【課題】製品サイズの選定自由度の向上を図り得る半導体パッケージ構造を提供し、ローラ接触部分での段差による搬送ミスの発生を低減可能な半導体パッケージ構造を提供する。更に、製造工程の簡素化及び製造コストの低減に寄与する半導体パッケージ構造を提供する。
【解決手段】テープ基材（フィルムキャリアテープ）１０４と；前記テープ基材１０４に搭載される半導体チップ１０１と；前記テープ基材１０４上に形成され、前記半導体チップ１０１に接続される導体リード１０３と；前記導体リード１０３に接続された入力端子１０８及び出力端子１０９と；前記導体リード１０３を覆うように形成され、当該導体リード１０３を保護する保護膜１０６とを備える。前記テープ基材１０４の縁部に搬送ローラが接触するローラ接触領域１００Ｘを設け、当該ローラ接触領域１００Ｘには、スプロケットホールのような搬送用の開口部又は段差が形成されない構造としている。 （もっと読む）

【課題】小型であり、かつ耐衝撃性に優れた構造の圧電発振器を提供する。
【解決手段】パッケージ４１に圧電振動素子７を搭載して蓋９により気密密封した構造の圧電振動子７の外側底面に、複数のランド４０、４３と、前記ランド４０，４３と導通した回路素子６と、樹脂製のブロックの表面に導電膜を被覆した構成を有する樹脂コア導電体１００とを、備え、前記圧電振動子７の外側底面に前記回路素子６と前記樹脂コア導電体１００とを固定した構造をとる圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と端子との接続信頼性を向上させた電子部品の実装構造及び電子部品の実装構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】バンプ電極２１が、樹脂コア２２と、樹脂コア２２の表面に設けられた導電膜２３とを有すると共に、樹脂コア２２の弾性変形により導電膜２３と端子１７とが導電接触し、バンプ電極２１の周囲に、端子１７と導電膜２３との導電接触状態を保持する接着層３１が配置され、接着層３１は、所定温度までの加熱により貯蔵弾性率が樹脂コア２２と比較して小さくなると共に貯蔵弾性率の減少量が樹脂コア２２と比較して大きくなる樹脂材料を液状化した後に硬化することで形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極間において強度の高い接合が可能で、かつ低コスト化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１半導体チップ１０と、第１半導体チップ１０に設けられた第１電極１２と、第１半導体チップ１０が実装される第２半導体チップ２０と、第２半導体チップ２０に設けられた、突起２４を有する第２電極２２と、第１電極１２と第２電極２２を接合し、前記突起２４の側面の少なくとも一部を覆う半田バンプ１４とを具備している半導体装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置されており、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられている。引き出し配線部２４上のはんだが屈曲部Ｂ側に移動して接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡ半導体デバイスの高周波特性を悪化させず、信頼性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】デバイス実装基板２の上面に搭載され、デバイス実装基板上の複数の電極２１に電気的に接続されるデバイス１０１であって、電子部品４１を搭載し、それぞれがデバイス実装基板上の対応する電極に電気的に接続されるべき複数の電極１４を下面に有する部品搭載基板１と、部品搭載基板とデバイス実装基板の間に少なくとも１つが重ねて設けられ、上面および下面のそれぞれに複数の電極３１，３３を有し、上面および下面の対応する電極間が電気的に接続された中間基板３と、部品搭載基板、中間基板、およびデバイス実装基板の各基板間の対応する電極同士をそれぞれ接続する複数の端子ボール５１ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】微細な電極間の導電接続に用いられ、電極との密着性に優れ、落下等による衝撃によっても、電極とハンダボールとの接合界面破壊による断線を生じにくいニッケル担持ハンダボールを提供する。
【解決手段】錫を含有する低融点金属からなるハンダボールの表面に、不連続層を形成した状態でニッケルが担持されているニッケル担持ハンダボール。 （もっと読む）

