【課題】メタルポストの酸化及び腐食を防止し、メタルポスト上に形成されたソルダバンプに凹部またはくぼみが生じる問題を防止する、メタルポストを備えた基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接続パッド１０４が形成されたベース基板１０２、ベース基板１０２に形成され、接続パッド１０４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層１０６、接続パッド１０４に連結され、ソルダレジスト層１０６の上部に突出したメタルポスト１１６、及び突出したメタルポスト１１６の上部を含む外面に形成されたソルダバンプ１２２を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６は、面積重み付けした平均結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が２９μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップや電子部品の電極の狭ピッチ化に対応できるはんだバンプを提供することを目的とする。
【解決手段】ＩＣチップ４と基板５を接続するはんだバンプ１０１が、柱状のコア部１０２と、その外周面をはんだ３によりコーティングとにより構成される （もっと読む）

【課題】 電子部品を配線基板に実装する際に、位置合わせが容易で、接続不良の発生を確実に防止できる配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、電子部品３に形成された金属バンプ４と、配線パターンを備える配線基板２に形成され金属バンプ４が嵌合された凹部５と、凹部５の内側面を被覆して形成されると共に金属バンプ４と配線パターンとを接続する金属メッキ層６とを備える。配線基板１を製造するには、電子部品３に金属バンプ４を形成し、配線パターンを備える配線基板２に凹部５を形成する。次に、凹部５の内側面を被覆する金属メッキ層６を形成し、金属メッキ層６と配線パターンとを接続する。そして、電子部品３を配線基板２に重ね合わせ押圧して、金属バンプ４を凹部５に嵌合させ、電子部品３を配線パターンに接続する。 （もっと読む）

【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子、または一対のバネ状接触子同士を電気的に接合して安定的な接続状態を形成する導電性接合コンタクタを提供する。
【解決手段】 導電性接合コンタクタ１１は、ランド状接続端子１２ａと、ランド状接続端子１２ａに付勢力を施してランド状接続端子１２ａと電気的に接触して基板１２の導電部に電気的に導通するように接合されたバネ状接触子１３と、において、ランド状接続端子１２ａとバネ状接触子１３には、その接触面が鏡面処理された鏡面状平面１２ａａ、１３ａを備え、ランド状接続端子１２ａとバネ状接触子１３とを少なくとも一対設け、ランド状接続端子１２ａとバネ状接触子１３との鏡面状平面１２ａａ、１３ａ同士を対面させて重ね合わせることによって生成される金属接合部１５を備える。 （もっと読む）

【課題】「フリップチップ」相互接続を必要とするすべての種の、非常に大規模、かつ非常に小さいピッチを有するデバイスに使用することができる接続装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、２つの部品（１、１’）の間の接続装置であって、中空の導電性インサート（２）、この中空の導電性インサート（２）の中に別の導電性インサート（３）が嵌合し、２つのインサートの間の電気的接続は半田要素（４）によって行われる接続装置と、前記インサートを設けられた２つの部品の間をハイブリッド化する方法とを提供する。 （もっと読む）

