【課題】 半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングテープとウエハ裏面保護フィルムとを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、ウエハ裏面保護フィルムは、染料を含有して着色されており、ウエハ裏面保護フィルム上にワークを貼着する工程と、ワークをダイシングしてチップ状ワークを形成する工程と、チップ状ワークをウエハ裏面保護フィルムとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、チップ状ワークを被着体にフリップチップボンディングにより固定する工程とを具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路層間の隙間に電気的絶縁性接着剤を確実に配置でき、前記隙間よりはみ出た余分の接着剤を除去しなくてすむ、三次元積層構造集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの内部に複数の埋込配線（導電性プラグ）１５を形成し、それらの端を第１半導体回路層１ａの裏面に露出させる。第２半導体回路層２の表面に、各プラグ１５に対応して複数のバンプ電極４３ａを形成する。第２半導体回路層２の表面に、バンプ電極４３ａとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜４４ａを形成する。その後、第１半導体回路層１ａの裏面と第２半導体回路層２の表面を対向させて近づけ、その間で接着剤膜４４ａを変形させながら各バンプ電極４３ａの少なくとも一部を押し潰すことにより、埋込配線１５とバンプ電極４３ａとを相互に機械的接続すると共に、接着剤膜４４ａにより両回路層１ａと２を接着する。 （もっと読む）

【課題】従来の上層集積回路の下面と下層集積回路の上面とを接着剤によって接着して形成される半導体装置に比べて、放熱性及び接続信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１Ａは、Ｓｉ基板７Ａの第１の面に設けられたトランジスタ形成層２０と、トランジスタ形成層２０のトランジスタと電気的に接続されてＳｉ基板７Ａを貫通して第２の面から突出して形成された貫通電極２２とを有する上層集積回路２と、半導体基板に形成されたトランジスタ形成層３０と、トランジスタ形成層３０のトランジスタと電気的に接続され第３の面に設けられるパッド３１と、パッド３１と貫通電極２２の先端とを電気的に接続するバンプ３２とを有する下層集積回路３とを備え、上層集積回路２の第２の面と下層集積回路の第３の面は接触せずに構成される。 （もっと読む）

【課題】多層プリント配線板の上面側に設けられた凹部内にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を搭載した半導体装置において、凹部の底面に半導体構成体搭載用の半田を特殊な設備を用いることなく供給する。
【解決手段】多層プリント配線板１の凹部４内に、複数の円孔１２を有し、且つ、前記円孔１２内およびその上下に突出して設けられた半田ボール１３ａを有する半田支持シート１１を配置する。次に、その上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で配置する。次に、リフローを行うことにより、多層プリント配線板１の凹部４内において半田支持シート１１上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で搭載する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを回路基板に効率よく実装することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】回路面Ｓに突起電極２を有しかつ回路面Ｓに絶縁性樹脂層３が形成された半導体チップ１０を、回路面Ｓを下にして支持具６上に載置するチップ準備工程と、支持具６上に載置された半導体チップ１０に対して、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する吸着ツール７を上方から近づけ、前記吸着面が半導体チップ１０と接触しない位置で、前記吸引孔による空気の吸引により半導体チップ１０を支持具６上からピックアップして前記吸着面に非接触で吸着させるチップピックアップ工程と、半導体チップ１０を加熱しながら吸着ツール７により半導体チップ１０の回路面Ｓを回路基板４に押圧して、回路基板４と半導体チップ１０とを電気的に接続するチップ実装工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐熱性と耐湿性、及び作業性に優れ、特に厳しい信頼性の要求される電気・電子用の回路接続材料を用いた電極の接続方法を提供すること。
