【課題】互いの電極端子の間を金属電極を介して接続した一対の誘電体基板を有する電子装置であって、インピーダンスを従来よりも広い範囲で調節でき、これによって金属電極の付近とそれ以外の部分との間でインピーダンスを効果的に整合できる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１０は、それぞれに信号伝送線路を構成する信号層２１，２３，３１，３３が形成された一対の配線基板１１，１２を有する。双方の配線基板１１，１２の信号層２３，３３が、配線基板１１，１２の表面に形成されたはんだボール１３を介して互いに接続されている。はんだボール１３の近傍の配線基板１１，１２間に、所定の透磁率を有する磁性体材料１５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】開口径の異なる接続端子（パッド）を有する基板にチップを載置してはんだバンプのリフローを行った場合に、開口径の異なる一方のパッド部分で発生しがちな接続不良の回避を可能にし、バンプのはんだの一部がリフロー時に流れ出すことに起因するショートの発生を抑制することも可能にする、基板への新しいはんだ供給方法を提供すること。
【解決手段】開口径の異なる２種類以上の接続端子４、５を有する基板１の該接続端子に、開口径の異なる接続端子４、５上のリフロー後のはんだ中に存在する、リフローにより接続端子４、５からはんだ中へ拡散した物質の含有量の差が０．２ｗｔ％以下になるように、各接続端子４、５上へのはんだの量を制御して供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】５０ミクロンピッチ以下の微細ピッチ電極を有する半導体素子を基板上のパッドもしくは配線を接続する構造において、接続時の加熱または荷重負荷時に発生するバンプ間ショートや、高歪みによる接続部破断を防止しあるいは接触抵抗を低減し、高信頼性で高速伝送に対応可能な半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板と半導体素子は縦弾性係数（ヤング率）が６５ＧＰａ以上６００ＧＰａ以下のバンプと、錫、アルミニウム、インジウム、あるいは鉛のいづれかを主成分とする緩衝層を介して接続されており、バンプと基板上のパッドもしくは配線の対向した面の少なくとも一方に突起が形成され、超音波により接続することにより低温接続が可能な半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 電気的相互接続構造体及びその作成方法を提供する。
【解決手段】 電気的構造体は、第１の導電性パッドを含む第１の基板と、第２の導電性パッドを含む第２の基板と、第１の導電性パッドを第２の導電性パッドに電気的かつ機械的に接続する相互接続構造体とを含む。相互接続構造体は、無はんだ金属コア構造体と、第１のはんだ構造体と、第２のはんだ構造体とを含む。第１のはんだ構造体は、無はんだ金属コア構造体の第１の部分を第１の導電性パッドに電気的かつ機械的に接続する。第２のはんだ構造体は、無はんだ金属コア構造体の第２の部分を第２の導電性パッドに電気的かつ機械的に接続する。 （もっと読む）

【課題】高密度で配置された電気的接続部分に対してもこれを封止材によって確実に封止することができ、基材に対して回路素子を高い信頼性をもって実装することが可能な回路素子実装モジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】電気配線回路２０と回路素子６とを電気的に接続する導電部５ｄ’と、この導電部５ｄ’を保護するための封止部５ｃ’とを形成する実装工程を備える。実装工程では、少なくとも導電部５ｄ’を形成すべき位置、および封止部５ｃ’を形成すべき位置に導電材５ｄと封止材５ｃをそれぞれ吐出する。その後、液体吐出ヘッドから吐出された導電材５ｄおよび封止材５ｃが各々の機能を発現する前に回路素子６を電気配線回路２０上に装着する。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳトランジスタでは、主表面に形成された複数のソース領域に共通して接続されるようにソース電極が形成されている。ソース電極の面内方向の抵抗を減らすことにより、電流密度を均一にし、ソースとリードとを接続するワイヤの本数と電極接合部の位置とを自由に設計できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極を、パッド電極１０ａ上に形成された電解めっき法による銅めっき層１０ｅと、無電解めっき法により形成され、銅めっき層１０ｅの上面及び側面を覆うように形成された、ニッケルめっき層１０ｆ，金めっき層１０ｇ、とから構成する。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを可撓性回路基板へ熱硬化樹脂を用いてフエイスダウンボンディングして製造される半導体装置の反りや変形が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１の中央部に位置する半導体基板の一部を、半導体チップ１と反対側に撓ませた状態で接着用樹脂４を硬化する。回路基板３は凹部６を有するボンディングステージ５上に吸着させて、排気された凹部６内に回路基板３を引き込むことで、撓ませる。硬化及び冷却時の接着用樹脂の収縮にともない回路基板３の撓みは減少して、収縮により生ずる回路基板３等への曲げ応力を相殺するので、半導体装置の反りが小さい。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板での対応する導電路とが良好に接続される半導体装置を用いた放射線検出器を提供する。
