半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
【課題】熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる半導体パッケージの提供。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベースフィルム上に半導体チップが搭載された半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体パッケージとしてのＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージが記載されている。
【０００３】
このＣＯＦパッケージによると、チップが接続されるバンプの内側エリアには、複数個のダミーバンプが突設されている。そして、インナーリードの先端側の内側エリアには複数個のダミーインナーリードが設けられ、各ダミーバンプと各ダミーインナーリードとを正規のバンプと正規のインナーリードのインナーリードボンディング時に同時に熱圧着するようになっている。
【０００４】
これにより、加熱によるキャリアテープの反りに伴って発生するストレスがダミーバンプとダミーインナーリードに分散される。このため、大きなストレスを分散して小さくすることができ、インナーリードとバンプとの接合部が剥離したり、インナーリードが断線したり、インナーリードと本体との接着界面が剥離したりする不良を防止リすることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２４７５３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体パッケージとしてのＣＯＦパッケージのファインピッチ化に伴い、ピッチの距離だけでなくインナーリードとパンプも微細にする必要性が生じてきた。そこで、微細なインナーリードと微細なパンプを接着させるには、加熱した状態で荷重を行い、その後、全体を冷却する必要がある。
【０００７】
つまり、バンプの付いた半導体チップとインナーリードの付いたベースフィルムがそれぞれ加熱され膨張している状態で荷重がかけられる。加熱と荷重によってインナーリードとバンプ間に共晶結合ができ、インナーリードとバンプは接着される。その後、インナーリードとバンプによって接着したベースフィルムと半導体チップ全体を冷却し、その冷却によりベースフィルムと半導体チップのシリコンが収縮する。
【０００８】
ここで、ベースフィルムとシリコンは熱膨張係数が異なるため、互いに収縮する量が異なり、シリコンに対し熱膨張係数が大きいベースフィルムは、半導体チップより多く収縮する。この結果、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られ、インナーリードに接着していたバンプも引っ張られることになる。特に、バンプの真ん中付近に存在するインナーリードは、ベースフィルムの収縮による影響を他の部分より受けやすくなる。
【０００９】
一方、従来のファインピッチでない場合はバンプの幅を広く設けることができるため、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られても耐性が強くバンプの変形に影響を与えることはなかった。
【００１０】
しかし、ファインピッチになることで、バンプの幅が小さくなり、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られ、バンプが傾いてしまう。場合によっては、インナーリードがバンプと共に倒れてしまったり、インナーリードがバンプから落ちたりすることが起こる場合がある。
【００１１】
このように、バンプと共にインナーリードが傾くことで、所望の間隔が維持できなくなる。そして、隣接するインナーリードやバンプとの距離が短くなり、インナーリードの配列方向の樹脂厚が薄くなってしまう。樹脂が薄くなると、絶縁性を十分確保できない可能性が出てくる。
【００１２】
一方、断面で考えると、バンプの形状が変わらない場合と比べて、インナーリードに引っ張られてバンプの形状が変わった場合は、バンプとインナーリードの高さが低くなる。つまり、半導体チップとベースフィルムの間が狭くなるため、樹脂を流し込む部分の体積が小さくなってしまい、樹脂が十分に充填できず、隣接するインナーリード間の絶縁性が低下することが考えられる。
【００１３】
また、バンプが傾くことで、半導体チップとバンプで構成される角部は鋭角となり、この鋭角の部分には樹脂が埋め込みにくく、空洞ができてしまう可能性がある。空洞ができると樹脂の亀裂の原因にもなり、絶縁破壊も起こりやすくなり、樹脂による絶縁性が低下する。
【００１４】
さらに、バンプが大きく傾くことによりリードの脱落等が起こり、脱落したリードが隣接するインナーリードやバンプと接触してしまうことがあり、その場合にはリード端子間でショートしてしまう。
【００１５】
これらのように、インナーリードが引っ張られバンプごと傾いてしまうと、高い信頼性が保てなくなってしまう。
【００１６】
本発明は、上記事実を考慮して、熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１に係る半導体パッケージは、ベースフィルムと、前記ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される半導体チップと、前記ベースフィルム上に形成され、前記チップ搭載部に入り込む複数本のインナーリードと、前記半導体チップに形成された電極パッドと前記チップ搭載部に入り込んだ前記インナーリードの基端側を電気的に接続する金属バンプと、前記金属バンプと接続される前記インナーリードの先端側と前記半導体チップを接合すると共に、前記金属バンプと離れて設けられる補強バンプと、前記半導体チップ及びインナーリードを封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、半導体チップは、ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される。そして、ベースフィルム上に形成されたインナーリードが、チップ搭載部に入り込み、チップ搭載部に入り込んだインナーリードの基端側が、半導体チップに形成された電極パッドと金属バンプを介して電気的に接続されている。
【００１９】
また、金属バンプと離れて設けられた補強バンプは、チップ搭載部に入り込んだインナーリードの先端側と半導体チップを接合しており、さらに、封止樹脂が、半導体チップ及びインナーリードを封止している。
【００２０】
このように、補強バンプによってインナーリードと半導体チップが接合されることで、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって金属バンプに作用する引張力は、補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【００２１】
