【課題】ＮＳＭＤ型ランド構造を有するＢＧＡ型パッケージの半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板ＷＢの表面に配置された半導体チップと、配線基板ＷＢの裏面ｓ２に配置された配線ＭＷ、配線ＭＷ端のランド部ＭＬ、ソルダレジストＳＲ、ボール電極ＥＢ、および、保護樹脂ＰＲとを有する半導体装置であって、半導体チップと配線ＭＷとは電気的に接続され、ソルダレジストＳＲは配線基板ＷＢの裏面ｓ２において配線ＭＷを覆うように形成され、ソルダレジストＳＲはランド部ＭＬ上においてＮＳＭＤ型の開口部ＯＦを有し、ボール電極ＥＢはランド部ＭＬに電気的に接続されるようにして形成され、保護樹脂ＰＲはボール電極ＥＢとランド部ＭＬとの接触部を含むソルダレジストＳＲの開口部ＯＦ内を埋め込むようにして形成され、保護樹脂ＰＲは有機酸、溶剤、および、硬化剤を含む熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置がプリント基板に搭載された基板ユニットにおいて、アンダーフィルを充填することなく、基板ユニットの信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】複数の端子２１´を有する半導体装置２０と、この半導体装置２０を搭載し複数の端子２１´のそれぞれと電気的に接合する複数の基板端子１１´を有する基板１０ａと、端子２１´と基板端子１１´とを各々電気的に接合させる、端子２１´または基板端子１１´の接合部１１，２２の面積よりも小さな面積の接合部３２´，３３´を有する複数の導体部３１´とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】電極に印刷が可能であり、リフロー熱処理条件では再溶融しないバンプであって、接続時の潰れによる短絡を防止できるバンプを提供する。
【解決手段】リフロー温度では再溶融しないはんだ合金から構成され、実装時の少なくとも接合面に複数の孔を有するバンプであって、バンプの断面における孔の合計面積÷バンプ全体の面積×１００で算出される孔の割合が５％〜８０％であることを特徴とするバンプ。 （もっと読む）

【課題】電極数を極力低減すると共に、実装時に実装基板との平行度を保って接続不良の防止を図り、且つ半導体回路の破壊をも抑制した半導体チップを提供すること。
【解決手段】例えば、所定の間隙を持って対向させた各メモリバンク２２Ａ〜２２Ｄ間により形成された十字状の接続バンプ配置領域２３が設けられている。そして、十字状の接続バンプ配置領域２３における領域２３Ａに、信号入出力用接続バンプ２１Ａ（第１の電極）が群をなして配設させている。一方で、当該信号入出力用接続バンプ２１Ａが群をなす領域２３Ａに直交する領域２３Ｂ内に電力・接地用接続バンプ２１Ｂの群を配設させることで、記憶装置チップ２０を配線チップ１０に実装した際、当該記憶装置チップ２０が傾くのを当該電力・接地用接続バンプ２１Ｂが支持し（半田を介して支持し）、最小限のバンプ数で平行度が保たれる。このように、例えば記憶装置チップ２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 垂直方向のみから荷重をかけることで、接合強度を向上させることができ、さらにＸ−Ｙ位置精度を高く維持することができるＭＥＭＳデバイスとＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳデバイス１０は、マイクロミラーチップ１と、マイクロミラーチップ１に対向し、積層する電極基板２と、マイクロミラーチップ１と電極基板２に介在し、厚み方向に貫通する貫通孔４を有する複数の中間部材３と、電極基板２に形成され、貫通孔４を貫通することでマイクロミラーチップ１と電極基板２を接合させる金バンプ８を有し、貫通孔４は、垂直方向からの荷重と熱によって金バンプ８が接合パッド６によって垂直方向につぶれると同時に貫通孔４に沿って水平方向にも広がるように変形できる大きさを有し、そのため貫通孔４は、例えば端面３ａに向かって径が大きくなるテーパ形状の段差部５を有している。 （もっと読む）

