基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置、この基板処理装置による基板処理方法、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムおよび当該プログラムが記憶された記憶媒体に関し、とりわけ、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置が知られている。基板処理装置の一例としては、例えば特許文献１等に開示されるものが知られている。
【０００３】
特許文献１等に開示されるような従来の基板処理装置の構成について図２を用いて説明する。図２に示すように、従来の基板処理装置８０において、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽８１が設けられている。処理槽８１の内部壁面には例えば４本の供給ノズル８１ａが配置されている。それぞれの供給ノズル８１ａは円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル８１ａに形成された複数の吐出孔から処理槽８１に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽８１内に処理液が貯留し、処理槽８１に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。
【０００４】
また、処理槽８１の上端部外壁面には回収部８１ｂが設けられており、この回収部８１ｂは、処理槽８１の上端から溢れ出た処理液を回収するようになっている。回収部８１ｂにより回収された処理液は、循環ポンプ８２により再び各供給ノズル８１ａに送られるようになっている。このようにして、処理槽８１内の処理液は循環ポンプ８２により循環されるようになっている。
【０００５】
一方、処理槽８１に対して新たな処理液を供給する新液供給ライン８０ａには、複数の液供給源とバルブとが設けられている。具体的には、図２に示すように、バルブ８３およびバルブ８４を開けることにより、純水供給源８５から新たな純水を処理槽８１に供給することができるようになっている。純水の供給量はレギュレータ８５ａにより調整される。また、バルブ８３およびバルブ８６を開けることにより、洗浄液供給源８７からオゾン水、水素水等の洗浄液を処理槽８１に供給することができるようになっている。流量計８３ａは、そこを通過する純水または洗浄水の流量を計測するようになっている。
【０００６】
また、バルブ９１ａを開けることによって塩酸（ＨＣｌ）供給源９１から塩酸を、バルブ９２ａを開けることによってアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源９２からアンモニア水を、バルブ９３ａを開けることによってフッ酸（ＨＦ）供給源９３からフッ酸を、バルブ９４ａを開けることによって過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源９４から過酸化水素水をそれぞれ処理槽８１に供給することができるようになっている。塩酸、アンモニア水、フッ酸、過酸化水素水の各々は、流量調整弁９１ｂ、９２ｂ、９３ｂ、９４ｂによってその供給量を調整することができる。また、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。このような一体型のミキシングバルブの構成は例えば特許文献２等に開示されている。一体型のミキシングバルブの構成について図３を用いて以下説明する。
【０００７】
図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０は、主流路１１３に対して複数（図３では２つ）の副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）が、その連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを開閉する開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂを介して接続されている。そして、主流路１１３および各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの各々には、圧力センサ１３１、１３２、１３３が配置されている。図３における参照符号１１１は本体ブロックを示し、参照符号１１２は弁ブロックを示している。
【０００８】
主流路１１３は、第１流体（例えば、純水）ｆ１が流通する流路であり、図３に示すように略直方体に形成された本体ブロック１１１の長手方向に略水平に貫通して設けられている。主流路１１３の両端は、接続開口部１１３ａ（上流側）、１１３ｂ（下流側）として図示しない接続部材を介して外部配管または流体機器に接続されている。主流路１１３には、両副流路１１４Ａ、１１４Ｂの連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂよりも下流（１１３ｂ）側に、当該主流路１１３を流通する混合流体ｍの圧力を検知する圧力センサ１３１が配置される。
【０００９】
副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）は、他の流体（ここでは各種薬液）である第２流体ｆ２、第３流体ｆ３が流通する流路であり、主流路１１３の下側にそれぞれ形成されている。そして、第１副流路１１４Ａおよび第２副流路１１４Ｂは、それぞれ、第２流体ｆ２、第３流体ｆ３を、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを経て、主流路１１３に対して上向きに供給するようになっている。各副流路１１４Ａ、１１４Ｂ内には、流路径が一旦狭くなる絞り部１１７Ａ、１１７Ｂが形成されている。この絞り部１１７Ａ、１１７Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂを流通する各流体ｆ２、ｆ３の圧力損失部を形成する。図３の参照符号１１５Ａ、１１５Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの外部配管等との接続開口部である。
【００１０】
第１副流路１１４Ａには、当該第１副流路１１４Ａ内を流通する第２流体ｆ２の圧力を検知する圧力センサ１３２が、第２副流路１１４Ｂには、当該第２副流路１１４Ｂ内を流通する第３流体ｆ３の圧力を検知する圧力センサ１３３がそれぞれ配置されている。
【００１１】
開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂは、主流路１１３の連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂの上部に配置されており、図示しない制御装置によるエア等の作動によってその弁体１２４が主流路１１３を横切って進退し、対応する連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを主流路１１３の内側から開閉し、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂから流入する流体ｆ２、ｆ３を主流路１１３内へ供給しまたは供給を停止するようになっている。図３における参照符号１２１はシリンダ、参照符号１２２はピストン、参照符号１２６は、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂに形成された弁座、参照符号１２７はダイアフラム、参照符号１２８は弁体１２４を常時前方向に付勢するスプリングである。
【００１２】
図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０において、主流路１１３の上流（１１３ａ）側から流入される第１流体ｆ１は、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂからそれぞれ供給される各流体ｆ２、ｆ３と混合されて、混合流体ｍとして主流路１１３の下流（１１３ｂ）側から流出される。
【００１３】
図２に示すような基板処理装置８０においては、新液供給ライン８０ａは、複数種類の新たな処理液を処理槽８１に供給することが可能である。例えば、バルブ９２ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開き、純水にアンモニア水と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。また、バルブ９１ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開くことにより、純水に塩酸と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。なお、アンモニア水と過酸化水素水の混合液や、塩酸と過酸化水素水の混合液を処理槽８１に供給するときには、加熱ヒータ８５ｂによって純水を加熱・昇温した状態で薬液を混合する場合が多い。