【課題】流動性に優れ、温度サイクル試験時に生じる端子の接続部保護性向上及びチップへの低応力化が可能な高信頼性の半導体封止材用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を素子と基板間に介在してなる高信頼性半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤及び（Ｄ）可撓化剤を成分とする無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、硬化前の揺変指数が２５℃で１．０以下であり、硬化後の２５℃での弾性率が９．０ＧＰａ以下であり、１２５℃〜−５５℃での平均熱膨張係数が５．０×１０^−５／℃以下であり、２５℃での破壊靭性が２．０ＭＰａ・ｍ^０．５以上である液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージの大きな反り対しての追随が可能で、接続部分に残留応力をためることなく高い接続信頼性を実現でき、実装構造を製造する場合において複雑な製造プロセスを経る必要がなく、隣接する接続端子間の短絡が発生しにくく、半導体装置のパッケージの低い実装高さを実現できる、コンタクト支持体、及びこのコンタクト支持体を用いる半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】プリント配線基板５と半導体装置のパッケージ１６との間に配置されるコンタクト支持体１１であって、支持体６と、支持体６に設けられた複数のコンタクトガイド孔７と、コンタクトガイド孔７内に配置された弾性を備えるコンタクト１２と、を有し、支持体６にコンタクト１２の端部が固定され、コンタクト１２がコンタクトガイド孔７内で上下動可能となっているコンタクト支持体１１を用いることによって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】実装基板上に配置された、互いに厚みが異なる第１及び第２の半導体装置と、第１及び第２の半導体装置の頂部表面にそれぞれ形成された第１の端子電極及び第２の端子電極を相互に接続する導体パターンを有する配線用基板と、を有する電子装置において、製造プロセスを煩雑化することなく、高周波特性のばらつきを抑制できる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１０では、導体パターン２１上に形成されたバンプ電極２５の段数と、導体パターン２２上に形成されたバンプ電極２５の段数とが異なる。導体パターン２１上に形成されたバンプ電極２５の頂部と導体パターン２２上に形成されたバンプ電極２５の頂部とが同じ高さにある。 （もっと読む）

【課題】リフロー加熱時における熱によってプリント配線基板面に反りが生じても半田クラックや回路パターンのパターン剥がれ、ＢＧＡの角部の半田ブリッジ（短絡不良）の発生を防止する方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ９を実装するプリント配線基板１１において、半導体装置をプリント配線基板１１に実装時に印刷する半田付け用材料１３を、半導体装置の中心から外側に向かって前記半田付け用材料１３の量が少なくなるように印刷し実装することにより、リフロー加熱時に発生するＢＧＡ９およびプリント配線基板１１の反りが発生しても、半田接続不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来のＷ−ＣＳＰは、コンタクト２と外部電極４との間は、幅の狭い再配線５がある。しかし発熱量の多いＣＳＰは、面実装であるが故、Ｓｉ基板の裏面から放熱できず、温度上昇する。よって再配線のネック部分でクラックや断線を発生する。
【解決手段】 半導体チ装置２０には、放熱に寄与する外部電極２４が最上層に設けられ、下層には、瞬時に発生する熱を溜めるヒートシンク電極２９が設けられる。
そのため、発熱する部分では、従来の再配線が無く、面積の大きい外部電極を配置できるため、放熱性の向上が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品装置及びその製造方法に関し、簡単な構成と簡単な操作により電子部品チップを実装基板に一定の高さに制御して実装するとともに、実装した電子部品チップを容易に取り外すことを可能にする。
【解決手段】 実装面に複数の導電パッド２を設けた実装基板１に対して、実装基板１に設けた導電パッド２に対応する導電パッド２を有する電子部品チップ３を対向させて実装基板１に設けた導電パッド２或いは電子部品チップ３に設けた導電パッド２の内の一方の導電パッド２から延びる複数の導電性ナノチューブ５の先端が、導電性ナノチューブ５が形成されていない他方の導電パッド２に接触させた状態で電子部品チップ３の特性試験を行い、電子部品チップ３の特性に欠陥がある場合には、電子部品チップ３を交換し、電子部品チップ３の特性に欠陥がない場合には電子部品チップ３を実装基板１側に接着剤８により固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップが搭載される配線基板の基板電極の腐食を防止することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、パッシベーション膜１６上に配置された樹脂突起１８と、複数のパッド１４上から樹脂突起１８上に至るように延び樹脂突起１８上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線２０と、を有する。