洗浄後には基板に付着残留した洗浄液を除去する乾燥工程が必要となる。
【０００５】
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによって水平な状態でそれぞれの処理チャンバに順次搬送し、そこで処理液によって処理したり、圧縮気体を噴射して乾燥処理するようにしている。
【０００６】
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。
【０００７】
基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化する。しかも、基板が大型化することで、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、それらのことによって搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は搬送軸が撓むことによっても撓みが生じ、均一な処理が行えなくなるということがある。
【０００８】
そこで、処理液によって基板を処理する際、上記基板が処理液の重量によって撓むのを防止するため、基板を所定の角度、たとえば７０度程度の角度で起立させて搬送するということが考えられている。基板を起立させた立位状態で搬送すれば、処理液は基板の板面に溜まらず、上方から下方へ円滑に流れるから、処理液の重量によって基板が撓むのを防止することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
立位状態の基板に処理液を供給する場合、たとえば基板の上下方向の複数箇所からそれぞれノズルによって処理液を供給するということが考えられる。しかしながら、処理液を複数のノズルによって基板の板面に単に供給するだけでは、基板の上部に供給された処理液が基板の上部を処理した後、基板の下部に供給された処理液に混合して反応性が劣化するから、基板の下部の処理が上部に比べて劣るということがある。しかも、基板の上部と下部とを流れる処理液の速度は、高さの違いによって異なるから、その速度差によって基板の上部と下部とが均一に処理されないなどのことが生じる。
【００１０】
この発明は、基板を立位状態で搬送して処理液で処理する場合、この基板を全体にわたってほぼ均一に処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射する処理部とを有し、
上記処理部は、上記基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルを有し、これら複数のノズルは上記基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも上記基板の搬送方向後方に位置するよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１２】
上記基板の搬送方向において隣り合うノズルは、それぞれのノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れる処理液の領域が重ならない間隔に設定されていることが好ましい。
【００１３】
高さ方向上方に位置するノズルは、下方に位置するノズルよりも、処理液の噴射量が大きく設定されることが好ましい。
【００１４】
上記ノズルは、噴射される処理液が放物線を描くよう噴射方向を斜め上方に向けるとともに、処理液は放物線の頂点の部分が基板の板面に当たる位置に配置されていることが好ましい。
【００１５】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿うとともに、高さ方向上方から下方にゆくにつれて次第にピッチが大きくなるよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１６】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の圧力が下方に位置するノズルに供給される処理液の圧力よりも高く設定されることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１７】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の流量が下方に位置するノズルに供給される処理液の流量よりも大きく設定されることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１８】
この発明は、複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に複数のノズルから処理液を噴射するとともに、各ノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れ落ちるそれぞれの処理液の領域が重ならないようにする噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【００１９】
この発明は、複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に上記複数のノズルから処理液を噴射するとともに、上記基板の高さ方向上部に位置するノズルに供給される処理液を下部に位置するノズルに供給される処理液よりも圧力と流量のうちの少なくとも一方を大きくして供給する噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、各ノズルから基板に噴射される処理液を混合させずに基板の上部から下部へ流すことができるため、それぞれのノズルから噴射された処理液に他のノズルから噴射された処理液が混合して反応性が劣化するということがない。そのため、立位状態で搬送される基板を複数のノズルから噴射される処理液によってほぼ均一に処理することが可能となる。
【００２１】
この発明によれば、立位状態で搬送される基板の上部と下部とに処理液をほぼ均等に噴射することができるから、基板の上部と下部とをほぼ均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の第１の形態に係る処理装置の概略的構成を示す斜視図。
【図２】エッチング処理部のノズルの配置状態を示す側面図。
【図３】エッチング処理部のノズルの配置状態を示す正面図。
【図４】基板の搬送速度と、ノズルの高さ位置とに応じて異なる基板の下端部でのエッチング液の基板の搬送方向に移動する距離を示したグラフ。
【図５】エッチング液の供給高さに対し、基板下部でのエッチング液の速度と、エッチング液が基板の下部に到達するまでの時間との関係を示したグラフ。
【図６】基板の搬送速度が２０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図７】基板の搬送速度が４０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図８】基板の搬送速度が６０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図９】この発明の第２の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１０】この発明の第３の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１１】この発明の第４の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１２】この発明の第５の実施の形態の基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１３】図１２に示す基板とノズルの関係を示す正面図。
【図１４】この発明の第６の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１５】この発明の第７の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１６】ノズルから放物線を描いて噴射される処理液と基板との関係を示す説明図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００２４】
図１乃至図８はこの発明の第１の実施の形態を示す。図１に示す処理装置は基台１を備えている。この基台１の上面の長手方向一端部には幅方向に離間してローダ部２とアンローダ部３とが設けられている。ローダ部２とアンローダ部３とは矩形板状の受け部材４を有し、この受け部材４は下端部を支点として矢印で示す基台１の幅方向に沿って揺動駆動可能となっている。
【００２５】
ローダ部２とアンローダ部３との一側面（ローダ部２のみ図示）の下端部には複数の下部受けローラ５が所定間隔で設けられ、上端部には複数の上部受けローラ６が所定間隔で設けられている。下部受けローラ５は図示しない駆動源によって回転駆動されるようになっている。
【００２６】
上記ローダ部２には未処理の基板Ｗが図示しない供給部から立位状態で供給される。ローダ部２に供給された基板Ｗは下端が下部受けローラ５に係合支持され、上端が上部受けローラ６に係合支持される。そして、未処理の基板Ｗは下部受けローラ５が所定方向に回転駆動されることで、後述する処理ステーションに供給される。
【００２７】
上記処理ステーションで処理された基板Ｗは上記アンローダ部３に搬出される。アンローダ部３に搬出された基板Ｗは下端が下部受けローラ５に係合支持され、上端が上部受けローラ６に係合支持される。
【００２８】
上記基台１のローダ部２とアンローダ部３を除く部分は鎖線で示すカバー７によって覆われている。このカバー７内には、基台１の長手方向に沿って処理ステーションとしての固定ステーション８と、同じく処理ステーションとしての回転ステーション９とが順次一列に設けられている。
【００２９】
上記固定ステーション８と回転ステーション９との一側面と他側面にはそれぞれ搬送手段１０が設けられている。この搬送手段１０は各ステーション８，９の下端部に幅方向に沿って所定間隔で設けられた駆動ローラ１３を有する。この駆動ローラ１３は駆動源１２によって回転駆動される。各駆動ローラ１３の上方にはそれぞれ上下方向に沿って所定間隔で設けられた複数、この実施の形態では３つの受けローラ１４が設けられている。
【００３０】
上記駆動ローラ１３は、詳細は図示しないが外周面にＶ溝が形成されているとともに回転軸線を水平にして設けられ、上記受けローラ１４は回転軸線を垂直にして設けられている。
