【課題】 多層回路基板、その製造方法及び半導体装置に関し、基板表面に露出した電極端子の近傍におけるインピーダンス整合を実現する。
【解決手段】 複数の絶縁層と複数の導体層とが交互に積層された多層基板と、前記多層基板の一方の主表面側に形成され、前記多層基板の内部から前記主表面に向かうにつれて径が大きくなる円錐台形状のビア導体と、前記円錐台形状のビア導体に対して絶縁層を介して同軸的に形成された縦断面がテーパ状部を有するグランド電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】電子部品のパッドとプリント配線板のパッド間において、未はんだや、電極間ブリッジを解消できる微細孔シートを提供する。
【解決手段】微細孔シート１は、電子部品のパッドおよびプリント配線板のパッドのうち、小さい方のパッドにつき２個以上の貫通孔２が配置されており、２個以上の貫通孔のうち、少なくとも１個はパッドと対向する位置に、かつ少なくとも１個は隣接するパッドとの間の中間点よりパッド側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板に配置された接続パッドに半導体素子の電極がはんだバンプを介して接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が抑制された配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に半導体素子の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａに配置された、半導体素子４の主面の電極５がはんだバンプ６を介して接合される接続パッド２と、絶縁基板１の搭載部１ａから内部にかけて形成され、端部が接続パッド２に接続された貫通導体３とを備え、接続パッド２の上面に、平面視で貫通導体３の端部が接続された領域の外側に、はんだバンプ６よりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部２ａが形成されている配線基板である。貫通導体３からの電流を凸部２ａに分散させて接続パッド２における電流密度を低く抑え、エレクトロマイグレーションによる空隙を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの能動表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成するステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップと、を含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板に搭載された電子部品の接合部にかかる応力を緩和する。
【解決手段】マトリクス形状に配置された端子を有する電子部品２の角部端子２ｂは、電気信号を伝えない。プリント配線板１には、電子部品２の残りの端子２ａと電気的に接続するためのマトリクス形状のランド３が設けられており、角部端子２ｂに対向する位置には貫通孔４を設ける。これにより、電子部品２の接合部における応力集中を低減し、破断の危険性を回避する。 （もっと読む）

【課題】電子部品が配線基板に表面実装される構成において、電子部品の電極と配線基板のランドとの接続信頼性を向上できる電子装置、配線基板、電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面にランドが形成された配線基板と、ランドに対応して、外部接続用の電極が形成された電子部品と、ランドと電極とを接続するはんだ接続部と、を備え、電子部品が配線基板に表面実装されてなる電子装置であって、配線基板は、一端がランドに開口し、他端が一面の裏面に開口するとともに、壁面に壁面導体部が形成された貫通孔を有し、ランドは、貫通孔の一端が開口され、壁面導体部と接続された孔ありランドを含み、孔ありランドと電極とを接続するはんだ接続部は、貫通孔内に配置されて壁面導体部に接続された孔内はんだ接続部と、一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体部品と回路基板との位置合わせを容易にすること。
【解決手段】表面に複数の第１の電極２２が形成された第１の回路基材２０と、第１の回路基材２０の上方に設けられ、第１の電極２２の各々の上方に第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂとが形成された第２の回路基材３０と、第２の回路基材３０の上方に設けられた半導体パッケージ５０と、第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂ内に設けられ、第１の電極２２と半導体パッケージ５０とを接続する複数の第１のバンプ５１とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法における歩留まり低下を防ぐ。
【解決手段】基材６０上に絶縁膜３０を積層する第１工程と、絶縁膜３０にビアホール３１を形成する第２工程と、絶縁膜３０上に導体層を形成しパターニングすることで、ビアホール３１上に貫通穴４１ａ、４２ａを有する配線４１、４２を形成する第３工程と、貫通穴４１ａ、４２ａの上部に電極１２が配置されるように半導体チップ１１をフェースダウンボンディングする第４工程と、を含む半導体装置１の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装面積を小さくできると共に、電子部品を平行度よく実装できる電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１と、その上面側に設けられた凹部Ｃと、凹部Ｃの底面側のシリコン基板１１を貫通して形成されたスルーホールＴＨと、シリコン基板１１に形成された絶縁層１４と、スルーホールＴＨ内の下部からその高さ方向の途中まで形成された下側金属部２２と、スルーホールＴＨ内の下側金属部２２の上に形成された接続金属部材２６（インジウム層）とにより構成される貫通電極２０とを備えた配線基板１と、下面側に端子金属部材４２（金バンプ）を備えた電子部品４０とを用意する工程と、加熱雰囲気で、配線基板１の接続金属部材２６を軟化させ、電子部品４０の端子金属部材４２を接続金属部材２６に突き刺して接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易な半導体部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ型半導体部品１の底面に複数のはんだバンプ１２を突設させ、回路基板３に、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１を備え、はんだバンプ１２をスルーホール３１に挿入させ、次いで、回路基板３の底面側から加熱することによりはんだバンプ１２を溶解させて、ＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３に溶着する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上へのＢＧＡ型半導体部品の取り付け、取り外しを容易に行うことができるＢＧＡ型半導体部品の実装方法を提供する
