【課題】貫通ビアを設けることなく、半導体基板のバルク自身をチップ相互間の電気的結合手段とする積層チップにおいて、第２のチップの半導体基板の裏面と第１のチップの電極との間の接触抵抗を抑制する。
【解決手段】基板の一側の面（表面）に複数個の第１の電極を備えた第１のチップと、導電性の半導体基板の表面に半導体素子、及び基板の表面の第１の電極に対応する位置に各々第２の電極を備えた第２のチップとを含み、第２のチップの裏面には、導電性樹脂層が形成され、第１のチップの第１の電極と、第２のチップの他側の面（裏面）とが、第２のチップの裏面の導電性樹脂層を介して接着されて積層形成され、第１、前記第２の電極、及び第１と第２の電極に挟まれた第２のチップの基板内部の領域を、基板に貫通ビアを設けることなく、第１及び前記第２のチップ間の電気的結合手段とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装用でないワイヤボンディング用の光素子を用いてもフリップチップ実装を実現でき、かつ、放熱性に優れた光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板２はケース筐体８に収納され、基板２に搭載する側の面に電極が１列に形成された光素子３を、基板２にフリップチップ実装する光伝送モジュールであって、光素子３の搭載面と反対側の面をベース部材４に接合してフリップチップ実装用モジュール５を形成し、そのフリップチップ実装用モジュール５を基板２にフリップチップ実装すると共に、フリップチップ実装用モジュール５をケース筐体８と当接させて放熱路を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であって小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０に斜面部１４を形成し、半導体チップ１０の下面に複数の電極１１を設け、半導体チップ１０の上面に金属膜１５を蒸着させ、斜面部１４上の金属膜１５を第２電極１２とし、第１電極１１と対応するリードフレーム２０を接続し、第２電極１２と対応するリードフレーム２０とをストラップ１３で接続することで、第１電極１１及び第２電極１２とリードフレーム２０との導通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成過程でレーザ加工を活用する半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１０の主面１０１上に、酸化膜１１を形成し、酸化膜１１をレーザ光により除去し半導体基板１０の主面に孔部２０を形成する。そして、孔部２０をエッチングにより所定の深さまで加工した後、半導体基板１０の裏面を研磨し、貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】機能素子と基板との間を容易に真空封止が可能で、機能素子に加わる応力を低減させる。
【解決手段】一方の基板４０と他方の基板１０との間に封止部材３０で囲まれた封止空間６０が形成され、封止空間６０内に少なくとも機能素子５０の一部が配置される。封止部材３０に封止空間６０と連通して設けられた開口部３０Ａと、封止空間内の環境を維持し、且つ開口部３０Ａを閉塞する封止薄膜２ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩと呼ばれる半導体装置の実装構造において、実装面積を小さくする。
【解決手段】 半導体装置１のシリコン基板３の一辺部上面全体、その近傍のアンダーフィル材２４の外面およびその近傍のグランド用配線２３の上面には、銀ペースト等の導電性ペーストからなる接続部材２５が設けられている。この場合、接続部材２５のアンダーフィル材２４の外側に突出する突出長を可及的に小さくすることができるので、半導体装置１の実質的な実装面積を、ボンディングワイヤを用いる場合と比較して、小さくすることができる。 （もっと読む）

導電性相互接続体（４４）を有する半導体装置（５０）を製造するための方法であって、半導体基板（１２）回路側面（１４）、裏面（１６）および前記回路側面（１４）上の基板接点（１８）を有する半導体基板（１２）を提供するステップを含む。この方法はまた前記裏面（１６）から基板接点（１８）への基板開口部（３０）を形成するステップとそれから導電性相互接続体（４４）を半導体接点（１８）の内表面（３２）へボンディングするステップを含む。その方法を実行するシステムは半導体基板（１２）、前記半導体基板（１２）の薄化システム（６４）、基板開口部（３０）を形成するためのエッチングシステム（６６Ａ）および前記導電性相互接続体（４４）を基板接点（１８）へボンディングするためのボンディング機構システム（３８）からなる。半導体装置（５０）はモジュール部材（９８）、アンダーフィル部材（１０６）積層部材（２１６）および画像センサ半導体装置（５０ＩＳ）とを形成するために使われる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてワイヤボンディングの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５の主面５ａにソルダレジスト膜５ｈの表面より凹んだ溝部５ｄが形成され、この溝部５ｄが半導体チップ１の内側から外側にまたがるように半導体チップ１を配置し、その後、半導体チップ１を押圧してフリップチップ接続することにより、半導体チップ１の下部からはみ出ようとするＮＣＰ７を溝部５ｄに流れ込ませてＮＣＰ７のはみ出し量を低減することができ、その結果、ＮＣＰ７はチップ搭載領域の外側に配置されたワイヤ接続用端子まで到達しないため、ワイヤ接続用端子にＮＣＰ７が付着することを防止でき、半導体装置におけるワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。 （もっと読む）