【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、第１の樹脂組成物層１１は、その平均厚さが、第２の樹脂組成物層１３の平均厚さより薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品を積層接続して構成される電子回路において、耐熱性を低下させることなく接合不良を解消することにより高性能化を図る。
【解決手段】接続用電極を含む複数の電子部品が積層接続されて構成される電子回路であって、対向配置される電子部品１０，２０は、対向する接続用電極同士が直接接合している直接接合部（第１接合部、第３接合部）と、対向する接続用電極同士が金属間化合物３０を介して接合している間接接合部（第２接合部）とにより接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温を効率的に行なうことで半導体装置をフリップチップ接続する際の位置ずれや接続不良の発生を低減した半導体装置の接合装置を提供する。
【解決手段】上型ブロック１０は、基板保持プレート４に支持された基板１にクランプ面１０ａを近接させて輻射熱により基板１及び半導体装置３を予備加熱し、当該基板１が基板保持プレート４に支持されままクランプ面１０ａを半導体装置３に押し当てて絶縁性接着剤２を硬化させると共に半導体装置３のバンプ３ａを基板端子部１ａと接合させる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生に起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、樹脂組成物層１１、１３の金属層１２に接合される接合面の表面自由エネルギーをＡ［ｍＮ/ｍ］とし、金属層１２の樹脂組成物層１１、１３に接合される接合面の表面自由エネルギーをＢ［ｍＮ/ｍ］としたとき、Ａ／Ｂが０．５〜１．５なる関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極同士の接触部分における電気抵抗値の制御が容易で安定した電気特性を備えつつ電子部品同士を確実に接続する。
【解決手段】電子部品相互の接続構造は、例えばＲＰＣＢ１０及びＦＰＣ２０相互の接続に適用される。ＲＰＣＢ１０は、基板１１上に形成された電極１２を備え、電極１２は、凸部１２ａを備える。ＦＰＣ２０は、基板２１上に形成された電極２２を備え、電極２２は、凹部２２ａを備える。凹部２２ａを含めた電極２２上には、凹部２２ａの形状に沿ってワイヤ２３がボンディングされ、ＲＰＣＢ１０の電極１２形成側の面上には接着材１３が形成される。電極１２，２２を凸部及び凹部１２ａ，２２ａが嵌合するように位置合わせしてＲＰＣＢ１０及びＦＰＣ２０を熱圧着により接続する。電極１２，２２はワイヤ２３を介して金属結合されるので、電気抵抗値のばらつきが少ない接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】コア基板上、あるいは絶縁樹脂フィルム上に形成する配線パターンの割合を均一にすることで、ビルドアップ基板の厚みを一定にし、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止する構造を実現する。
【解決手段】厚さが均一のコア基板３１と、このコア基板３１上に形成された配線パターン６１と、前記コア基板３１及び前記配線パターン６１を覆う絶縁樹脂フィルムと、この絶縁樹脂フィルム上に形成されたバンプ接続電極３４とからなるビルドアップ基板６ａを有し、前記バンプ接続電極３４上に形成したバンプ４２を介して前記ビルドアップ基板を６ａ半導体素子４と接続する半導体装置５において、前記コア基板３１上に形成する配線パターン６１の割合を均一にすることによって前記絶縁樹脂フィルム６２の厚さを均一にし、前記ビルドアップ基板６ａの厚さを均一化したことにより、フリップチップ接合のバンプ位置ずれ防止ができる半導体装置５を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の位置ずれを防止するとともに、はんだ内のボイドの残留も防止する。
【解決手段】枠体１に形成した凹部５に、凹部５周辺の枠体１表面から接合表面３ａを突出させた状態で半導体素子３を収納するとともに、枠体１の凹部５に対応して基板２の表面にはんだ４を配置した状態で基板２と枠体１とを位置決めして重ね合わせることにより、枠体１から突出している半導体素子３の接合表面３ａと基板２の表面との間ではんだ４を挟持して、その挟持部分を基板２と枠体１との隙間から外部に連通した状態とし、この重ね合わせ状態の基板２と枠体１との間ではんだ４をリフローさせて基板２に半導体素子３を接合する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、前記半導体装置が実装された、信頼性の高い電子部品、信頼性の高い半導体装置の製造方法、および信頼性の高い電子部品の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の少なくとも一部とオーバーラップする開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた樹脂突起と、前記電極と電気的に接続され、一部が前記樹脂突起の上に設けられた配線層と、を有し、前記配線層は、前記電極および前記樹脂突起の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成される第２の導電層とを有し、前記第１の導電層は、前記半導体基板側の第１の面と、前記第２の導電層側の第２の面と、を有し、前記第１の導電層の前記第２の面に、前記第１の導電層の酸化膜または窒化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板へ悪影響を及ぼすことなく、簡単な作業で効果的にＡＣＦの残渣等を除去する。
【解決手段】表示部３１ａと端子部３１ｂとを有する第１基板３１と、前記端子部３１ｂにＡＣＦ６を介して固着される電子部品４，５と、を備える表示モジュール２の再利用方法である。前記第１基板３１から、前記電子部品４，５を取り外す第１ステップと、前記第１基板３１から、前記電子部品４，５が固着されていた接着領域に残るＡＣＦ６を除去する第２ステップとを含む。前記第２ステップは、前記接着領域を加熱する第１処理と、剥離液を用いずに加熱された状態のＡＣＦ６を擦り取る第２処理とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、導体パターンの狭ピッチ化を図ること。
【解決手段】回路基板２０の導体パターン２２と半導体素子３０の突起電極３１の少なくとも一方に、第１の金属の粉体２３を付着させる工程と、粉体２３の少なくとも一部を、第１の金属よりも融点の低い第２の金属に置換する工程と、上記置換の後、加熱により粉体２３を溶融して接続媒体３５にし、該接続媒体３５により導体パターン２２と突起電極３１とを接続する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