【解決手段】 入力面２０ａ側で開口面積が大きくなるテーパ部２０ｄを有する貫通孔２０ｃが設けられたガラス基板、及び貫通孔２０ｃの内壁に形成された導電性部材２１からなる配線基板２０を用いる。この配線基板２０の入力面２０ａ上に形成された導電性部材２１の入力部２１ａに対し、ＰＤアレイ１５の出力面１５ｂ上に導電性部材２１に対応して設けられたバンプ電極１７を接続して、半導体装置５とする。そして、ＰＤアレイ１５の光入射面１５ａに光学接着剤１１を介してシンチレータ１０を接続し、配線基板２０の出力面２０ｂにバンプ電極３１を介して信号処理素子３０を接続して、半導体検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップとインターポーザ基板との位置決めを効率よく実行できるＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供する。
【解決手段】一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージは、インターポーザ基板４ａを介してフィルム基材と液晶ドライバ３とが接続している。液晶ドライバ３は、インターポーザ基板４ａとの対向面に第１アライメントマークを有し、インターポーザ基板４ａは、液晶ドライバ３との対向面に第２アライメントマーク１２を有している。第１アライメントマークと第２アライメントマーク１２とを、インターポーザ基板４ａの上記対向面に対して垂直方向からみると、互いが、液晶ドライバ３とインターポーザ基板４ａを貼り合せる際の貼り合わせ位置として許容できる範囲の距離ほど離間されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極の間に形成してＡｕとＡｌの拡散を防止するためのエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜、並びにこのエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：２５〜１００ｐｐｍを含有し、残部がＷおよび不可避不純物からなる組成を有するエッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するスパッタリング用Ｔｉ−Ｗターゲット。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装部品を実装後においても回路基板の反りを低減した電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１電極を有する回路基板に第２電極を有する実装部品が実装された電子デバイスにおいて、回路基板１と実装部品３とは可撓性絶縁部材６を介在して積層接着されており、第１電極と第２電極とは可撓性絶縁部材６の表面に形成した配線電極又は可撓性絶縁部材６を貫通する貫通電極９を介して電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】電子部品を回路基板にはんだバンプを用いて接続するものにおいて、アンダーフィル樹脂で封止せずに、はんだバンプの耐温度サイクル寿命を向上させる実装構造を提供する。
【解決手段】電子部品１６を回路基板１２にはんだバンプ１４で接続した実装構造において、はんだバンプ１４の内部に銅等の高融点金属からなる金属円筒１８が配置され、かつ、金属円筒１８の長さ方向が電子部品１６及び回路基板１２と垂直になるように金属円筒１８が配置される。また、電子部品１６の電極パッド２２と回路基板１２の電極パッド２０のそれぞれに金等の高融点金属からなる金属突起２４が形成され、この金属突起２４が金属円筒１８の開口部に入るように配置される。 （もっと読む）

【課題】小型で複数の周波数帯に利用できる広帯域な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＣ１５に組み込まれる整合回路のキャパシタを、ＲＦＩＣ１５のダミーバンプパッド１８とＲＦＩＣ１５のＧＮＤ層との間に出来る寄生容量使って構成する。ＲＦＩＣ１５を実装する場合、ダミーバンプパッド１８は、基板に半田バンプ１９で接着されるが、基板側でダミーバンプパッド１８間に配線を行うことで、ダミーバンプパッド１８部分での寄生容量を組み合わせて、所望の容量のキャパシタとし、ＲＦＩＣ１５内のトランジスタ回路と接続する。 （もっと読む）