【課題】 被実装品の脱離容易または脱離非容易を選択することができ、どのような種類の実装基板または被実装品にも、簡単に導通をとることができ、かつ高周波損失が小さい、異方性導電シート等を提供する。
【解決手段】 本発明の異方性導電シート１０は、回路基板上に被実装品を実装するために用いられ、絶縁性で弾性を有するシートと、シートを貫通する多数の導通部３ａ，５ａとを備え、導通部を含むシートは、一方の面または両方の面から突き出る台状部３と、該台状部の残りの領域の薄肉部５とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで電子部品を回路基板に実装でき、電極パッド間のショートを確実に防止できる接合シートと、その接合シートを用いた電子回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合シート２０は、基材１の内部に接着剤充填部２を設け、さらに、接着剤充填部２の内部に導電性接着剤３を充填して構成される。また、本発明の電子回路装置３０は、ＩＣパッケージ４を回路基板７に実装して成り、ＩＣパッケージ４と回路基板７の間に接合シート２０を介在させている。また、ＩＣパッケージ４の下面には、端子電極５が設けられ、端子電極５からは電極バンプ６が突出している。また、回路基板７の上面には、凹部８が形成され、凹部８の底面には電極パッド９が備えられている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが実装された半導体パッケージと、配線基板との接続において、従来のはんだバンプ接続においてしばしば発生する、熱ストレスによる接続部での切断などの障害を抑制する、接続面の電極間を電気的に接続する接続部の接続信頼性を高めた電子部品を提供する。
【解決手段】半導体チップ３−１が実装された半導体パッケージ３と、配線基板との接続において、その接続部は、はんだバンプを用いずに、塑性体材料層と金属層とが交互に積層された応力緩和部５と、その応力緩和部を貫通する導体線６を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、はんだ接続部の応力緩和、及びフィレットクラックによる基板パターンの断線を同時に抑制する構造体を提供する。
【解決手段】回路配線を有する基板３と、基板３に実装される半導体素子と、基板３と、半導体素子との間隙に充填される耐温度サイクル性の高い第１の樹脂４と、半導体素子の側面と第１の樹脂４の周囲とを囲うように備えられるクラックの発生しにくい第２の樹脂５と、基板に接触しないよう第２の樹脂の上に備えられる耐衝撃性の高い第３の樹脂３とを備える。 （もっと読む）

【課題】対向する端子間（導通性領域）に導電性粒子を選択的に凝集させ、導電性が高い端子間接続を可能とする端子間の接続方法を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、１６０℃で３００秒間加熱した後の１６０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であり、１６０℃における絶縁抵抗値が１×１０^７Ω以上である硬化性樹脂組成物１２０と、導電性粒子１１０とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電性粒子１１０の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、各端子１１，２１に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、を含むことを特徴とする端子間の接続方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】互いに異なるプロセスにより製造された半田バンプ電極品であるコントローラチップ４と、それぞれ金バンプ電極品である３つのメモリチップ（第１ＤＤＲチップ１、第２ＤＤＲチップ及び不揮発性メモリチップ）が混載されるＳＩＰ１３の組み立てにおいて、先に３つのメモリチップを順次配線基板７上に搭載し、後からコントローラチップ４を搭載することで、金−半田接続用の半田材に酸化膜が略形成されていない状態で金−半田接続を行うことができ、３つのメモリチップそれぞれの金−半田接続を良好な接続状態とすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージやプリント基板の反りに起因する接触高さのばらつきや接続端子の高さのばらつきを吸収することができ、層間導通のための貫通孔に応力が集中するのを軽減し、この接点部の可動範囲を広く取ることができ、近年のファインピッチ化に対応することができる両面接続型コネクタを提供する。
【解決手段】絶縁部材１の表面１ａ及び裏面１ｂのスルーホール４の一端部に近接した位置に、表面１ａ及び裏面１ｂ各々から突出する突起部５を設けるとともに導体部６の両端部に接続端子部７をそれぞれ設け、接続端子部７は、スルーホール４の周囲に形成されたランド部１１と、ランド部１１に形成された接続部１２と、この接続部１２の周縁部の一端に接続され突起部５に向かって斜め上方に延びる傾斜部１３と、傾斜部１３の一端に接続され突起部５の頂部を覆う略半球状の接点部１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】インターポーザとベース回路シートとを物理的、電気的に確実性高く接合し得るインターポーザ接合方法を提供すること。
【解決手段】インターポーザ接合方法は、ベース回路シート２０の表面のうちベース側端子２２の表面に電気絶縁性接着剤よりなる接着剤配設層２５を設ける接着剤塗付工程と、ベース回路シート２０の表面にインターポーザ１０を配置するインターポーザ配置工程と、ベース回路シート２０とインターポーザ１０とを加圧する加圧接合工程と、を含む方法である。インターポーザ１０を接合する前のベース回路シート２０のベース側端子２２には、バンプ電極２６が収容された凹状の窪み部２２０が形成されており、加圧接合工程は、窪み部２２０を底側から押し上げるように変形させることにより窪み部２２０に収容されたバンプ電極２６を押し上げてインターポーザ側端子１２に押し当てる工程である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板にフリップチップ実装する際の半導体素子に印加する荷重を低減させ、実装後においても半導体素子に外力が作用したときに生じる応力を緩和する。
【解決手段】半導体素子１は、一表面側に複数個のスタッドバンプ４１が突設され、スタッドバンプ４１の先端部には、突出方向において塑性変形可能な変形可能部４１ｂが設けられる。半導体素子１を実装する基板２には、各スタッドバンプ４１にそれぞれ対応する基板電極２１が形成される。半導体素子１と基板２とは弾性および導電性を有する接着部材４２により接着され、各スタッドバンプ４１は素子電極１１に直接に電気的に接続されるとともに、接着部材４２を介して基板電極２１に電気的に接続される。半導体素子１を基板２に実装するにあたっては、各スタッドバンプ４１が変形可能部４１ｂの変形限度位置まで変形せずに変形許容量を残した形で塑性変形するように、低荷重を印加する。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１平面を有する基板１１と、前記基板１１の第１平面に固定された第１バンプ１４と、前記基板１１の第１平面に固定され、第１バンプ１４の周囲に配置された第２バンプ１８と、前記基板１１の第１平面に非接触かつ相対する位置で、前記第１バンプ１４及び前記第２バンプ１８に固定された素子１２と、前記第１バンプ１４、前記基板１１及び前記素子１２に接触する接着領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップがフリップチップ接続される配線基板と、半導体チップと配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、ボイドの発生を防いで、半導体装置の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板本体２１の上面２１Ａに、基板本体２１の上面２１Ａ、パッド２２、及びはんだ２３との間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂３１を貼り付け、次いで、フィルム状アンダーフィル樹脂３１の上面３１Ａを平坦化し、その後、上面３１Ａが平坦化されたフィルム状アンダーフィル樹脂３１に半導体チップ１２を押圧して、パッド２２に半導体チップ１２をフリップチップ接続した。 （もっと読む）

