基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理するための基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を洗浄処理やエッチング処理するために基板処理装置を用いて基板の各種処理を行っている。
【０００３】
従来の基板処理装置としては、処理液を使用して基板を処理する基板処理部を複数個有するとともに、複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部を有し、処理液供給部で所定濃度に希釈した処理液を予め生成するとともに、その処理液を貯留しておき、基板の処理時に処理液供給部から複数個の基板処理部に所定濃度の処理液を同時に供給するように構成している（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２３３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の基板処理装置では、基板処理部で使用する処理液の流量が少量となった場合には、処理液供給部で流量の制御ができなくなり、所定流量の処理液を精度良く供給することができなくなるおそれがあった。
【０００６】
特に、基板を処理する処理液を所定濃度に希釈して生成するとともに、生成直後に基板処理部に供給するように構成した場合には、希釈される液体の流量が極少量となって処理液供給部で濃度の制御ができなくなり、所定濃度の処理液を制度良く供給することができなくなるおそれがあった。
【０００７】
なお、全ての基板処理部で使用する流量の処理液を常に供給することも考えられるが、使用されない処理液までも無駄に供給することになり、処理液の使用効率が低くなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、請求項１に係る本発明では、処理液を使用して基板を処理する複数個の基板処理部と、前記複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部と、各基板処理部及び処理液供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置において、制御部は、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【０００９】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給するように構成し、前記制御部は、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１０】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記制御部は、処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１１】
また、請求項４に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理方法において、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１２】
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項４に係る本発明において、前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１３】
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項４又は請求項５に係る本発明において、前記処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１４】
また、請求項７に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１５】
また、請求項８に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【発明の効果】
【００１６】
そして、本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置において、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにしているために、処理液供給部から基板処理部に所定流量の処理液を精度良く供給することができるとともに、基板処理装置で使用される処理液の使用率を向上させることができ、基板処理装置のランニングコストを低減させることができる。
【００１７】
特に、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、所定濃度の処理液を精度良く供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係る基板処理装置及びこの基板処理装置で用いる基板処理方法並びに基板処理装置に処理動作を実行させるための基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に基板２（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめてキャリア３で搬入及び搬出するための基板搬入出台４を形成するとともに、基板搬入出台４の後部にキャリア３に収容された基板２を１枚ずつ搬送するための基板搬送室５を形成し、基板搬送室５の後部に基板２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理室６を形成している。
【００２０】
基板搬入出台４は、４個のキャリア３を基板搬送室５の前壁７に密着させた状態で左右に間隔をあけて載置できるように構成している。
【００２１】
基板搬送室５は、内部に基板搬送装置８と基板受渡台９とを収容しており、基板搬送装置８を用いて基板搬入出台４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台９との間で基板２を１枚ずつ搬送するように構成している。
【００２２】
基板処理室６は、中央部に基板搬送装置10を収容し、基板搬送装置10の左側に第１〜第６の基板処理部11〜16を前後に並べて収容するとともに、基板搬送装置10の右側に第７〜第12の基板処理部17〜22を前後に並べて収容している。