【解決手段】回路接続材料を基板上の相対峙する電極間に形成する工程と、加熱加圧により電極同士を接触させ、かつ基板同士を接着させる工程と、を備える電極の接続方法であって、回路接続材料が、（１）ビスフェノールＡ型の構造を有するフェノキシ樹脂、（２）エピクロルヒドリンとビスフェノールＡから誘導され、１分子内に２個以上のグリシジル基を有するビスフェノール型エポキシ樹脂、（３）ナフタレン系エポキシ樹脂及び（４）潜在性硬化剤、を含む接着剤組成物並びに導電性粒子を有する、電極の接続方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１１と、弾性波を励振する振動部２２を有し、振動部２２が絶縁性基板１１と対向し、かつ振動部２２が空隙５１に露出するように、絶縁性基板１１の上面に実装された弾性波デバイスチップ２０と、振動部２２を囲むように設けられ、絶縁性基板１１と弾性波デバイスチップ２０とを接合する接合部と、を具備し、接合部は、半田３２と、半田３２より高い融点を有しかつ絶縁性基板１１の上面のコプラナリティより大きな厚さを有する金属層４２と、を積層して形成されている弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の配置位置による電気特性のばらつきを抑制可能な半導体装置及び製造歩留り向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線パターン２００を有する基板２０と、半導体素子１０と、複数の配線パターン２００と半導体素子１０とを電気的に接続する接続部材５０とを有する半導体装置において、基材の両面に粘着材層を有し、基板２０と半導体素子１０とを貼りあわせる粘着部材４０を、複数の配線パターン２００の間に配置する半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物どうしを接合するときに、両金属接合部の間に箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加することで被接合物どうしを良好に接合することのできる技術を提供する。
【解決手段】超音波振動を印加するだけでは接合しづらいリードフレーム１２３（金属接合部１２３ａ）とガラスエポキシ基板１２４（電極パターン１２４ａ）とを接合するときに、金属接合部１２３ａと電極パターン１２４ａとの間に、金属製箔状導電材５０を介した状態で超音波振動を印加することにより、箔状導電材５０の両面に両金属接合部がそれぞれ接触して形成される接合界面に超音波振動が確実に印加されるので、金属接合部１２３ａを有するリードフレーム１２３と、電極パターン１２４ａを有するガラスエポキシ基板１２４とを良好に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション現象の発生を抑制して高い接続信頼性を確保すると共に、従来技術と同等以上の放熱性および導電性を確保したフリップチップ接続部を有する半導体装置およびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、球状の金属コアを内蔵したはんだボールが配設されたフリップチップ接続部を備えた半導体装置であって、前記半導体装置は前記はんだボールと電気的接続されるランドおよび前記ランドと電気的接続される引出配線を有しており、前記金属コアは前記はんだよりも高い熱伝導率と電気伝導率とを有する材料からなり、前記ランドには前記はんだボールと接続する表面に球面状の窪みが形成されており、前記窪みの中心と前記引出配線との距離が前記ランドの中心と前記引出配線との距離よりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細な半田バンプが形成されたチップであっても、基板に良好に熱圧着することができる実装装置および実装方法を提供すること。
【解決手段】 チップに設けられた半田バンプを、基板に設けられた電極に、押圧しながら加熱し熱圧着する実装装置および実装方法であって、チップを保持して基板に押圧する熱圧着ツールと、基板を保持する基板ステージと、熱圧着ツールを加熱する加熱手段と、熱圧着ツールの高さ位置の制御を行う制御部とを備え、制御部が、チップを保持した熱圧着ツールを下降し、チップの基板側に設けられている半田バンプが基板に設けられている電極に接触した後、所定量だけ熱圧着ツールを用いてチップを基板の電極に押し込み、半田バンプの温度が半田溶融温度に到達する前に、熱圧着ツールの高さ位置を熱圧着ツールの伸びに応じて上昇させる機能を有している実装装置および実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】相互の電極を半田バンプで接合する第一基板と第二基板との間隙をフィラー含有樹脂で充填して硬化させた構造の小型の第一基板などに湾曲が発生しにくい電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、半田バンプ１１３で相互の電極１１２、１２２が接合されている第一基板１１１の表面と第二基板１２１の表面との間隙はフィラーを含有させた第一樹脂組成物１３０で硬化されているが、その外周部は第二樹脂組成物１４０で封止されている。硬化した第二樹脂組成物１４０は硬化した第一樹脂組成物１３０よりヤング率が低いため、第一樹脂組成物１３０の硬化により発生する第一基板１１１の湾曲を第二樹脂組成物１４０により緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】接地電源用パッド数の増加や半導体チップの大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド３をＬＳＩ電位の外部端子として機能させ、ＬＳＩ電位の供給をダイパッド３から樹脂基板４の接続ビア１１ｂを介して行うことにより、ＬＳＩ電位の電流経路が短縮されると共に電流経路の断面積を拡大することが可能となり、接地電源用パッド数の増加や半導体チップ２の大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子２１有する半導体チップ（基材）上に配置する際に、端子２１上に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を得ることができる半導体搭載装置用基板を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体搭載装置用基板１０では、多層配線基板１１の第１主面１２の半導体チップ搭載領域２３に、半導体チップ２１がフリップチップ接続方式で表面実装されうる。