【課題】金属ワイヤ等の多数の接合部材を電極表面に簡易且つ精度良く接続することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２又は回路基板の表面に形成された複数の端子１に、導電材料３を介して接合部材４を接続する半導体装置の製造方法は、前記複数の接合部材４を保持する工程と、保持された前記接合部材４を、前記接合部４材の融点未満の温度に加熱する工程と、前記端子１の表面に形成された前記導電材料３に前記接合部材４を接触させることにより、前記導電材料３を溶融させて、前記端子１に前記接合部材４を接続させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】二つの電子部品のバンプ電極同士が小さい荷重によって十分な機械的強度をもって接合された実装構造を提供する
【解決手段】実装構造１００はＭＥＭＳチップ１１０と配線基板１３０とを有している。ＭＥＭＳチップ１１０はバンプ電極１５０Ａを有し、配線基板１３０はバンプ電極１５０Ｂを有している。バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂは互いに対応する位置に設けられて配置されている。バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂは、それぞれ、山型突起１５２Ａ，１５２Ｂを有している。ＭＥＭＳチップ１１０と配線基板１３０は、バンプ電極１５０Ａとバンプ電極１５０Ｂとが互いに対向するように配置されて加圧される。これにより、互いに接触した山型突起１５２Ａ，１５２Ｂが塑性変形し、バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂが互いに接合される。 （もっと読む）

【課題】インレット用基材が軟質材からなる場合においても、ＩＣチップのバンプをインレット用基材上に設けられたアンテナ上に超音波接合し、接合品質を向上させることができるインレットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるインレット１０の製造方法において、まず、予め一方の面にアンテナ１２が設けられたインレット用基材１１を準備する。次に、アンテナ１２が設けられたインレット用基材１１が、アンテナ１２側の面を上方に向けて受台２１上に配置される。次に、インレット用基材１１の対向する一対の端縁１１ａを、両方向へ引っ張りながらアンテナ１２上にＩＣチップ１３のバンプ１３ａが超音波接合される。 （もっと読む）

【課題】電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差から生じさせる不良を防止でき、リフロー時ソルダが必要以上に金属ポストの側面に広がることを防止することにより、ソルダの使用量を最小化できるポストバンプ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポストバンプの形成方法は、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階Ｓ２００と、開口部の一部に金属性物質を充填し、金属ポストを形成する段階Ｓ３００と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階Ｓ４００と、ソルダに熱を加えてリフローする段階Ｓ５００と、レジスト層を除去する段階Ｓ６００と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の検査装置は、気泡などが存在しても光を完全に遮断することがないアンダーフィル剤の充填状態を検査するために、そのまま適用することは困難である。
【解決手段】半導体パッケージ１２を、該半導体パッケージ１２の一面に形成されたはんだバンプ１３により回路基板１１に接続し、接続した半導体パッケージ１２と回路基板１１との間の隙間１５にアンダーフィル剤１６を充填して構成した半導体装置１０の検査装置１であって、前記半導体装置１０の前記アンダーフィル剤１６内へ光を照射する発光具２と、前記発光具２から発光され前記アンダーフィル剤１６内を透過した光を受光する受光具３と、前記受光具３の受光量を算出し、前記受光量の多少により前記アンダーフィル剤１６の充填状態の良否を判定する制御装置５とを有する。 （もっと読む）

【課題】高温下に晒すことなく、回路基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた半導体装置、かかる半導体装置を備える高い信頼性が得られる電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ビア３３内に設けられた導体ポスト４２と配線パターン４１とを有するインターポーザー３０と、前記導体ポスト４２に接合された端子６０２と、導体ポスト４２に形成された接合膜８０とを有している。この半導体装置１０が備える接合膜８０は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面８５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８０の表面８５に、回路基板が備える導体部との接着性が発現するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと回路基板との接続信頼性を高める。
【解決手段】半導体チップ２０と回路基板３０とを、絶縁性樹脂シート１１を貫通する端子部１２を有する端子シート１０によって、電気的に接続する。端子シート１０の端子部１２は、接着層１２ａ、応力緩和層１２ｂ及びバリア層１２ｃを備えた構成とする。半導体チップ２０と回路基板３０との間に端子シート１０を配置してリフローを行うと、接着層１２ａは半導体チップ２０の電極２１及び回路基板３０の電極３１と接合し、応力緩和層１２ｂはその端子シート１０に加わる応力の緩和に寄与し、バリア層１２ｃは端子部１２の形状維持と接着層１２ａ及び応力緩和層１２ｂの側方への流出抑制に寄与する。これにより、接続不良やショートが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング方式を採用する必要がなく、従ってワイヤーボンディング方式の作用に起因する問題がない、積層された複数個の半導体素子（６、１０１４）を供えた半導体装置を提供する。
【解決手段】各半導体素子自体と共に、基板（２）と最下層半導体素子（６）との間及び各半導体素子間に配設されている絶縁性接着フィルム（４、８、１２）に、独特な電気的接続手段を配設することによって、ワイヤーボンディング方式の必要性を回避する。 （もっと読む）