【００２３】
そして、基板処理室６は、基板搬送装置10を用いて基板搬送室５の基板受渡台９と各基板処理部11〜22との間で基板２を１枚ずつ搬送するとともに、各基板処理部11〜22を用いて基板２を処理するようにしている。
【００２４】
この基板処理室６には、図２に示すように、第１〜第12の基板処理部11〜22を有する処理部23とともに、処理部23に処理液を供給する処理液供給部24と、これら処理部23と処理液供給部24とを制御する制御部25を収容している。なお、制御部25は、基板搬送装置8,10など基板処理装置１の全体を制御するようになっている。
【００２５】
処理部23は、処理液供給部24と連結する連結管26の先端部に共通供給管27を接続し、共通供給管27の先端部にバイパス管28を接続している。共通供給管27は、各基板処理部11〜22に分岐して接続しており、処理液供給部24から供給される処理液を各基板処理部11〜22に共通して供給するようになっている。また、バイパス管28は、フローコントローラ29を介して廃液部30に接続しており、処理液供給部24から供給される処理液のうちで基板処理部11〜22において使用されない余剰の処理液を廃液部30から排出するようになっている。なお、廃液部30から排出される処理液の流量は、制御部25によってフローコントローラ29で制御される。
【００２６】
各基板処理部11〜22には、基板２の表面又は裏面に向けて処理液を吐出する上下一対のノズル31,32を設けており、各ノズル31,32に共通供給管27を切換バルブ33,34とフローコントローラ35,36を介して接続している。切換バルブ33,34には、リンス用の純水（リンス液）を供給するためのリンス液供給源45を供給管46を介して接続しており、切換バルブ33,34を切替えることによって、各ノズル31,32から純水を吐出して基板２のリンス処理（純水処理）を行うようにしている。各ノズル31,32から吐出する処理液や純水の流量（各基板処理部11〜22で使用される処理液の流量）は、制御部25によってフローコントローラ35,36で制御される。
【００２７】
処理液供給部24は、第１の液体と第２の液体を混合することによって第１の液体で第２の液体を希釈して処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に連結管26を介して処理部23に供給するように構成している。なお、ここでは、第１の液体として純水を用い、第２の液体としてフッ酸を用い、純水でフッ酸を1/300に希釈した処理液を生成する場合について説明する。
【００２８】
すなわち、処理液供給部24は、純水を供給するための純水供給源37に接続された純水供給管38にフローコントローラ39を介して混合部（ミキシングバルブ）40を接続するとともに、フッ酸を供給するためのフッ酸供給源41に接続されたフッ酸供給管42にフローコントローラ43を介して混合部40を接続し、混合部40に連結管26の基端部を接続している。なお、純水供給源37やフッ酸供給源41としては、純水やフッ酸を貯留したボンベやタンクなどを用いることができる。
【００２９】
そして、処理液供給部24では、純水供給管38から混合部40に流入する純水の流量やフッ酸供給管42から混合部40に流入するフッ酸の流量を制御部25によってフローコントローラ39,43で制御して、所定濃度及び所定量の処理液を生成するようにしている。
【００３０】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部25に内蔵した記録媒体44に格納した基板処理プログラムで図３に模式的に示すように制御される。なお、記録媒体44は、基板処理プログラムを格納できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。
【００３１】
基板処理プログラムでは、基板処理装置１を用いて、図３に示すように、キャリア３に収容された25枚の基板２を12個の基板処理部11〜22で並列的に順次処理するようにしており、１枚の基板２に対しては、10秒間で各基板処理部11〜22に搬送し、20秒間で処理液による処理（処理液処理）を行い、その後の20秒間で純水による処理（純水処理）を行い、その後の40秒間で乾燥処理を行うようにしている。
【００３２】
ここで、基板処理プログラムにおいて基板２の搬送は、基板搬送装置10を用いて第１〜第12の基板処理部11〜22に基板２を順次１枚づつ搬送するようにしており、既に乾燥処理済みの基板２がある場合には、処理済みの基板２を搬出するとともに処理前の基板２を搬入するようにしている。
【００３３】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の処理液処理は、処理液供給部24から所定流量及び所定濃度の処理液を各基板処理部11〜22に供給し、処理液を用いて各基板処理部11〜22で基板２の処理を行うように制御している。
【００３４】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の純水処理は、リンス液供給源45から所定流量の純水を各基板処理部11〜22に供給し、純水を用いて各基板処理部11〜22で基板２の処理を行うように制御している。
【００３５】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の乾燥処理は、各基板処理部11〜22への処理液や純水の供給を停止し、各基板処理部11〜22で基板２の乾燥処理を行うように制御している。
【００３６】
さらに、基板処理プログラムでは、各基板処理部11〜22において処理液処理時に1/300に希釈したフッ酸を処理液として毎分２リットル使用するようにしている。また、上記基板処理装置１では、フッ酸供給管42に設けたフローコントローラ43として毎分20ミリリットルまで流量を制御できるものを使用しているため、これを希釈された処理液で換算すると300倍の毎分６リットルの処理液が必要となる。すなわち、上記基板処理装置１では、処理液供給部24で制御可能なフッ酸（第２の流体）の最小流量が毎分20ミリリットルであり、処理液供給部24で制御可能な最小流量が毎分６リットルとなる。
【００３７】
