【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接合して安定的な接続状態を形成する導電性接合構造を提供する。
【解決手段】 ランド状接続端子３ａと、ランド状接続端子３ａに付勢力を施してランド状接続端子３ａと電気的に接触するバネ状接触子２とを備え、ランド状接続端子３ａは、スパイラル状接触子２、板バネ形状接触子、コイルバネ形状接触子などのバネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ３ａｃが施され、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせることによって、接触面に金属間接合部９が生成され、電子部品３などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―Ａｇメッキ３ａｃとＡｕメッキ７ｂとの間に金属間接合部９を生成させ安定的に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】使用温度の変化が激しい環境下においても、クリープひずみによるクラック、金属結晶粒の粗大化によるクラック、を生じさせないはんだ接続信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、電子部品１と基板２とが接続部３によって電気的に接続され、前記接続部３を低融点はんだとすることにより、使用環境において液相状態になる。また、接続部流出防止層４を設け、接続部３が溶融した際の体積膨張を吸収させる。 （もっと読む）

【課題】仮にプリント配線基板が反った場合であっても、電子装置とプリント配線基板との間を電気的に確実に接続することができるとともに、不所望な異方導電性シートの導電部の損傷を防止することができること。
【解決手段】プリント配線基板１０上に固定される電極端子支持体１４と、電極端子支持体１４上に位置決めされ半導体装置ＤＶが載置される異方導電性シート１６とが、第１の補強板２０と第２の補強板１２との間に配された状態で、第１の補強板２０および第２の補強板１２が、電極端子支持体１４、異方導電性シート１６およびプリント配線基板１０を介して小ネジ２２により締結されるもの。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板に接合する際の半導体素子の損傷を抑えながら、半導体素子から基板への高い放熱性と、強固な接合性とを達成することができる実装構造体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４の端子５と、基板２の電極３とが対向した状態で、接合部６により接合されて、半導体素子４が基板２に実装される。接合部６は、バルク金属材料からなるバンプ８と、金属粒子１６の焼結体１２とから構成される。端子５と、電極３とはそれぞれバンプ８および焼結体１２の両方と直接に接触しており、その両方を通じての半導体素子４からの基板２への放熱が可能となる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基部、センサダイ、隔離プレートおよびパッケージ・インターフェース・プレートを備えるパッケージ組立体を提供する。
【解決手段】隔離プレート１０４は、センサダイ１０２に接合され、複数の可撓性ビームを有する。各可撓性ビームは応力を受けて撓むように構成され、それによってセンサダイ１０２に対するパッケージ基部１０８とセンサダイ１０２の間の熱的不整合の影響が低減される。パッケージ・インターフェース・プレート１０６は、隔離プレート１０４およびパッケージ基部１０８に接合される。パッケージ・インターフェース・プレート１０６は、各可撓性ビームが撓むことができる最大距離を制限するように構成される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ−Ａｌの拡散による強度劣化がなく、Ａｕ／Ａｌ接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でＡｌ電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。
【解決手段】半導体装置の第１の部品１と第２の部品２２の実装方法において、第１面とそれと反対側に位置する第２面を有するＡｌペレット５を供給する工程、第１の部品１上にＡｌペレット５の第１面を接触させた状態にＡｌペレット５を配置する工程、第２の部品２をＡｌペレット５の第２面に接触させた状態にＡｌペレット５上に配置する工程、及び、所定の条件下で超音波エネルギーを付与して第１の部品１とＡｌペレット５の第１面並びに第２の部品２とＡｌペレット５の第２面を同一工程で接合する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】流動性のあるバンプ形成材料をバンプ形成対象面へ塗布し、これを乾燥・焼成してバンプを形成すると、その表面がメニスカス形状となる。その結果、バンプと半導体発光素子及び基板との接合箇所にムラが生じ、その結果、接合面積が不十分となり、接合強度が不足し、また半導体発光素子の放熱特性も低下するおそれがある。
【解決手段】半導体発光素子の電極へ金属粒子を分散したペースト状のバンプ形成材料を島状に積層して複数のバンプ形成材料塊を形成する。ここに、バンプ形成材料塊はその上面と下面で面積が異なり、かつその上面が実質的に平坦となるように形成される。次にこのバンプ形成材料塊を熱処理して固形のバンプとし、半導体発光素子の電極と基板とをバンプを介して固定する。 （もっと読む）

