【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を下方へ案内する第１案内カップ３１および第２案内カップ４１と、基板保持台１２と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１により案内された処理液を回収する第１処理液回収用タンク６１および第２処理液回収用タンク６２と、を備えている。第１処理液回収用タンク６１と第２処理液回収用タンク６２との間には、排気部材７１が設けられている。第２案内カップ４１の下端部４１ｂに、第１案内カップ３１からの処理液を第１処理液回収用タンク６１に案内すると共に、第２案内カップ４１からの処理液を第２処理液回収用タンク６２に案内する案内部材８１が設けている。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に第１処理液（ＨＦＥ）、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル２０、第２処理液供給ノズル１７を備えている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板Ｗの上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがＨＦＥの液膜で緩和されつつ、基板Ｗの洗浄処理が施される。 （もっと読む）

【課題】安定して基板上に処理液の液膜を保持させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面周縁部を選択的に疎水化させる疎水化手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と含む。この基板処理装置による基板の処理では、基板の主面の周縁部を選択的に疎水化させる疎水化工程（Ｓ１０１）と、前記疎水化工程が実行された後に、水平に保持された基板に処理液を供給して、当該基板の主面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程（Ｓ１０２）とが実行される。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】たとえＣＭＰ後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）