【課題】排ガスを除害するための、生成物の処理が容易な三フッ化窒素の分解処理方法および分解処理装置を提供する。
【解決手段】ＮＦ₃を含む排ガスを排出するＣＶＤ装置等の排気系に接続されて前記ＮＦ₃を分解する分解処理装置２０であって、反応室２２と、水素原子を含有する気体分子を含む反応ガスを供給されて下流側で反応室２２の側部に接続するプラズマ発生室２５と、プラズマ発生室２５において前記気体分子をプラズマ化するプラズマ源２７と、を備えることを特徴とする。プラズマ発生室２５において、気体分子はプラズマ化して、含有される水素原子を解離して水素活性種Ｈ^*とし、反応室２２において、前記ＣＶＤ装置から供給されたＮＦ₃は、プラズマ発生室２５から流入した前記水素活性種Ｈ^*と（ＮＦ₃＋６Ｈ^*→ＮＨ₃＋３ＨＦ）のように反応して、ＮＨ₃とＨＦとに分解される。 （もっと読む）

【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の厚みを精度よく制御でき、かつエピタキシャル層を形成したときに表面荒れを抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板が準備される（Ｓ１１）。そして、この基板が酸性溶液で洗浄される（Ｓ１２）。そして、洗浄する工程後に、湿式法により基板上に酸化膜が形成される（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】高抵抗エピタキシャル層の連続成長時、炉内ガスパージ後に滞留した第１層用の成長ガスを原因としたオートドープを抑えて、高抵抗エピ層の深さ方向の抵抗率プロファイルダレが小さいＩＧＢＴ用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗エピタキシャル層成長時、反応容器の幅方向の中央部からの成長ガスの流量比を４０〜５５％としたので、高濃度ｎ形ドーパントを含む第１層用の成長ガスの炉内滞留量が減少する。その結果、滞留ガス中の高濃度ｎ形のドーパントが第２層へ回り込むオートドープが抑制され、第２層は成長当初から成長終了まで略均一なドーパント濃度となり、第２層の深さ方向の抵抗率プロファイルのダレが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理デバイスにおいて改善された薄膜単接合或いは多接合型ソーラーセルを形成するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態は、ソーラーセルデバイスの一部を形成する一つ以上の層を堆積させるように適合される少なくとも一つの処理チャンバを含むシステムを提供する。一実施形態において、基板上に一つ以上の層を堆積させる前に、処理チャンバの内面上に洗浄処理を行うことによって処理チャンバ内で処理される基板の汚染を低減させる方法が用いられる。洗浄プロセスは、処理チャンバ内で見出される汚染物質を捕捉しようとするシーズニング層或いは不動態層のような層を堆積させることを含んでいてもよい。本発明の他の実施形態は、基板処理シーケンスの中で洗浄処理ステップを望ましい回数で予定し更に／又は位置決めすることを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】精度のよいオリフラおよびインフラを有するIII族窒化物半導体基板を簡単に、かつ短時間で製造できるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２上に第一の層３、金属膜４を順次形成した後、第一の層３中に空隙６を発生させて下地基板７とし、その下地基板７上に第二の層８を形成し、第二の層８を、III族窒化物半導体基板１１とすべく下地基板７から剥離して形成するIII族窒化物半導体基板１１の製造方法において、第一の層３中に空隙６を発生させる際に、空隙割合が過多となる部分Ｃを形成し、その後、第二の層８を形成して、その第二の層８に空隙割合が過多となる部分と対応する部分にピット列１２を形成し、その剥離後のIII族窒化物半導体基板１１にピット列１２を境界にしてオリフラ９およびインフラ１０を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）

