【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】デンドライトなどの発生が抑制された、絶縁信頼性に優れた半導体素子用のボンディングワイヤ、および、ボンディングワイヤを用いたプリント回路板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ワイヤボンディングにおける接合性を高め、更に保管寿命の長期化を実現したボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】リンを含有する銅を主成分とする芯材１０の外周をパラジウムからなる外層２０で被覆し、該外層の外周を有機被膜層３０で被覆したボンディングワイヤであって、
前記有機被膜層の最表面では炭素の濃度が５０ａｔ％を超え、該炭素の濃度が２０ａｔ％を超える領域の深さが０．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であり、前記有機被膜層の最表面における窒素と硫黄の濃度の合計が１ａｔ％以上５ａｔ％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール２２０を形成するステップ（ａ）と、この形成されたボールを用いて第１ボンディングを行うステップ（ｂ）と、絶縁膜被覆ワイヤの第１ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第２ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ（ｃ）と、第２ボンディングを行うステップ（ｄ）とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第２ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】金属製ワイヤ表面に有機被膜を形成したボンディングワイヤにおいて、スプールからのワイヤほぐれ性と半導体素子へのワイヤ接続性を確保しつつ、ボンディング時のワイヤ削れを防止し、キャピラリ汚れの発生を防止することのできるボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機被膜の厚みが０．５〜３ｎｍであり、ワイヤ表面をＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析し、２次イオンスペクトルピークについて金属製ワイヤの主成分金属ピーク強度によって規格化し、炭素を１〜６有するアミンの１種以上（Ｃ系成分）に起因するピーク強度が１以上であり、炭素を１５〜２１有する陽イオン系界面活性剤（Ａ系成分）に起因するピーク強度が１以上であるか、及び／又は、炭素を１５〜２０有する非イオン系界面活性剤（Ｂ系成分）に起因するピーク強度が０．１以上であるボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】銅製芯材１と被覆層２との密着性を向上させる。
【解決手段】集積回路素子の電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ１２μｍ以上５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。純度９９．９９質量％以上の銅からなる芯材１の外周面をビースブラウト、ショットブラスト、酸処理、ストライキめっき等によってＲａ：０．１〜０．４μｍの粗面化する。その粗面化した芯材外周面にＰｄ、Ｐｔからなる耐酸化性の被覆層２を形成する。この粗面化によって芯材外周面と被覆層２との密着面積が増加して密着力が改善される。このため、ワイヤの屈曲によって被覆層の亀裂が生じにくく、Ｃｕ表面が被覆層表面に露出し難い。このように露出しないことは、被覆層の厚みを薄くし得ることであり、ＦＡＢの硬化を招き難く、また経済的である。 （もっと読む）

【課題】細径のボンディングワイヤであっても、絶縁体被膜の一部を除去した状態で接合対象物に接合させることが可能なボンディングツールと、これを用いたワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】接合対象物５０の接合箇所５２にボンディングワイヤ３０を押圧する先端押圧部２０に、ボンディングワイヤ３０がのびる方向に沿って延設された凹溝部２２と凹溝部２２の両脇位置に配設された平坦部２４とを有し、凹溝部２２の開口部幅寸法は、ボンディングワイヤ３０の径寸法よりも幅狭寸法であると共に、平坦部２４の幅寸法は、凹溝部２２の開口部幅寸法よりも幅広寸法に形成されていて、かつ、凹溝部２２と平坦部２４との境界部分によりエッジ部が形成されていることを特徴とすることを特徴とするボンディングツール１０である。 （もっと読む）