【００１４】
また、新液供給ライン８０ａは、オゾン水や水素水等の機能水を処理槽８１に供給することもできる。洗浄液供給源８７は、純水中にオゾン等を溶解して所定濃度のオゾン水等を生成する機能を有しており、バルブ８６を開くことによってその生成されたオゾン水等を処理槽８１に供給することができる。オゾン水等の流量は流量計８３ａによって計測され、バルブ８６の開閉によって調整される。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１００６０５号公報
【特許文献２】特開２００５−２０７４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、図２に示すような従来の基板処理装置８０の新液供給ライン８０ａにおいては、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）から各種の薬液が供給される各々の薬液供給ラインは、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８にそれぞれ直接的に接続されている。そして、前述のように、メインライン８８から各薬液供給ラインへの分岐箇所に設けられたバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。
【００１７】
一体型のミキシングバルブにおいて、メインライン８８に対して４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃがバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａを介して接続されている。そして、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは、メインライン８８に対する４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃを開閉するようになっている。
【００１８】
ここで、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８の径は大きくなっている。このため、一体型のミキシングバルブを構成する各バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの径もそれぞれ大きくなってしまう。
【００１９】
このことにより、図２に示すような従来の基板処理装置８０では、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）に対応して設けられるバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａが大型化してしまうため、これらのバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの設置スペースが大きくなってしまうという問題がある。
【００２０】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の基板処理装置は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
このような基板処理装置によれば、基板の処理を行う処理部に接続された第１のラインに第２のラインの上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されており、この第２のラインから複数の第３のラインが分岐しており、これらの第３のラインには、第２のラインからの分岐箇所においてそれぞれバルブが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このように、第２のラインの上流側端部および下流側端部が第１のラインにそれぞれ接続されており、この第２のラインが第１のラインのいわゆるバイパス経路の機能を果たすので、第２のラインの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブの径を第２のラインの径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、薬液供給ラインに介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【００２３】
本発明の基板処理装置においては、前記各薬液供給源は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源、フッ酸（ＨＦ）供給源、塩酸（ＨＣｌ）供給源、またはアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源であることが好ましい。
【００２４】
本発明の基板処理方法は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインおよび前記第２のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明のプログラムは、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【００２６】
本発明の記憶媒体は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体によれば、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。より具体的には、図１は、本実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【００２９】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１は、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽１０を備えている。この処理槽１０の内部壁面には例えば４本の供給ノズル１２、１８が配置されている。それぞれの供給ノズル１２、１８は円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル１２、１８に形成された複数の吐出孔から処理槽１０に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽１０内に処理液が貯留し、処理槽１０に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。
【００３０】
処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の上部にある左右一対の供給ノズル１２はそれぞれ供給管１４に接続されている。そして、この供給管１４から各供給ノズル１２に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管１４にはバルブ１４ａが介設されている。同様に、処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の下部にある左右一対の供給ノズル１８はそれぞれ供給管２０に接続されている。そして、この供給管２０から各供給ノズル１８に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管２０にはバルブ２０ａが介設されている。そして、供給管１４および供給管２０は合流し、この合流箇所には第１のライン２２が接続されている。すなわち、第１のライン２２から各供給管１４、２０にそれぞれ処理液が供給されるようになっている。この第１のライン２２の配管の径は例えば約１．５インチとなっている。
【００３１】
第１のライン２２の上流側端部には、純水（ＤＩＷ）供給源３０、オゾン水（Ｏ３Ｗ）供給源３２、および熱水（ＨＤＩＷ、より厳密には加熱された純水）供給源３４がそれぞれ設けられている。より具体的には、純水供給源３０には純水供給ライン３６が接続されており、この純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるようになっている。この純水供給ライン３６の径は例えば約１．５インチとなっている。図１に示すように、この純水供給ライン３６は２本の配管に分岐するようになっている。分岐した２本の配管にはそれぞれバルブ３６ａが設けられている。ここで、分岐した２本の配管の径はそれぞれ例えば約１インチとなっており、バルブ３６ａの径も例えば約１インチとなっている。
