【課題】ＮＦ₃プラズマによるクリーニングにおいて、該プラズマに直接暴露される成膜装置内のＡｌまたはＡｌ合金製部品に表面処理を施しておくことなく、その部品表面の黒粉（ＡｌＦ）の発生を抑制する。
【解決手段】ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜後、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜またはａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含んだ積層膜を除去（クリーニング）するため、チャンバー１内にＮＦ₃のガスを導入して放電空間にＮＦ₃プラズマを励起させて、プラズマクリーニングを実施する。このクリーニングにおいて、放電空間の圧力がバラトロン真空計４で５５［Ｐａ］〜９０［Ｐａ］になるようにバルブ５等にて調整する。 （もっと読む）

【課題】 従来無電極放電装置で用いられていた誘電体窓は、装置内部を減圧した状態で破損を引き起こした場合、誘電体窓の損失のみならず、処理装置全体に悪影響が及んでいた。本発明はかかる問題を解決し、誘電体窓が破壊されても処理装置全体に及ぼす影響を低減することが可能な誘電体窓を提供する。
【解決手段】 前記誘電体窓１０９は、２つ以上の誘電体板１１０、１１１と、各誘電体板の間に挟み込まれた樹脂層１１２とを張り合わせ、積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置においては、半導体ウェハ上に成膜される膜厚が一定ではなく、また、不純物濃度にもバラつきがあり、未だ改良すべき点があった。本発明は、半導体ウェハ上に成膜される膜を略均一に、そして不純物濃度のバラツキも少なくした新規な気相成長装置及び気相成長方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバ１０３内に、支持台１０１上に載置されたウェハ１０２が収容され、ウェハ１０２上に成膜するためのガスを供給する第一の流路１２１及びウェハ１０２上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路１３１が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が２経路１ａ、１ｂ、第二の流路が２経路２ａ、２ｂに分割され、ウェハ１０２上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】腐食性のクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入路における処理容器の直近に設けられた遮断弁の遮断機能の低下を防止する技術を提供すること。
【解決手段】熱処理時にクリーニングガス導入路の近傍に設けられた遮断弁の二次側にパージガスを供給するにあたり、パージガスを遮断弁のダイアフラムを介してその二次側に流れるようにする。具体的にはクリーニングガスの流入口を開閉するダイアフラムが配置された通気室において、前記ダイアフラムを介してクリーニングガスの流出口とは反対側に前記通気室にパージガスが流入するパージガス流入口を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な熱ＣＶＤ方法および熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ方法において、ウェーハｗ上に成膜を行うための反応室１１内を、所定の圧力に制御し、所定の圧力に制御された反応室１１に、上部より反応ガスを導入し、反応ガスをシャワーヘッド１７において断熱膨張させることにより、反応ガスのガス流を加速させ、回転させながら加熱したウェーハｗ上に、加速された反応ガスのガス流を供給して、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法を用いる洗浄装置及び方法において、エッチングレートを向上させ、これによって洗浄時間の短縮化を図る。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材１３０の表面から付着物を除去するための洗浄装置であって、上記構成部材１３０が載置される載置領域を有するチャンバ２と、フッ素を含む反応ガスをプラズマによって分解することによって活性ガスＧを生成し、活性ガスＧを上記チャンバ２内に供給する活性ガス供給部３と、上記チャンバ内に気化した水Ｗを供給する水供給部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】減圧可能になされた処理容器３２内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路８４と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口８６を有するシャワーヘッド６０とを備え、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、ガス導入路８４内のガスの圧力を、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上となるように設定する。これにより、天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路８４に異常放電が発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】稼働率の低下を防止しつつドライクリーニング方法を実施する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉３０は、処理室３６内に成膜ガスやクリーニングガスを供給するノズル５１、５６と、ノズル５１、５６に開閉弁５３、５８を介して接続され成膜ガスを供給する成膜ガス供給ライン５２、５７と、ノズル５１、５６に開閉弁６３、６７を介して接続されクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン６２、６６と、ノズル５１と成膜ガス供給ライン５２を加熱するヒータ７２とを具備する。排気管４０にヒータ７１を敷設する。成膜する際にはヒータ７２を所定の温度に加熱維持する。ドライクリーニングする際には、ヒータ７１、７２をエッチング温度以下に制御する。
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【課題】フッ素プラズマに対する耐久性に優れ、長期間使用することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１は、ＡｌＮを主成分とするセラミックスからなり、平面的な上面を有する基体２と、この基体の少なくとも上面を含む表面を覆って形成された耐食層１１とを備えている。この耐食層１１は、アルカリ土類元素のフッ化物及び希土類元素のフッ化物から選ばれるフッ化物を二種以上と、低熱膨張セラミックス微粒子とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニングを行う上で堆積物の除去効率を低下させることなく、反応容器内壁にダメージを与えることなく堆積物を除去する。
【解決手段】基板を反応容器内に搬入する工程と、該反応容器内に成膜用ガスを供給しながら前記基板に成膜する工程と、該成膜後の前記基板を前記反応容器内から搬出する工程と、前記反応容器内の温度を降下させながら該反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記成膜工程において少なくとも前記反応容器内壁に堆積した堆積物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 排気処理にアシストガスを使用しつつも経済性に優れた真空処理装置の運転方法および真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 製膜室３と、製膜室３の排気流路１０に介装された、製膜室３を真空排気するドライポンプ（真空ポンプ）１４と、前記排気流路１０にアシストガスを混入させるアシストガス流路２５と、アシストガスの流量を調整するアシストガス流量調整手段と、制御装置３０とを備えたプラズマＣＶＤ装置（真空処理装置）１の運転方法において、製膜室３から排気される水素ガスの排気流量に応じて、制御装置３０がアシストガス流量調整手段を制御することによりアシストガスが流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内壁面や処理容器内の部材に損傷を与えることなく、クリーニングを効率的に、迅速に行うことができるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器３２内にて被処理体Ｗに対してプラズマを用いてプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置のクリーニング方法において、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつプラズマを発生させて処理容器内を第１の圧力に維持してクリーニングを行う第１のクリーニング工程と、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつプラズマを発生させて処理容器内を第１の圧力よりも高い第２の圧力に維持してクリーニングを行う第２のクリーニング工程とを有する。これにより、処理容器の内壁面や処理容器内の部材に損傷を与えることなく、クリーニングを効率的に、且つ迅速に行う。 （もっと読む）

