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Fターム[5F044NN07]の内容

ボンディング (23,044) | フィルムキャリヤボンディング (1,094) | インナーリードボンディング (349) | ボンディング方法 (302) | 圧着によるもの (54)

Fターム[5F044NN07]に分類される特許

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【課題】配線基板の突起電極と半導体素子の電極パッドを接合する際の応力集中に起因する、最外側の導体配線の断線を防止することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】可撓性絶縁基材と、可撓性絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線2と、各導体配線の半導体素子4を搭載する領域に位置する端部に設けられた突起電極3とを備える。更に、最外側の導体配線10の外側に隣接して、半導体素子を搭載する領域の最外コーナー部に位置する補助導体配線11と、補助導体配線上に導体配線上の突起電極と整列して形成された補助突起電極12とを備える。補助導体配線における補助突起電極から半導体素子搭載領域の外側方向は、補助突起電極の近傍に終端が形成され、補助導体配線における前記突起電極から半導体素子搭載領域の外内側方向は、補助突起電極の近傍において屈曲して、隣接する最外側の導体配線の先端と接続されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を実装したTCPを小型化できるとともに、製造原価を上昇させることなく高品質の接続構造を提供する。
【解決手段】主面に複数の電極106、107を備えた半導体素子101と、両面に配線を備え、かつ開口部108を有するフィルム基板102とからなる半導体装置において、半導体素子101の複数の電極の一部がフィルム基板102の一方の面に形成された第1の配線とフィルム基板102の開口部108を貫通するワイヤ105によりボンディング接続された第1の接続構造と、半導体素子101の複数の電極の他部がフィルム基板102の他方の面に形成された第2の配線であるインナーリード104とバンプ109を介したボンディングにより接続された第2の接続構造を備えた構成とする。 (もっと読む)


【課題】振動増幅部への圧接部の着脱が可能であっても、吸引装置で発生させた吸引力を吸着面に適切に伝達することが可能な構成を備えた電子部品の接合ヘッドを提供する。
【解決手段】基板と電子部品4とを接合する電子部品の接合ヘッド5は、振動発生部30と、振動発生部30で発生させた振動を増幅する振動増幅部31と、振動増幅部31で増幅させた振動を電子部品4に与えながら基板に電子部品4を圧接する圧接部32とを備えている。この接合ヘッド5はさらに、圧接部32を振動増幅部31に着脱可能に結合するオネジ部32bおよびメネジ部31dと、電子部品4を吸着する吸着面32dとを備え、オネジ部32bには、吸着面32dに電子部品4を吸着するため、オネジ部32bの長手方向で、オネジ部32bを貫通する吸着孔32cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】振動増幅部への圧接部の着脱が可能であっても、簡易な構成で、振動増幅部の振動を圧接部に効率良く伝達することができる電子部品の接合ヘッドを提供する。
【解決手段】基板と電子部品4とを接合する電子部品の接合ヘッド5は、振動発生部30と、振動発生部30で発生させた振動を増幅する振動増幅部31と、振動増幅部31で増幅させた振動を電子部品4に与えながら基板に電子部品4を圧接する圧接部32とを備えている。圧接部32よりも硬度の低い金属部材で形成され、圧接部32と振動増幅部31との間に介在する座金34は、圧接部32を振動増幅部31に着脱可能に結合するオネジ部32bとメネジ部31dとのネジ結合時に変形して、圧接部32および振動増幅部31に密着している。 (もっと読む)


【課題】テープキャリア基板などの配線基板の導体配線上に形成された突起電極と半導体素子の電極パッドとを接続する際に、その応力に対して実用的に十分な強さで保持され、十分な接続安定性が得られるようにする。
【解決手段】絶縁性のフィルム基材4上に整列して設けられた複数本の導体配線5と、複数本の導体配線5のそれぞれの上に形成された突起電極7とを備えたテープキャリア基板1を、導体配線5の表面の突起電極形成領域を含む領域に導体配線5より硬質な硬質金属膜が形成され、突起電極7は導体配線5を幅方向に横切って導体配線5の片側からもう片側に亘って形成された構造とする。突起電極7の近傍部で起こりやすかった断線を防止できるばかりでなく、横方向に加わる力に抗する安定性も十分である。硬質金属膜は突起電極7の表面には形成されていないので、突起電極7は容易に大きく変形可能であり、接続対象の電極パッドに良好に接続可能である。 (もっと読む)


