【課題】装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができると共に、エネルギー効率も向上させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた金属製の筒体状の処理容器３４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台３６と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４０と、前記処理容器内に所定のガスを導入するガス導入手段４２とを有し、前記被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置において、前記処理容器を複数のブロック体８０、８２、８４に分割し、前記ブロック体間に真空断熱層８６、８８を設ける。これにより、装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができ、エネルギー効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】均一な超撥水膜を成膜することができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円柱状又は短冊状で軸中心部３１ａが周辺部３１よりも密度が高い分布をもつプラズマを用い、圧力が高く気体の拡散が少ない雰囲気下で気相成長もしくは重合により基板２８に成膜を行う成膜装置において、反応ガス３２を供給するガス管２７が複数に分岐され、該分岐されたガス管の噴出口はガス流が該プラズマの軸中心の周辺部に向かって噴出されるように配置され、かつ、該基板は成膜面３３の背面側から覆われるように囲い３６が設置されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】高速搬送においても放電が安定で、機能性堆積膜を数ｎｍ／ｓｅｃ以上の高速で形成する場合でも、電気的、光学的特性に優れ、量産時の素子の歩留りが向上する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜を形成する基板４の裏面に、表面に凹凸を有する天板２を接触させ、該天板２の表面凹凸に基板４を沿わせて凹凸形状とする堆積膜形成装置であって、該凹部又は凸部のピッチ、凹部と凸部の高低差と、基板４と平板電極３との最短距離とが特定の関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】基板と電極との間の距離を狭く、製膜圧力を高して製膜しても、膜厚や膜質の分布の発生を抑制できる放電電極を提供する。
【解決手段】放電電極は、二本の横電極と複数の縦電極２１とを具備する。横電極は、互いに略平行に第１方向Ｘへ伸びる。縦電極２１は、二本の横電極の間に設けられ、互いに略平行に第２方向Ｙへ伸びる。縦電極２は、電極本体３０、ガス流通路３１、ガス拡散路３４、３５、ガス分散部３６とを備える。電極本体３０は、一端を一方の横電極に、他端を他方の横電極に接続される。ガス流通路３１は、電極本体３０の内部で第２方向Ｙへ伸び、ガス流通可能である。ガス分散部３６は、電極本体３０の外面で第２方向Ｙへ伸び、ガスが外部へ分散可能な複数の孔３７を有する。ガス拡散路３４、３５は、電極本体３０の内部で第２方向Ｙへ伸び、ガス流通可能に一側面をガス噴出し孔３２に、他の一側面をガス分散部３６に接する。 （もっと読む）

【課題】基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内の基板支持体は、ヒーターペデスタル１６の形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング２４は、ペデスタル６１の周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリング２４はまた、基板の端面エッジでペデスタル６１とシャドーリング２４自身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャンバは第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力で、シャドーリング２４とペデスタル６１との間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管７４が具備される。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを防止しウエハの自然酸化膜を確実に除去する。
【解決手段】自然酸化膜除去装置１０のプロセスチューブ１１にガス導入口部２２を形成し、ガス導入口部２２にガス導入管２３の一端を接続する。ガス導入管２３の他端には外部にプラズマ発生装置２６が設置されたプラズマ室２５を形成し、Ｈ₂ ガス供給源２７とＮ₂ ガス供給源２８を接続する。ガス導入管２３の途中には供給管２９を挿入し、供給管２９の他端にＮＦ₃ ガス供給源３０を接続する。ガス導入管２３に供給されたＮＦ₃ ガス３３はＨ₂ とＮ₂ の混合ガス３１がプラズマ２４で活性化された活性ガス３２で活性化されて自然酸化膜除去ガス３４として処理室１２に供給される。ガス導入管においてＮＦ₃ ガスの分解の度合いを適正に制御することで、プラズマダメージを防止しつつ自然酸化膜を確実に除去できる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜によるトレンチの開口部での塞がりを抑制してトレンチ内の埋め込み性を向上する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、シリコン基板１３表面にエピタキシャル層１１を成長させ、このエピタキシャル層にトレンチ１４を形成し、トレンチの内部をエピタキシャル膜１２で埋め込む。トレンチの内部をエピタキシャル膜で埋め込む際にシリコンソースガスにハロゲン化物ガスを混合した混合ガスを原料ガスとして流通させ、ハロゲン化物ガスの標準流量をＸｓｌｍとし、シリコンソースガスが流通することにより成膜されるエピタキシャル膜の成膜速度をＹμｍ／分とするとき、トレンチのアスペクト比が１０未満のとき、Ｙ＜０．２Ｘ＋０．１０であり、そのアスペクト比が１０以上２０未満のとき、Ｙ＜０．２Ｘ＋０．０５であり、そのアスペクト比が２０以上のときＹ＜０．２Ｘである。 （もっと読む）