多層配線基板１１の第２主面１３において半導体チップ２１の直下となる箇所には、板状部品搭載領域５３をなす複数の第２主面側はんだバンプ５２が形成されている。複数の第２主面側はんだバンプ５２を介して、無機材料を主体とする板状部品１０１がフリップチップ接続方式で多層配線基板１１上に表面実装されている。第２主面１３と板状部品１０１との隙間Ｓ２に設けられた第２主面側アンダーフィル１０７により、複数の第２主面側はんだバンプ５２が封止されている。 （もっと読む）

【課題】種類の異なる半導体チップの間で接合不良が発生することを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面に実装されたチップ積層体３は、配線基板２の一面とは反対側から順に、一面側に第１のバンプ電極１２と他面側に第２のバンプ電極１３とを有する複数のメモリーチップ１０ａ〜１０ｄを、それぞれの一面と他面とを対向させながら、それぞれの間にある第１のバンプ電極１２と第２のバンプ電極１３とを接合して積層し、その上に、一面側に第３のバンプ電極１５と他面側に第４のバンプ電極１６とを有するロジックチップ１１を、その一面と、その下にあるメモリーチップ１０ｄの他面とを対向させながら、その間にある第２のバンプ電極１３と第３のバンプ電極１５とを接合部材１８を介して接合して積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチに対してショート不良等を生じることなく、配線基板等に実装できるようにすること。
【解決手段】半導体素子１０は柱状の接続端子１５を備える。この接続端子１５は、その先端１５ａの近傍部分において当該接続端子の横断面積が先端１５ａに向かって減小するよう形成されている。特定的には、接続端子１５の形状は、先端１５ａの近傍部分を除いて円柱状であり、その近傍部分において当該接続端子の側面１５ｂはテーパ状に形成されている。さらに接続端子１５の、少なくともテーパ状に形成された側面１５ｂに、はんだ濡れ性を向上させるための金属層が形成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】空気のかみ込みによるボイドの発生を低減して、信頼性の高いバンプ接続を行うことのできる半導体素子の接合方法を提供する。
【解決手段】バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して接合する半導体素子の接合方法であって、バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して前記バンプと前記電極部とが対応するように位置合わせする位置合わせ工程（１）と、加熱により前記接着剤を濡れ広がらせ、前記バンプと前記電極部とを接触させる予備加熱工程（２）と、前記バンプと前記電極部とを溶融接合する電極接続工程（３）とを有し、前記予備加熱工程（２）において、前記接着剤のレオメーターにより測定した周波数１Ｈｚ、歪量１ｒａｄにおける複素粘度η^＊が２〜１０Ｐａ・ｓとなるように前記接着剤を加熱する半導体素子の接合方法。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制しながら、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いる封止樹脂を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装による半導体チップ実装体の製造方法であって、ハンダからなるバンプを有する半導体チップを、封止樹脂が塗布又は貼付された基板又は他の半導体チップ上に、前記封止樹脂を介して位置合わせする工程と、前記ハンダの溶融温度よりも低い温度で加熱するとともに荷重を付与して、前記封止樹脂の硬化率を７０％以上に調整するとともに、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接触させて半導体チップ固定体を得る固定工程と、前記ハンダを溶融させて、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接続する電極接続工程とを有する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
複数の配線導体が、互いに隣接する半田接続部間に並設され高密度な配線形成が可能であると共に電気的絶縁信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する事を課題とする。
【解決手段】
半田接続部３をもつ配線導体２が多数並設された絶縁基板１上面に、半田接続部３を露出させる開口部４ａをもつソルダーレジスト層４が形成されるとともに、開口部４ａ内に半田接続部３と接続された半田バンプ５を備える配線基板１０であって、開口部４ａは半田接続部3の幅より大径でソルダーレジスト層４上面から配線導体２より高位置まで開口する上側開口部４ａｄと、上側開口部４ａｄの下側で半田接続部３の間の配線導体２を露出させずに半田接続部３を露出させるように開口する下側開口部４ａｃとを有する。 （もっと読む）