【課題】実装高さ縮小および実装面積縮小及び軽量化を満足する積層型の半導体装置を高性能、かつ既存の製造ラインで低コストに実現する。
【解決手段】絶縁性樹脂からなる封止体４と、半導体チップを支持するタブ１ｅと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリード１ａと、前記封止体内に位置し、回路形成面である第１主面およびその反対側の第１裏面を有し、前記タブの一面に支持される第１半導体チップ２と、前記第１半導体チップの第１主面に形成された複数の第1電極パッド２ａと、前記電極パッドと前記リードとを電気的に接続するワイヤ５、回路形成面である第２主面およびその反対側の第２裏面を有し、前記第１半導体チップの第１主面に積層搭載された第２半導体チップ３と、前記第１半導体チップの複数の第1電極パッドと前記リード、前記第２半導体チップの第２主面に形成された複数の第２電極パッドと前記リードとをそれぞれ電気的に接続するワイヤ５とを含み、前記タブは枠状に形成されている絶縁性樹脂からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電極パッド上のメッキ膜の厚さのバラツキが増大して、保護膜の表面よりもメッキ膜が突出していると、重なり合う２枚の配線基板において双方の配線基板の保護膜に傷が付き、配線保護に悪影響を及ぼすような傷の場合には配線基板が不良となるため、半田接合部の耐衝撃強度向上を図ること共に、電極パッド上に形成されるメッキ膜のバラツキを低減し、ニッケルメッキ膜が設けられた半導体装置に適用して有効な技術を提供する。
【解決手段】電極パッド７ａの表面に電解メッキ法でメッキ膜（例えばＮｉ膜）を形成する工程において、前記電極パッド７ａの表面に第１の電流密度で第１の層１２ａを形成し、その後、前記第１の層の表面に前記第１の電流密度よりも高い第２の電流密度で第２の層１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップへのダメージを最小限に抑えたマルチチップ構造の半導体装置；製造工程における作業性の高いマルチチップ構造の半導体装置；半導体チップ単位での特性試験を容易に行い得るマルチチップ構造の半導体装置を提供すること。
【解決手段】リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第１のマルチチップ構造部と；ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第２のマルチチップ構造部とを備える。そして、ベースフレームのインナーリードが、第１のマルチチップ構造部の端子領域と、第２のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続される。 （もっと読む）

バッテリ保護回路に使用するのに適したマルチ・チップ・モジュール。マルチ・チップ・モジュールは、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、集積回路チップを第１のパワー・トランジスタに電気的に接続する第１の接続構造、集積回路チップを第２のパワー・トランジスタに電気的に接続する第２の接続構造と、第１のリード、第２のリード、第３のリードおよび第４のリードを含むリードフレーム構造とを含み、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタおよび第２のパワー・トランジスタがリードフレーム構造に搭載されている。モールディング材料は、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、第１の接続構造および第２の接続構造の少なくとも一部分を覆う。
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集積回路パッケージ内で集積回路ダイを積層化するための改良された技術が開示される。これらの改良された技術によれば、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良した積層化技術によれば、従来の接合技術を用いて種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に電気的に接続することができる。これら改良された方法は、同じサイズ（多くの場合同じ機能）の集積回路ダイを集積回路パッケージ内に積層化するのに特に有用である。そのような集積回路パッケージの一例として、積層体内に配置される複数の類似したサイズのメモリ保存集積回路ダイを備えた不揮発性メモリ集積回路パッケージが挙げられる。
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【課題】 高集積化された半導体装置を安定して製造することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 複数のパッドについてバンプ電極を形成し、そのバンプ電極上にワイヤをステッチボンディングする場合に、まず、第１工程として、複数のパッドの１つにバンプ電極を形成する。次に、第２工程として、第１工程の直後に、バンプ電極上にワイヤをステッチボンディングする。そして、第３工程として、複数のパッドの他の各パッドについて同様に第１工程と第２工程を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子４に設けられた電極パッド１０と、制御素子５に設けられた電極パッド１０とを導通接続する２本のワイヤ８であって、第１のワイヤ１１は、ファーストボンド１１ａが受光素子４の電極パッド１０に接続され、かつセカンドボンド１１ｂが制御素子５の電極パッド１０に接続され、第２のワイヤ１２は、第１のワイヤ１１のセカンドボンド１１ｂとした位置にセキュリティボンドとしたファーストボンド１２ａが接続され、かつ第１のワイヤ１１のファーストボンド１１ａが接続された位置とは異なる位置にセカンドボンド１２ｂが接続されている。 （もっと読む）

【課題】単位ワイヤ当たりの電流密度を小さくして、主電流ワイヤのボンド部の温度上昇を低減化することにより、スイッチング動作時に於ける熱サイクル疲労に対する寿命の向上化を図る。
【解決手段】主電流ワイヤ用ボンド部２２ａを有する主電流ワイヤ１０のワイヤ群とは別に、電力用トランジスタ１のエミッタ電極１３上と電力用ダイオード２のアノード電極１４上とに、シングルボンド部２１ａ，２１ｂを有するボンディングワイヤ１７ａが、形成されている。加えて、電力用ダイオード２のアノード電極１４の他端側上（エミッタ電極１３とは反対側の端近傍の電極表面上）と第２主端子６の一端側寄り部分上とにシングルボンド部２１ｃ，２１ｄを有するボンディングワイヤ１７ｂが、形成されている。 （もっと読む）

【課題】 低廉で信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワー素子である第１の半導体チップ１と、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップ２とを備え、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続される電極パッド１Ａを第１の半導体チップ１の表面中央部に設けている半導体装置。 （もっと読む）

密接配置したボンディング・ワイヤを種々の異なるパッケージング用途に用いると、電気的性能の向上を図ることができる。一実施形態では、ワイヤ群内にある２本の隣接するボンディング・ワイヤが密接配置されているのは、２本の隣接するワイヤのうちの短い方の長さの少なくとも５０パーセントで、これら２本の隣接するワイヤ間において分離距離Ｄが満たされる場合である。一実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤのうちの直径が大きい方のワイヤの直径の多くとも２倍である。別の実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤ間のワイヤ間ピッチの多くとも３倍である。各ワイヤ群は、２本以上の密接配置ワイヤを含むことができる。密接配置ボンディング・ワイヤのワイヤ群を用いると、例えば、電力−信号−接地の三重組、信号−接地対、信号−電力対、あるいは差動信号対または三重組を形成することができる。
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