【００３１】
上下方向に位置する３つの受けローラ１４はそれぞれ各ステーション８，９の側面に突設された取付け部材１５の先端部に設けられている。上下方向に沿って設けられた３つの受けローラ１４は上方に行くにつれてステーション８，９の側面からの突出距離が小さくなるよう設定されている。
【００３２】
それによって、上記ローダ部２から上記固定ステーション８の一側面に供給される基板Ｗは、下端が駆動ローラ１３のＶ溝に係合し、一側面が上記受けローラ１４に支持されることで、上端が下端よりも各ステーション８，９の側面側に所定の角度で傾斜した状態で上記駆動ローラ１３によって搬送される。
【００３３】
上下方向に位置する３つの受けローラ１４は、下端が駆動ローラ１３に支持された基板Ｗをたとえば７０〜８５度の角度で傾斜させて保持するよう、各ステーション８，９の側面からの突出距離が設定されている。基板Ｗを７０〜８５度の角度で傾斜させると、傾斜方向と逆方向に倒れることなく安定した状態で搬送することが可能となる。しかも、基板Ｗは、水平に搬送される場合のように自重によって撓むのが防止される。この実施の形態では、上記基板Ｗは７５度の角度で傾斜して搬送されるようになっている。
【００３４】
上記ローダ部２から固定ステーション８の一側面の搬送手段１０に基板Ｗを供給する場合、ローダ部２の受け部材４を固定ステーション８に保持される基板Ｗの傾斜角度と同じ角度で傾斜させることで、ローダ部２から固定ステーション８の一側面に基板Ｗを円滑に受け渡すことができる。
【００３５】
同様に、固定ステーション８の他側面からアンローダ部３に基板Ｗを搬出する場合、このアンローダ部３の受け部材４を基板Ｗと同じ角度で傾斜させておけば、上記固定ステーション８の他側面から上記アンローダ部３へ基板Ｗを円滑に受け渡すことができる。
【００３６】
上記固定ステーション８の一側面には、処理手段としてそれぞれブラシ洗浄部１７、処理部としてのエッチング処理部１８及び純水洗浄部１９が順次設けられ、上記回転ステーション９の一側面と他側面とにはそれぞれ処理手段としての乾燥処理部２０（一方のみ図示）が設けられている。
【００３７】
上記ブラシ洗浄部１７は、詳細は図示しないが無端状をなし、基板Ｗの上下方向に沿って無端走行する一対のベルトがブラシ面を対向させて配置されている。そして、これら一対のベルトのブラシ面間に上記基板Ｗが搬送されることで、基板Ｗの一対の板面、つまり表面と裏面とがブラシ洗浄されるようになっている。
【００３８】
上記ブラシ洗浄部１７でブラシ洗浄された基板Ｗの表面と裏面のうち、表面は上記エッチング処理部１８でエッチング処理される。このエッチング処理部１８は図２と図３に示すように複数のノズル、この実施の形態では第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄを有する。
【００３９】
第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄは、高さ方向に所定間隔で配置されているとともに、基板Ｗの搬送方向に対し、上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも図３に矢印で示す基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。それによって、複数のノズル２１ａ〜２１ｄを結ぶ直線Ｌは、基板Ｗの搬送方向に対して角度θで傾斜している。
【００４０】
第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの高さ方向の間隔は基板Ｗの高さ寸法に応じて設定され、基板Ｗの搬送方向に沿う配置、つまり基板Ｗの搬送方向において隣り合うノズルの間隔は基板Ｗの搬送速度によって設定される。
【００４１】
たとえば、基板Ｗの高さ寸法が１８００ｍｍの場合、第１のノズル２１ａの高さｈ１ は、図３に示すように１８００ｍｍの高さ位置に配置され、第２のノズル２１ｂの高さｈ２ は１３５０ｍｍ、第３のノズル２１ｃの高さｈ３ は９００ｍｍ、第４のノズル２１ｄの高さｈ４ は４５０ｍｍに設定される。
【００４２】
図２に示すように、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄはそれぞれ主供給管２２から分岐された４つの分岐管２３に接続されている。各分岐管２３には流量制御弁２４が設けられている。それによって、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄからはそれぞれの流量制御弁２４の設定に基く流量で基板Ｗの表面に向けて処理液としてのエッチング液を噴射することができるようになっている。なお、上記主供給管２２には開閉制御弁２５が設けられ、この開閉制御弁２５が開放されることで、エッチング液が各分岐管２３に供給される。
【００４３】
基板Ｗの搬送方向に沿うノズル間隔は、各ノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されたエッチング液が基板Ｗの搬送速度に応じて基板Ｗの板面に沿って流れる領域がそれぞれ重ならないように設定される。
【００４４】
図４は基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、４０００ｍｍ／ｍｉｎ及び６０００ｍｍ／ｍｉｎのときに上記各高さ位置に配置された第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液が基板Ｗの板面を流れる領域を実験によって求めたグラフである。同図において、曲線Ｘ１ 〜Ｘ４ は基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、曲線Ｙ１ 〜Ｙ４ は４０００ｍｍ／ｍｉｎ、曲線Ｚ１ 〜Ｚ４ は６０００ｍｍ／ｍｉｎの場合である。
【００４５】
たとえば、高さが１８００ｍｍの位置に配置された第１のノズル２１ａから噴射されるエッチング液は、基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｘ１ で示すように第１のノズル２１ａから噴射されたエッチング液は垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約２０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。搬送速度が４０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｙ１ で示すように垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約４０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。搬送速度が６０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｚ１ で示すように垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約６０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。
【００４６】
図６乃至図８は、図４に示す実験に基いて、基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、４０００ｍｍ／ｍｉｎ及び６０００ｍｍ／ｍｉｎの場合に、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されて基板Ｗの板面を流れるエッチング液の領域がそれぞれ重ならないように、上記第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの配置状態及び各ノズルから噴射されて基板Ｗの板面に沿って流れるエッチング液の領域を示している。
【００４７】
図５において、曲線Ａは第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されて下方へ流れたエッチング液の基板Ｗの下端部における速度を示しており、曲線Ｂは各ノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されたエッチング液が基板Ｗの下端部に到達するまでの時間を示している。
【００４８】
このグラフから分かるように、基板Ｗの高い位置から噴射されたエッチング液は、低い位置から噴射されたエッチング液よりも、下端部に到達するまでの時間は長くなるが、基板Ｗの下端部での速度は低い位置から噴射されたエッチング液よりも速くなっていることが分かる。
【００４９】
たとえば、高さ９００ｍｍの位置の第３のノズル２１ｃから噴射されたエッチング液が下端部に到達するまでの時間は０．４４ｓｅｃであるから、高さが２倍の１８００ｍｍの位置にある第１のノズル２１ａから噴射されたエッチング液が下端部に到達するまでの計算上の時間はその２倍の０．８８ｓｅｃであるが、実測値は０．６２ｓｅｃであった。つまり、基板Ｗの下端部においては、高い位置から落下するエッチング液は低い位置から落下するエッチング液よりも加速度が大きくなるため、図５に示すような測定結果が得られる。
【００５０】
上記純水洗浄部１９は、上記エッチング処理部１８でエッチングされた基板Ｗの板面を純水によって洗浄する。純水洗浄部１９の構造の詳細は図示しないが、たとえば基板Ｗの搬送方向に対して所定の角度で傾斜して形成された複数のスリット状のノズルから基板Ｗの表裏両面の全体にわたって純水をほぼ均一に噴射できるようになっている。それによって、上記エッチング処理部１８でエッチング処理されることで残留したエッチング液が上記純水洗浄部１９を通過することで洗い流される。
【００５１】
上記乾燥処理部２０は、上記純水洗浄部１９で洗浄処理された基板Ｗに付着残留する純水を除去する。乾燥処理部２０は不活性ガスなどの清浄な圧縮気体を比較的高い圧力で噴射するエアナイフから構成されており、搬送される基板Ｗの表裏両面に圧縮気体を噴射することで、上記純水洗浄部１９で洗浄処理されることでその板面に付着残留した純水を除去するようになっている。
【００５２】
基板Ｗが乾燥処理部２０で乾燥処理されると、この乾燥処理部２０が設けられた回転ステーション９が１８０度回転し、乾燥処理した基板Ｗをアンローダ部３側に向ける。その状態で、基板Ｗはアンローダ部３に向かって搬送され、搬送手段１０から上記アンローダ部３に受け渡される。