そこで、基板処理プログラムでは、各基板処理部11〜22での処理液の使用量が毎分２リットル（このときのフッ酸の使用量が毎分6.67ミリリットル）であり、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分６リットル（フッ酸の最小流量である毎分20ミリリットル）よりも少量であるため、３個以上の基板処理部11〜22を同時に使用することにして、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分20ミリリットル以上のフッ酸を純水で希釈することによって、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分６リットル以上の所定濃度の処理液を生成し処理部23に供給するように制御している。このように、基板処理プログラムでは、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液又はフッ酸の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部23で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにしている。
【００３８】
具体的に説明すると、基板処理プログラムは、基板処理の開始後10秒の間で、第１の基板処理部11に基板２を搬送し、処理開始後10〜20秒の間で、第２の基板処理部12に基板２を搬送し、処理開始後20〜30秒の間で、第３の基板処理部13に基板２を搬送するように制御する。
【００３９】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後30〜40秒の間で、第４の基板処理部14に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４０】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後40〜50秒の間で、第５の基板処理部15に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４１】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後50〜60秒の間で、第６の基板処理部16に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の純水処理を行うように制御する。
【００４２】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後60〜70秒の間で、第７の基板処理部17に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の純水処理を行い、第４〜第６の基板処理部14〜16で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４３】
その後、同様に、基板処理プログラムは、処理開始後70〜250秒の間で、第１〜第12の基板処理部11〜22に基板２を順次搬送するとともに、３個の基板処理部11〜22で同時に基板２の処理液処理、純水処理、乾燥処理を行うように制御する。
【００４４】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後250〜260秒の間で、基板搬送装置10を用いて第２の基板処理部12から基板２の搬送を行うとともに、第１及び第10〜第12の基板処理部11,20〜22で同時に基板２の処理液処理を行い、第４〜第９の基板処理部14〜19で同時に基板２の乾燥処理を行うように制御する。
【００４５】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後260〜270秒の間で、第３の基板処理部13から基板２の搬送を行うとともに、第１の基板処理部11で基板２の処理液処理を行い、第７〜第９の基板処理部17〜19で同時に基板２の乾燥処理を行い、第10〜第12の基板処理部20〜22で同時に基板２の純水処理を行うように制御する。なお、処理開始後260〜270秒の間では、第１の基板処理部11でのみ処理液が使用されるため、処理液の使用量が毎分２リットルとなり、処理液供給部24で制御可能な最小流量よりも少量となるので、毎分４リットルの処理液を余分に生成して合計で毎分６リットルの処理液を供給するようにしている。
【００４６】
その後、同様に、処理開始後270〜320秒の間で、第４〜第８の基板処理部14〜18から基板２の搬送を行うとともに、第１及び第７〜第12の基板処理部11,17〜22で基板２の純水処理、乾燥処理行うように制御する。
【００４７】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後320〜330秒の間で、第９の基板処理部19から基板２の搬送を行い、処理開始後330〜340秒の間で、第10の基板処理部20から基板２の搬送を行い、処理開始後340〜350秒の間で、第11の基板処理部21から基板２の搬送を行い、処理開始後350〜360秒の間で、第12の基板処理部22から基板２の搬送を行い、処理開始後360〜370秒の間で、第１の基板処理部11から基板２の搬送を行うように制御する。
【００４８】
以上に説明したように、上記基板処理装置１の基板処理プログラムでは、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液の流量（毎分２リットル）が処理液供給部24で制御可能な流量（毎分６リットル）よりも少量となるために、処理液供給部24で制御可能な流量以上（毎分６リットル以上）になるまで待った後に複数個（３個以上）の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御している。
【００４９】
これにより、上記基板処理装置１では、図３に示すように、処理開始後30〜50秒の間、処理開始後60〜80秒の間、処理開始後90〜110秒の間、処理開始後120〜140秒の間、処理開始後150〜170秒の間、処理開始後180〜200秒の間、処理開始後210〜230秒の間、及び処理開始後240〜250秒の間において、毎分６リットルの処理液を生成し（実線で示す。）、その全てを基板処理部11〜22で使用するとともに、また、処理開始後250〜260秒の間において、毎分８リットルの処理液を生成し、その全てを基板処理部11〜22で使用し、さらに、処理開始後260〜270秒の間において、毎分６リットルの処理液を生成し（実線で示す。）、そのうちの２リットルの処理液を基板処理部11〜22で使用している（点線で示す。）。