【課題】２つのチャンバを接続するＯリングの劣化を抑制すること。
【解決手段】本発明は、第１接続孔１２を有する第１チャンバ１０と、第１チャンバ１０の第１接続孔１２と接続する第２接続孔２２を有する第２チャンバ２０と、第１接続孔１２と第２接続孔２２とを囲むように、第１チャンバ１０と第２チャンバ２０との間に設けられたＯリング３０と、第１チャンバ１０と第２チャンバ２０との隙間を覆うように設けられたカバー部４０と、を具備する半導体製造装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性、かつ、耐熱衝撃性に優れており、半導体・液晶製造装置特に、プラズマ処理装置において導電性が求められる箇所に好適に使用することができるプラズマプロセス装置用部材を提供する。
【解決手段】イットリアに、タングステンおよび／またはモリブデンデンがイットリアに対して５０重量％以上３００重量％以下分散し、開気孔率が０．２％以下、２５℃での体積抵抗率が１０^-6Ω・ｃｍ以上１０^-1Ω・ｃｍ以下であり、かつ、耐熱衝撃温度が１５０℃以上であるイットリアセラミックス焼成体からなる部材を用いる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、太陽電池並びにそれを形成するための方法及び装置に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は、多接合薄膜太陽電池並びにそれを形成するための方法及び装置に関する。 （もっと読む）

【課題】簡易でかつ低コストで製造可能なＨＯＴ構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１００）面方位Ｓｉ基板Ｓの表面に電子線ＥＢを局所的に照射した状態で、基板Ｓの表面上にセリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）を成膜することにより、電子線ＥＢが照射した領域ＡＲ１には（１００）面方位セリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）膜３６を成膜し、電子線ＥＢが照射しない領域ＡＲ２には（１１０）面方位セリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）膜３８を成膜する。それぞれ異なった面方位を有するセリウムオキサイド（ＣｅＯ_２）上に、シリコン（Ｓｉ）膜を成長することにより、ＨＯＴ(Hybrid Orientation Technology)構造を有する半導体装置を提供することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】反応管内のパーティクルの発生を抑え、且つ、高品質の半導体装置を高歩留まり率で製造する。
【解決手段】熱処理装置の排気系統のスロー排気用のバイパス管６４に並列にサブバルブＳＳＶを備えるサブバイパス管６５を形成する。このサブバルブＳＳＶを開いて、サブバイパス管６５で排気しながら、ウエハボート１４を反応管１１にロード又はアンロードし、反応副生成物の昇華ガスやパーティクルの半導体基板１５への吸着を防止する。 （もっと読む）

【課題】改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための改良された方法を提供する。
【解決手段】約２０℃〜約２５０℃の基板温度；水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で、約５：１〜約１０００：１の希釈剤気体：供給ガスの希釈比で希釈された珪素含有供給ガス；及び約０．２Torr〜約５０Torrの圧力の条件でアモルファスシリコン層のプラズマ励起化学気相成長（PECVD）を行う。 （もっと読む）