【００５３】
上記構成の処理装置によれば、基板Ｗが搬送手段１０によって所定方向に搬送され、ブラシ洗浄部１７で洗浄された後、エッチング処理部１８に到達すると、ここで基板Ｗの表面はエッチング処理される。基板Ｗをエッチング処理する場合、エッチング処理部１８の第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄは、図６乃至図８に示すように基板Ｗの高さ寸法と搬送速度に応じて配置されている。
【００５４】
つまり、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄからそれぞれ基板Ｗの板面に噴射されて下方に向かって流れる、エッチング液の各領域が重なることがないよう、上記第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの間隔が基板Ｗの搬送速度に応じて設定されている。
【００５５】
たとえば、基板Ｗが６０００ｍｍ／ｓｅｃ搬送速度で搬送される場合、図８に示すように第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液が下方に向かって流れる領域を、第１乃至第４の領域をＲ１ 〜Ｒ４ とすると、これらの各領域Ｒ１ 〜Ｒ４ は基板Ｗの上下方向全長にわたって隣り合う他の領域に重なり合うことがない。
【００５６】
そのため、基板Ｗの第１の領域Ｒ１ をエッチングしたエッチング液は第２の領域Ｒ２ をエッチングしたエッチング液に混じり合うことがなく、同様に第３、第４の領域Ｒ３ 、Ｒ４ をエッチング処理したエッチング液に他の領域をエッチング処理したエッチング液が混じり合うことがない。
【００５７】
たとえば、第１の領域Ｒ１ をエッチング処理したエッチング液が第２の領域Ｒ２ をエッチング処理したエッチング液に混合すると、エッチング液の反応性が劣化するということがある。しかしながら、上述したように第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液は混じり合うことなくそれぞれの領域Ｒ１ 〜Ｒ４ を流れる。
【００５８】
そのため、基板Ｗは各ノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されるエッチング液による領域Ｒ１ 〜Ｒ４ が反応性が劣化していないエッチング液によってエッチング処理されるから、そのエッチング処理を基板Ｗの表面全体にわたって均一に行うことができる。
【００５９】
図８に示すように、基板Ｗの高さ方向を、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの配置高さに応じて第１乃至第４の高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ４ に分けると、第１の高さ部分Ｈ１ は第１の領域Ｒ１ を流れるエッチング液だけによってエッチングされるが、第２の高さ部分Ｈ２ は第１、第２の領域Ｒ１ 、Ｒ２ を流れるエッチング液によってエッチングされる。同様に、第３の高さ部分Ｈ３ は第１乃至第３の領域Ｒ１ 〜Ｒ３ を流れるエッチング液によってエッチングされ、第４の高さ部分Ｈ４ は第１乃至第４の領域を流れるエッチング液によってエッチングされる。
【００６０】
各高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ４ がエッチング液によってエッチングされる面積を図８に斜線で示す。第４の高さ部分Ｈ４ は第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液によってエッチングされることになるから最大となり、その部分の面積を“１”とすると、第１のノズルからのエッチング液だけによってエッチングされる第１の高さ部分Ｈ１ の面積は０．０１６となる。同様に第２の高さ部分は０．１２５、第３の高さ部分は０．４２２となる。
【００６１】
第４の高さ部分Ｈ４ に流れるエッチング液の流量を“１”とすると、第１乃至第３の高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ３ には上述した面積比の逆数に応じた流量となるよう、各第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されるエッチング液の流量を設定する。
【００６２】
たとえば、第４の高さ部分Ｈ４ と第１の高さ部分Ｈ１ との面積比は１：０．０１６であるから、流量比はその逆数である、１：６２．５になるよう、第１のノズル２１ａからのエッチング液の供給量を設定する。同様に、第４の高さ部分Ｈ４ と第２の高さ部分Ｈ２ との流量比は１：８．０、第４の高さ部分Ｈ４ と第３の高さ部分Ｈ３ との流量比は１：２．４に設定する。
【００６３】
このように、各ノズルからのエッチング液の供給量を面積比の逆数に応じて設定すれば、基板Ｗの各高さ部分がエッチング液から受ける単位時間当たりのエッチング処理量（処理面積×エッチング液量）はほぼ同じになるから、このことによっても基板Ｗの表面を全体にわたってほぼ均一にエッチング処理することができる。
【００６４】
図９はこの発明の第２の実施の形態を示す。この実施の形態は、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向に沿って複数のノズル、たとえば５つのノズル２１が基板Ｗの上方から下方に沿って一列に配置されている。複数のノズル２１は、基板Ｗの高さ方向上方から下方に行くにしたがって、これらノズル２１のピッチＰ１ 〜Ｐ４ が次第に大きくなるよう設定されている。
なお、ノズル２１が接続された各分岐管２３には第１の実施の形態と同様、流量制御弁２４が設けられ、主供給管２２には開閉制御弁２５が設けられている。
【００６５】
ノズル２１から基板Ｗの高さ方向上部に噴射供給されるエッチング液は、下部に噴射供給されるエッチング液よりも下方へ落下する速度が大きい。そのため、複数のノズル２１を基板Ｗの高さ方向に沿って等間隔で配置したのでは、基板Ｗの上部が受ける単位時間当たりのエッチング処理量が下部よりも小さくなる。
【００６６】
しかしながら、上述したように複数のノズル２１の配置ピッチを、基板Ｗの下部よりも上部で密にしたから、基板Ｗの高さ方向全長にわたって基板Ｗが受ける単位時間当たりのエッチング処理量をほぼ同じにすることができる。それによって、基板Ｗのエッチング処理を全体にわたって均一に行うことが可能となる。
【００６７】
図１０はこの発明の第３の実施の形態を示す。この実施の形態は、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向に沿って複数のノズル、たとえば４つのノズル２１をほぼ等間隔で配置する。各ノズル２１は、第１の実施の形態と同様、分岐管２３を介して主供給管２２に接続されている。
【００６８】
各分岐管２３にはそれぞれ圧力設定弁３１が設けられ、その圧力設定弁３１によって各ノズル２１から噴射されるエッチング液の圧力を設定することができるようになっている。この実施の形態では、高さ方向上方に位置するノズル２１に供給されるエッチング液の圧力が下方に位置するノズル２１への供給圧量よりも高くなるよう設定されている。
【００６９】
それによって、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向上部には、下部よりも多くのエッチング液を供給することができるから、基板Ｗの高さ方向全長にわたってほぼ均一なエッチングを行うことが可能となる。
【００７０】
図１０に示す第３の実施の形態において、各分岐管２３には圧力設定弁３１に代わり流量調整弁を設けるようにしてもよい。それによって、各ノズル２１から噴射されるエッチング液の流量を調整することができる。たとえば、各流量調整弁によって、高さ方向上方に位置するノズル２１に供給されるエッチング液の量を下方に位置するノズル２１へ供給される量よりも多くなるよう設定する。
【００７１】
それによって、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向上部には、下部に比べて多量のエッチング液を供給することができるから、基板Ｗの上部に供給されたエッチング液が下部に供給されたエッチング液よりも下方へ流れる速度が速くても、基板Ｗの高さ方向全長をほぼ均一にエッチングすることが可能となる。
【００７２】
図１１はこの発明の第４の実施の形態を示す。この実施の形態は第１の実施の形態と類似するが、基板Ｗに対して第１乃至第６の６つのノズル２１ａ〜２１ｆによって処理液を噴射供給するようにしている。
【００７３】
第１、第２のノズル２１ａ，２１ｂは第１のヘッダ管３５ａに設けられ、第３、第４のノズル２１ｃ，２１ｄは第２のヘッダ管３５ｂに設けられ、第５、第６のノズル２１ｅ，２１ｆは第３のヘッダ管３５ｃに設けられている。各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃはそれぞれ流量制御弁２４が設けられた分岐管２３を介して開閉制御弁２５が設けられた主供給管２２に接続されている。
【００７４】
第１のヘッダ管３５ａが最上段に配置され、第２のヘッダ管３５ｂが中段、第３のヘッダ管３５ｃが下段に配置されている。それによって、第１のノズル２１ａが最も高い位置にあり、第２乃至第６のノズル２１ｂ〜２１ｆが順次高さを低くして配置されている。さらに、第１乃至第６のノズル２１ａ〜２１ｆは、上記第１の実施の形態と同様、高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【００７５】
このように、第１乃至第３の各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃに２つのノズルを設けたことで、各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃに設けられた２つのノズルの口径が同じであれば、処理液を同じ流量で噴射することができる。１つのヘッダ管に設けられた２つのノズルから噴射される処理液の流量を変えたい場合には、２つのノズルの口径を変えるようにすればよい。３つのヘッダ管３５ａ〜３５ｃに供給される処理液の流量は、各分岐管２３に設けられた流量制御弁２４によって調整することができる。
【００７６】
したがって、このような構成であっても、６つのノズル２１ａ〜２１ｆから噴射される処理液の量を、高さ方向上方に位置するノズルを下方に位置するノズルよりも大きくなるよう設定することが可能である。