本発明の請求項２に係る半導体パッケージは、請求項１に記載において、夫々の前記インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、前記インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に千鳥状に配置され、前記金属バンプと比較して、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２２】
上記構成によれば、インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、千鳥状に配置され、金属バンプと比較して、インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に広くされている。
【００２３】
つまり、補強バンプは、交差方向において広い範囲で半導体チップと接触しており、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、補強バンプがインナーリードによって引っ張られても補強バンプが傾くのが抑制される。そして、補強バンプが傾くのが抑制されることで、半導体チップとベースフィルムの間が狭くなるのが防止され、半導体チップとベースフィルムの間に封止樹脂が充分流れ込む。
【００２４】
このように、半導体チップとベースフィルムの間に封止樹脂が充分流れ込むことで、隣接するインナーリード間の絶縁性を向上させることができる。
【００２５】
本発明の請求項３に係る半導体パッケージは、請求項２に記載において、前記インナーリードにおける前記補強バンプとの接合部は、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２６】
上記構成によれば、インナーリードにおける補強バンプとの接合部が、交差方向に広くされている。
【００２７】
つまり、インナーリードの接合部を交差方向に広くすることで、インナーリードと補強バンプの接合面積を増やすことができ、金と錫の結晶量を増やし、インナーリードと補強バンプの接合強度を向上させることができる。
【００２８】
本発明の請求項４に係る半導体パッケージは、請求項１〜３何れか１項に記載において、夫々の前記インナーリードに接続された金属バンプは、前記交差方向に千鳥状に配置され、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、夫々のインナーリードに接続された金属バンプは、千鳥状に配置されている。金属バンプを千鳥状に配置することで、金属バンプを交差方向に広げることで金属バンプが傾くのが防止され、さらに、半導体パッケージのファインピッチ化に伴いインナーリード間のピッチが狭くなっても、インナーリード間の絶縁品質を充分確保することができる。
【００３０】
本発明の請求項５に係る半導体パッケージは、請求項１〜４何れか１項に記載において、前記金属バンプは前記半導体チップの外周側に配置され、前記補強バンプは前記金属バンプより前記半導体チップの内側に配置されることを特徴とする。
【００３１】
上記構成によれば、金属バンプは半導体チップの外周側に配置され、補強バンプは金属バンプより半導体チップの内側に配置されている。この構成により、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって半導体チップの外周側に配置された金属バンプに作用する引張力は、半導体チップの内側に配置された補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【００３２】
本発明の請求項６に係る半導体パッケージの製造方法は、複数本のインナーリードが形成されたベースフィルムに半導体チップを搭載して半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、前記半導体チップに、前記半導体チップに形成された電気パッドと前記インナーリードを電気的に接続する金属バンプを形成すると共に、前記金属バンプから離間させて前記電極パッドと電気的に接続されない補強バンプを形成する工程と、前記ベースフィルムと前記半導体チップを加熱した状態で、前記ベースフィルム上に形成された前記インナーリードと前記金属バンプ及び前記補強バンプを接続することで、前記ベースフィルムに前記半導体チップを搭載する工程と、前記ベースフィルムと、前記ベースフィルムに搭載された前記半導体チップを冷却する工程と、を備えることを特徴とする。
【００３３】
上記構成による半導体パッケージの製造方法よれば、先ず、半導体チップに、電極パッドとインナーリードを電気的に接続する金属バンプが形成され、さらに、金属バンプから離間して電極パッドと電気的に接続されない補強バンプが形成される。
【００３４】
次に、ベースフィルムと半導体チップを加熱した状態で、ベースフィルム上に形成されたインナーリードと金属バンプ及び補強バンプを接続し、ベースフィルムに半導体チップを搭載する。さらに、ベースフィルムと、ベースフィルムに搭載された半導体チップを冷却する。
【００３５】
このように、加熱された状態でベースフィルムと半導体チップが接続され、搭載後に冷却されることで、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって金属バンプが引っ張られ、金属バンプが傾く力が作用する。しかし、インナーリードには、補強バンプも接続されているため、インナーリードによって金属バンプに作用する引張力は、補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージを示した断面図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージの全体を示した断面図及び平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の第１実施形態に係る半導体パッケージの一例について図１〜図３に従って説明する。
【００３９】
（全体構成）
図３（Ａ）（Ｂ）に示されるように、半導体パッケージとしてのＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージ１０には、帯状で可撓性を有するベースフィルム１２が設けられ、このベースフィルム１２の両側には、フィルム送り用のスプロケット１４が所定間隔を空けて送り方向に沿って設けられている。
【００４０】
なお、図３では、帯状のベースフィルム１２内の１個のＣＯＦパッケージ１０のみが示されている。
【００４１】
さらに、両側のスプロケット１４間のほぼ中央部には、半導体チップ２６が搭載される平面視矩形状のチップ搭載部１６は、ベースフィルム１２を覆うように設けられたソルダレジスト２０を剥ぎ取って設けられている。このチップ搭載部１６には、ベースフィルムとソルダレジスト２０との間に形成された複数本のインナーリード１８の先端側が入り込んでいる。なお、隣接するインナーリード１８同士のピッチは２６μｍ以下とされている。
【００４２】
また、チップ搭載部１６に対して一側（図３（Ｂ）で示す上側）に延びるインナーリード１８の後端部は、ソルダレジスト２０から露出し、列状に配置された矩形状の入力端子２２に接続されている。
【００４３】