【００５０】
なお、使用される処理液の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量となって所定濃度の処理液を供給できない場合、全ての基板処理部11〜22で使用する流量の処理液を常に供給することも考えられるが、12個全ての基板処理部11〜22で使用する処理液の流量が24リットルとなり、そのうちの大部分が廃棄されることになるため、処理液の使用率が著しく低いものとなってしまう。それに対して、上記基板処理装置１では、全体的に見ると、17.333リットル生成された処理液のうち16.666リットルの処理液が使用され残りの0.666リットルの処理液だけが廃棄されることになり、処理液の使用率は約96％となっており、供給する処理液の大部分が基板処理部11〜22で使用されることになり、処理液の使用率を向上させることができる。
【００５１】
このように、処理液供給部24から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部11〜22で基板２を処理する基板処理装置１においては、各基板処理部11〜22に基板２を順次搬送し、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量の場合に、処理液供給部24で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板２が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、処理液供給部24から基板処理部11〜22に所定流量の処理液を精度良く供給することができるとともに、基板処理装置１で使用される処理液の使用率を向上させることができ、基板処理装置１のランニングコストを低減させることができる。
【００５２】
特に、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部11〜22に供給し、１個の基板処理部11〜22で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部24で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部24で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板２が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、所定濃度の処理液を精度良く供給することができる。
【００５３】
また、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液又は第２の流体の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部24で制御可能な流量以上になるように複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用すればよいが、同時に使用する基板処理部11〜22の個数を多くすると、搬送から処理液処理までの待機時間が長くなって基板処理装置１のスループットが低減するおそれもあるため、処理液供給部24で制御可能な流量以上になる処理液の流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用することにすれば、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る基板処理装置を示す平面図。
【図２】同ブロック図。
【図３】本発明に係る基板処理装置での処理を模式的に示す説明図。
【符号の説明】
【００５５】
１ 基板処理装置 ２ 基板
３ キャリア ４ 基板搬入出台
５ 基板搬送室 ６ 基板処理室
７ 前壁 ８ 基板搬送装置
９ 基板受渡台 10 基板搬送装置
11〜22 第１〜第12の基板処理部 23 処理部
24 処理液供給部 25 制御部
26 連結管 27 共通供給管
28 バイパス管 29 フローコントローラ
30 廃液部 31,32 ノズル
33,34 バルブ 35,36 フローコントローラ
37 純水供給源 38 純水供給管
39 フローコントローラ 40 混合部
41 フッ酸供給源 42 フッ酸供給管
43 フローコントローラ 44 記録媒体
45 リンス液供給源 46 供給管
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理するための基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を洗浄処理やエッチング処理するために基板処理装置を用いて基板の各種処理を行っている。
【０００３】
従来の基板処理装置としては、処理液を使用して基板を処理する基板処理部を複数個有するとともに、複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部を有し、処理液供給部で所定濃度に希釈した処理液を予め生成するとともに、その処理液を貯留しておき、基板の処理時に処理液供給部から複数個の基板処理部に所定濃度の処理液を同時に供給するように構成している（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２３３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の基板処理装置では、基板処理部で使用する処理液の流量が少量となった場合には、処理液供給部で流量の制御ができなくなり、所定流量の処理液を精度良く供給することができなくなるおそれがあった。
【０００６】
特に、基板を処理する処理液を所定濃度に希釈して生成するとともに、生成直後に基板処理部に供給するように構成した場合には、希釈される液体の流量が極少量となって処理液供給部で濃度の制御ができなくなり、所定濃度の処理液を制度良く供給することができなくなるおそれがあった。
【０００７】
