【課題】 実装時に負荷される高温高荷重による実装位置ずれによる接続信頼性不良や半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部や層間膜へのダメージを低減する。
【解決手段】 回路形成面に配列された複数のパッド電極部２を有する半導体素子１と、複数の配線電極部７を有する半導体キャリア基板６と、半導体素子１と半導体キャリア基板６の間に介在されるシート状の封止樹脂材３とを備え、パッド電極２の配置に応じて封止樹脂材３の中に複数の金属バンプ４を埋め込み、半導体素子１のパッド電極部２と金属バンプ４の一端部にある接触部位５、および半導体キャリア基板６の配線電極部７と金属バンプ４の他端部にある接触部位５とが導電性接着剤８で硬化接続されている。これにより、金属バンプ４を用いて、低温低荷重で電気的に接続させることが実現でき、高い接続信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高速伝送、多層化対応を図り、半導体チップ設計の制約を減らす。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも２つの積層された半導体チップ１，２と、半導体チップ１，２同士を電気的に接続する接続構造とを有している。接続構造は、第１の半導体チップ１に設けられた第１の電極１１と、第２の半導体チップ２に設けられた第２の電極２１と、第１、第２の半導体チップ１，２の間に挟まれた接合ボード５とを有している。接合ボード５は、第１の電極１１と対向する第１の接続電極５２と、第２の電極２と対向する第２の接続電極５３と、接合ボード５を貫通するスルーホール５４と、スルーホール５４と第１、第２の接続電極５２、５３とを電気的に接続する配線５５，５６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 外部環境下の温度変化によってインタポーザ基板が変形可能し、ＢＧＡや半田の剥がれの無いインタポーザ基板、及びこのインタポーザ基板を使用した電気回路装置を提供する。
【解決手段】 本発明のインタポーザ基板１は、絶縁樹脂からなる四角形状の絶縁板２は、中央部に設けられた四角形状の貫通孔２ａと、この貫通孔２ａの外周を囲むように配置された桟状部２ｂとを有し、桟状部２ｂの上下両面には、接続導体５によって互いに導通された第１，第２のランド部３，４が設けられたため、この絶縁板２が材料の異なる回路基板７やマザー基板１４に接続された場合、外部環境下の温度変化によってそれらの膨張、収縮が異なっても、貫通孔２ａの存在によって桟状部２ｂが容易に変形して、ＢＧＡや半田の剥がれを無くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの直下にシート状のコンデンサを接続する電子回路装置において、半導体チップ及び他の電子部品が発する熱がシート状のコンデンサに与える影響を低減し、シート状のコンデンサの本来の機能を持続して発揮させることを目的とする。
【解決手段】半導体チップ３の直下にシート状のコンデンサ２を接続する電子回路装置において、半導体チップ３とシート状のコンデンサ２の間に放熱材や断熱材等で構成される熱が伝わるのを防ぐ部材６を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体チップが発生する熱を放熱する放熱手段を有した半導体装置に関し、フリップチップ接合されても半導体チップで発生する熱を確実に放熱することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ１２と、半田ボール１５が形成された基板１３と、半導体チップ１２の回路形成面２２と対向するよう半導体チップ１２と基板１３との間に放熱機能を有するインターポーザ１１Ａを配設する。このインターポーザ１１Ａは、半導体チップ１２と基板１３とをビア２０により電気的に接続すると共に、半導体チップ１２で発生した熱を放熱する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の各種デバイスを高密度に搭載することができ、高速配線化及び高密度微細配線化が容易で、信頼性が優れた配線基板、この配線基板を使用する半導体パッケージ、及びこの配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板１３において、基体絶縁膜７を設ける。基体絶縁膜７の膜厚は３乃至１００μｍとし、温度が２３℃のときの破壊強度を８０ＭＰａ以上とし、温度が１５０℃のときの弾性率を２．３ＧＰａ以上とする。また、温度が−６５℃のときの破断強度をａ（ＭＰａ）、温度が１５０℃のときの破断強度をｂ（ＭＰａ）とするとき、比（ａ／ｂ）の値を２．５以下とし、温度が−６５℃のときの弾性率をｃ（ＧＰａ）とし、温度が１５０℃のときの弾性率をｄ（ＧＰａ）とするとき、破壊強度ａ及びｂ並びに弾性率ｃ及びｄが下記数式を満たすようにする。
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