【課題】接続不良と信頼性低下の解決が図られた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、キャリア基板３と、キャリア基板３の上面上に載置された第１の半導体チップ２と、キャリア基板３の裏面上に形成された第１の金属ボール５とを有する第１の半導体パッケージ１と、上面上に第１の金属ボール５と接続する電極ランド６が形成された基板７と、第１の半導体パッケージ１と基板７の間に配置され、第１の金属ボールに合５わせた位置に設けられ、第１の金属ボール５を収納する穴が形成されたプレート９とを備えている。プレート９は熱伝導性の良好な材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】金属ナノペーストを用いて半導体ダイの電極と基板を接合するボンディング装置においてボンディングの信頼性の向上を図る。
【解決手段】金属ナノペーストの微液滴を射出して電極１２ａにバンプが形成された半導体ダイ１２を電極１９ａにバンプが形成された回路基板１９にフェースダウンし、半導体ダイ１２の電極１２ａと回路基板１９の電極１９ａを接合バンプ２５０を介して重ね合わせた後、重ね合わせた各電極１２ａ，１９ａ間の隙間を重ね合わせた際の間隔よりも小さい所定の間隔Ｈ_３に圧縮することにより各電極１２ａ，１９ａ間のバンプを加圧すると共に各電極１２ａ，１９ａ間のバンプを加熱してバンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて、接合金属３００とし、各電極１２ａ，１９ａを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子を搭載した半導体装置及びその製造方法に関し、回路基板やヒートスプレッダから半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
回路基板３０と、一方の面上に突起状端子２２を有し、回路基板３０に、突起状端子２２を介して電気的に接続された半導体素子１０と、半導体素子１０の他方の面上に接合層２４を介して形成され、回路基板３０に固定された封止用蓋体３６とを有し、突起状端子２２及び前記接合層２４の少なくとも一方が、弾性体により構成されている。 （もっと読む）