【課題】 層間絶縁膜に与えるダメージが抑制された、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる絶縁層除去工程と、
前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ 残膜に対し化学溶液（加工液）中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行うことを目的としている。
【解決手段】 本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。これによって、半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工することができる。半導体ウェーハを加工液中に浸け、銅を除去すべき箇所に、集束レーザー光を選択的に照射し、銅膜を選択的に除去加工する。 （もっと読む）

フッ化水素、有機溶媒及び水を含み、フッ化水素：有機溶媒：水の重量比が０．００１〜１０重量％：７０〜９９．９９８重量％：０．００１〜２０重量％である、導電性金属上に形成された金属変質層を除去するための除去液。
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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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金属用研磨液は、酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、前記金属防食剤がアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物及びイミダゾール骨格を有する化合物の少なくとも一方である。前記研磨液を用いることにより、半導体デバイスの配線形成工程において、エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属表面の腐食とディッシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする。 （もっと読む）

【解決課題】配線が良好なプロファイルが得られるエッチング液組成物及び、これを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、６０乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸及び０．１乃至１５重量％の硝酸アルミニウムを含有するエッチング液組成物及び前記エッチング液組成物を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

平坦化方法は、配線材料としての金属膜の表面に初期段差が形成されていても、金属膜の表面を全面に亘って、しかも十分な加工速度で平坦に研磨できる。この平坦化方法は、被加工物上に形成した初期段差を有する金属膜表面を加工して平坦化するにあたり、金属膜表面の初期段差を形成する凹部のみを固体またはペースト状の被覆材料で被覆し、研磨剤を用いない電解加工によって金属膜表面を加工する。
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【課題】 多層配線工程において、低誘電率膜の表面に形成される変質層に起因した埋め込み不良や、リソグラフィの解像不良を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１上の低誘電率膜２に下層バリアメタル膜４ａおよび下層金属膜５ａを埋め込んだ下層配線６を形成した後、プラズマ処理により低誘電率膜２の表面に所定厚さのダメージ層７を形成する。
次に、ダメージ層７を除去して低誘電率膜２の表面に形成された変質層８の改質処理をした後に、ビアホールのエッチングストッパー膜として、第一ライナー膜を形成する。
このように形成することにより、下層配線６の上にビアホールを形成するとき、合わせずれによりビアホールの底部に低誘電率膜２が露出しても、変質層に起因した埋め込み不良や、その後に行うリソグラフィの解像不良を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の誘電膜を除去するためのエッチング溶液及びこれを利用した低誘電率の誘電膜エッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の低誘電率の誘電膜をエッチングするエッチング溶液は低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤及び酸化物を除去するための酸化物エッチング剤を含み、このようなエッチング溶液を使用して低誘電率の誘電膜を一度の工程で簡単に除去することができる。 （もっと読む）

【目的】 ＣｏＷＰ形成に伴う配線間リーク電流の増大或いはショートを抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 絶縁膜の開口部に形成されたＣｕ膜をエッチングするエッチング工程（Ｓ１２０）と、前記エッチングされたＣｕ膜上に触媒となるＰｄ膜を形成する置換めっき工程（Ｓ１２２）と、前記Ｐｄ膜がめっきされた後、前記絶縁膜表面を研磨する研磨工程（Ｓ１２４）と、前記Ｐｄ膜を触媒として、前記Ｃｕ膜上にＣｕの拡散を防止するＣｏＷＰ膜を形成する無電解めっき工程（Ｓ１２８）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセスによるチャージアップに起因するスルーホール不良の発生を防止することができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の上方に第１配線層をプラズマを用いる方法で形成するステップと、第１配線層を含む全面に第１導電層を成膜して全ての第１配線層を電気的に短絡するステップと、プラズマを用いない方法で第１導電層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、半導体基板及び層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、層間絶縁膜と略同一の高さを有するように膜を平坦化することにより、導電性材料を埋め込んで第１の導電層を形成するステップと、埋め込まれた第１の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 層間絶縁膜が剥離または破壊される事態が起こりにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜上に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１４〜Ｓ１１８）と、堆積した前記導電性材料を所定の深さまでウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ１２０）と、ウェットエッチングされた前記導電性材料を研磨する研磨工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は層構造（２）からなる階段状プロファイルを形成する方法に関する。第二の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の下側に位置している、第二の層構造部分（２２）の領域を、取り除き、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を形成し、第三の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を取り除く。
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【課題】 加工特性に悪影響を与えることなく、常に再現性の良い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物に給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に配置され被加工物と接触自在な接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極及び／または給電電極とを相対運動させる駆動部５６，６０と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に流体を供給する流体供給部７６と、接触部材と被加工物との接触状態を検出する検出器８４と、検出器からの信号を基に接触部材と被加工物との接触量を制御する制御部８６を有する。 （もっと読む）