なお、全ての基板処理部で使用する流量の処理液を常に供給することも考えられるが、使用されない処理液までも無駄に供給することになり、処理液の使用効率が低くなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、請求項１に係る本発明では、処理液を使用して基板を処理する複数個の基板処理部と、前記複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部と、各基板処理部及び処理液供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置において、制御部は、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【０００９】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給するように構成し、前記制御部は、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１０】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記制御部は、処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１１】
また、請求項４に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理方法において、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１２】
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項４に係る本発明において、前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１３】
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項４又は請求項５に係る本発明において、前記処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１４】
また、請求項７に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【００１５】
また、請求項８に係る本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。
【発明の効果】
【００１６】
そして、本発明では、処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置において、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにしているために、処理液供給部から基板処理部に所定流量の処理液を精度良く供給することができるとともに、基板処理装置で使用される処理液の使用率を向上させることができ、基板処理装置のランニングコストを低減させることができる。
【００１７】
特に、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、所定濃度の処理液を精度良く供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係る基板処理装置及びこの基板処理装置で用いる基板処理方法並びに基板処理装置に処理動作を実行させるための基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に基板２（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめてキャリア３で搬入及び搬出するための基板搬入出台４を形成するとともに、基板搬入出台４の後部にキャリア３に収容された基板２を１枚ずつ搬送するための基板搬送室５を形成し、基板搬送室５の後部に基板２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理室６を形成している。
【００２０】
基板搬入出台４は、４個のキャリア３を基板搬送室５の前壁７に密着させた状態で左右に間隔をあけて載置できるように構成している。
【００２１】
基板搬送室５は、内部に基板搬送装置８と基板受渡台９とを収容しており、基板搬送装置８を用いて基板搬入出台４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台９との間で基板２を１枚ずつ搬送するように構成している。
【００２２】
基板処理室６は、中央部に基板搬送装置10を収容し、基板搬送装置10の左側に第１〜第６の基板処理部11〜16を前後に並べて収容するとともに、基板搬送装置10の右側に第７〜第12の基板処理部17〜22を前後に並べて収容している。
【００２３】
そして、基板処理室６は、基板搬送装置10を用いて基板搬送室５の基板受渡台９と各基板処理部11〜22との間で基板２を１枚ずつ搬送するとともに、各基板処理部11〜22を用いて基板２を処理するようにしている。
【００２４】
この基板処理室６には、図２に示すように、第１〜第12の基板処理部11〜22を有する処理部23とともに、処理部23に処理液を供給する処理液供給部24と、これら処理部23と処理液供給部24とを制御する制御部25を収容している。なお、制御部25は、基板搬送装置8,10など基板処理装置１の全体を制御するようになっている。
【００２５】
処理部23は、処理液供給部24と連結する連結管26の先端部に共通供給管27を接続し、共通供給管27の先端部にバイパス管28を接続している。共通供給管27は、各基板処理部11〜22に分岐して接続しており、処理液供給部24から供給される処理液を各基板処理部11〜22に共通して供給するようになっている。また、バイパス管28は、フローコントローラ29を介して廃液部30に接続しており、処理液供給部24から供給される処理液のうちで基板処理部11〜22において使用されない余剰の処理液を廃液部30から排出するようになっている。なお、廃液部30から排出される処理液の流量は、制御部25によってフローコントローラ29で制御される。
【００２６】