【課題】配線構造の形成が容易であり、製造工程が単純である配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 回路基板と半導体素子との実装信頼性を向上するために接続部材に対する応力を緩和する。
【解決手段】半導体素子４の接続端子４Ａに接続部材１０を介して回路基板３と電気的に接続する実装構造であって、接続部材１０は、柱状部２Ａを有する導電性突起２を有し、半導体素子４の表面に水平な面で切った柱状部２Ａの断面の断面積は、半導体素子４の接続端子４Ａの表面積より小さい。回路基板３と半導体素子４とは、接続部材１０の導電性部材２によって電気的に接合されている。 （もっと読む）

【課題】リワインド処理の回数を抑えて電子装置を製造する。
【解決手段】複数のベース１３が配列可能な広さを有する長尺なベースシート上に、複数のアンテナ１２を、それら複数のアンテナ１２の向きも含めて点対称な配列となるように形成し、そのベースシートを巻き取ってロール体を得るアンテナ形成装置２１０と、そのロール体からベースシートを引き出して、その引き出したベースシート上に形成された各アンテナ１２上にＩＣチップ１１を、各アンテナ１２の向きに応じた向きに搭載して、ＩＣチップ１１とアンテナ１２とを電気的に接続するＩＣチップ搭載装置２２０と、アンテナ１２上にＩＣチップ１１が搭載されたベースシートに対し、そのベースシートをＲＦＩＤタグ１に仕上げる後処理を施す後処理装置２３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との接続信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続端子１１０を有する半導体装置１００であって、外部接続端子は、Ｂｉと、Ａｇ及び／又はＣｕと、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ａｌ、及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１種と、Ｓｎを含む不純物と、からなる合金であり、前記合金中のＢｉの組成比（ｘ）は、２５質量％≦ｘ≦７５質量％であり、Ａｇ及び／又はＣｕの組成比（ｙ）は、０質量％≦ｙ≦７質量％であり、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ａｌ、及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の組成比（ｚ）は、０質量％≦ｚ≦０．５質量％であり、残部はＳｎを含む不純物であり、前記合金中に含まれる気孔の径は、平均値で５０ｎｍ以上３．５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティの形成による機械的強度の低下や、基板本体の反りやうねりの発生を抑えることができる、多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０は、基板本体２０の一方主面２０ｂ側にキャビティ２６が形成され、キャビティ２６内に受動素子３０，３２が実装されている。キャビティ２６は、底面２７ａ，２７ｂに段差が形成され、深さが異なる第１部分２６ａと第２部分２６ｂとを含む。受動素子３０，３２は、高さが異なる第１素子３０と第２素子３２とを含む。キャビティ２６の相対的に深い第１部分２６ａには、受動素子の相対的に高い第１素子３０が配置されている。キャビティ２６の相対的に浅い第２部分２６ｂには、受動素子の相対的に低い第２素子３２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】小型化しつつ、さらに、接続抵抗を小さくし、製造工程を少なくしたことで歩留まり向上及びコストの低減及び製造時間の短縮を実現した積層実装構造体を提供すること。
【解決手段】第１の基板１０１ａ、第２の基板１０１ｂ、中間基板１０３と、これら基板１０１ａ、１０１ｂ上にそれぞれ形成された接続端子１０４ａ、１０４ｂとの間隙に配置されている導電部材１０５と、接続端子１０４ａ、１０４ｂ上に形成された突起電極２０１と、中間基板１０３に形成された貫通孔１０６とを有し、基板１０１ａ、１０１ｂ同士が接合部１２０により接合されることによって、突起電極２０１と導電部材１０５が貫通孔１０６において少なくとも接触し、基板１０１ａ、１０１ｂの接続端子１０４ａ、１０４ｂ同士が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】熱膨張によるミスマッチを解決しうる円柱型回転結合体及びそれを備える半導体素子を提供する。
【解決手段】一側面にソルダーボール形状の軸受継手が装着されるボール支持部のある円柱型柱と、円柱型柱の一側面に装着されて半導体素子１００の内部の印刷回路基板３００や半導体チップ２００に接着されるソルダーボール形状の軸受継手と、を備えることを特徴とする円柱型回転結合体１１０である。 （もっと読む）