【課題】低弾性率、低スティフネス性（柔軟性）、吸湿半田耐熱性、熱ひずみによる応力緩和することでの金属接合信頼性向上を兼ね備えた回路基板に用いられる樹脂組成物を用いた金属張積層板を提供する。
【解決手段】絶縁層２３と、前記絶縁層２３の少なくとも一方の面側に金属箔が形成された金属張積層板であって、前記絶縁層２３の、２５℃における引張弾性率が０．１ＧＰａ以上、２ＧＰａ以下であり、２５℃からガラス転移温度までの前記絶縁層２３の面内方向の線膨張係数が２０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする金属張積層板である。 （もっと読む）

【課題】回路基板と電子部品との接合あるいは、電極の上へのバンプ形成を接合材料の供給量ばらつきに関わらず、半田オープン、ショート不良のない、安定した品質で量産が行える接合装置および方法を提供する。
【解決手段】回路基板１の上に流動体４を供給した後、供給された流動体４に含まれている導電性粒子３の量をカメラ２２の撮影データを画像処理して測定し、測定した数値に基づき、接合工程における第１電極２と第２電極６との隙間の値を適正値に制御して、生産条件に反映させる。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の樹脂の膨らみを吸収することにより、導電膜の幅の広がりを防止することができ、隣接する導電膜間の間隔を十分に確保することができ、導電膜を構成する金属によるマイグレーションが生じる虞が無く、ショート不良等が発生する虞の無い電子部品と可撓性基板との実装構造体を提供する。
【解決手段】本発明の実装構造体は、フレキシブル基板上に電子部品が加圧加熱により接着固定されて一体化された構成であり、この電子部品のバンプ電極２３は、断面略蒲鉾状の突条の内部樹脂２４がコアとされ、この内部樹脂２４の外周面の長手方向に沿う帯状の導電膜を形成すべき複数箇所の両端部それぞれには、周方向に延在する溝２５が形成され、この溝２５を含む内部樹脂２４上には、中央部が半円筒状とされ、この半円筒状の両端部が溝２５の形状に沿って縮径されたつば状とされている導電膜２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子が搭載された電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に形成され突起状端子を介して基板３０に電気的に接続された基板１０とを有し、突起状端子は、基板３０側の端部に導電性の被膜２２を有する炭素元素の線状構造体の束２０と、基板１０側の端部に導電性の被膜を有する炭素元素の線状構造体の束３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる半導体パッケージの提供。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電極部材間の不正確な位置合わせや位置ずれ等に起因する電気的接続不良の発生を防止することができるとともに生産コストを低減することができる半導体装置の組み立て方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板側電極パッド１１とチップ側電極パッド２１を間に半田バンプ２２を介在させた状態で接触させた後（ステップＳＴ１）、半田の融点未満の温度で加熱し、半田バンプ２２を軟化させて両電極パッド１１，２１を仮接合させる（ステップＳＴ２）。そして、両電極パッド１１，２１が軟化した半田バンプ２２によって仮接合された基板１０と半導体チップ２０の間にフラックス等の還元作用を有する接合材料を注入したら（ステップＳＴ３）、半田の融点以上の温度で加熱し、半田バンプ２２を溶融させて両電極パッド１１，２１を接合させる（ステップＳＴ４）。 （もっと読む）