【００７７】
図１２と図１３はこの発明の第５の実施の形態を示す。上記各実施の形態ではノズルとしてフラットタイプやコーンタイプなどの処理液の噴射断面積が円形状のノズルを例に挙げたが、この実施の形態では処理液を直線状に噴射するスリットタイプのノズルが用いられている。
【００７８】
この第５の実施の形態では、スリットタイプの第１乃至第５の５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅが基板Ｗの高さ方向に所定間隔で、しかも高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するように配置されている。各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは処理液の噴射方向を鉛直方向下方に向けて配置されている。
【００７９】
スリットタイプのノズル１２１ａ〜１２１ｅを用いることで、基板Ｗの全面に処理液を均一に、しかも迅速に噴射することが可能となるから、処理液による処理を板面全体にわたって均一に行なうことが可能となる。
【００８０】
また、スリットタイプのノズルは、処理液を霧状にして噴射しないため、ミストの発生が少ない。そのため、薬液処理後に純水を噴射する場合、純水のミストが基板Ｗの純水がまだ噴射されていない部分に付着し、薬液による反応が他の部分と相違するのを防止できる。その結果、基板Ｗ全体を薬液によって均一に処理することが可能となる。
【００８１】
この実施の形態において、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅへの処理液の供給は、第１の実施の形態と同様、主供給管２２に開閉制御弁２５を設け、この主供給管２２から５つの分岐管２３を分岐し、各分岐管２３を、それぞれ流量制御弁２４を介して各ノズル１２１ａ〜１２１ｅに接続して行なわれる。したがって、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅへの処理液の供給量は、各流量制御弁２４の開度を調整することで制御することができる。
【００８２】
図１４はこの発明の第６の実施の形態を示す。この実施の形態はスリットタイプの５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅを用いる点では第５の実施の形態と同じであるが、各ノズルはスリット面を所定の角度で傾斜して搬送される基板Ｗの板面に対してほぼ平行にして配置されている。つまり、処理液の噴射方向を基板Ｗの板面に対して直交する方向に向けて配置されているという点で第５の実施の形態と異なる。
【００８３】
なお、この第６の実施の形態において、第１乃至第６のノズル１２１ａ〜１２１ｅは、上記第５の実施の形態と同様、高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【００８４】
このような構成においても、第５の実施の形態と同様、基板Ｗの全面に処理液を均一に、しかも迅速に噴射することが可能となるから、処理液による処理を板面全体にわたって均一に行なうことが可能となる。
【００８５】
図１５と図１６はこの発明の第７の実施の形態である。この第７の実施の形態は、図１４に示す第６の実施の形態の変形例である。すなわち、ノズルにはスリットタイプの５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅが用いられている。各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、基板Ｗの高さ方向に所定間隔で、しかも高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するように配置されている。
【００８６】
各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、図５に矢印で示すようにスリットから噴射される処理液が放物線Ｐを描くよう、噴射方向を上方に向けて配置されている。さらに、図１６に示すように各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、スリットから噴射された処理液の放物線Ｐの頂点Ｔの部分が基板Ｗの板面に当たるように配置されている。
【００８７】
このように、基板Ｗの板面に対して各ノズル１２１ａ〜１２１ｅを配置すると、処理液は基板Ｗの板面に流速が０に近い緩やかな状態で接触してその板面を下方へ流れる。そのため、処理液が基板Ｗの板面で跳ね返るのが防止される。
【００８８】
たとえば、処理液として薬液などによって処理された基板を処理液としての純水でリンス処理するような場合、純水が基板Ｗの板面に強く当たって跳ね返ると、薬液を含む純水が基板Ｗのまだリンス処理され邸内部分に付着し、その部分が薬液が希釈されてその部分の反応が他の部分と相違し、基板Ｗの処理状態が不均一になることがある。
【００８９】
しかしながら、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅからリンス液を放物線状に噴射し、その放物線の頂点Ｔの部分を基板Ｗの板面に接触させるようにしたことで、リンス液が基板Ｗの板面で跳ね返るということがほとんどない。そのため、薬液を含むリンス液が基板Ｗのすでにリンス処理された部分に付着して反応するということがないから、リンス処理時に基板Ｗの処理状態にむらが生じるのを防止できる。
【００９０】
なお、この第７の実施の形態において、処理液としてはリンス液に限られず、薬液であってもよい。薬液を用いた場合、リンス液を用いた場合と同様、薬液が基板Ｗの板面で跳ね返って他の部分に付着することがないから、薬液による基板Ｗの処理が不均一になるのを防止できる。
また、ノズルとしてはスリットタイプに限られず、フラットタイプやコーンタイプなど他のタイプのノズルであってもよい。
【００９１】
この発明は上記各実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。たとえば、処理部において基板に供給される処理液としてはエッチング液に限定されず、基板を処理する他の薬液、たとえば現像液、剥離液、過酸化水素水、アンモニア水などであってもよい。また、この発明は、純水洗浄部にも適用することが可能であり、その場合ノズルから純水を供給することで、基板のリンス処理を全面にわたって均一に行うことができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０…搬送手段、１８…エッチング処理部、１９…純水洗浄部、２０乾燥処理部、２１ａ〜２１ｄ…ノズル、Ｗ…基板。
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板を処理液によって処理する場合に好適する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などの処理液によって基板を処理する工程、さらに処理液としての洗浄液によって洗浄する工程などがあり、洗浄後には基板に付着残留した洗浄液を除去する乾燥工程が必要となる。
【０００５】
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによって水平な状態でそれぞれの処理チャンバに順次搬送し、そこで処理液によって処理したり、圧縮気体を噴射して乾燥処理するようにしている。
【０００６】
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。
【０００７】
基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化する。しかも、基板が大型化することで、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、それらのことによって搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は搬送軸が撓むことによっても撓みが生じ、均一な処理が行えなくなるということがある。
【０００８】
そこで、処理液によって基板を処理する際、上記基板が処理液の重量によって撓むのを防止するため、基板を所定の角度、たとえば７０度程度の角度で起立させて搬送するということが考えられている。基板を起立させた立位状態で搬送すれば、処理液は基板の板面に溜まらず、上方から下方へ円滑に流れるから、処理液の重量によって基板が撓むのを防止することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
立位状態の基板に処理液を供給する場合、たとえば基板の上下方向の複数箇所からそれぞれノズルによって処理液を供給するということが考えられる。しかしながら、処理液を複数のノズルによって基板の板面に単に供給するだけでは、基板の上部に供給された処理液が基板の上部を処理した後、基板の下部に供給された処理液に混合して反応性が劣化するから、基板の下部の処理が上部に比べて劣るということがある。しかも、基板の上部と下部とを流れる処理液の速度は、高さの違いによって異なるから、その速度差によって基板の上部と下部とが均一に処理されないなどのことが生じる。
【００１０】
この発明は、基板を立位状態で搬送して処理液で処理する場合、この基板を全体にわたってほぼ均一に処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射する処理部とを有し、
上記処理部は、上記基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルを有し、これら複数のノズルは上記基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも上記基板の搬送方向後方に位置するよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１２】
上記基板の搬送方向において隣り合うノズルは、それぞれのノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れる処理液の領域が重ならない間隔に設定されていることが好ましい。
【００１３】
高さ方向上方に位置するノズルは、下方に位置するノズルよりも、処理液の噴射量が大きく設定されることが好ましい。