【課題】 端子部と電極部との導通を安定させることができ、かつ、基板と電子部品との接合強度を確保することができる電子部品の接合装置の具体的な構成を提供すること。
【解決手段】 接合装置1は、基板2上の端子部と電子部品4上の電極部とを圧接接合する振動ヘッド7と、基板搭載テーブル10とを備え、端子部と電極部とを振動を利用して圧接接合するとともに、絶縁樹脂を熱硬化させて、基板2と電子部品4とを接着接合するように構成されている。基板搭載テーブル10は、基板2の搭載面32aが形成された搭載治具32と、搭載治具32を加熱するヒータ33とを備えている。この接合装置1では、搬送方向Vにおける端子部と電極部との圧接接合時の位置Aより上流側の搭載面32aの搬送方向の幅H1が、基板2上の絶縁樹脂の配置間隔P以下に形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの電極と導体配線のバンプを介した接続工程に起因する電極への接合ダメージの発生を低減可能な構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】柔軟な絶縁性のフィルム基材4、フィルム基材上に設けられた複数本の導体配線5、及び各導体配線の上面および両側面を覆う状態で形成された配線バンプ6を有するテープキャリア基板1と、テープキャリア基板上に搭載された半導体素子2とを備え、半導体素子の電極7が配線バンプを介して導体配線と接続されている。半導体チップの電極上に電極バンプ8が形成され、配線バンプと電極バンプの接合を介して半導体素子の電極が導体配線と接続されており、電極バンプの硬度は配線バンプの硬度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】 テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第一の半導体,第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてテープバンプ3の高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


多層回路アセンブリの生産システムおよび方法。アセンブリは、ウェビング部材、部品、およびラミネート層を含む。方法は、部品がその上に位置されたウェビング部材のロールおよびラミネート層の別のロールを提供する工程と、ウェビング部材上の部品の位置をイメージング装置でモニタする工程とを含む。方法はまた、モニタされたウェビング部材上の部品の位置に基づく部位でラミネート層の部分を改変する工程と、ラミネート層をウェビング部材に結合して多層回路の連続シートを提供する工程とを含む。多層回路は、ウェビング部材およびラミネート層の間に位置され、およびラミネート層における改変部と位置調整された部品で形成される。
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【課題】半導体素子側接続端子と配線基板側配線とを接続するときに、半導体素子と配線パターンの不都合な接触を避けることによって、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子11に設けられたバンプ電極12と、フレキシブル配線基板1上に設けられた配線パターン3の接続端子31とが電気的に接続される半導体素子11の接続構造であって、フレキシブル配線基板1は、上記配線パターン3がソルダレジスト41によって覆われたソルダレジスト被覆部と、上記接続端子31が露出するように設けられたソルダレジスト開口部42とを備え、上記ソルダレジスト開口部42は上記ソルダレジスト被覆部の少なくとも一部を囲むように設けられている。 (もっと読む)


【課題】 メタル配線の屑が残留し兼ねない簡便なダイシングを容認でき、かつ、バンプ電極の高さを低くしつつ、フィルムキャリアのインナリードのショートを防止できる半導体装置及びその製造方法、LCDドライバ用パッケージを提供する。
【解決手段】バンプ電極11は、半導体チップ10の半導体集積回路との接続関係を有し、半導体チップ10主表面上において相互にチップ端部より中央側に寄って配置されている。これにより、バンプ電極11と破線で示すリード12が接続されるとすると、リード12は、チップ端部10E上にさしかかるまでに有利に変形できる余裕が生じる。すなわち、リード12は、チップ端部10E上において離れた位置に置くことができる。これにより、半導体チップ10は、バンプ電極11の高さを低くしても、チップ端部10Eと接触し難いリード12との接続形態を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 設計上の間隔の規格を遵守しながら、電極パッドを狭ピッチ化することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、電極パッドが多段に配列された半導体チップ1とテープ配線基板12との実装体であって、半導体チップの外周に並んだ電極パッドの間を通って、内側の電極パッドに接続されたテープ配線基板12の配線6が2本以上まとめて半導体チップ1の外側へ引き出されていることにより、安定した接続性を確保しながら、半導体チップ全体の電極パッドの平均ピッチの狭ピッチ化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 ファインピッチ化および多ピン化に対応した実装技術、並びにその実装技術を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 主面上の外周部に複数のバンプ2が配置された半導体チップ1Cと、COFテープに形成されたリード19bとが、複数のバンプ2を介して電気的に接続された半導体装置であって、複数のバンプ2は、チップ端側に配置された複数のバンプ2aと、チップ中心側に配置された複数のバンプ2bとが互いに千鳥配置されてなり、バンプ2bと接続されたリード19bは、バンプ2a間における幅が、リード19のバンプ2bと接続する部分における幅より狭い。 (もっと読む)


【課題】可撓性フィルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせ、寸法精度を維持することで高精度な回路パターンを形成する回路基板または回路基板用部材であって、ICのバンプ高さを現状より低くして微細なバンプピッチのIC接続可能な回路基板または回路基板用部材を提供する。
【解決手段】補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を30μmピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが1μm以上50μm以下の突起部を設けた回路基板用部材。 (もっと読む)


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