各基板処理部11〜22には、基板２の表面又は裏面に向けて処理液を吐出する上下一対のノズル31,32を設けており、各ノズル31,32に共通供給管27を切換バルブ33,34とフローコントローラ35,36を介して接続している。切換バルブ33,34には、リンス用の純水（リンス液）を供給するためのリンス液供給源45を供給管46を介して接続しており、切換バルブ33,34を切替えることによって、各ノズル31,32から純水を吐出して基板２のリンス処理（純水処理）を行うようにしている。各ノズル31,32から吐出する処理液や純水の流量（各基板処理部11〜22で使用される処理液の流量）は、制御部25によってフローコントローラ35,36で制御される。
【００２７】
処理液供給部24は、第１の液体と第２の液体を混合することによって第１の液体で第２の液体を希釈して処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に連結管26を介して処理部23に供給するように構成している。なお、ここでは、第１の液体として純水を用い、第２の液体としてフッ酸を用い、純水でフッ酸を1/300に希釈した処理液を生成する場合について説明する。
【００２８】
すなわち、処理液供給部24は、純水を供給するための純水供給源37に接続された純水供給管38にフローコントローラ39を介して混合部（ミキシングバルブ）40を接続するとともに、フッ酸を供給するためのフッ酸供給源41に接続されたフッ酸供給管42にフローコントローラ43を介して混合部40を接続し、混合部40に連結管26の基端部を接続している。なお、純水供給源37やフッ酸供給源41としては、純水やフッ酸を貯留したボンベやタンクなどを用いることができる。
【００２９】
そして、処理液供給部24では、純水供給管38から混合部40に流入する純水の流量やフッ酸供給管42から混合部40に流入するフッ酸の流量を制御部25によってフローコントローラ39,43で制御して、所定濃度及び所定量の処理液を生成するようにしている。
【００３０】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部25に内蔵した記録媒体44に格納した基板処理プログラムで図３に模式的に示すように制御される。なお、記録媒体44は、基板処理プログラムを格納できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。
【００３１】
基板処理プログラムでは、基板処理装置１を用いて、図３に示すように、キャリア３に収容された25枚の基板２を12個の基板処理部11〜22で並列的に順次処理するようにしており、１枚の基板２に対しては、10秒間で各基板処理部11〜22に搬送し、20秒間で処理液による処理（処理液処理）を行い、その後の20秒間で純水による処理（純水処理）を行い、その後の40秒間で乾燥処理を行うようにしている。
【００３２】
ここで、基板処理プログラムにおいて基板２の搬送は、基板搬送装置10を用いて第１〜第12の基板処理部11〜22に基板２を順次１枚づつ搬送するようにしており、既に乾燥処理済みの基板２がある場合には、処理済みの基板２を搬出するとともに処理前の基板２を搬入するようにしている。
【００３３】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の処理液処理は、処理液供給部24から所定流量及び所定濃度の処理液を各基板処理部11〜22に供給し、処理液を用いて各基板処理部11〜22で基板２の処理を行うように制御している。
【００３４】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の純水処理は、リンス液供給源45から所定流量の純水を各基板処理部11〜22に供給し、純水を用いて各基板処理部11〜22で基板２の処理を行うように制御している。
【００３５】
また、基板処理プログラムにおいて基板２の乾燥処理は、各基板処理部11〜22への処理液や純水の供給を停止し、各基板処理部11〜22で基板２の乾燥処理を行うように制御している。
【００３６】
さらに、基板処理プログラムでは、各基板処理部11〜22において処理液処理時に1/300に希釈したフッ酸を処理液として毎分２リットル使用するようにしている。また、上記基板処理装置１では、フッ酸供給管42に設けたフローコントローラ43として毎分20ミリリットルまで流量を制御できるものを使用しているため、これを希釈された処理液で換算すると300倍の毎分６リットルの処理液が必要となる。すなわち、上記基板処理装置１では、処理液供給部24で制御可能なフッ酸（第２の流体）の最小流量が毎分20ミリリットルであり、処理液供給部24で制御可能な最小流量が毎分６リットルとなる。
【００３７】
そこで、基板処理プログラムでは、各基板処理部11〜22での処理液の使用量が毎分２リットル（このときのフッ酸の使用量が毎分6.67ミリリットル）であり、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分６リットル（フッ酸の最小流量である毎分20ミリリットル）よりも少量であるため、３個以上の基板処理部11〜22を同時に使用することにして、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分20ミリリットル以上のフッ酸を純水で希釈することによって、処理液供給部24で制御可能な最小流量である毎分６リットル以上の所定濃度の処理液を生成し処理部23に供給するように制御している。このように、基板処理プログラムでは、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液又はフッ酸の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部23で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにしている。
【００３８】
具体的に説明すると、基板処理プログラムは、基板処理の開始後10秒の間で、第１の基板処理部11に基板２を搬送し、処理開始後10〜20秒の間で、第２の基板処理部12に基板２を搬送し、処理開始後20〜30秒の間で、第３の基板処理部13に基板２を搬送するように制御する。