これに対し、チップ搭載部１６に対して他側（図３（Ｂ）で示す下側）に延びるインナーリード１８の後端部は、ソルダレジスト２０から露出し、列状に配置された矩形状の出力端子２４に接続されている。
【００４４】
そして、ベースフィルム１２のチップ搭載部１６には、半導体チップ２６がフリップチップ方式で実装されている。
【００４５】
詳細には、ベースフィルム１２と対向する半導体チップ２６の対向面には、電極パッド３０が配置され、電極パッド３０からは、電極パッド３０とインナーリード１８を電気的に接続する金属バンプの一例としての金バンプ３２が設けられている。なお、本実施形態では、金バンプ３２の幅寸法は１６μｍ以下とされ、長さ寸法は６０μｍとされ、高さ寸法は１５μｍとされている。
【００４６】
金バンプ３２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着することで、インナーリード１８と金バンプ３２が、金と錫の共晶で金属接合する構成となっている。
【００４７】
さらに、半導体チップ２６の側面側から、チップ搭載部１６と半導体チップ２６との間へ溶融された封止樹脂３６を注入し、封止樹脂３６を固化させることで、チップ搭載部１６と半導体チップ２６の側面が封止され、インナーリード１８及び金バンプ３２等が保護されるようになっている。
【００４８】
（要部構成）
図１、図２に示されるように、金バンプ３２を介して半導体チップ２６の電極パッド３０（図３（Ａ）参照）と接続されるインナーリード１８の先端側は、チップ搭載部１６の中央側に向って延びている。そして、インナーリード１８の先端側は、半導体チップ２６のインナーリード１８側であって、金バンプ３２と離れて設けられた補強バンプ４０と接合されている。
【００４９】
この補強バンプ４０の幅寸法は１６μｍ以下とされ、長さ寸法は５０μｍとされ、高さ寸法は１５μｍとされている。また、補強バンプ４０は、金バンプ３２から２０μｍ以上距離を空けて配置され、半導体チップ２６の絶縁膜（図示省略）上に設けられており、さらに、半導体チップ２６の電極の有無に関係なく配置されている。なお、補強バンプ４０が載置される半導体チップ２６の載置部に配線がある場合、凹凸の影響で共晶状態が変わるため、配線がある部分には補強バンプ４０を設けないようにするのが好ましい。
【００５０】
そして、金バンプ３２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着するときに、一緒に補強バンプ４０をベースフィルム１２へ熱圧着することで、インナーリード１８と金バンプ３２が金と錫の共晶で金属接合するのと同時に、インナーリード１８と補強バンプ４０が金と錫の共晶で金属接合する構成となっている。
【００５１】
次に、ＣＯＦパッケージ１０の製造方法について説明する。
【００５２】
先ず、半導体チップ２６に、インナーリード１８と電極パッド３０を電気的に接続する金バンプ３２と、金バンプ３２から離間させて電極パッド３０と電気的に接続されない補強バンプを形成する。
【００５３】
次に、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を加熱した状態で、ベースフィルム１２上に形成されたインナーリード１８と金バンプ３２及び補強バンプ４０を接続し、ベースフィルム１２に半導体チップを搭載する。
【００５４】
次に、半導体チップ２６の側面側から、チップ搭載部１６と半導体チップ２６との間へ溶融された封止樹脂３６を注入して、ベースフィルム１２とベースフィルム１２に搭載された半導体チップ２６を冷却して封止樹脂３６を固化させる。これにより、ＣＯＦパッケージ１０を製造する。
【００５５】
（作用・効果）
ＣＯＦパッケージ１０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８間のピッチの距離だけでなくインナーリード１８と金バンプ３２も微細にする必要性が生じている。そこで、微細なインナーリード１８と微細な金バンプ３２を接着させるには、前述したように、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を加熱した状態で荷重を付加し、その後、全体を冷却する。
【００５６】
ここで、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、ベースフィルム１２と半導体チップ２６で冷却時に収縮する量が相違する。つまり、シリコン材料に対し熱膨張係数が大きいベースフィルム１２は、半導体チップ２６より多く収縮する。
【００５７】
ベースフィルム１２が、半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られることになる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。
【００５８】
しかし、前述したように、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されている。これにより、成型後の冷却時における熱収縮時にインナーリード１８によって金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【００５９】
また、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部を確保することで、半導体チップ２６からインナーリード１８が剥がれるのを防止することができる。
【００６０】
また、補強バンプ４０を金バンプ３２から２０μｍ以上距離を空けて配置することで、封止樹脂が流れ込む空間を確保することができ、金―錫共晶による広がりにより懸念される絶縁性の低下を抑制することができる。
【００６１】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、隣接するインナーリード間が、所定距離保たれるようになり、ＣＯＦパッケージ１０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８と金バンプ３２を微細にしても絶縁性の低下等の不良を防止することができる。
【００６２】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、インナーリード１８が金バンプ３２と共に倒れてしまったり、インナーリード１８が金バンプ３２から落ちたりするのを防止することができる。
【００６３】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、隣接するインナーリード１８間に封止樹脂を充分充填することで、絶縁性を確保することができる。
【００６４】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、インナーリード１８と半導体チップ２６との間に封止樹脂を充分充填することで、絶縁性の低下を抑制することができる。
【００６５】
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、インナーリード１８の先端側を延長して延長上に補強バンプ４０を配置してインナーリード１８と補強バンプ４０を接合したが、インナーリードの先端側と接合可能な中央バンプを接合でもよく、また、延長上は直線ではなくてもよく、インナーリードの先端側と接合されるバンプは、金バンプと離れていればよい。