電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極３０を含む配線パターン２６が形成されて複数の配線２０と複数の基板電極３０が対向して接触するように半導体装置が搭載された配線基板２４と、半導体装置と配線基板２４とを接着する接着剤３２と、を有する。複数の配線２０は、複数の基板電極３０よりも腐食しにくい材料から形成されている。それぞれの配線２０は、いずれかの基板電極３０の中央部から、隣の基板電極３０の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板３と、配線基板３にフェースダウンで取り付けられた半導体チップ１と、配線基板３と半導体チップ１との間にある接着剤５と、配線基板３と半導体チップ１の側面とに接する樹脂層１５と、を備え、樹脂層１５に含まれる不純物（Ｃｌ^-）濃度は２ｍｇ／Ｌ以下である。このような構成であれば、接着剤５に水分が直接付着することを防ぐことができ、また、湿度により樹脂層１５から溶け出す不純物量を少なくすることができる。これにより、水分及び不純物がボイドを伝って半導体装置の内部へ入り込むことを防ぐことができる。 （もっと読む）

ＬＥＤアセンブリ７１その他の電子的パッケージ３１を、ヒートシンク５２を含む基板ＰＣＢにボンディングする方法である。この方法は、電子的パッケージ３１のコンタクト３２，３４と、支持基板ＰＣＢ上の関連するコンタクトパッド５５との間に配置された反応性マルチレイヤ膜５１を利用する。圧力をかけて、反応性マルチレイヤ膜５１で発熱反応を起こすことにより、コンタクト３２，３４と関連するコンタクトパッド５５との間に、電子的パッケージ３１、その電子的パッケージに不随する熱に敏感なコンポーネント３５、その他の支持基板ＰＣＢに熱的損傷を与えることなく、隣接するボンディング材料を溶かして、コンタクト３２，３４とコンタクトパッド５５との間に電気的及び熱的伝導性を有するボンドを設けるのに十分な熱を発生させる。
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【課題】基板同士を接合する際の基板破壊を防止し、かつ、電気的に確実に接続可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】導電性を有する軟質部材からなる緩衝用のバンプ電極により双方の基板の電極同士を電気的に接続する半導体パッケージにおいて、一方の基板のセンサ基板２上に、他方の基板の蓋基板１との接続用の接続電極としてセンサ基板電極５を形成し、蓋基板１の接合面上に接合時にセンサ基板電極５と当接する位置に接続用キャビティ７を穿設し、さらに接続用キャビティ７内に配置された電極である蓋基板貫通配線８の先端部に、導電性を有する軟質部材の緩衝用のバンプ電極４を備える。蓋基板１とセンサ基板２との接合時にバンプ電極４は変形して、センサ基板電極５、蓋基板貫通配線８、接続用キャビティ７の内壁に密着する。また、接続用キャビティ７の形状を、接合時の応力を緩和する応力緩和形状（例えば円錐台形状、釣鐘状、すり鉢状）とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体部品における層スタックである積層体（１００）を補強する補強構体（１，２）に関し、補強構体を、少なくとも１つの一体化したアンカー状部分（１１０ａ，１１０ｂ）を有する少なくとも１つの補強素子（１１０，１１８）とする。
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【課題】本発明の目的は、製造から実装までの工程を効率的に行うことができる電子部品及び半導体装置、その製造方法及び実装方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近くて応力吸収層を有し、パターニングされたフレキシブル基板を省略でき、かつ、複数の部品を同時に製造することができる半導体装置である。ウエーハ１０に電極１２を形成する工程と、電極１２を避けてウエーハ１０に応力緩和層としての樹脂層１４を設ける工程と、電極１２から樹脂層１４の上にかけて配線としてのクローム層１６を形成する工程と、樹脂層１４の上方でクローム層１６に外部電極としてのハンダボールを形成する工程と、ウエーハ１０を個々の半導体チップに切断する工程と、を有し、クローム層１６及びハンダボールの形成工程には、ウエーハプロセスにおける金属薄膜形成技術が適用される。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。
【解決手段】一方の主面１１ａに電極部１１ｂを配列した半導体装置１１と、半導体装置１１の電極部１１ｂとはんだバンプ１２により電気的に接続される基板電極部１３ａを有する回路基板１３とを備え、回路基板１３は、半導体装置１１の当該回路基板１３に対する投影面の外周１３ｂの少なくとも一部に形成され、当該半導体装置１１側表面１４ａにはんだ層１４ｂを有する固定電極部１４と、はんだ層１４ｂおよび半導体装置１１の側面１１ｃの少なくとも一部を接着する接着剤１５とを備えている。 （もっと読む）