【００３９】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後30〜40秒の間で、第４の基板処理部14に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４０】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後40〜50秒の間で、第５の基板処理部15に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４１】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後50〜60秒の間で、第６の基板処理部16に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の純水処理を行うように制御する。
【００４２】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後60〜70秒の間で、第７の基板処理部17に基板２を搬送するとともに、第１〜第３の基板処理部11〜13で同時に基板２の純水処理を行い、第４〜第６の基板処理部14〜16で同時に基板２の処理液処理を行うように制御する。
【００４３】
その後、同様に、基板処理プログラムは、処理開始後70〜250秒の間で、第１〜第12の基板処理部11〜22に基板２を順次搬送するとともに、３個の基板処理部11〜22で同時に基板２の処理液処理、純水処理、乾燥処理を行うように制御する。
【００４４】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後250〜260秒の間で、基板搬送装置10を用いて第２の基板処理部12から基板２の搬送を行うとともに、第１及び第10〜第12の基板処理部11,20〜22で同時に基板２の処理液処理を行い、第４〜第９の基板処理部14〜19で同時に基板２の乾燥処理を行うように制御する。
【００４５】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後260〜270秒の間で、第３の基板処理部13から基板２の搬送を行うとともに、第１の基板処理部11で基板２の処理液処理を行い、第７〜第９の基板処理部17〜19で同時に基板２の乾燥処理を行い、第10〜第12の基板処理部20〜22で同時に基板２の純水処理を行うように制御する。なお、処理開始後260〜270秒の間では、第１の基板処理部11でのみ処理液が使用されるため、処理液の使用量が毎分２リットルとなり、処理液供給部24で制御可能な最小流量よりも少量となるので、毎分４リットルの処理液を余分に生成して合計で毎分６リットルの処理液を供給するようにしている。
【００４６】
その後、同様に、処理開始後270〜320秒の間で、第４〜第８の基板処理部14〜18から基板２の搬送を行うとともに、第１及び第７〜第12の基板処理部11,17〜22で基板２の純水処理、乾燥処理行うように制御する。
【００４７】
次に、基板処理プログラムは、処理開始後320〜330秒の間で、第９の基板処理部19から基板２の搬送を行い、処理開始後330〜340秒の間で、第10の基板処理部20から基板２の搬送を行い、処理開始後340〜350秒の間で、第11の基板処理部21から基板２の搬送を行い、処理開始後350〜360秒の間で、第12の基板処理部22から基板２の搬送を行い、処理開始後360〜370秒の間で、第１の基板処理部11から基板２の搬送を行うように制御する。
【００４８】
以上に説明したように、上記基板処理装置１の基板処理プログラムでは、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液の流量（毎分２リットル）が処理液供給部24で制御可能な流量（毎分６リットル）よりも少量となるために、処理液供給部24で制御可能な流量以上（毎分６リットル以上）になるまで待った後に複数個（３個以上）の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御している。
【００４９】
これにより、上記基板処理装置１では、図３に示すように、処理開始後30〜50秒の間、処理開始後60〜80秒の間、処理開始後90〜110秒の間、処理開始後120〜140秒の間、処理開始後150〜170秒の間、処理開始後180〜200秒の間、処理開始後210〜230秒の間、及び処理開始後240〜250秒の間において、毎分６リットルの処理液を生成し（実線で示す。）、その全てを基板処理部11〜22で使用するとともに、また、処理開始後250〜260秒の間において、毎分８リットルの処理液を生成し、その全てを基板処理部11〜22で使用し、さらに、処理開始後260〜270秒の間において、毎分６リットルの処理液を生成し（実線で示す。）、そのうちの２リットルの処理液を基板処理部11〜22で使用している（点線で示す。）。
【００５０】
なお、使用される処理液の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量となって所定濃度の処理液を供給できない場合、全ての基板処理部11〜22で使用する流量の処理液を常に供給することも考えられるが、12個全ての基板処理部11〜22で使用する処理液の流量が24リットルとなり、そのうちの大部分が廃棄されることになるため、処理液の使用率が著しく低いものとなってしまう。それに対して、上記基板処理装置１では、全体的に見ると、17.333リットル生成された処理液のうち16.666リットルの処理液が使用され残りの0.666リットルの処理液だけが廃棄されることになり、処理液の使用率は約96％となっており、供給する処理液の大部分が基板処理部11〜22で使用されることになり、処理液の使用率を向上させることができる。
【００５１】
このように、処理液供給部24から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部11〜22で基板２を処理する基板処理装置１においては、各基板処理部11〜22に基板２を順次搬送し、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量の場合に、処理液供給部24で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板２が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、処理液供給部24から基板処理部11〜22に所定流量の処理液を精度良く供給することができるとともに、基板処理装置１で使用される処理液の使用率を向上させることができ、基板処理装置１のランニングコストを低減させることができる。