【００６６】
次に本発明の第２実施形態に係るＣＯＦパッケージ５０の一例について図４に従って説明する。
【００６７】
なお、第１実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】
図４に示されるように、この実施形態では第１実施形態と違い、インナーリード１８の先端側に設けられる補強バンプ５２は、インナーリード１８の延伸方向と交差する交差方向に対して千鳥状に配置されている。
【００６９】
千鳥状に配置することで、平面視で補強バンプ５２を交差方向に幅方向に広くすることができる。これにより、補強バンプ５２の幅寸法（交差方向の寸法）は１９μｍとされ、金バンプ３２に比べて幅広とされている。また、各バンプ間の距離は、２０μｍ以上空けられている。
【００７０】
このように、補強バンプ５２の配置を千鳥状とすることで、補強バンプ５２の幅寸法を広くすることができ、補強バンプ５２が倒れるのを効果的に抑制することができる。
【００７１】
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では特に限定しなかったが、補強バンプ５２を平面視で半導体チップ２６のエッジより幅広としてもよい。
【００７２】
次に本発明の第３実施形態に係るＣＯＦパッケージ６０の一例について図５に従って説明する。
【００７３】
なお、第２実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７４】
図５に示されるように、この実施形態では第２実施形態と違い、インナーリード６２における補強バンプ５２との接合部６２Ａが、一般部に比べ幅方向に広くされている。
【００７５】
つまり、インナーリード６２の接合部６２Ａを幅方向に広くすることで、インナーリード６２と補強バンプ５２の接合面積を増やすことができ、金と錫の結晶量を増やし、インナーリード６２と補強バンプ５２の接合強度を向上させることができる。
【００７６】
次に本発明の第４実施形態に係るＣＯＦパッケージ７０の一例について図６に従って説明する。
【００７７】
なお、第２実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７８】
図６に示されるように、この実施形態では第２実施形態と違い、インナーリード１８と電極パッド３０を電気的に接続する金バンプ７２は、インナーリード１８の延伸方向と交差する交差方向に対して千鳥状に配置され、金バンプ７２の幅寸法は１９μｍとされている。また、また、各バンプ間の距離は、２０μｍ以上空けられている。
【００７９】
ＣＯＦパッケージ６０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８と金バンプ７２を微細にする必要性が生じても、前述したように、金バンプ７２を千鳥状に配置することで、金バンプ７２の幅寸法を広げることができ、これにより、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【００８０】
また、金バンプ７２の幅寸法が広がることで、金バンプ７２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着するときに、高荷重による熱圧着（ボンド）が可能となり、金と錫の共晶量を充分確保することができ、インナーリード１８と金バンプ７２の引き剥がし強度を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
１２ ベースフィルム
１６ チップ搭載部
１８ インナーリード
２６ 半導体チップ
３０ 電極パッド
３２ 金バンプ（金属バンプ）
３６ 封止樹脂
４０ 補強バンプ
５０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
５２ 補強バンプ
６０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
６２ インナーリード
６２Ａ 接合部
７０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
７２ 金バンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベースフィルム上に半導体チップが搭載された半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体パッケージとしてのＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージが記載されている。
【０００３】
このＣＯＦパッケージによると、チップが接続されるバンプの内側エリアには、複数個のダミーバンプが突設されている。そして、インナーリードの先端側の内側エリアには複数個のダミーインナーリードが設けられ、各ダミーバンプと各ダミーインナーリードとを正規のバンプと正規のインナーリードのインナーリードボンディング時に同時に熱圧着するようになっている。
【０００４】
これにより、加熱によるキャリアテープの反りに伴って発生するストレスがダミーバンプとダミーインナーリードに分散される。このため、大きなストレスを分散して小さくすることができ、インナーリードとバンプとの接合部が剥離したり、インナーリードが断線したり、インナーリードと本体との接着界面が剥離したりする不良を防止リすることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２４７５３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体パッケージとしてのＣＯＦパッケージのファインピッチ化に伴い、ピッチの距離だけでなくインナーリードとパンプも微細にする必要性が生じてきた。そこで、微細なインナーリードと微細なパンプを接着させるには、加熱した状態で荷重を行い、その後、全体を冷却する必要がある。
【０００７】
つまり、バンプの付いた半導体チップとインナーリードの付いたベースフィルムがそれぞれ加熱され膨張している状態で荷重がかけられる。加熱と荷重によってインナーリードとバンプ間に共晶結合ができ、インナーリードとバンプは接着される。その後、インナーリードとバンプによって接着したベースフィルムと半導体チップ全体を冷却し、その冷却によりベースフィルムと半導体チップのシリコンが収縮する。
【０００８】
ここで、ベースフィルムとシリコンは熱膨張係数が異なるため、互いに収縮する量が異なり、シリコンに対し熱膨張係数が大きいベースフィルムは、半導体チップより多く収縮する。この結果、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られ、インナーリードに接着していたバンプも引っ張られることになる。特に、バンプの真ん中付近に存在するインナーリードは、ベースフィルムの収縮による影響を他の部分より受けやすくなる。
【０００９】
一方、従来のファインピッチでない場合はバンプの幅を広く設けることができるため、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られても耐性が強くバンプの変形に影響を与えることはなかった。