【課題】基板が備えるビア内に設けられた導体ポストに、金属性のバンプを高い寸法精度でかつ確実に接合することができ、高い信頼性が得られる半導体装置、かかる半導体装置を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ビア３３内に設けられた導体ポスト４２と配線パターン４１とを有するインターポーザー３０と、導体ポスト４２に接合されたバンプ７０と、導体ポスト４２とバンプ７０とを仮接合する接合膜８０とを有している。この接合膜８０は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面８５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８０の表面８５に発現した接着性によって、導体ポスト４２とバンプ７０とを仮接合しているものである。 （もっと読む）

【課題】 電極の厚みを変えることなく、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止することができる半導体装置を実現する。
【解決手段】 半導体素子側に設けられた電極パッド上の各バンプを、パッケージ基板側の電極に当接させることにより、前記半導体素子と前記パッケージ基板とをフリップチップ接合する半導体装置において、前記パッケージ基板の最表面をソルダレジストで覆うと共に、前記電極上の前記ソルダレジストを取り除くことにより、電極の厚みを変えることなく、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止するように構成した。 （もっと読む）

【課題】マザー基板の一面側に電子部品を搭載してなる電子装置において、マザー基板の一面側の全面ではなく、電子部品の実装部位に限定したマザー基板の多層化を図る。
【解決手段】マザー基板１０と、マザー基板１０の一面１１側に搭載された電子部品３０とを備える電子装置において、マザー基板１０の一面１１側の一部には、層状をなす配線部材２０が搭載されており、電子部品３０は配線部材２０を介してマザー基板１０に電気的・機械的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路基板の熱膨張量の差があっても、従来よりも電気特性の高信頼性を期待できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】突起電極１０３を有する半導体素子１０１が、突起電極１０６を有する回路基板１０４の上に配置され、半導体素子１０１と回路基板１０４がスペーサ１０９を介してと当接して間隔が決定され、互いに向き合う突起電極１０３，１０６の間に隙間が形成され、この隙間に導電性弾性体１０８が介装されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な接続構造や歪みの少ない接続構造を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体部品１の電極２を有する面が回路基板７に対向している半導体装置において、ハンダ層３が、半導体部品の電極と回路基板の電極とのいずれか一方に接し、平均粒径０．１μｍ以下の金属粒子からなる金属粒子層４がハンダ層に接し、導電性フィラーと樹脂とを含んでなる導電性フィラー層５が金属粒子層に接し、もう一方の電極６が導電性フィラー層に接することにより、電気的接続が形成される。 （もっと読む）

【課題】電極パッドと突起電極との間の密着性を十分確保することができ、しかも総厚みを薄くできる実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップ本体４ａと半導体チップ本体４ｂを加熱して熱硬化性樹脂３ａ，３ｂを熱硬化させながら回路基板１０に押し付けて、回路基板１０の電極パッド２ａに半導体チップ本体４ａに設けられた突起電極８ａが当接し、回路基板１０に形成された電極パッド２ｂに半導体チップ本体４ｂに設けられた突起電極８ｂが当接し、それとともに半導体チップ本体４ａに設けられた突起電極８ａを、電極パッド２ａと回路基板１０と硬化途中または硬化した熱硬化性樹脂３ｂを介して半導体チップ本体４ｂに当接して圧縮し塑性変形させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との応力差を簡単に緩和できる電子装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】回路基板５０の第１電極５１と半導体素子６０の第２電極６２とを接続する接続構造であって、互いに応力の異なる第１金属膜１６ａと第２金属膜１６ｂとを積層してなる積層体１６を湾曲させ、該第２金属膜１６ｂの一方の端部Aを第１電極５１に接合し、該第２金属膜１６ｂの他方の端部Bを第２電極６２に接合したことを特徴とする接続構造による。 （もっと読む）