【００５２】
特に、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部11〜22に供給し、１個の基板処理部11〜22で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部24で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部24で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部11〜22に基板２が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することによって、所定濃度の処理液を精度良く供給することができる。
【００５３】
また、１個の基板処理部11〜22で使用する処理液又は第２の流体の流量が処理液供給部24で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部24で制御可能な流量以上になるように複数個の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用すればよいが、同時に使用する基板処理部11〜22の個数を多くすると、搬送から処理液処理までの待機時間が長くなって基板処理装置１のスループットが低減するおそれもあるため、処理液供給部24で制御可能な流量以上になる処理液の流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部11〜22で処理液を同時に使用することにすれば、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る基板処理装置を示す平面図。
【図２】同ブロック図。
【図３】本発明に係る基板処理装置での処理を模式的に示す説明図。
【符号の説明】
【００５５】
１ 基板処理装置 ２ 基板
３ キャリア ４ 基板搬入出台
５ 基板搬送室 ６ 基板処理室
７ 前壁 ８ 基板搬送装置
９ 基板受渡台 10 基板搬送装置
11〜22 第１〜第12の基板処理部 23 処理部
24 処理液供給部 25 制御部
26 連結管 27 共通供給管
28 バイパス管 29 フローコントローラ
30 廃液部 31,32 ノズル
33,34 バルブ 35,36 フローコントローラ
37 純水供給源 38 純水供給管
39 フローコントローラ 40 混合部
41 フッ酸供給源 42 フッ酸供給管
43 フローコントローラ 44 記録媒体
45 リンス液供給源 46 供給管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を使用して基板を処理する複数個の基板処理部と、前記複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部と、各基板処理部及び処理液供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置において、
制御部は、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給するように構成し、
前記制御部は、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理方法において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラム。
【請求項８】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１】
処理液を使用して基板を処理する複数個の基板処理部と、前記複数個の基板処理部に処理液を供給する処理液供給部と、各基板処理部及び処理液供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置において、
制御部は、各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給するように構成し、
前記制御部は、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理方法において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
前記処理液供給部は、第１の流体で第２の流体を希釈して所定濃度の処理液を生成するとともに、生成した処理液を生成直後に基板処理部に供給し、１個の基板処理部で使用する所定濃度の処理液に含まれる第２の流体の流量が処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な第２の流体の流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記処理液供給部で制御可能な流量以上になる流量のうちで最小の流量となる個数の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラム。
【請求項８】
処理液供給部から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部で基板を処理する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
各基板処理部に基板を順次搬送し、１個の基板処理部で使用する処理液の流量が処理液供給部で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部に基板が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−５０２２２（Ｐ２０１０−５０２２２Ａ）
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２１１９５２（Ｐ２００８−２１１９５２）
【出願日】平成２０年８月２０日（２００８．８．２０）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２０日（２００８．８．２０）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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