【００３２】
オゾン水供給源３２にはオゾン水供給ライン３８が接続されており、このオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給されるようになっている。このオゾン水供給ライン３８にはバルブ３８ａが設けられている。オゾン水供給ライン３８の径は例えば約１インチとなっており、バルブ３８ａの径も例えば約１インチとなっている。また、熱水（ＨＤＩＷ）供給源３４には熱水供給ライン４０が接続されており、この熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給されるようになっている。この熱水供給ライン４０にはバルブ４０ａが設けられている。熱水供給ライン４０の径は例えば約１インチとなっており、バルブ４０ａの径も例えば約１インチとなっている。
【００３３】
純水供給ライン３６から分岐した２本の配管、オゾン水供給ライン３８および熱水供給ライン４０は一箇所で合流し、この合流箇所には第１のライン２２の上流側端部が接続されている。すなわち、純水供給源３０、オゾン水供給源３２および熱水供給源３４から、それぞれ純水、オゾン水および熱水が第１のライン２２に供給されるようになっている。
【００３４】
図１に示すように、第１のライン２２にはバルブ２２ａが介設されている。ここで、第１のライン２２の径は例えば約１．５インチとなっており、バルブ２２ａの径も例えば約１．５インチとなっている。
【００３５】
図１に示すように、第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ第１のライン２２に接続されている。ここで、第２のライン４４は、第１のライン２２のいわゆるバイパス経路の機能を果たすようになっている。
【００３６】
第２のライン４４の径は第１のライン２２の径よりも小さく、具体的には例えば３／８インチまたは０．５インチとなっている。そして、第２のライン４４からは、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給ライン４２、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給ライン４８、塩酸（ＨＣｌ）供給ライン５２およびフッ酸（ＨＦ）供給ライン５６がそれぞれ分岐している。過酸化水素水供給ライン４２には過酸化水素水供給源４１が接続されており、この過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が供給されるようになっている。また、アンモニア水供給ライン４８にはアンモニア水供給源４６が接続されており、このアンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給されるようになっている。また、塩酸供給ライン５２には塩酸供給源５０が接続されており、この塩酸供給源５０から塩酸供給ライン５２に塩酸が供給されるようになっている。また、フッ酸供給ライン５６にはフッ酸供給源５４が接続されており、このフッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給されるようになっている。これらの過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６はそれぞれ第３のラインを構成している。
【００３７】
過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６における第２のライン４４との接続箇所にはそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。ここで、バルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａは図３に示すような一体型のミキシングバルブとして構成されており、これらのバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの径は第２のライン４４の径と同じく例えば約３／８インチまたは０．５インチとなっている。なお、これらのバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの一部または全部が一体のミキシングバルブを構成しておらず、このような一体のミキシングバルブを構成していないバルブの径が第２のライン４４の径よりも小さくなっていてもよい。
【００３８】
また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１における様々な構成要素を制御する、制御コンピュータからなる制御部７０が設けられている。この制御部７０は基板処理装置１の各構成要素に接続され、当該制御部７０により、処理槽１０におけるウエハＷの薬液処理やリンス処理が制御されるようになっている。より具体的には、制御部７０は、各供給源３０、３２、３４、４１、４６、５０、５４からの純水や薬液等の供給を制御したり、各バルブ１４ａ、２０ａ、２２ａ、３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの開閉を制御したりするようになっている。このような、制御部７０による基板処理装置１の各構成要素の制御内容については後述する。本実施の形態において、制御部７０には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部７１が接続されている。また、制御部７０には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部７０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体７２が接続されている。記憶媒体７２は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。
【００３９】
そして、必要に応じて、データ入出力部７１からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体７２から呼び出して制御部７０に実行させることで、制御部７０の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。
【００４０】
次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について説明する。なお、以下に示すような一連の薬液処理およびリンス処理は、記憶媒体７２に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部７０が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。
【００４１】
まず、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理やリンス処理を行う前の待機状態について説明する。このような待機状態においては、バルブ３６ａ、２２ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されることにより、第１のライン２２、第２のライン４４、供給管２０を介して供給ノズル１８により純水が処理槽１０内に供給されることとなる。
【００４２】
次に、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理が行われる。このような薬液処理は様々な態様があるが、薬液処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、５６ａ、２０ａ、１４ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともに、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、フッ酸供給源５４から供給されたフッ酸は第２のライン４４において純水により希釈され、純水により希釈されたフッ酸は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、純水により希釈されたフッ酸が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４３】