【課題】搬送アーム表面の異物を除去する手段を有する基板処理装置であって、装置構成を簡素化すると共に異物除去によって装置のスループットが低下しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、半導体ウェハＷに処理を施す少なくとも１つの処理室２１と、処理室２１に隣接する搬送室１４と、搬送室１４の内部を減圧する真空ポンプ１６と、搬送室１４および処理室２１の間で半導体ウェハＷを搬送する搬送装置１５と、搬送装置１５に付着した異物を、搬送室１４内で除去する異物除去手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】清浄な状態で対象物に成膜処理を行い、且つ、装置稼働率と成膜処理効率とを向上させた成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属基板が収容されたチャンバ内を所定の圧力に減圧する減圧工程（ステップＳ１２）と、チャンバ内に収容された金属基板にシリコン系薄膜を成膜する成膜工程（ステップＳ１５）との間に、金属基板が収容された状態で、チャンバ内をクリーニングするクリーニング工程（ステップＳ１３）を設けた。クリーニング工程（ステップＳ１３）では、チャンバに付着している成膜処理による残膜を除去する残膜除去処理と、残膜除去処理による生成物の残渣を除去する残渣除去処理とが実行される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】間隔を隔てて対向する一対の電極と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

本発明は、下記の工程：ａ） 金属凝集体(３)を金属酸化物基体(２)上に形成させる工程；および、ｂ） ナノ構造体(１)を、金属凝集体で被覆した金属酸化物基体(２)上で気相成長させる工程を含み、上記基体を１種以上のプレカーサーガスの存在下に加熱し、ナノ構造体(１)の気相成長を金属凝集体(３)によって触媒する、ナノ構造体(１)の金属酸化物基体(２)上での製造方法に関する。本発明によれば、上記金属凝集体の形成工程ａ）は、上記金属酸化物基体の表面を還元性プラズマ処理によって還元して、上記基体(２)上に金属凝集体(３)の液滴を形成させる操作を含み；上記金属凝集体形成工程ａ）および上記ナノ構造体成長工程ｂ）を単一の共用プラズマ反応器チャンバー(４)内で連続して実施し、上記ナノ構造体成長を金属凝集体(３)の液滴上で直接実施する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。
【解決手段】各成分ガスの温度分布式流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。 （もっと読む）

【課題】ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。
【解決手段】具体例を述べれば、ベース層をエピタキシャル成長した後に、低温アニールを行うことで、開口部周辺部分のシリコン・ゲルマニウム層に凸部ができるように変形させ、真性ベースのキャリア走行時間を増大させずにベース抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間の処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム励起プラズマを用いた半導体製造装置は、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、グリッドとアノードとの間に配置され正電圧を印加される制御電極２９とを備え、アノードで加速させた電子をプラズマ発生室の隔壁の吹出口１２から処理室に吹き出させる。グリッドと制御電極とアノードには複数の電子通過孔をジグザグ状に配列して開設する。上下の電子通過孔同士で起きる電界の干渉を防止できるので、プラズマ発生室で発生したプラズマ中の電子を狭いピッチのウエハ間でも安定して照射でき、電子ビーム励起プラズマをウエハ上に均一に形成できる。 （もっと読む）

【課題】簡易に生産性の向上が図れる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板４が周方向に沿って設置される円盤状のディスク１と、ディスク１をその中心軸回りに水平に回転させる回転機構（回転軸）２と、ディスク１に基板４を設置するためのホルダ５と、ディスク１に対向して配置され、ディスク１との間にガス流路１１を形成する対向板６と、複数の基板４を加熱するヒーター３とを備え、ホルダ５のガス流路１１に面した成長面５ａと基板４のガス流路１１に面した成長面４ａとが同一平面上に位置するように、ホルダ５と基板４が配置され、且つディスク１のガス流路１１に面した成長面１ａよりもホルダ５の成長面５ａが対向板６側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】シール部材のメンテナンスサイクルの長期化を図り、シール部材からのパーティクル発生を減少させる。
【解決手段】チャンバー１０内でプラズマ処理が行われるＨＤＰ−ＣＶＤ装置１において、チャンバー１０を貫通しガスが導入されるガス導入穴４０と、ガス導入穴４０に挿入されガスがチャンバー１０内の所定位置に導かれるガスノズル２２と、ガスノズル２２に装着されチャンバー１０のガス導入穴４０とガスノズル２２の外周部とがシールされるＯリング４５と、を備え、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、半導体ウエハＷにヘキサクロロジシランとアンモニアとを含む成膜用ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理を複数回実行する。そして、制御部１００は、成膜処理により半導体ウエハＷに形成されるシリコン窒化膜の累積膜厚が１．５μｍを超える工程を実行する前に、反応管２内にクリーニングガスを供給して、熱処理装置１の内部を洗浄する洗浄処理を実行する。 （もっと読む）