【００１０】
しかし、ファインピッチになることで、バンプの幅が小さくなり、ベースフィルムの収縮によってインナーリードが引っ張られ、バンプが傾いてしまう。場合によっては、インナーリードがバンプと共に倒れてしまったり、インナーリードがバンプから落ちたりすることが起こる場合がある。
【００１１】
このように、バンプと共にインナーリードが傾くことで、所望の間隔が維持できなくなる。そして、隣接するインナーリードやバンプとの距離が短くなり、インナーリードの配列方向の樹脂厚が薄くなってしまう。樹脂が薄くなると、絶縁性を十分確保できない可能性が出てくる。
【００１２】
一方、断面で考えると、バンプの形状が変わらない場合と比べて、インナーリードに引っ張られてバンプの形状が変わった場合は、バンプとインナーリードの高さが低くなる。つまり、半導体チップとベースフィルムの間が狭くなるため、樹脂を流し込む部分の体積が小さくなってしまい、樹脂が十分に充填できず、隣接するインナーリード間の絶縁性が低下することが考えられる。
【００１３】
また、バンプが傾くことで、半導体チップとバンプで構成される角部は鋭角となり、この鋭角の部分には樹脂が埋め込みにくく、空洞ができてしまう可能性がある。空洞ができると樹脂の亀裂の原因にもなり、絶縁破壊も起こりやすくなり、樹脂による絶縁性が低下する。
【００１４】
さらに、バンプが大きく傾くことによりリードの脱落等が起こり、脱落したリードが隣接するインナーリードやバンプと接触してしまうことがあり、その場合にはリード端子間でショートしてしまう。
【００１５】
これらのように、インナーリードが引っ張られバンプごと傾いてしまうと、高い信頼性が保てなくなってしまう。
【００１６】
本発明は、上記事実を考慮して、熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１に係る半導体パッケージは、ベースフィルムと、前記ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される半導体チップと、前記ベースフィルム上に形成され、前記チップ搭載部に入り込む複数本のインナーリードと、前記半導体チップに形成された電極パッドと前記チップ搭載部に入り込んだ前記インナーリードの基端側を電気的に接続する金属バンプと、前記金属バンプと接続される前記インナーリードの先端側と前記半導体チップを接合すると共に、前記金属バンプと離れて設けられる補強バンプと、前記半導体チップ及びインナーリードを封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、半導体チップは、ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される。そして、ベースフィルム上に形成されたインナーリードが、チップ搭載部に入り込み、チップ搭載部に入り込んだインナーリードの基端側が、半導体チップに形成された電極パッドと金属バンプを介して電気的に接続されている。
【００１９】
また、金属バンプと離れて設けられた補強バンプは、チップ搭載部に入り込んだインナーリードの先端側と半導体チップを接合しており、さらに、封止樹脂が、半導体チップ及びインナーリードを封止している。
【００２０】
このように、補強バンプによってインナーリードと半導体チップが接合されることで、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって金属バンプに作用する引張力は、補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【００２１】
本発明の請求項２に係る半導体パッケージは、請求項１に記載において、夫々の前記インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、前記インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に千鳥状に配置され、前記金属バンプと比較して、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２２】
上記構成によれば、インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、千鳥状に配置され、金属バンプと比較して、インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に広くされている。
【００２３】
つまり、補強バンプは、交差方向において広い範囲で半導体チップと接触しており、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、補強バンプがインナーリードによって引っ張られても補強バンプが傾くのが抑制される。そして、補強バンプが傾くのが抑制されることで、半導体チップとベースフィルムの間が狭くなるのが防止され、半導体チップとベースフィルムの間に封止樹脂が充分流れ込む。
【００２４】
このように、半導体チップとベースフィルムの間に封止樹脂が充分流れ込むことで、隣接するインナーリード間の絶縁性を向上させることができる。
【００２５】
本発明の請求項３に係る半導体パッケージは、請求項２に記載において、前記インナーリードにおける前記補強バンプとの接合部は、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２６】
上記構成によれば、インナーリードにおける補強バンプとの接合部が、交差方向に広くされている。
【００２７】
つまり、インナーリードの接合部を交差方向に広くすることで、インナーリードと補強バンプの接合面積を増やすことができ、金と錫の結晶量を増やし、インナーリードと補強バンプの接合強度を向上させることができる。
【００２８】
本発明の請求項４に係る半導体パッケージは、請求項１〜３何れか１項に記載において、夫々の前記インナーリードに接続された金属バンプは、前記交差方向に千鳥状に配置され、前記交差方向に広くされることを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、夫々のインナーリードに接続された金属バンプは、千鳥状に配置されている。金属バンプを千鳥状に配置することで、金属バンプを交差方向に広げることで金属バンプが傾くのが防止され、さらに、半導体パッケージのファインピッチ化に伴いインナーリード間のピッチが狭くなっても、インナーリード間の絶縁品質を充分確保することができる。
【００３０】
本発明の請求項５に係る半導体パッケージは、請求項１〜４何れか１項に記載において、前記金属バンプは前記半導体チップの外周側に配置され、前記補強バンプは前記金属バンプより前記半導体チップの内側に配置されることを特徴とする。
【００３１】
上記構成によれば、金属バンプは半導体チップの外周側に配置され、補強バンプは金属バンプより半導体チップの内側に配置されている。この構成により、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって半導体チップの外周側に配置された金属バンプに作用する引張力は、半導体チップの内側に配置された補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【００３２】