次に、薬液処理の第２の態様について説明する。薬液処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、４２ａ、４８ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に熱水が供給され、過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が供給されるとともに、アンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給される。そして、過酸化水素水供給源４１から供給された過酸化水素水は第２のライン４４において熱水により希釈され、熱水により希釈された過酸化水素水は第２のライン４４においてアンモニア水と混合する。そして、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液は供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４４】
次に、薬液処理の第３の態様について説明する。薬液処理の第３の態様においては、バルブ３６ａ、３８ａ、２２ａ、５６ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともにオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給され、また、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、オゾン水供給源３２から供給されたオゾン水は第１のライン２２において純水により希釈され、純水により希釈されたオゾン水は第２のライン４４においてフッ酸と混合する。そして、オゾン水およびフッ酸の混合液は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、オゾン水およびフッ酸の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４５】
次に、上述のようなウエハＷの薬液処理が行われた後のウエハＷのリンス処理について説明する。ウエハＷのリンス処理は様々な態様があるが、リンス処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給される。純水供給源３０から供給された純水により第１のライン２２および第２のライン４４の洗浄が行われる。そして、この純水は最終的に供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。
【００４６】
次に、リンス処理の第２の態様について説明する。リンス処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給される。熱水供給源３４から供給された熱水により第１のライン２２および第２のライン４４の洗浄が行われる。そして、この加熱された純水は最終的に供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。
【００４７】
以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、ウエハＷの処理を行う処理槽１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されており、この第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐しており、これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所においてそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このように、第２のライン４４の上流側端部および下流側端部が第１のライン２２にそれぞれ接続されており、この第２のライン４４が第１のライン２２のいわゆるバイパス経路の機能を果たすので、第２のライン４４の径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブ４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第２のライン４４の径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、薬液供給ライン（第３のライン）に介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【００４８】
なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、図１に示すような基板処理装置１において、オゾン水供給源３２や熱水供給源３４の設置を省略することができる。また、第２のライン４４に接続される薬液供給ラインとしては、過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６に限定されることはなく、他の種類の薬液を供給する薬液供給源が接続された薬液供給ラインであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一の実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【図２】従来の基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【図３】一体型のミキシングバルブの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１ 基板処理装置
１０ 処理槽
１２ 供給ノズル
１４ 供給管
１４ａ バルブ
１８ 供給ノズル
２０ 供給管
２０ａ バルブ
２２ 第１のライン
２２ａ バルブ
３０ 純水供給源
３２ オゾン水供給源
３４ 熱水供給源
３６ 純水供給ライン
３６ａ バルブ
３８ オゾン水供給ライン
３８ａ バルブ
４０ 熱水供給ライン
４０ａ バルブ
４１ 過酸化水素水供給源
４２ 過酸化水素水供給ライン
４２ａ バルブ
４４ 第２のライン
４６ アンモニア水供給源
４８ アンモニア水供給ライン
４８ａ バルブ
５０ 塩酸供給源
５２ 塩酸供給ライン
５２ａ バルブ
５４ フッ酸供給源
５６ フッ酸供給ライン
５６ａ バルブ
７０ 制御部
７１ データ入出力部
７２ 記憶媒体
８０ 基板処理装置
８０ａ 新液供給ライン
８１ 処理槽
８１ａ 供給ノズル
８１ｂ 回収部
８２ 循環ポンプ
８３ バルブ
８３ａ 流量計
８４ バルブ
８５ 純水供給源
８５ａ レギュレータ
８５ｂ 加熱ヒータ
８６ バルブ
８７ 洗浄液供給源
８８ メインライン
９１ 塩酸供給源
９１ａ バルブ
９１ｂ 流量調整弁
９１ｃ 副流路
９２ アンモニア水供給源
９２ａ バルブ
９２ｂ 流量調整弁
９２ｃ 副流路
９３ フッ酸供給源
９３ａ バルブ
９３ｂ 流量調整弁
９３ｃ 副流路
９４ 過酸化水素水供給源
９４ａ バルブ
９４ｂ 流量調整弁
９４ｃ 副流路
１１０ 一体型のミキシングバルブ
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置、この基板処理装置による基板処理方法、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムおよび当該プログラムが記憶された記憶媒体に関し、とりわけ、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の薬液処理やリンス処理を行う基板処理装置が知られている。基板処理装置の一例としては、例えば特許文献１等に開示されるものが知られている。
【０００３】
特許文献１等に開示されるような従来の基板処理装置の構成について図２を用いて説明する。図２に示すように、従来の基板処理装置８０において、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽８１が設けられている。処理槽８１の内部壁面には例えば４本の供給ノズル８１ａが配置されている。それぞれの供給ノズル８１ａは円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル８１ａに形成された複数の吐出孔から処理槽８１に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽８１内に処理液が貯留し、処理槽８１に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。
【０００４】
また、処理槽８１の上端部外壁面には回収部８１ｂが設けられており、この回収部８１ｂは、処理槽８１の上端から溢れ出た処理液を回収するようになっている。回収部８１ｂにより回収された処理液は、循環ポンプ８２により再び各供給ノズル８１ａに送られるようになっている。このようにして、処理槽８１内の処理液は循環ポンプ８２により循環されるようになっている。
【０００５】