半導体素子（例えば、フリップチップ）は、介在層によってドレインコンタクトから分離されたサブストレートを含む。前記介在層を通じて延びる前記素子の動作時において、トレンチ状のフィードスルー要素を用いて、前記ドレインコンタクトおよび前記サブストレートを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装後において、半導体チップと基板の接合部の融点が高くなる半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１を基板１５へフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、半導体チップ１１のＡｕバンプとＳｎ−Ｂｉ系はんだ１８を接触させる工程と、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ１８を融点以上１８０℃以下に３０分以上加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。 （もっと読む）

【課題】加熱処理に起因する反りを効果的に抑制する電子デバイスパッケージを提供すること。
【解決手段】電子デバイスパッケージは、基板と、第１面が基板と対向するように基板に実装された電子デバイスと、第１面の裏側の電子デバイスの第２面に形成された接着層と、接着層を介して電子デバイスに貼り付けられた金属層と、を備える。接着層の２５０℃におけるヤング率は、約１ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体チップ間の導通信頼性および隣接する半導体チップの接続電極の高い絶縁信頼性、さらに、更なる高密度化の要求に対応しうるチップオンチップ型の半導体装置、および半導体装置の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を半導体チップ２０，３０間に介在させ、熱融着させることにより、電気的接続及び封止を一括で行う。 （もっと読む）

【課題】電子機器の高機能化及び小型化の要求に伴う、電子材料における端子間の狭ピッチ化にも対応可能な端子間の接続方法、金属箔の凝集方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】樹脂組成物１２０と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔１１０とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介して対向する端子１１、２１間を電気的に接続する方法において、導電接続材料を金属箔１１０の融点以上に加熱するとともに、さらに、対向する端子１１、２１間に電圧を印加することにより、電子材料における端子１１、２１間の狭ピッチ化にも対応可能な端子１１、２１間の接続方法、金属箔１１０の凝集方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に実装される複数の半導体素子間の接続端子数を増やし、モジュール性能を高めるとともに、必要とされるインターポーザのサイズを小さくし、コストの低減化に寄与すること。
【解決手段】半導体装置５０は、最外層の配線層の所要の箇所に画定されたパッド１１Ｐを有する配線基板１０と、この配線基板上にフェイスアップの態様で並列して実装された複数の半導体素子（チップ）２０ａ，２０ｂと、各チップ上にまたがって実装されたインターポーザ３０とを備える。各チップ２０ａ，２０ｂは、そのフェイス面側に配列された電極パッドのうち一部の電極パッド２１が導電性ワイヤ２４を介して配線基板１０の対応するパッド１１Ｐに接続されている。残りの電極パッド２２は、インターポーザ３０を介して相互に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】２つの電子部品を接合するための方法を提供すること。
【解決手段】中空開口挿入部（５０）を挿入部の硬度より低い硬度の充填凸面要素（１４）に挿入することによって２つの電子部品（１２、１６）を接合する本方法は、挿入部（５０）が充填要素（１４）の中に挿入されると、挿入部（５０）の中に含まれたガスの排出通路をつくるために、挿入部（５０）の開口端（５４）の少なくとも１つの表面（５２）が解放されたままであることに存する。 （もっと読む）

【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接触させた接触面に低周波振動を印加することによって金属間接合部を生成される実装マウント装置を提供する。
【解決手段】 バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる実装マウント装置１であって、ランド状接続端子５は、バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、低周波振動アクチュエータ８を備えた加振台９と、この加振台９の下面に設けられたゴム板１４と、を備え、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせ、低周波振動アクチュエータ８を電気的に駆動させて振動させることによって接触面に金属間接合部１０が生成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのコーナ部に対応する接合部材の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板３の実装面に形成された回路パターンに半導体チップを実装する工程と、少なくとも回路基板３と半導体チップとの間に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合組成物を供給して磁性体粉末含有熱硬化性樹脂の充填物を形成する工程と、充填物を加熱する工程と、加熱による充填物の硬化の間に半導体チップのコーナ部に対応する前記充填物に磁力を加えて、充填物中の磁性体粉末６を半導体チップのコーナ部に対応する充填物の箇所に集中させることによって、磁性体粉末が前記半導体チップのコーナ部に対応する箇所にこの箇所以外の領域より高い密度で存在する接合部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体チップ実装体１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ・パッケージ内の半田要素を伴う電気特性変更用平面部材を提供する。
【解決手段】構造は、集積回路（ＩＣ）チップ・パッケージ１０６の基板１０４とプリント回路基板（ＰＣＢ）１０８を電気的に結合するための半田要素１０２と、基板１０４のランディング・パッド１２０ＣおよびＰＣＢ１０８のランディング・パッド１２０Ｐのうちの少なくとも１つと半田要素１０２の間に位置決めされた第１の電気特性変更用実質平面部材１３０Ｃ，１３０Ｐとを含む。他の実施形態では、電気特性変更用平面部材１３０Ｃ，１３０Ｐは、ＩＣチップ１１０とパッケージ基板の間の半田要素１０２に利用することができる。 （もっと読む）