本発明の請求項６に係る半導体パッケージの製造方法は、複数本のインナーリードが形成されたベースフィルムに半導体チップを搭載して半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、前記半導体チップに、前記半導体チップに形成された電気パッドと前記インナーリードを電気的に接続する金属バンプを形成すると共に、前記金属バンプから離間させて前記電極パッドと電気的に接続されない補強バンプを形成する工程と、前記ベースフィルムと前記半導体チップを加熱した状態で、前記ベースフィルム上に形成された前記インナーリードと前記金属バンプ及び前記補強バンプを接続することで、前記ベースフィルムに前記半導体チップを搭載する工程と、前記ベースフィルムと、前記ベースフィルムに搭載された前記半導体チップを冷却する工程と、を備えることを特徴とする。
【００３３】
上記構成による半導体パッケージの製造方法よれば、先ず、半導体チップに、電極パッドとインナーリードを電気的に接続する金属バンプが形成され、さらに、金属バンプから離間して電極パッドと電気的に接続されない補強バンプが形成される。
【００３４】
次に、ベースフィルムと半導体チップを加熱した状態で、ベースフィルム上に形成されたインナーリードと金属バンプ及び補強バンプを接続し、ベースフィルムに半導体チップを搭載する。さらに、ベースフィルムと、ベースフィルムに搭載された半導体チップを冷却する。
【００３５】
このように、加熱された状態でベースフィルムと半導体チップが接続され、搭載後に冷却されることで、ベースフィルムと半導体チップを構成するシリコン材料の熱収縮量の違いにより、インナーリードによって金属バンプが引っ張られ、金属バンプが傾く力が作用する。しかし、インナーリードには、補強バンプも接続されているため、インナーリードによって金属バンプに作用する引張力は、補強バンプへ分散され、金属バンプが傾くのを防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージを示した断面図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）本発明の第１実施形態に係るＣＯＦパッケージの全体を示した断面図及び平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るＣＯＦパッケージに採用されたインナーリード、金バンプ及び補強バンプ等を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の第１実施形態に係る半導体パッケージの一例について図１〜図３に従って説明する。
【００３９】
（全体構成）
図３（Ａ）（Ｂ）に示されるように、半導体パッケージとしてのＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージ１０には、帯状で可撓性を有するベースフィルム１２が設けられ、このベースフィルム１２の両側には、フィルム送り用のスプロケット１４が所定間隔を空けて送り方向に沿って設けられている。
【００４０】
なお、図３では、帯状のベースフィルム１２内の１個のＣＯＦパッケージ１０のみが示されている。
【００４１】
さらに、両側のスプロケット１４間のほぼ中央部には、半導体チップ２６が搭載される平面視矩形状のチップ搭載部１６は、ベースフィルム１２を覆うように設けられたソルダレジスト２０を剥ぎ取って設けられている。このチップ搭載部１６には、ベースフィルムとソルダレジスト２０との間に形成された複数本のインナーリード１８の先端側が入り込んでいる。なお、隣接するインナーリード１８同士のピッチは２６μｍ以下とされている。
【００４２】
また、チップ搭載部１６に対して一側（図３（Ｂ）で示す上側）に延びるインナーリード１８の後端部は、ソルダレジスト２０から露出し、列状に配置された矩形状の入力端子２２に接続されている。
【００４３】
これに対し、チップ搭載部１６に対して他側（図３（Ｂ）で示す下側）に延びるインナーリード１８の後端部は、ソルダレジスト２０から露出し、列状に配置された矩形状の出力端子２４に接続されている。
【００４４】
そして、ベースフィルム１２のチップ搭載部１６には、半導体チップ２６がフリップチップ方式で実装されている。
【００４５】
詳細には、ベースフィルム１２と対向する半導体チップ２６の対向面には、電極パッド３０が配置され、電極パッド３０からは、電極パッド３０とインナーリード１８を電気的に接続する金属バンプの一例としての金バンプ３２が設けられている。なお、本実施形態では、金バンプ３２の幅寸法は１６μｍ以下とされ、長さ寸法は６０μｍとされ、高さ寸法は１５μｍとされている。
【００４６】
金バンプ３２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着することで、インナーリード１８と金バンプ３２が、金と錫の共晶で金属接合する構成となっている。
【００４７】
さらに、半導体チップ２６の側面側から、チップ搭載部１６と半導体チップ２６との間へ溶融された封止樹脂３６を注入し、封止樹脂３６を固化させることで、チップ搭載部１６と半導体チップ２６の側面が封止され、インナーリード１８及び金バンプ３２等が保護されるようになっている。
【００４８】
（要部構成）
図１、図２に示されるように、金バンプ３２を介して半導体チップ２６の電極パッド３０（図３（Ａ）参照）と接続されるインナーリード１８の先端側は、チップ搭載部１６の中央側に向って延びている。そして、インナーリード１８の先端側は、半導体チップ２６のインナーリード１８側であって、金バンプ３２と離れて設けられた補強バンプ４０と接合されている。
【００４９】
この補強バンプ４０の幅寸法は１６μｍ以下とされ、長さ寸法は５０μｍとされ、高さ寸法は１５μｍとされている。また、補強バンプ４０は、金バンプ３２から２０μｍ以上距離を空けて配置され、半導体チップ２６の絶縁膜（図示省略）上に設けられており、さらに、半導体チップ２６の電極の有無に関係なく配置されている。なお、補強バンプ４０が載置される半導体チップ２６の載置部に配線がある場合、凹凸の影響で共晶状態が変わるため、配線がある部分には補強バンプ４０を設けないようにするのが好ましい。
【００５０】
そして、金バンプ３２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着するときに、一緒に補強バンプ４０をベースフィルム１２へ熱圧着することで、インナーリード１８と金バンプ３２が金と錫の共晶で金属接合するのと同時に、インナーリード１８と補強バンプ４０が金と錫の共晶で金属接合する構成となっている。
【００５１】
次に、ＣＯＦパッケージ１０の製造方法について説明する。
【００５２】
先ず、半導体チップ２６に、インナーリード１８と電極パッド３０を電気的に接続する金バンプ３２と、金バンプ３２から離間させて電極パッド３０と電気的に接続されない補強バンプを形成する。
【００５３】