【課題】高出力で信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体に設けられた導電部材と、前記導電部材の少なくとも一部に設けられた銀含有金属と、前記基体上に載置された発光素子と、前記発光素子および前記銀含有金属の表面において、一部を被覆する絶縁部材と、前記絶縁部材が形成されていない部位を被覆するように設けられる絶縁性のフィラーと、を備える発光装置。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの表面に界面活性剤や油脂などの有機物を被覆することなく、巻きほぐしの円滑性を長期間良好に保持しうるボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】硼素の添加量を所定範囲内に収めた金合金を溶解鋳造してインゴットを得た後、このインゴットに対し、圧延加工および伸線加工を施し、その後、酸化雰囲気中での熱処理を施すことによって、表面に硼素酸化物皮膜が形成されているボンディングワイヤを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップユニットとアンテナコイルを有する非接触ＩＣシートにおいて、薄型で平面平滑性およびアンテナコイルを形成するワイヤ導体とチップユニットとの干渉を改善した非接触ＩＣシートを提供する。
【解決手段】チップユニット７とアンテナコイルを構成するワイヤ導体５、６とを有する非接触ＩＣシートであって、基板１の板面に前記ワイヤ導体が配設され、該基板１に窓穴２、３が形成されるとともに、チップユニット７がその接合パッド８、９を該窓穴２、３部分に位置させて配設され、ワイヤ導体５、６と接合パッド８、９とが窓穴２、３内にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅表面にＰｄ被膜を安定して形成し、被膜形成後に加熱せずに最終線径まで伸線でき、ステッチ接合性の高い安価な銅ボンディングワイヤ、並びに樹脂封止時のワイヤ同士の接触による電気的短絡を防止する銅ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Ｃｌを１ｐｐｍ以下、Ｐを１０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下含み、残部Ｃｕと残部不可避不純物とからなる無酸素銅の銅極細線を芯材とし、前記芯材の表面にＰｄ被膜を設け、前記Ｐｄ被膜の表面に熱硬化性共重合型ポリイミド樹脂被膜が形成されていることを特徴とする銅ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】Ａｕよりも安価で接合性が良好なＣｕを芯材とし、ステッチボンディング性に優れ、良好な真球ボールの形成を可能とする樹脂封止時のループの接触による電気的短絡を防止する銅絶縁ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅極細線の表面に１０ｎｍ〜１００ｎｍ厚のパラジウム薄膜層を介して５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚の熱硬化性共重合形ポリイミド樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂からなる絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする銅絶縁ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を低コストで実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の周囲に設けられた導体部材と、半導体素子２の一面と導体部材とを接続するボンディングワイヤ４と、半導体素子２、導体部材およびボンディングワイヤ４を封止するモールド樹脂５とを備えた半導体装置。ボンディングワイヤ４とモールド樹脂５とが、接着しておらず、滑りが可能であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板に電子部品が実装されて構成される半導体装置において、容易に確認することができる管理用情報を付与すること。
【解決手段】回路基板（２０）に電子部品（１０）が実装されて構成される半導体装置（１）であって、前記電子部品と前記回路基板の電極同士をワイヤボンディング方式により接続する接続部材（３０）に、当該半導体装置の管理用情報が付与されていることを特徴とする、半導体装置。電子部品は、半導体素子（チップ）、ＬＳＩ、ＩＣ、コンデンサ、リレー、コネクタ等、如何なるものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】数千もしくはそれ以上の高密度多Ｉ/Ｏ数のリラウトに対してチャネル問題が大幅に緩和され、かつ放熱特性に優れた多層配線基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の配線層２が、該配線層２に形成された複数の配線部１２の間を、該配線層４を備えた絶縁層３の内部に湾曲して立体的に配置された導体ワイヤ５により電気的に接続されており、配線層１２の少なくとも一部の配線部１２が、絶縁層３を貫通して形成された導体部７を介して、多層配線基板１０のベースボード１の配線層４に接続されているように、構成する。 （もっと読む）

【課題】適度の耐熱性・耐摩耗性を有し、金属ボールの形成時に炭化物が残渣として残ることを抑止した接合性および非ワイヤ解れ性に優れた絶縁被覆金属細線を提供する。
【解決手段】酸無水物と芳香族ジアミンから直接合成される共重合ポリイミド樹脂を主体とする有機薄膜で被覆した。この有機薄膜は、共重合ポリイミド樹脂とジアルフタレート樹脂との混合樹脂からなる。または、この有機薄膜は、共重合ポリイミド樹脂とベンゾシクロブテン樹脂との混合樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ、その製造方法、これを含むカード及びそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、パッケージ基板１１０と、パッケージ基板１１０上に積層された少なくとも一つの半導体チップ１２０と、少なくとも一つの半導体チップ１２０とパッケージ基板１１０とを電気的に連結する少なくとも一本のワイヤ１４０と、少なくとも一本のワイヤ１４０上に少なくとも一本のワイヤ１４０の断面部分を覆い包むように配された複数の絶縁性ビード１４５と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】金属導体からなる導電ワイヤー、該導電ワイヤーの周面を被覆する絶縁層、及び該絶縁層の外周面を被覆する金属導体層からなる微細同軸ワイヤーの絶縁層を電着法により形成した微細同軸ワイヤー、及びこの微細同軸ワイヤーを用いた半導体装置。
【効果】本発明の微細同軸ワイヤーを、微細な半導体装置の電極間の導通配線として用いることにより、有効にノイズを低減することができると共に、高い特性インピーダンスを備える微細同軸ワイヤーを用いれば、高い信号周波数（例えば数十〜数百ＧＨｚ）における高速信号伝送も可能となる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供する。
【解決手段】１主面に複数の電極5(5a,5b,5c)を有した少なくとも１個の半導体チップ4と、複数の内部電極2(2a,2b,2c)及び外部電極3を有し、半導体チップ4を内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体であるＢＧＡ用基板1と、半導体チップ4の電極5とＢＧＡ用基板1の内部電極2とを接続した複数のボンディングワイヤ6,7,8と、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6,7,8を封止した封止樹脂9とを有する半導体装置において、前記のボンディングワイヤ6,7,8は、金属細線である第１のボンディングワイヤ6,8と、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤ７とで構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ワイヤを接合するための工程を提供される。
【解決手段】絶縁ワイヤを接合するための工程が提供される。基準に適合したフリーエアボールが、ボールボンドを生成するために、絶縁ワイヤから形成されている。絶縁ワイヤのチップは、最初にフレイムオフ装置の近傍に配置され、第１の放電が、絶縁ワイヤのチップを溶かしてパイロットボールを生成するために、電子フレイムオフ装置から行われる。その放電は、その後終了する。次に、第２の放電が、基準に適合したフリーエアボールを生成するために発生し、その後基準に適合したフリーエアボールがボールボンドを生成するために、接合面に付着される。 （もっと読む）