一方、処理槽８１に対して新たな処理液を供給する新液供給ライン８０ａには、複数の液供給源とバルブとが設けられている。具体的には、図２に示すように、バルブ８３およびバルブ８４を開けることにより、純水供給源８５から新たな純水を処理槽８１に供給することができるようになっている。純水の供給量はレギュレータ８５ａにより調整される。また、バルブ８３およびバルブ８６を開けることにより、洗浄液供給源８７からオゾン水、水素水等の洗浄液を処理槽８１に供給することができるようになっている。流量計８３ａは、そこを通過する純水または洗浄水の流量を計測するようになっている。
【０００６】
また、バルブ９１ａを開けることによって塩酸（ＨＣｌ）供給源９１から塩酸を、バルブ９２ａを開けることによってアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源９２からアンモニア水を、バルブ９３ａを開けることによってフッ酸（ＨＦ）供給源９３からフッ酸を、バルブ９４ａを開けることによって過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源９４から過酸化水素水をそれぞれ処理槽８１に供給することができるようになっている。塩酸、アンモニア水、フッ酸、過酸化水素水の各々は、流量調整弁９１ｂ、９２ｂ、９３ｂ、９４ｂによってその供給量を調整することができる。また、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。このような一体型のミキシングバルブの構成は例えば特許文献２等に開示されている。一体型のミキシングバルブの構成について図３を用いて以下説明する。
【０００７】
図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０は、主流路１１３に対して複数（図３では２つ）の副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）が、その連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを開閉する開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂを介して接続されている。そして、主流路１１３および各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの各々には、圧力センサ１３１、１３２、１３３が配置されている。図３における参照符号１１１は本体ブロックを示し、参照符号１１２は弁ブロックを示している。
【０００８】
主流路１１３は、第１流体（例えば、純水）ｆ１が流通する流路であり、図３に示すように略直方体に形成された本体ブロック１１１の長手方向に略水平に貫通して設けられている。主流路１１３の両端は、接続開口部１１３ａ（上流側）、１１３ｂ（下流側）として図示しない接続部材を介して外部配管または流体機器に接続されている。主流路１１３には、両副流路１１４Ａ、１１４Ｂの連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂよりも下流（１１３ｂ）側に、当該主流路１１３を流通する混合流体ｍの圧力を検知する圧力センサ１３１が配置される。
【０００９】
副流路１１４（第１副流路１１４Ａ、第２副流路１１４Ｂ）は、他の流体（ここでは各種薬液）である第２流体ｆ２、第３流体ｆ３が流通する流路であり、主流路１１３の下側にそれぞれ形成されている。そして、第１副流路１１４Ａおよび第２副流路１１４Ｂは、それぞれ、第２流体ｆ２、第３流体ｆ３を、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを経て、主流路１１３に対して上向きに供給するようになっている。各副流路１１４Ａ、１１４Ｂ内には、流路径が一旦狭くなる絞り部１１７Ａ、１１７Ｂが形成されている。この絞り部１１７Ａ、１１７Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂを流通する各流体ｆ２、ｆ３の圧力損失部を形成する。図３の参照符号１１５Ａ、１１５Ｂは、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂの外部配管等との接続開口部である。
【００１０】
第１副流路１１４Ａには、当該第１副流路１１４Ａ内を流通する第２流体ｆ２の圧力を検知する圧力センサ１３２が、第２副流路１１４Ｂには、当該第２副流路１１４Ｂ内を流通する第３流体ｆ３の圧力を検知する圧力センサ１３３がそれぞれ配置されている。
【００１１】
開閉弁部１２０Ａ、１２０Ｂは、主流路１１３の連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂの上部に配置されており、図示しない制御装置によるエア等の作動によってその弁体１２４が主流路１１３を横切って進退し、対応する連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂを主流路１１３の内側から開閉し、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂから流入する流体ｆ２、ｆ３を主流路１１３内へ供給しまたは供給を停止するようになっている。図３における参照符号１２１はシリンダ、参照符号１２２はピストン、参照符号１２６は、連通開口部１１８Ａ、１１８Ｂに形成された弁座、参照符号１２７はダイアフラム、参照符号１２８は弁体１２４を常時前方向に付勢するスプリングである。
【００１２】
図３に示すような一体型のミキシングバルブ１１０において、主流路１１３の上流（１１３ａ）側から流入される第１流体ｆ１は、各副流路１１４Ａ、１１４Ｂからそれぞれ供給される各流体ｆ２、ｆ３と混合されて、混合流体ｍとして主流路１１３の下流（１１３ｂ）側から流出される。
【００１３】
図２に示すような基板処理装置８０においては、新液供給ライン８０ａは、複数種類の新たな処理液を処理槽８１に供給することが可能である。例えば、バルブ９２ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開き、純水にアンモニア水と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。また、バルブ９１ａ、バルブ９４ａ、バルブ８４およびバルブ８３を開くことにより、純水に塩酸と過酸化水素水とを混合して処理槽８１に供給することができる。なお、アンモニア水と過酸化水素水の混合液や、塩酸と過酸化水素水の混合液を処理槽８１に供給するときには、加熱ヒータ８５ｂによって純水を加熱・昇温した状態で薬液を混合する場合が多い。
【００１４】
また、新液供給ライン８０ａは、オゾン水や水素水等の機能水を処理槽８１に供給することもできる。洗浄液供給源８７は、純水中にオゾン等を溶解して所定濃度のオゾン水等を生成する機能を有しており、バルブ８６を開くことによってその生成されたオゾン水等を処理槽８１に供給することができる。オゾン水等の流量は流量計８３ａによって計測され、バルブ８６の開閉によって調整される。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１００６０５号公報
【特許文献２】特開２００５−２０７４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、図２に示すような従来の基板処理装置８０の新液供給ライン８０ａにおいては、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）から各種の薬液が供給される各々の薬液供給ラインは、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８にそれぞれ直接的に接続されている。そして、前述のように、メインライン８８から各薬液供給ラインへの分岐箇所に設けられたバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは一体型のミキシングバルブとして構成されている。
【００１７】
一体型のミキシングバルブにおいて、メインライン８８に対して４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃがバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａを介して接続されている。そして、バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａは、メインライン８８に対する４つの副流路９１ｃ、９２ｃ、９３ｃ、９４ｃを開閉するようになっている。
【００１８】
ここで、処理槽８１に純水やオゾン水、水素水等の洗浄液を供給するメインライン８８の径は大きくなっている。このため、一体型のミキシングバルブを構成する各バルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの径もそれぞれ大きくなってしまう。