次に、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を加熱した状態で、ベースフィルム１２上に形成されたインナーリード１８と金バンプ３２及び補強バンプ４０を接続し、ベースフィルム１２に半導体チップを搭載する。
【００５４】
次に、半導体チップ２６の側面側から、チップ搭載部１６と半導体チップ２６との間へ溶融された封止樹脂３６を注入して、ベースフィルム１２とベースフィルム１２に搭載された半導体チップ２６を冷却して封止樹脂３６を固化させる。これにより、ＣＯＦパッケージ１０を製造する。
【００５５】
（作用・効果）
ＣＯＦパッケージ１０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８間のピッチの距離だけでなくインナーリード１８と金バンプ３２も微細にする必要性が生じている。そこで、微細なインナーリード１８と微細な金バンプ３２を接着させるには、前述したように、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を加熱した状態で荷重を付加し、その後、全体を冷却する。
【００５６】
ここで、ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、ベースフィルム１２と半導体チップ２６で冷却時に収縮する量が相違する。つまり、シリコン材料に対し熱膨張係数が大きいベースフィルム１２は、半導体チップ２６より多く収縮する。
【００５７】
ベースフィルム１２が、半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られることになる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。
【００５８】
しかし、前述したように、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されている。これにより、成型後の冷却時における熱収縮時にインナーリード１８によって金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【００５９】
また、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部を確保することで、半導体チップ２６からインナーリード１８が剥がれるのを防止することができる。
【００６０】
また、補強バンプ４０を金バンプ３２から２０μｍ以上距離を空けて配置することで、封止樹脂が流れ込む空間を確保することができ、金―錫共晶による広がりにより懸念される絶縁性の低下を抑制することができる。
【００６１】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、隣接するインナーリード間が、所定距離保たれるようになり、ＣＯＦパッケージ１０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８と金バンプ３２を微細にしても絶縁性の低下等の不良を防止することができる。
【００６２】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、インナーリード１８が金バンプ３２と共に倒れてしまったり、インナーリード１８が金バンプ３２から落ちたりするのを防止することができる。
【００６３】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、隣接するインナーリード１８間に封止樹脂を充分充填することで、絶縁性を確保することができる。
【００６４】
また、金バンプ３２が傾くのが防止されることで、インナーリード１８と半導体チップ２６との間に封止樹脂を充分充填することで、絶縁性の低下を抑制することができる。
【００６５】
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、インナーリード１８の先端側を延長して延長上に補強バンプ４０を配置してインナーリード１８と補強バンプ４０を接合したが、インナーリードの先端側と接合可能な中央バンプを接合でもよく、また、延長上は直線ではなくてもよく、インナーリードの先端側と接合されるバンプは、金バンプと離れていればよい。
【００６６】
次に本発明の第２実施形態に係るＣＯＦパッケージ５０の一例について図４に従って説明する。
【００６７】
なお、第１実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】
図４に示されるように、この実施形態では第１実施形態と違い、インナーリード１８の先端側に設けられる補強バンプ５２は、インナーリード１８の延伸方向と交差する交差方向に対して千鳥状に配置されている。
【００６９】
千鳥状に配置することで、平面視で補強バンプ５２を交差方向に幅方向に広くすることができる。これにより、補強バンプ５２の幅寸法（交差方向の寸法）は１９μｍとされ、金バンプ３２に比べて幅広とされている。また、各バンプ間の距離は、２０μｍ以上空けられている。
【００７０】
このように、補強バンプ５２の配置を千鳥状とすることで、補強バンプ５２の幅寸法を広くすることができ、補強バンプ５２が倒れるのを効果的に抑制することができる。
【００７１】
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では特に限定しなかったが、補強バンプ５２を平面視で半導体チップ２６のエッジより幅広としてもよい。
【００７２】
次に本発明の第３実施形態に係るＣＯＦパッケージ６０の一例について図５に従って説明する。
【００７３】
なお、第２実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７４】
図５に示されるように、この実施形態では第２実施形態と違い、インナーリード６２における補強バンプ５２との接合部６２Ａが、一般部に比べ幅方向に広くされている。
【００７５】
つまり、インナーリード６２の接合部６２Ａを幅方向に広くすることで、インナーリード６２と補強バンプ５２の接合面積を増やすことができ、金と錫の結晶量を増やし、インナーリード６２と補強バンプ５２の接合強度を向上させることができる。
【００７６】
次に本発明の第４実施形態に係るＣＯＦパッケージ７０の一例について図６に従って説明する。
【００７７】
なお、第２実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７８】
図６に示されるように、この実施形態では第２実施形態と違い、インナーリード１８と電極パッド３０を電気的に接続する金バンプ７２は、インナーリード１８の延伸方向と交差する交差方向に対して千鳥状に配置され、金バンプ７２の幅寸法は１９μｍとされている。また、また、各バンプ間の距離は、２０μｍ以上空けられている。
【００７９】
ＣＯＦパッケージ６０のファインピッチ化に伴い、インナーリード１８と金バンプ７２を微細にする必要性が生じても、前述したように、金バンプ７２を千鳥状に配置することで、金バンプ７２の幅寸法を広げることができ、これにより、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。
