【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、絶縁層に影響を与えることなく、窒化チタン被膜を剥離することができる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水溶性有機溶剤を含有し、前記水溶性有機溶剤が多価アルコール又はそのアルキルエーテルを含む、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液がグリコールエーテルを含有するので、窒化チタン被膜を剥離する際に、窒化チタン剥離液による絶縁層への浸食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブを使用してエア・ギャップを形成するための方法。
【解決手段】少なくとも１つの分解可能材料（５）を備えた目標層（４）がサポート（１）の上に付着される。次に、絶縁層（７）の付着が実行される前に、目標層（４）の分解可能材料（５）の上にナノチューブ（６）が形成される。次に、絶縁層（７）を貫通しているこれらのナノチューブ（６）によって分解可能材料（５）の分解および分解副産物の除去が実行され、したがって目標層（４）の中にエア・ギャップ（１０）が形成される。 （もっと読む）

【課題】 安価なスクリーンマスク、ディスペンサ等を用いて、簡便な工程で、基板にポジパターンを形成する方法及びその方法で使用されるネガパターン形成用組成物を提供するものである。さらに、ネガパターンを溶解した水の特別な処理設備を必要としないネガパターン形成用組成物を提供するものである。
【解決手段】 基板にポジパターンを形成する方法であって、ネガパターン形成用組成物を用いて基板にネガパターンを形成し、これを乾燥させる工程と、ネガパターンの上から、ネガパターンとの接触角が１５°以上で、基板との接触角が９０°以下であり、かつネガパターンとの接触角が基板との接触角より大きい重合硬化性組成物を塗布し、ネガパターン以外の基板全体にポジパターンを形成し、これを硬化する工程と、ネガパターンを水で溶解する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属層の損傷を抑制した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングにおいてエッチング液によるウエットエッチングの対象物の損傷を抑制し、きれいなエッチング形状を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】エッチング液を使用して対象物をエッチングするウエットエッチング方法において、エッチング中に対象物にレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】電気的に絶縁された状態で導電膜を残留させることなく除去して、導電膜の下層のバリア膜を露出させることができるようにする。
【解決手段】電源の一方の極に接続された第１の電極と電源の他方の電極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極との間に電圧を印加し、第１の電極と研磨対象物の導電膜との間に電解液を満たし、該導電膜を研磨パッドの研磨面に押付けながら擦り付けて研磨するに際し、導電膜の下層のバリア膜３０５が基板Ｗの中心部から外周部の順に露出するように導電膜（銅膜３０７（及びシード膜３０６））を研磨する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜パターンの形成方法及びこれを用いた半導体素子のパターニング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト形状の微細化と抵抗バラツキの抑制を両立した半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電領域２０を半導体基板１０上の所定領域に形成後、第１絶縁膜１４及び第２絶縁膜２１を順次堆積し、第２絶縁膜２１を貫通して第１絶縁膜１４の上面を露出させるコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールの内側側壁に金属窒化膜３１を堆積する。その後、コンタクトホールの底部に形成された第１絶縁膜１４を除去して第１導電領域２０の上面を露出させ、コンタクトホール内部に生成されるポリマーをエッチング除去し、コンタクトホールの内側側壁に形成された金属窒化膜３１及びコンタクトホールの底部を被覆するようにバリアメタル層３２を堆積し、コンタクトホールの内部を導電性のコンタクト材料膜３３で充填して配線用コンタクト３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。
【解決手段】表面に素子領域を有する半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた第１の配線層と、第１の配線層上に設けられたプラズマシリコン窒化膜と、プラズマシリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜と、プラズマシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を貫通するエッチングによって形成された開口と、少なくとも開口を埋めて形成された第２の配線層とを有する。 （もっと読む）

【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】１つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、１つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第１の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび１つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、１つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第２の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび１つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第３の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第１、第２、または第３の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。
【解決手段】異なる工程において、ウェットエッチングを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層２１ｂをそれぞれ個別に残らず除去する。従って、電極２５を形成するために、外側電極材層及び外側バリアメタル層を同時に除去する工程が存在しない。そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の半導体チップの研磨後標高分布を容易に算出することが可能なシミュレーション装置を提供すること。
【解決手段】凸部占有率算出部２２は、シミュレーション対象層の直下のマスクデータに基づいてシミュレーション対象層の膜厚を算出し、下層の標高とシミュレーション対象の膜厚とに基づいて凸部占有率を算出する。標高分布算出部２３は、プレストン式を用いて、下層の標高と凸部占有率算出部２２によって算出された凸部占有率とに基づいてシミュレーション対象層の研磨後の標高を算出する。したがって、多層配線構造の半導体チップの研磨後標高分布を容易に算出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】再現性よく金属表面に形成された酸化物を除去することができる処理方法およびそれに用いられる処理装置を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜７およびエツチストッパ膜６に形成されたビアホール９の底面にある銅膜４上に酸化雰囲気に曝された時にできた酸化膜１０を一般式が（ＣＨ_２Ｏ）_ｎで表される有機物（ｎは１を除く自然数）を、気体状で表面に酸化膜が形成された金属部分を有する被処理体に接触させ、酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素を用いて、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を基体から除去することができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】スルファミン酸エステルと、水又はメタノールのいずれかを含有する超臨界二酸化炭素流体を、基体の表面に供給して、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を除去することにより、基体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】表面に凸状部を有する半導体基板の表面に、前記凸状部の高さよりも膜厚が薄く、かつその表面が平坦な膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凸状部３００を有する半導体基板１００の前記表面に高密度プラズマ−化学気相成長法によりシリコン酸化膜４５０を堆積させる堆積工程と、堆積させたシリコン酸化膜の表面が前記凸状部の頂上よりも低い高さになるように等方性エッチングにより前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線間のリーク電流の経時劣化（ＢＴＳ不良）を防止し、半導体装置の動作不良を低減することを目的とする。
【解決手段】層間絶縁膜中にＣｕ溝配線を有する半導体装置の製造方法において、表面のバリアメタル面の高さをＣｕ面よりも低くしてリセス１０１を形成し、リセス１０１を完全に埋め込むようにＣｕに対するバリア絶縁膜を堆積することで、配線表面のバリアメタル領域を除去した分、配線間のリークパス６が従来に比べ長く、かつリセス１０１部分の絶縁膜にはＣＭＰによるダメージが入っていないので、リークの原因となるような欠陥が少ないため、ＢＴＳ不良を防止し、半導体装置の動作不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、所定の液を供給して変性された物質を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はエッチングテープ及びこれを利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。本発明の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングテープを利用してエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む。 （もっと読む）