【００１９】
このことにより、図２に示すような従来の基板処理装置８０では、各薬液供給源（塩酸供給源９１、アンモニア水供給源９２、フッ酸供給源９３および過酸化水素水供給源９４）に対応して設けられるバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａが大型化してしまうため、これらのバルブ９１ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａの設置スペースが大きくなってしまうという問題がある。
【００２０】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の基板処理装置は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
このような基板処理装置によれば、基板の処理を行う処理部に接続された第１のラインに第２のラインの上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されており、この第２のラインから複数の第３のラインが分岐しており、これらの第３のラインには、第２のラインからの分岐箇所においてそれぞれバルブが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このように、第２のラインの上流側端部および下流側端部が第１のラインにそれぞれ接続されており、この第２のラインが第１のラインのいわゆるバイパス経路の機能を果たすので、第２のラインの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブの径を第２のラインの径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブの径を第１のラインの径よりも小さくすることができ、薬液供給ラインに介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【００２３】
本発明の基板処理装置においては、前記各薬液供給源は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源、フッ酸（ＨＦ）供給源、塩酸（ＨＣｌ）供給源、またはアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源であることが好ましい。
【００２４】
本発明の基板処理方法は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインおよび前記第２のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明のプログラムは、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【００２６】
本発明の記憶媒体は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体によれば、各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。より具体的には、図１は、本実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【００２９】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１は、ウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽１０を備えている。この処理槽１０の内部壁面には例えば４本の供給ノズル１２、１８が配置されている。それぞれの供給ノズル１２、１８は円筒形状の供給管からなり、その円筒表面には純水や薬液等の処理液を吐出するための複数の吐出孔が設けられている。それぞれの供給ノズル１２、１８に形成された複数の吐出孔から処理槽１０に純水や薬液等の処理液を吐出することによって、処理槽１０内に処理液が貯留し、処理槽１０に貯留された処理液にウエハＷを浸漬させることにより、ウエハＷの表面処理が行われるようになっている。
【００３０】
処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の上部にある左右一対の供給ノズル１２はそれぞれ供給管１４に接続されている。そして、この供給管１４から各供給ノズル１２に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管１４にはバルブ１４ａが介設されている。同様に、処理槽１０の内部壁面に配置された４本の供給ノズル１２、１８のうち、処理槽１０の下部にある左右一対の供給ノズル１８はそれぞれ供給管２０に接続されている。そして、この供給管２０から各供給ノズル１８に処理液が供給されるようになっている。図１に示すように、供給管２０にはバルブ２０ａが介設されている。そして、供給管１４および供給管２０は合流し、この合流箇所には第１のライン２２が接続されている。すなわち、第１のライン２２から各供給管１４、２０にそれぞれ処理液が供給されるようになっている。この第１のライン２２の配管の径は例えば約１．５インチとなっている。
【００３１】
第１のライン２２の上流側端部には、純水（ＤＩＷ）供給源３０、オゾン水（Ｏ３Ｗ）供給源３２、および熱水（ＨＤＩＷ、より厳密には加熱された純水）供給源３４がそれぞれ設けられている。より具体的には、純水供給源３０には純水供給ライン３６が接続されており、この純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるようになっている。この純水供給ライン３６の径は例えば約１．５インチとなっている。図１に示すように、この純水供給ライン３６は２本の配管に分岐するようになっている。分岐した２本の配管にはそれぞれバルブ３６ａが設けられている。ここで、分岐した２本の配管の径はそれぞれ例えば約１インチとなっており、バルブ３６ａの径も例えば約１インチとなっている。
【００３２】
オゾン水供給源３２にはオゾン水供給ライン３８が接続されており、このオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給されるようになっている。このオゾン水供給ライン３８にはバルブ３８ａが設けられている。オゾン水供給ライン３８の径は例えば約１インチとなっており、バルブ３８ａの径も例えば約１インチとなっている。また、熱水（ＨＤＩＷ）供給源３４には熱水供給ライン４０が接続されており、この熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給されるようになっている。この熱水供給ライン４０にはバルブ４０ａが設けられている。熱水供給ライン４０の径は例えば約１インチとなっており、バルブ４０ａの径も例えば約１インチとなっている。
【００３３】
純水供給ライン３６から分岐した２本の配管、オゾン水供給ライン３８および熱水供給ライン４０は一箇所で合流し、この合流箇所には第１のライン２２の上流側端部が接続されている。すなわち、純水供給源３０、オゾン水供給源３２および熱水供給源３４から、それぞれ純水、オゾン水および熱水が第１のライン２２に供給されるようになっている。
【００３４】
図１に示すように、第１のライン２２にはバルブ２２ａが介設されている。ここで、第１のライン２２の径は例えば約１．５インチとなっており、バルブ２２ａの径も例えば約１．５インチとなっている。
【００３５】
図１に示すように、第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ第１のライン２２に接続されている。ここで、第２のライン４４は、第１のライン２２のいわゆるバイパス経路の機能を果たすようになっている。
【００３６】
第２のライン４４の径は第１のライン２２の径よりも小さく、具体的には例えば３／８インチまたは０．５インチとなっている。そして、第２のライン４４からは、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給ライン４２、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給ライン４８、塩酸（ＨＣｌ）供給ライン５２およびフッ酸（ＨＦ）供給ライン５６がそれぞれ分岐している。過酸化水素水供給ライン４２には過酸化水素水供給源４１が接続されており、この過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が供給されるようになっている。また、アンモニア水供給ライン４８にはアンモニア水供給源４６が接続されており、このアンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給されるようになっている。また、塩酸供給ライン５２には塩酸供給源５０が接続されており、この塩酸供給源５０から塩酸供給ライン５２に塩酸が供給されるようになっている。また、フッ酸供給ライン５６にはフッ酸供給源５４が接続されており、このフッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給されるようになっている。これらの過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６はそれぞれ第３のラインを構成している。