【００１４】
上記ノズルは、噴射される処理液が放物線を描くよう噴射方向を斜め上方に向けるとともに、処理液は放物線の頂点の部分が基板の板面に当たる位置に配置されていることが好ましい。
【００１５】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿うとともに、高さ方向上方から下方にゆくにつれて次第にピッチが大きくなるよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１６】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の圧力が下方に位置するノズルに供給される処理液の圧力よりも高く設定されることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１７】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の流量が下方に位置するノズルに供給される処理液の流量よりも大きく設定されることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１８】
この発明は、複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に複数のノズルから処理液を噴射するとともに、各ノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れ落ちるそれぞれの処理液の領域が重ならないようにする噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【００１９】
この発明は、複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に上記複数のノズルから処理液を噴射するとともに、上記基板の高さ方向上部に位置するノズルに供給される処理液を下部に位置するノズルに供給される処理液よりも圧力と流量のうちの少なくとも一方を大きくして供給する噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、各ノズルから基板に噴射される処理液を混合させずに基板の上部から下部へ流すことができるため、それぞれのノズルから噴射された処理液に他のノズルから噴射された処理液が混合して反応性が劣化するということがない。そのため、立位状態で搬送される基板を複数のノズルから噴射される処理液によってほぼ均一に処理することが可能となる。
【００２１】
この発明によれば、立位状態で搬送される基板の上部と下部とに処理液をほぼ均等に噴射することができるから、基板の上部と下部とをほぼ均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の第１の形態に係る処理装置の概略的構成を示す斜視図。
【図２】エッチング処理部のノズルの配置状態を示す側面図。
【図３】エッチング処理部のノズルの配置状態を示す正面図。
【図４】基板の搬送速度と、ノズルの高さ位置とに応じて異なる基板の下端部でのエッチング液の基板の搬送方向に移動する距離を示したグラフ。
【図５】エッチング液の供給高さに対し、基板下部でのエッチング液の速度と、エッチング液が基板の下部に到達するまでの時間との関係を示したグラフ。
【図６】基板の搬送速度が２０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図７】基板の搬送速度が４０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図８】基板の搬送速度が６０００ｍ／ｓｅｃのときの各ノズルから噴射されたエッチング液が流れる領域を示した図。
【図９】この発明の第２の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１０】この発明の第３の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１１】この発明の第４の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１２】この発明の第５の実施の形態の基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１３】図１２に示す基板とノズルの関係を示す正面図。
【図１４】この発明の第６の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１５】この発明の第７の実施の形態を示す基板とノズルとの関係を示す側面図。
【図１６】ノズルから放物線を描いて噴射される処理液と基板との関係を示す説明図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００２４】
図１乃至図８はこの発明の第１の実施の形態を示す。図１に示す処理装置は基台１を備えている。この基台１の上面の長手方向一端部には幅方向に離間してローダ部２とアンローダ部３とが設けられている。ローダ部２とアンローダ部３とは矩形板状の受け部材４を有し、この受け部材４は下端部を支点として矢印で示す基台１の幅方向に沿って揺動駆動可能となっている。
【００２５】
ローダ部２とアンローダ部３との一側面（ローダ部２のみ図示）の下端部には複数の下部受けローラ５が所定間隔で設けられ、上端部には複数の上部受けローラ６が所定間隔で設けられている。下部受けローラ５は図示しない駆動源によって回転駆動されるようになっている。
【００２６】
上記ローダ部２には未処理の基板Ｗが図示しない供給部から立位状態で供給される。ローダ部２に供給された基板Ｗは下端が下部受けローラ５に係合支持され、上端が上部受けローラ６に係合支持される。そして、未処理の基板Ｗは下部受けローラ５が所定方向に回転駆動されることで、後述する処理ステーションに供給される。
【００２７】
上記処理ステーションで処理された基板Ｗは上記アンローダ部３に搬出される。アンローダ部３に搬出された基板Ｗは下端が下部受けローラ５に係合支持され、上端が上部受けローラ６に係合支持される。
【００２８】
上記基台１のローダ部２とアンローダ部３を除く部分は鎖線で示すカバー７によって覆われている。このカバー７内には、基台１の長手方向に沿って処理ステーションとしての固定ステーション８と、同じく処理ステーションとしての回転ステーション９とが順次一列に設けられている。
【００２９】
上記固定ステーション８と回転ステーション９との一側面と他側面にはそれぞれ搬送手段１０が設けられている。この搬送手段１０は各ステーション８，９の下端部に幅方向に沿って所定間隔で設けられた駆動ローラ１３を有する。この駆動ローラ１３は駆動源１２によって回転駆動される。各駆動ローラ１３の上方にはそれぞれ上下方向に沿って所定間隔で設けられた複数、この実施の形態では３つの受けローラ１４が設けられている。
【００３０】
上記駆動ローラ１３は、詳細は図示しないが外周面にＶ溝が形成されているとともに回転軸線を水平にして設けられ、上記受けローラ１４は回転軸線を垂直にして設けられている。
【００３１】
上下方向に位置する３つの受けローラ１４はそれぞれ各ステーション８，９の側面に突設された取付け部材１５の先端部に設けられている。上下方向に沿って設けられた３つの受けローラ１４は上方に行くにつれてステーション８，９の側面からの突出距離が小さくなるよう設定されている。
【００３２】
それによって、上記ローダ部２から上記固定ステーション８の一側面に供給される基板Ｗは、下端が駆動ローラ１３のＶ溝に係合し、一側面が上記受けローラ１４に支持されることで、上端が下端よりも各ステーション８，９の側面側に所定の角度で傾斜した状態で上記駆動ローラ１３によって搬送される。
【００３３】
上下方向に位置する３つの受けローラ１４は、下端が駆動ローラ１３に支持された基板Ｗをたとえば７０〜８５度の角度で傾斜させて保持するよう、各ステーション８，９の側面からの突出距離が設定されている。基板Ｗを７０〜８５度の角度で傾斜させると、傾斜方向と逆方向に倒れることなく安定した状態で搬送することが可能となる。しかも、基板Ｗは、水平に搬送される場合のように自重によって撓むのが防止される。この実施の形態では、上記基板Ｗは７５度の角度で傾斜して搬送されるようになっている。
【００３４】
上記ローダ部２から固定ステーション８の一側面の搬送手段１０に基板Ｗを供給する場合、ローダ部２の受け部材４を固定ステーション８に保持される基板Ｗの傾斜角度と同じ角度で傾斜させることで、ローダ部２から固定ステーション８の一側面に基板Ｗを円滑に受け渡すことができる。
【００３５】
同様に、固定ステーション８の他側面からアンローダ部３に基板Ｗを搬出する場合、このアンローダ部３の受け部材４を基板Ｗと同じ角度で傾斜させておけば、上記固定ステーション８の他側面から上記アンローダ部３へ基板Ｗを円滑に受け渡すことができる。
【００３６】
上記固定ステーション８の一側面には、処理手段としてそれぞれブラシ洗浄部１７、処理部としてのエッチング処理部１８及び純水洗浄部１９が順次設けられ、上記回転ステーション９の一側面と他側面とにはそれぞれ処理手段としての乾燥処理部２０（一方のみ図示）が設けられている。
【００３７】
上記ブラシ洗浄部１７は、詳細は図示しないが無端状をなし、基板Ｗの上下方向に沿って無端走行する一対のベルトがブラシ面を対向させて配置されている。そして、これら一対のベルトのブラシ面間に上記基板Ｗが搬送されることで、基板Ｗの一対の板面、つまり表面と裏面とがブラシ洗浄されるようになっている。
【００３８】
上記ブラシ洗浄部１７でブラシ洗浄された基板Ｗの表面と裏面のうち、表面は上記エッチング処理部１８でエッチング処理される。このエッチング処理部１８は図２と図３に示すように複数のノズル、この実施の形態では第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄを有する。
【００３９】
第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄは、高さ方向に所定間隔で配置されているとともに、基板Ｗの搬送方向に対し、上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも図３に矢印で示す基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。それによって、複数のノズル２１ａ〜２１ｄを結ぶ直線Ｌは、基板Ｗの搬送方向に対して角度θで傾斜している。