【００８０】
また、金バンプ７２の幅寸法が広がることで、金バンプ７２が設けられた電極パッド３０をベースフィルム１２へ熱圧着するときに、高荷重による熱圧着（ボンド）が可能となり、金と錫の共晶量を充分確保することができ、インナーリード１８と金バンプ７２の引き剥がし強度を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
１２ ベースフィルム
１６ チップ搭載部
１８ インナーリード
２６ 半導体チップ
３０ 電極パッド
３２ 金バンプ（金属バンプ）
３６ 封止樹脂
４０ 補強バンプ
５０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
５２ 補強バンプ
６０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
６２ インナーリード
６２Ａ 接合部
７０ ＣＯＦパッケージ（半導体パッケージ）
７２ 金バンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される半導体チップと、
前記ベースフィルム上に形成され、前記チップ搭載部に入り込む複数本のインナーリードと、
前記半導体チップに形成された電極パッドと前記チップ搭載部に入り込んだ前記インナーリードの基端側を電気的に接続する金属バンプと、
前記金属バンプと接続される前記インナーリードの先端側と前記半導体チップを接合すると共に、前記金属バンプと離れて設けられる補強バンプと、
前記半導体チップ及びインナーリードを封止する封止樹脂と、
を備える半導体パッケージ。
【請求項２】
夫々の前記インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、前記インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に千鳥状に配置され、前記金属バンプと比較して、前記交差方向に広くされる請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記インナーリードにおける前記補強バンプとの接合部は、前記交差方向に広くされる請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
夫々の前記インナーリードに接続された金属バンプは、前記交差方向に千鳥状に配置され、前記交差方向に広くされる請求項１〜３何れか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記金属バンプは前記半導体チップの外周側に配置され、前記補強バンプは前記金属バンプより前記半導体チップの内側に配置される請求項１〜４何れか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
複数本のインナーリードが形成されたベースフィルムに半導体チップを搭載して半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、
前記半導体チップに、前記半導体チップに形成された電気パッドと前記インナーリードを電気的に接続する金属バンプを形成すると共に、前記金属バンプから離間させて前記電極パッドと電気的に接続されない補強バンプを形成する工程と、
前記ベースフィルムと前記半導体チップを加熱した状態で、前記ベースフィルム上に形成された前記インナーリードと前記金属バンプ及び前記補強バンプを接続することで、前記ベースフィルムに前記半導体チップを搭載する工程と、
前記ベースフィルムと、前記ベースフィルムに搭載された前記半導体チップを冷却する工程と、
を備える半導体パッケージの製造方法。
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルムに設けられたチップ搭載部に搭載される半導体チップと、
前記ベースフィルム上に形成され、前記チップ搭載部に入り込む複数本のインナーリードと、
前記半導体チップに形成された電極パッドと前記チップ搭載部に入り込んだ前記インナーリードの基端側を電気的に接続する金属バンプと、
前記金属バンプと接続される前記インナーリードの先端側と前記半導体チップを接合すると共に、前記金属バンプと離れて設けられる補強バンプと、
前記半導体チップ及びインナーリードを封止する封止樹脂と、
を備える半導体パッケージ。
【請求項２】
夫々の前記インナーリードの先端側で接合された補強バンプは、前記インナーリードの延伸方向と交差する交差方向に千鳥状に配置され、前記金属バンプと比較して、前記交差方向に広くされる請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記インナーリードにおける前記補強バンプとの接合部は、前記交差方向に広くされる請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
夫々の前記インナーリードに接続された金属バンプは、前記交差方向に千鳥状に配置され、前記交差方向に広くされる請求項１〜３何れか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記金属バンプは前記半導体チップの外周側に配置され、前記補強バンプは前記金属バンプより前記半導体チップの内側に配置される請求項１〜４何れか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
複数本のインナーリードが形成されたベースフィルムに半導体チップを搭載して半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、
前記半導体チップに、前記半導体チップに形成された電気パッドと前記インナーリードを電気的に接続する金属バンプを形成すると共に、前記金属バンプから離間させて前記電極パッドと電気的に接続されない補強バンプを形成する工程と、
前記ベースフィルムと前記半導体チップを加熱した状態で、前記ベースフィルム上に形成された前記インナーリードと前記金属バンプ及び前記補強バンプを接続することで、前記ベースフィルムに前記半導体チップを搭載する工程と、
前記ベースフィルムと、前記ベースフィルムに搭載された前記半導体チップを冷却する工程と、
を備える半導体パッケージの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１９９１９１（Ｐ２０１０−１９９１９１Ａ）
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４０５９１（Ｐ２００９−４０５９１）
【出願日】平成２１年２月２４日（２００９．２．２４）
【出願人】（３０８０３３７１１）ＯＫＩセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月２４日（２００９．２．２４）
【出願人】（３０８０３３７１１）ＯＫＩセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
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