【００３７】
過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６における第２のライン４４との接続箇所にはそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。ここで、バルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａは図３に示すような一体型のミキシングバルブとして構成されており、これらのバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの径は第２のライン４４の径と同じく例えば約３／８インチまたは０．５インチとなっている。なお、これらのバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの一部または全部が一体のミキシングバルブを構成しておらず、このような一体のミキシングバルブを構成していないバルブの径が第２のライン４４の径よりも小さくなっていてもよい。
【００３８】
また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１における様々な構成要素を制御する、制御コンピュータからなる制御部７０が設けられている。この制御部７０は基板処理装置１の各構成要素に接続され、当該制御部７０により、処理槽１０におけるウエハＷの薬液処理やリンス処理が制御されるようになっている。より具体的には、制御部７０は、各供給源３０、３２、３４、４１、４６、５０、５４からの純水や薬液等の供給を制御したり、各バルブ１４ａ、２０ａ、２２ａ、３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの開閉を制御したりするようになっている。このような、制御部７０による基板処理装置１の各構成要素の制御内容については後述する。本実施の形態において、制御部７０には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部７１が接続されている。また、制御部７０には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部７０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体７２が接続されている。記憶媒体７２は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。
【００３９】
そして、必要に応じて、データ入出力部７１からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体７２から呼び出して制御部７０に実行させることで、制御部７０の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。
【００４０】
次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について説明する。なお、以下に示すような一連の薬液処理およびリンス処理は、記憶媒体７２に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部７０が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。
【００４１】
まず、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理やリンス処理を行う前の待機状態について説明する。このような待機状態においては、バルブ３６ａ、２２ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されることにより、第１のライン２２、第２のライン４４、供給管２０を介して供給ノズル１８により純水が処理槽１０内に供給されることとなる。
【００４２】
次に、処理槽１０でウエハＷに対して薬液処理が行われる。このような薬液処理は様々な態様があるが、薬液処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、５６ａ、２０ａ、１４ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともに、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、フッ酸供給源５４から供給されたフッ酸は第２のライン４４において純水により希釈され、純水により希釈されたフッ酸は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、純水により希釈されたフッ酸が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４３】
次に、薬液処理の第２の態様について説明する。薬液処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、４２ａ、４８ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に熱水が供給され、過酸化水素水供給源４１から過酸化水素水供給ライン４２に過酸化水素水が供給されるとともに、アンモニア水供給源４６からアンモニア水供給ライン４８にアンモニア水が供給される。そして、過酸化水素水供給源４１から供給された過酸化水素水は第２のライン４４において熱水により希釈され、熱水により希釈された過酸化水素水は第２のライン４４においてアンモニア水と混合する。そして、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液は供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、過酸化水素水およびアンモニア水の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４４】
次に、薬液処理の第３の態様について説明する。薬液処理の第３の態様においては、バルブ３６ａ、３８ａ、２２ａ、５６ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給されるとともにオゾン水供給源３２からオゾン水供給ライン３８にオゾン水が供給され、また、フッ酸供給源５４からフッ酸供給ライン５６にフッ酸が供給される。そして、オゾン水供給源３２から供給されたオゾン水は第１のライン２２において純水により希釈され、純水により希釈されたオゾン水は第２のライン４４においてフッ酸と混合する。そして、オゾン水およびフッ酸の混合液は供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に、オゾン水およびフッ酸の混合液が供給され、このウエハＷの表面の薬液処理が行われる。
【００４５】
次に、上述のようなウエハＷの薬液処理が行われた後のウエハＷのリンス処理について説明する。ウエハＷのリンス処理は様々な態様があるが、リンス処理の第１の態様においては、バルブ３６ａ、２２ａ、１４ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、純水供給源３０から純水供給ライン３６に純水が供給される。純水供給源３０から供給された純水により第１のライン２２および第２のライン４４の洗浄が行われる。そして、この純水は最終的に供給管１４、２０を介して供給ノズル１２、１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。
【００４６】
次に、リンス処理の第２の態様について説明する。リンス処理の第２の態様においては、バルブ４０ａ、２２ａ、２０ａが制御部７０により開かれ、熱水供給源３４から熱水供給ライン４０に加熱された純水が供給される。熱水供給源３４から供給された熱水により第１のライン２２および第２のライン４４の洗浄が行われる。そして、この加熱された純水は最終的に供給管２０を介して供給ノズル１８により処理槽１０内に供給されることとなる。このことにより、処理槽１０に収容されたウエハＷの表面に純水が供給され、このウエハＷの表面のリンス処理が行われる。