【００４０】
第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの高さ方向の間隔は基板Ｗの高さ寸法に応じて設定され、基板Ｗの搬送方向に沿う配置、つまり基板Ｗの搬送方向において隣り合うノズルの間隔は基板Ｗの搬送速度によって設定される。
【００４１】
たとえば、基板Ｗの高さ寸法が１８００ｍｍの場合、第１のノズル２１ａの高さｈ１ は、図３に示すように１８００ｍｍの高さ位置に配置され、第２のノズル２１ｂの高さｈ２ は１３５０ｍｍ、第３のノズル２１ｃの高さｈ３ は９００ｍｍ、第４のノズル２１ｄの高さｈ４ は４５０ｍｍに設定される。
【００４２】
図２に示すように、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄはそれぞれ主供給管２２から分岐された４つの分岐管２３に接続されている。各分岐管２３には流量制御弁２４が設けられている。それによって、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄからはそれぞれの流量制御弁２４の設定に基く流量で基板Ｗの表面に向けて処理液としてのエッチング液を噴射することができるようになっている。なお、上記主供給管２２には開閉制御弁２５が設けられ、この開閉制御弁２５が開放されることで、エッチング液が各分岐管２３に供給される。
【００４３】
基板Ｗの搬送方向に沿うノズル間隔は、各ノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されたエッチング液が基板Ｗの搬送速度に応じて基板Ｗの板面に沿って流れる領域がそれぞれ重ならないように設定される。
【００４４】
図４は基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、４０００ｍｍ／ｍｉｎ及び６０００ｍｍ／ｍｉｎのときに上記各高さ位置に配置された第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液が基板Ｗの板面を流れる領域を実験によって求めたグラフである。同図において、曲線Ｘ１ 〜Ｘ４ は基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、曲線Ｙ１ 〜Ｙ４ は４０００ｍｍ／ｍｉｎ、曲線Ｚ１ 〜Ｚ４ は６０００ｍｍ／ｍｉｎの場合である。
【００４５】
たとえば、高さが１８００ｍｍの位置に配置された第１のノズル２１ａから噴射されるエッチング液は、基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｘ１ で示すように第１のノズル２１ａから噴射されたエッチング液は垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約２０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。搬送速度が４０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｙ１ で示すように垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約４０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。搬送速度が６０００ｍｍ／ｍｉｎのときには、曲線Ｚ１ で示すように垂直方向下方から基板Ｗの搬送方向に約６０ｍｍずれた領域の範囲を流れる。
【００４６】
図６乃至図８は、図４に示す実験に基いて、基板Ｗの搬送速度が２０００ｍｍ／ｍｉｎ、４０００ｍｍ／ｍｉｎ及び６０００ｍｍ／ｍｉｎの場合に、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されて基板Ｗの板面を流れるエッチング液の領域がそれぞれ重ならないように、上記第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの配置状態及び各ノズルから噴射されて基板Ｗの板面に沿って流れるエッチング液の領域を示している。
【００４７】
図５において、曲線Ａは第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されて下方へ流れたエッチング液の基板Ｗの下端部における速度を示しており、曲線Ｂは各ノズル２１ａ〜２１ｄから基板Ｗの板面に噴射されたエッチング液が基板Ｗの下端部に到達するまでの時間を示している。
【００４８】
このグラフから分かるように、基板Ｗの高い位置から噴射されたエッチング液は、低い位置から噴射されたエッチング液よりも、下端部に到達するまでの時間は長くなるが、基板Ｗの下端部での速度は低い位置から噴射されたエッチング液よりも速くなっていることが分かる。
【００４９】
たとえば、高さ９００ｍｍの位置の第３のノズル２１ｃから噴射されたエッチング液が下端部に到達するまでの時間は０．４４ｓｅｃであるから、高さが２倍の１８００ｍｍの位置にある第１のノズル２１ａから噴射されたエッチング液が下端部に到達するまでの計算上の時間はその２倍の０．８８ｓｅｃであるが、実測値は０．６２ｓｅｃであった。つまり、基板Ｗの下端部においては、高い位置から落下するエッチング液は低い位置から落下するエッチング液よりも加速度が大きくなるため、図５に示すような測定結果が得られる。
【００５０】
上記純水洗浄部１９は、上記エッチング処理部１８でエッチングされた基板Ｗの板面を純水によって洗浄する。純水洗浄部１９の構造の詳細は図示しないが、たとえば基板Ｗの搬送方向に対して所定の角度で傾斜して形成された複数のスリット状のノズルから基板Ｗの表裏両面の全体にわたって純水をほぼ均一に噴射できるようになっている。それによって、上記エッチング処理部１８でエッチング処理されることで残留したエッチング液が上記純水洗浄部１９を通過することで洗い流される。
【００５１】
上記乾燥処理部２０は、上記純水洗浄部１９で洗浄処理された基板Ｗに付着残留する純水を除去する。乾燥処理部２０は不活性ガスなどの清浄な圧縮気体を比較的高い圧力で噴射するエアナイフから構成されており、搬送される基板Ｗの表裏両面に圧縮気体を噴射することで、上記純水洗浄部１９で洗浄処理されることでその板面に付着残留した純水を除去するようになっている。
【００５２】
基板Ｗが乾燥処理部２０で乾燥処理されると、この乾燥処理部２０が設けられた回転ステーション９が１８０度回転し、乾燥処理した基板Ｗをアンローダ部３側に向ける。その状態で、基板Ｗはアンローダ部３に向かって搬送され、搬送手段１０から上記アンローダ部３に受け渡される。
【００５３】
上記構成の処理装置によれば、基板Ｗが搬送手段１０によって所定方向に搬送され、ブラシ洗浄部１７で洗浄された後、エッチング処理部１８に到達すると、ここで基板Ｗの表面はエッチング処理される。基板Ｗをエッチング処理する場合、エッチング処理部１８の第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄは、図６乃至図８に示すように基板Ｗの高さ寸法と搬送速度に応じて配置されている。
【００５４】
つまり、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄからそれぞれ基板Ｗの板面に噴射されて下方に向かって流れる、エッチング液の各領域が重なることがないよう、上記第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの間隔が基板Ｗの搬送速度に応じて設定されている。
【００５５】
たとえば、基板Ｗが６０００ｍｍ／ｓｅｃ搬送速度で搬送される場合、図８に示すように第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液が下方に向かって流れる領域を、第１乃至第４の領域をＲ１ 〜Ｒ４ とすると、これらの各領域Ｒ１ 〜Ｒ４ は基板Ｗの上下方向全長にわたって隣り合う他の領域に重なり合うことがない。
【００５６】
そのため、基板Ｗの第１の領域Ｒ１ をエッチングしたエッチング液は第２の領域Ｒ２ をエッチングしたエッチング液に混じり合うことがなく、同様に第３、第４の領域Ｒ３ 、Ｒ４ をエッチング処理したエッチング液に他の領域をエッチング処理したエッチング液が混じり合うことがない。
【００５７】
たとえば、第１の領域Ｒ１ をエッチング処理したエッチング液が第２の領域Ｒ２ をエッチング処理したエッチング液に混合すると、エッチング液の反応性が劣化するということがある。しかしながら、上述したように第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液は混じり合うことなくそれぞれの領域Ｒ１ 〜Ｒ４ を流れる。
【００５８】
そのため、基板Ｗは各ノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されるエッチング液による領域Ｒ１ 〜Ｒ４ が反応性が劣化していないエッチング液によってエッチング処理されるから、そのエッチング処理を基板Ｗの表面全体にわたって均一に行うことができる。
【００５９】
図８に示すように、基板Ｗの高さ方向を、第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄの配置高さに応じて第１乃至第４の高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ４ に分けると、第１の高さ部分Ｈ１ は第１の領域Ｒ１ を流れるエッチング液だけによってエッチングされるが、第２の高さ部分Ｈ２ は第１、第２の領域Ｒ１ 、Ｒ２ を流れるエッチング液によってエッチングされる。同様に、第３の高さ部分Ｈ３ は第１乃至第３の領域Ｒ１ 〜Ｒ３ を流れるエッチング液によってエッチングされ、第４の高さ部分Ｈ４ は第１乃至第４の領域を流れるエッチング液によってエッチングされる。
【００６０】
各高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ４ がエッチング液によってエッチングされる面積を図８に斜線で示す。第４の高さ部分Ｈ４ は第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されたエッチング液によってエッチングされることになるから最大となり、その部分の面積を“１”とすると、第１のノズルからのエッチング液だけによってエッチングされる第１の高さ部分Ｈ１ の面積は０．０１６となる。同様に第２の高さ部分は０．１２５、第３の高さ部分は０．４２２となる。