【解決手段】ＢＧＡ半導体部品１の底面に複数のはんだバンプ１２を格子状に突設させ、回路基板２に、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板２の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール２１を設ける。そして、はんだバンプ１２の融点よりも高い耐熱温度を有する治具ボード３を、回路基板２の底面側に配置するとともに、ＢＧＡ型半導体部品１を、はんだバンプ１２を回路基板２の上面側からスルーホール２１に挿入することにより、回路基板２の上面側に配置し、次いで、はんだバンプ１２を加熱してＢＧＡ型半導体部品１を回路基板２に溶着させ、その後、治具ボード３を回路基板２から取り外す。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成された電極パッド１０８と製品用基板１２０との一括した接続が可能な、新規かつ改良された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド１０８が形成された半導体チップ１０４と、半導体チップ１０４を搭載して封止するためのパッケージ実装用基板１０２と、半導体チップ１０４の電極パッド１０８に電気的に接続するための金属柱１１４とを備え、半導体チップ１０４は、電極パッド形成面をパッケージ実装用基板１０２に対向させ、パッケージ実装用基板１０２に固着され、パッケージ実装用基板１０２は、電極パッド１０８の部位に貫通孔１１２が形成されており、金属柱１１４は、パッケージ実装用基板１０２の貫通孔１１２に挿入されて半導体チップ１０４の電極パッド１０８に接続し、さらにパッケージ実装用基板１０２から突出して封止により固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程の大幅な簡素化が図れかつ薄型化が可能であり、ＩＣチップにダメージを与えるおそれのない半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１の電極パッド２形成面に電気絶縁基材３を取り付け、電気絶縁基材３のＩＣチップ被着面と反対側の面に、導体パターンを有する金属箔層５を貼り付ける。電気絶縁基材に設けた貫通孔３ｃに、ＩＣチップの電極パッド２と金属箔層５の導体パターンとを接続する貫通電極４をメッキにて形成する。 （もっと読む）

フリップチップパッケージ用の半導体パッケージ構造は、基板（８３０）およびチップ（８２０）を備えている。基板（８３０）は、パターンされた回路層（８６０）および絶縁層（８３２）を少なくとも備えている。パターン化された回路層は、複数のバンプパッド（８４０）を備え、絶縁層は、複数のエッチング孔（８３４）を備えている。バンプ（８１０）が、チップの活性面に配置されている。これらのバンプは、スタッドバンピングによって、得られる。エッチング孔は、ソルダペースト（８７０）によって充填され、チップのバンプが、ソルダ充填エッチング孔に入り込むようになっている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載する基板の特定箇所に、電子部品の特定部位を正確かつ高速で位置決めする方法を提供する。
【解決手段】電子部品の特定部位に他の部位よりも強い磁性を付与し、この電子部品に所定方向から磁場を印加することにより、特定部位を所定方位に配列させる工程を有する位置決め方法。この方法において、基板の特定箇所もしくはその近傍に仮配置した電子部品に所定方向から磁場を印加する方法、および仮配置用部材の所定箇所に配置した電子部品に所定方向から磁場を印加した後、その配列状態を維持したまま電子部品を基板に移転させる方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の組立工程の時間の増加を抑制し、パッケージ信頼性を維持しながら、反りを大幅に低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔（１４）を含みアンダーフィル樹脂３１を含浸させることが可能な絶縁層２と絶縁層２内に設けられた回路配線１１とを備える配線基板１の両側から、それぞれ第１半導体チップ２１及び第２半導体チップ２１を回路配線１１に接続する工程と、（ｂ）配線基板１の一方の側からアンダーフィル樹脂３１を含浸する工程と、（ｃ）第１及び第２半導体チップ２１と配線基板１とが一体化するようにアンダーフィル樹脂３１を硬化する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】小型で高密度、高機能な半導体システムを実現するため、複数の異なる半導体チップ間を貫通電極を用いて最短の配線長で三次元的に接続し、低ノイズな高速動作を可能とする方法について、公知例に対比して非常に低コスト、短ＴＡＴ、かつ常温での接合が可能で接続信頼性に優れた三次元の接続方法を提供する。
【解決手段】例えば、異なる上下の半導体チップの中間に上下チップ間を接続するためのインターポーザ基板を配した三次元のチップ積層構造において、半導体チップ及びインターポーザ基板裏面側に表層電極に達するまでの貫通孔を形成し、孔の側壁及び裏面側周囲に金属製のメッキ膜を施し、前記金属製のメッキ膜が施された貫通孔内部に、上段側に積層される半導体チップの金属製バンプを圧接によって変形注入させ、半導体チップ及びインターポーザ基板内に形成された貫通孔内部に前記金属製バンプを幾何学的にかしめて電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合部の応力集中を緩和しディバイスに発生する内部熱を効率的に放熱して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 実装面２ａに接続電極６と周辺補強用ダミー電極７と中央補強用ダミー電極８が形成されたディバイス２と、接続ランド１０と周辺補強ランド１１と中央補強ランド１２とが形成されディバイス２をディバイス実装面３ａ上に実装する実装基板３とを備える。実装基板３には、中央補強ランド１２に接続される放熱ビア１４と、裏面３ｂに放熱パターン１５が形成され、中央補強ランド１２がディバイス２からの発生部を兼用して裏面３ｂからの放熱を行う。 （もっと読む）