【００４７】
以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、ウエハＷの処理を行う処理槽１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されており、この第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐しており、これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所においてそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されており、各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。このように、第２のライン４４の上流側端部および下流側端部が第１のライン２２にそれぞれ接続されており、この第２のライン４４が第１のライン２２のいわゆるバイパス経路の機能を果たすので、第２のライン４４の径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、また、第３のラインに介設される各バルブ４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第２のライン４４の径と略同一またはそれ以下の大きさとすることができる。このことにより、第３のラインに介設される各バルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａの径を第１のライン２２の径よりも小さくすることができ、薬液供給ライン（第３のライン）に介設されるバルブの設置スペースを小さくすることができる。
【００４８】
なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、図１に示すような基板処理装置１において、オゾン水供給源３２や熱水供給源３４の設置を省略することができる。また、第２のライン４４に接続される薬液供給ラインとしては、過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６に限定されることはなく、他の種類の薬液を供給する薬液供給源が接続された薬液供給ラインであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一の実施の形態における基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【図２】従来の基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
【図３】一体型のミキシングバルブの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１ 基板処理装置
１０ 処理槽
１２ 供給ノズル
１４ 供給管
１４ａ バルブ
１８ 供給ノズル
２０ 供給管
２０ａ バルブ
２２ 第１のライン
２２ａ バルブ
３０ 純水供給源
３２ オゾン水供給源
３４ 熱水供給源
３６ 純水供給ライン
３６ａ バルブ
３８ オゾン水供給ライン
３８ａ バルブ
４０ 熱水供給ライン
４０ａ バルブ
４１ 過酸化水素水供給源
４２ 過酸化水素水供給ライン
４２ａ バルブ
４４ 第２のライン
４６ アンモニア水供給源
４８ アンモニア水供給ライン
４８ａ バルブ
５０ 塩酸供給源
５２ 塩酸供給ライン
５２ａ バルブ
５４ フッ酸供給源
５６ フッ酸供給ライン
５６ａ バルブ
７０ 制御部
７１ データ入出力部
７２ 記憶媒体
８０ 基板処理装置
８０ａ 新液供給ライン
８１ 処理槽
８１ａ 供給ノズル
８１ｂ 回収部
８２ 循環ポンプ
８３ バルブ
８３ａ 流量計
８４ バルブ
８５ 純水供給源
８５ａ レギュレータ
８５ｂ 加熱ヒータ
８６ バルブ
８７ 洗浄液供給源
８８ メインライン
９１ 塩酸供給源
９１ａ バルブ
９１ｂ 流量調整弁
９１ｃ 副流路
９２ アンモニア水供給源
９２ａ バルブ
９２ｂ 流量調整弁
９２ｃ 副流路
９３ フッ酸供給源
９３ａ バルブ
９３ｂ 流量調整弁
９３ｃ 副流路
９４ 過酸化水素水供給源
９４ａ バルブ
９４ｂ 流量調整弁
９４ｃ 副流路
１１０ 一体型のミキシングバルブ
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理を行う処理部と、
前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、
前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、
前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、
前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記各薬液供給源は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源、フッ酸（ＨＦ）供給源、塩酸（ＨＣｌ）供給源、またはアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインおよび前記第２のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたものであることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
基板の処理を行う処理部と、
前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、
前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、
前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、
前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記各薬液供給源は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給源、フッ酸（ＨＦ）供給源、塩酸（ＨＣｌ）供給源、またはアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給源であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインおよび前記第２のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたものであることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
基板の処理を行う処理部と、前記処理部と水供給源とにそれぞれ接続され、前記水供給源から送られた水を前記処理部に供給する第１のラインと、前記第１のラインに上流側端部および下流側端部の各々が接続された第２のラインと、前記第２のラインから分岐した複数の第３のラインであって、前記第２のラインからの分岐箇所にそれぞれバルブが介設された複数の第３のラインと、前記各第３のラインにそれぞれ接続された複数の薬液供給源であって、当該各薬液供給源は前記各第３のラインにそれぞれ薬液を供給するような複数の薬液供給源と、を備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記各薬液供給源により前記各第３のライン、前記第２のラインおよび前記第１のラインを介して前記処理部に薬液を供給し、前記処理部において基板の薬液処理を行う工程と、
基板の薬液処理を行った後、前記水供給源により前記第１のラインを介して前記処理部に水を供給し、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程と、
を備えたものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−５０３９３（Ｐ２０１０−５０３９３Ａ）
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２１５４３５（Ｐ２００８−２１５４３５）
【出願日】平成２０年８月２５日（２００８．８．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２５日（２００８．８．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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