【００６１】
第４の高さ部分Ｈ４ に流れるエッチング液の流量を“１”とすると、第１乃至第３の高さ部分Ｈ１ 〜Ｈ３ には上述した面積比の逆数に応じた流量となるよう、各第１乃至第４のノズル２１ａ〜２１ｄから噴射されるエッチング液の流量を設定する。
【００６２】
たとえば、第４の高さ部分Ｈ４ と第１の高さ部分Ｈ１ との面積比は１：０．０１６であるから、流量比はその逆数である、１：６２．５になるよう、第１のノズル２１ａからのエッチング液の供給量を設定する。同様に、第４の高さ部分Ｈ４ と第２の高さ部分Ｈ２ との流量比は１：８．０、第４の高さ部分Ｈ４ と第３の高さ部分Ｈ３ との流量比は１：２．４に設定する。
【００６３】
このように、各ノズルからのエッチング液の供給量を面積比の逆数に応じて設定すれば、基板Ｗの各高さ部分がエッチング液から受ける単位時間当たりのエッチング処理量（処理面積×エッチング液量）はほぼ同じになるから、このことによっても基板Ｗの表面を全体にわたってほぼ均一にエッチング処理することができる。
【００６４】
図９はこの発明の第２の実施の形態を示す。この実施の形態は、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向に沿って複数のノズル、たとえば５つのノズル２１が基板Ｗの上方から下方に沿って一列に配置されている。複数のノズル２１は、基板Ｗの高さ方向上方から下方に行くにしたがって、これらノズル２１のピッチＰ１ 〜Ｐ４ が次第に大きくなるよう設定されている。
なお、ノズル２１が接続された各分岐管２３には第１の実施の形態と同様、流量制御弁２４が設けられ、主供給管２２には開閉制御弁２５が設けられている。
【００６５】
ノズル２１から基板Ｗの高さ方向上部に噴射供給されるエッチング液は、下部に噴射供給されるエッチング液よりも下方へ落下する速度が大きい。そのため、複数のノズル２１を基板Ｗの高さ方向に沿って等間隔で配置したのでは、基板Ｗの上部が受ける単位時間当たりのエッチング処理量が下部よりも小さくなる。
【００６６】
しかしながら、上述したように複数のノズル２１の配置ピッチを、基板Ｗの下部よりも上部で密にしたから、基板Ｗの高さ方向全長にわたって基板Ｗが受ける単位時間当たりのエッチング処理量をほぼ同じにすることができる。それによって、基板Ｗのエッチング処理を全体にわたって均一に行うことが可能となる。
【００６７】
図１０はこの発明の第３の実施の形態を示す。この実施の形態は、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向に沿って複数のノズル、たとえば４つのノズル２１をほぼ等間隔で配置する。各ノズル２１は、第１の実施の形態と同様、分岐管２３を介して主供給管２２に接続されている。
【００６８】
各分岐管２３にはそれぞれ圧力設定弁３１が設けられ、その圧力設定弁３１によって各ノズル２１から噴射されるエッチング液の圧力を設定することができるようになっている。この実施の形態では、高さ方向上方に位置するノズル２１に供給されるエッチング液の圧力が下方に位置するノズル２１への供給圧量よりも高くなるよう設定されている。
【００６９】
それによって、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向上部には、下部よりも多くのエッチング液を供給することができるから、基板Ｗの高さ方向全長にわたってほぼ均一なエッチングを行うことが可能となる。
【００７０】
図１０に示す第３の実施の形態において、各分岐管２３には圧力設定弁３１に代わり流量調整弁を設けるようにしてもよい。それによって、各ノズル２１から噴射されるエッチング液の流量を調整することができる。たとえば、各流量調整弁によって、高さ方向上方に位置するノズル２１に供給されるエッチング液の量を下方に位置するノズル２１へ供給される量よりも多くなるよう設定する。
【００７１】
それによって、立位状態で搬送される基板Ｗの高さ方向上部には、下部に比べて多量のエッチング液を供給することができるから、基板Ｗの上部に供給されたエッチング液が下部に供給されたエッチング液よりも下方へ流れる速度が速くても、基板Ｗの高さ方向全長をほぼ均一にエッチングすることが可能となる。
【００７２】
図１１はこの発明の第４の実施の形態を示す。この実施の形態は第１の実施の形態と類似するが、基板Ｗに対して第１乃至第６の６つのノズル２１ａ〜２１ｆによって処理液を噴射供給するようにしている。
【００７３】
第１、第２のノズル２１ａ，２１ｂは第１のヘッダ管３５ａに設けられ、第３、第４のノズル２１ｃ，２１ｄは第２のヘッダ管３５ｂに設けられ、第５、第６のノズル２１ｅ，２１ｆは第３のヘッダ管３５ｃに設けられている。各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃはそれぞれ流量制御弁２４が設けられた分岐管２３を介して開閉制御弁２５が設けられた主供給管２２に接続されている。
【００７４】
第１のヘッダ管３５ａが最上段に配置され、第２のヘッダ管３５ｂが中段、第３のヘッダ管３５ｃが下段に配置されている。それによって、第１のノズル２１ａが最も高い位置にあり、第２乃至第６のノズル２１ｂ〜２１ｆが順次高さを低くして配置されている。さらに、第１乃至第６のノズル２１ａ〜２１ｆは、上記第１の実施の形態と同様、高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【００７５】
このように、第１乃至第３の各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃに２つのノズルを設けたことで、各ヘッダ管３５ａ〜３５ｃに設けられた２つのノズルの口径が同じであれば、処理液を同じ流量で噴射することができる。１つのヘッダ管に設けられた２つのノズルから噴射される処理液の流量を変えたい場合には、２つのノズルの口径を変えるようにすればよい。３つのヘッダ管３５ａ〜３５ｃに供給される処理液の流量は、各分岐管２３に設けられた流量制御弁２４によって調整することができる。
【００７６】
したがって、このような構成であっても、６つのノズル２１ａ〜２１ｆから噴射される処理液の量を、高さ方向上方に位置するノズルを下方に位置するノズルよりも大きくなるよう設定することが可能である。
【００７７】
図１２と図１３はこの発明の第５の実施の形態を示す。上記各実施の形態ではノズルとしてフラットタイプやコーンタイプなどの処理液の噴射断面積が円形状のノズルを例に挙げたが、この実施の形態では処理液を直線状に噴射するスリットタイプのノズルが用いられている。
【００７８】
この第５の実施の形態では、スリットタイプの第１乃至第５の５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅが基板Ｗの高さ方向に所定間隔で、しかも高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するように配置されている。各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは処理液の噴射方向を鉛直方向下方に向けて配置されている。
【００７９】
スリットタイプのノズル１２１ａ〜１２１ｅを用いることで、基板Ｗの全面に処理液を均一に、しかも迅速に噴射することが可能となるから、処理液による処理を板面全体にわたって均一に行なうことが可能となる。
【００８０】
また、スリットタイプのノズルは、処理液を霧状にして噴射しないため、ミストの発生が少ない。そのため、薬液処理後に純水を噴射する場合、純水のミストが基板Ｗの純水がまだ噴射されていない部分に付着し、薬液による反応が他の部分と相違するのを防止できる。その結果、基板Ｗ全体を薬液によって均一に処理することが可能となる。
【００８１】
この実施の形態において、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅへの処理液の供給は、第１の実施の形態と同様、主供給管２２に開閉制御弁２５を設け、この主供給管２２から５つの分岐管２３を分岐し、各分岐管２３を、それぞれ流量制御弁２４を介して各ノズル１２１ａ〜１２１ｅに接続して行なわれる。したがって、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅへの処理液の供給量は、各流量制御弁２４の開度を調整することで制御することができる。
【００８２】
図１４はこの発明の第６の実施の形態を示す。この実施の形態はスリットタイプの５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅを用いる点では第５の実施の形態と同じであるが、各ノズルはスリット面を所定の角度で傾斜して搬送される基板Ｗの板面に対してほぼ平行にして配置されている。つまり、処理液の噴射方向を基板Ｗの板面に対して直交する方向に向けて配置されているという点で第５の実施の形態と異なる。
【００８３】
なお、この第６の実施の形態において、第１乃至第６のノズル１２１ａ〜１２１ｅは、上記第５の実施の形態と同様、高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するよう配置されている。
【００８４】
このような構成においても、第５の実施の形態と同様、基板Ｗの全面に処理液を均一に、しかも迅速に噴射することが可能となるから、処理液による処理を板面全体にわたって均一に行なうことが可能となる。
【００８５】
図１５と図１６はこの発明の第７の実施の形態である。この第７の実施の形態は、図１４に示す第６の実施の形態の変形例である。すなわち、ノズルにはスリットタイプの５つのノズル１２１ａ〜１２１ｅが用いられている。各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、基板Ｗの高さ方向に所定間隔で、しかも高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板Ｗの搬送方向後方に位置するように配置されている。
【００８６】
各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、図５に矢印で示すようにスリットから噴射される処理液が放物線Ｐを描くよう、噴射方向を上方に向けて配置されている。さらに、図１６に示すように各ノズル１２１ａ〜１２１ｅは、スリットから噴射された処理液の放物線Ｐの頂点Ｔの部分が基板Ｗの板面に当たるように配置されている。