【課題】 窒化物上へゲルマニウム・スペーサを選択的に堆積するための構造及び方法を提供すること。
【解決手段】 半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの反応条件に拘わらず、真空ポンプの過負荷を起こすことなくプロセス容器の圧力を短時間で目標圧力に到達させることができる圧力制御を行う真空排気装置を提供する。
【解決手段】プロセスガスＧ１を導入しプロセス反応を行うプロセス容器２１のガスＧ２を排出し、プロセス容器の圧力を真空にする真空ポンプ４、５と、真空ポンプの回転速度を調整し、前記プロセス反応時のプロセス容器の圧力状態が前記プロセス反応に適した圧力状態になるよう制御する第１の制御を行う制御手段６とを備え、制御手段が、前記プロセス反応のプロセス情報に基づいて、真空ポンプの所定の回転速度を算出し、前記第１の制御の前に、真空ポンプを前記所定の回転速度にする第２の制御を行う真空排気装置２とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＮの薄膜を低温の環境下で確実に作製する。
【解決手段】 塩素を含有する作用ガス１７をチャンバ１内に供給し、窒素と水素の化合物であるＮＨ_２を生成し、チャンバ１内の圧力を高くして滞留時間を長くし、塩素ラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材１１をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＣｌとからなる前駆体ＡｌＣｌ_３を生成し、前駆体ＡｌＸ_３からＡｌＸ_２の中間体生成する一方、ＮＨ_２とＡｌＸ_２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板３側に成膜させ、ＡｌＮの薄膜を低温の環境下で確実に作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。
【解決手段】成膜工程において、反応ガスの分解生成物または反応生成物の大部分は半導体ウエハ１４の表面に堆積するが、一部はサセプタ１２の外周縁部やウエハ保持部材に付着し、処理容器１０の内壁面にもわずかであるが付着する。成膜工程が所定回数実施されると、処理容器１０内に半導体ウエハ１４が入っていない状態で、Ｈ2 ガスまたはＮ2 ガス等によるパージングが行われ、パージング工程の終了後にクリーニング工程が行われる。クリーニング工程においては、クリーニングガス供給系２４よりＣｌＦ3 ガスをＮ2 ガスで所定の濃度に希釈したクリーニングガスが多孔板１８より処理容器１０内に供給される。 （もっと読む）

【課題】良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１１は、シャワーヘッド１３と、ステージ１５と、ホルダ１７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド１３は、原料ガスＧを供給するものである。ステージ１５は、基板Ｗを搭載するものである。ホルダ１７は、ステージ１５上に基板Ｗを取り付けるために用いられる。チャンバ１９は、シャワーヘッド１３、ステージ１５およびホルダ１７を収容する。ステージ１５およびシャワーヘッド１３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ１５は、基板Ｗの裏面Ｗ_Ｂを支持するための支持面１５ａを有している。支持面１５ａは、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】 基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

半導体ウェーハ・プロセス・チャンバにおけるアーク発生問題を診断する方法及びシステムが説明される。方法は、プロセス・チャンバで電圧プローブをプロセス・ガス分配面板へ結合し、ＲＦ電源を活性化して、面板と基板ウェーハとの間にプラズマを生成することを含む。方法は、更に、ＲＦ電源の活性化中に、時間の関数としての面板ＤＣバイアス電圧を測定することを含む。この場合、面板における測定電圧のスパイクは、アーク発生事象がプロセス・チャンバ内で出現したことを表示する。半導体ウェーハ・プロセス・チャンバ内のアーク発生を低減する方法及びシステムも説明される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来プロセスを大幅に省略でき、微細な直描が可能な製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、材料を貯留するための試料室と、前記材料又は前記材料を前駆体とする化学種を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記化学種を発生させる化学種発生部と、を含む製膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸素等不純物の低減されたIII族ハロゲン化物ガスを供給することにより、酸素不純物濃度の低減されたAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 （もっと読む）

【課題】 液化ガスを充填した容器の内圧を一定に保持するオン・デマンド・ヒーティング制御を行うことにより、大流量、高品質の液化ガスを安全かつ安定して供給する液化ガス供給システムおよび供給方法を提供すること。
【解決手段】 液化ガスを液化充填する容器１、該容器１の底面１ａを含む外面に熱媒体を噴射する手段５、該熱媒体の温度調整し前記熱媒体噴射手段５に熱媒体を供給する手段６、噴射された前記熱媒体を回収する手段１１、前記容器１内の気相部圧力を測定する手段２、および該圧力を一定に保持するように前記熱媒体の噴射量あるいは温度と噴射量を制御する手段３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、CVDプロセス堆積チャンバ及び設備の壁、表面などに形成された不所望の堆積副生成物を、該CVDプロセス・チャンバ及び設備から除去するリモート・プラズマ・クリーニングを改善する。
【解決手段】リモート・クリーニング方法の改善点は、前記プラズマの存在においてフリーラジカルを形成することができるフリーラジカル開始剤を、前記プラズマを生成するために採用されたリモート・プラズマ発生器の下流に提供することにある。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が高く、メンテナンスコストが低く、稼働率が高い膜処理装置を提供する。
【解決手段】半導体薄膜の加工をするための反応室１と、高周波電源２と、前記高周波電源２に接続され、前記反応室１の内部に設置されている第１電極５と、第２電極７と、前記反応室１内にガスを供給するガス供給部３と、前記反応室１からの排気をするための真空ポンプ９とを具備している。ここで、前記反応室１の内部に設置されている第１電極５と、第２電極７は、母材と、前記母材の表面に形成されている第１層と、前記第１層の外側に位置する第２層とを含む構造を有している。前記第１層においては、アルミニウムが前記母材中に拡散していて、前記第２層はアルミニウムにより形成されている。 （もっと読む）