【課題】 裏面がＣＭＰ処理による鏡面状平面にされたウエハ上に、ＷＬＰＴＳＶ技術を活用したコネクタを作り込んで個片に切断することで大量生産されるスルーシリコンビア構造を有するウエハーレベルコネクタ。
【解決手段】 ウエハ上に直接コネクタを作り込み、各コネクタ間をダイシングして切断し、接続端子となるウエハ裏面をウエハレベルでＣＭＰ処理による鏡面状平面に仕上げることによって、大量生産を可能とし画期的な生産性を有するとともに、コネクタは、１０ＭＰａ程度の付勢力を発生するスパイラル状接触子と接続端子との間に１００℃程度の低温加熱をすることで金属接合が起きる。このようなＷＬＰＴＳＶ技術を活用した実装に係り、特に液晶パネルやカメラモジュール、ＩＣ、ＬＳＩ等の実装用や実装基板同士の接合を仲介する、ＴＳＶ構造を有するウエハーレベルコネクタ。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアを設けることなく、半導体基板のバルク自身をチップ相互間の電気的結合手段とする積層チップにおいて、第２のチップの半導体基板の裏面と第１のチップの電極との間の接触抵抗を抑制する。
【解決手段】基板の一側の面（表面）に複数個の第１の電極を備えた第１のチップと、導電性の半導体基板の表面に半導体素子、及び基板の表面の第１の電極に対応する位置に各々第２の電極を備えた第２のチップとを含み、第２のチップの裏面には、導電性樹脂層が形成され、第１のチップの第１の電極と、第２のチップの他側の面（裏面）とが、第２のチップの裏面の導電性樹脂層を介して接着されて積層形成され、第１、前記第２の電極、及び第１と第２の電極に挟まれた第２のチップの基板内部の領域を、基板に貫通ビアを設けることなく、第１及び前記第２のチップ間の電気的結合手段とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の表面に設けられた薄い絶縁層は表面に銅やアルミニウムのランドからなる金属端子が一定ピッチで配置される。半導体素子を構成するシリコンの線膨張係数よりも銅やアルミニウムの線膨張係数は高く、半導体の動作によって絶縁層近傍の温度が変化した場合に絶縁層にシリコンとランドの熱変形差に起因する応力が発生し絶縁層破壊が生じることから、絶縁層に発生する応力を低減し信頼性を確保する新規な構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１と基板６をはんだ接続する際、はんだ５内部により剛性の大きい材料の球形コア４を配置し、１ＧＰａ＜封止樹脂のヤング率＜３０ＧＰａ、２０ｐｐｍ／ｋ＜封止樹脂の線膨張係数＜２００ｐｐｍ／ｋ、１０ＭＰａ＜室温におけるはんだの降伏応力＜３０ＭＰａとすることで、絶縁層２に発生する応力を低減する。 （もっと読む）

【課題】 半導体パッケージのパッケージ基板と、当該パッケージ基板が実装される配線基板との間に介在される電気接続用の中継部材であって、接続信頼性の向上を図ることができる中継部材を提供する。
【解決手段】 電子部品５６が搭載されるパッケージ基板５０と、前記パッケージ基板５０が実装される配線基板７０との間に介在して設けられる中継部材６０は、当該中継部材６０の一方の主面に設けられ、前記パッケージ基板５０の面接続端子５７と接続する平坦な電極パッド６３と、前記電極パッド６３に導通し、当該中継部材６０の他方の主面に塑性変形可能に設けられ、前記配線基板７０の電極端子７１に接続する複数の金属端子部６４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線基板の搭載面との間隔が狭くなったとき、液状のアンダーフィル剤が半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に進入し難い従来の半導体装置の課題を解決する。
【解決手段】半導体素子１０の外周縁から露出する搭載面がソルダーレジスト層２０によって覆われ、液状のアンダーフィル剤の滴下が開始される滴下開始箇所の配線基板１２の搭載面を覆うソルダーレジスト層２０の一部が半導体素子１４で覆われた配線基板１２の領域内に延出され、前記滴下開始個所及びその近傍の半導体素子１２とソルダーレジスト層２０の延出部２０ａとの間隔が、前記滴下開始箇所に滴下したアンダーフィル剤の液滴が毛細管現象によって前記間隙内に吸い込まれるように、半導体素子１４と配線基板１２の搭載面との間隔よりも狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰやＢＧＡの高密度実装を安価で実現することができる半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】複数の外部電極２１を有する半導体装置１１と、外部電極２１に対向配置する電極パッド１５を有する多層基板１３と、半導体装置１１と多層基板１３との間に設けられた薄基板１２とを有し、その薄基板１２が貫通スルーホール１６を有し、外部電極２１と電極パッド１５とが貫通スルーホール１６を介して接合材料１４で接合され、その貫通スルーホール１６の一部（例えば１６ｃ，１６ｄ）から配線１７（例えば１７ｃ，１７ｄ）が引き出されているように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を半導体キャリアに接合したフリップチップ方式の半導体装置において、半導体素子と半導体キャリアとの間の接合不良を防止して実装信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】半導体キャリア６の上面に配置された複数の電極部４及び５に対して導電性を有する複数の突起電極２を介して、半導体素子１が電気的に接続されている。半導体キャリアの上面において各電極部４及び５は等間隔で配置されている。半導体素子１と半導体キャリア６との隙間には絶縁性樹脂３が充填されている。尚、半導体素子１は、半導体キャリア６の上面上にフェイスダウンで搭載されていると共に例えば熱硬化性樹脂等の絶縁性樹脂１３によって覆われている。 （もっと読む）