【００８７】
このように、基板Ｗの板面に対して各ノズル１２１ａ〜１２１ｅを配置すると、処理液は基板Ｗの板面に流速が０に近い緩やかな状態で接触してその板面を下方へ流れる。そのため、処理液が基板Ｗの板面で跳ね返るのが防止される。
【００８８】
たとえば、処理液として薬液などによって処理された基板を処理液としての純水でリンス処理するような場合、純水が基板Ｗの板面に強く当たって跳ね返ると、薬液を含む純水が基板Ｗのまだリンス処理され邸内部分に付着し、その部分が薬液が希釈されてその部分の反応が他の部分と相違し、基板Ｗの処理状態が不均一になることがある。
【００８９】
しかしながら、各ノズル１２１ａ〜１２１ｅからリンス液を放物線状に噴射し、その放物線の頂点Ｔの部分を基板Ｗの板面に接触させるようにしたことで、リンス液が基板Ｗの板面で跳ね返るということがほとんどない。そのため、薬液を含むリンス液が基板Ｗのすでにリンス処理された部分に付着して反応するということがないから、リンス処理時に基板Ｗの処理状態にむらが生じるのを防止できる。
【００９０】
なお、この第７の実施の形態において、処理液としてはリンス液に限られず、薬液であってもよい。薬液を用いた場合、リンス液を用いた場合と同様、薬液が基板Ｗの板面で跳ね返って他の部分に付着することがないから、薬液による基板Ｗの処理が不均一になるのを防止できる。
また、ノズルとしてはスリットタイプに限られず、フラットタイプやコーンタイプなど他のタイプのノズルであってもよい。
【００９１】
この発明は上記各実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。たとえば、処理部において基板に供給される処理液としてはエッチング液に限定されず、基板を処理する他の薬液、たとえば現像液、剥離液、過酸化水素水、アンモニア水などであってもよい。また、この発明は、純水洗浄部にも適用することが可能であり、その場合ノズルから純水を供給することで、基板のリンス処理を全面にわたって均一に行うことができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０…搬送手段、１８…エッチング処理部、１９…純水洗浄部、２０乾燥処理部、２１ａ〜２１ｄ…ノズル、Ｗ…基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射する処理部とを有し、
上記処理部は、上記基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルを有し、これら複数のノズルは上記基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも上記基板の搬送方向後方に位置するよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記基板の搬送方向において隣り合うノズルは、それぞれのノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れる処理液の領域が重ならない間隔に設定されていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
高さ方向上方に位置するノズルは、下方に位置するノズルよりも、処理液の噴射量が大きく設定されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
上記ノズルは、噴射される処理液が放物線を描くよう噴射方向を斜め上方に向けるとともに、処理液は放物線の頂点の部分が基板の板面に当たる位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項５】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿うとともに、高さ方向上方から下方にゆくにつれて次第にピッチが大きくなるよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項６】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の圧力が下方に位置するノズルに供給される処理液の圧力よりも高く設定されることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項７】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の流量が下方に位置するノズルに供給される処理液の流量よりも大きく設定されることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項８】
複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に複数のノズルから処理液を噴射するとともに、各ノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れ落ちるそれぞれの処理液の領域が重ならないようにする噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項９】
複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に上記複数のノズルから処理液を噴射するとともに、上記基板の高さ方向上部に位置するノズルに供給される処理液を下部に位置するノズルに供給される処理液よりも圧力と流量のうちの少なくとも一方を大きくして供給する噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射する処理部とを有し、
上記処理部は、上記基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルを有し、これら複数のノズルは上記基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも上記基板の搬送方向後方に位置するよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記基板の搬送方向において隣り合うノズルは、それぞれのノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れる処理液の領域が重ならない間隔に設定されていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
高さ方向上方に位置するノズルは、下方に位置するノズルよりも、処理液の噴射量が大きく設定されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
上記ノズルは、噴射される処理液が放物線を描くよう噴射方向を斜め上方に向けるとともに、処理液は放物線の頂点の部分が基板の板面に当たる位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項５】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿うとともに、高さ方向上方から下方にゆくにつれて次第にピッチが大きくなるよう配置されていることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項６】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の圧力が下方に位置するノズルに供給される処理液の圧力よりも高く設定されることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項７】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって立位状態で搬送される基板の板面に処理液を噴射する複数のノズルとを有し、
上記複数のノズルは、上記基板の高さ方向に沿って所定間隔で配置されるとともに、高さ方向上方に位置するノズルに供給される処理液の流量が下方に位置するノズルに供給される処理液の流量よりも大きく設定されることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項８】
複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に複数のノズルから処理液を噴射するとともに、各ノズルから噴射されて基板の板面に沿って流れ落ちるそれぞれの処理液の領域が重ならないようにする噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項９】
複数のノズルを基板の高さ方向に沿って配置し、これらノズルから処理液を噴射して基板を処理する処理方法において、
上記基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送工程と、
立位状態で搬送される基板に上記複数のノズルから処理液を噴射するとともに、上記基板の高さ方向上部に位置するノズルに供給される処理液を下部に位置するノズルに供給される処理液よりも圧力と流量のうちの少なくとも一方を大きくして供給する噴射工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−３４５８３（Ｐ２０１０−３４５８３Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５４１４２（Ｐ２００９−２５４１４２）
【出願日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【分割の表示】特願２００４−１９１１３４（Ｐ２００４−１９１１３４）の分割
【原出願日】平成１６年６月２９日（２００４．６．２９）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【分割の表示】特願２００４−１９１１３４（Ｐ２００４−１９１１３４）の分割
【原出願日】平成１６年６月２９日（２００４．６．２９）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
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